TW201941339A - 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 - Google Patents

處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201941339A
TW201941339A TW108109177A TW108109177A TW201941339A TW 201941339 A TW201941339 A TW 201941339A TW 108109177 A TW108109177 A TW 108109177A TW 108109177 A TW108109177 A TW 108109177A TW 201941339 A TW201941339 A TW 201941339A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing liquid
primary
processing
liquid
supply
Prior art date
Application number
TW108109177A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI697976B (zh
Inventor
徳利憲太郎
田中洋一
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
日商栗田工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司, 日商栗田工業股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201941339A publication Critical patent/TW201941339A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI697976B publication Critical patent/TWI697976B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D35/00Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供一種減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量的技術。處理液供給單元3是將已由過濾器31a~過濾器31d過濾的處理液供給至多個處理單元2中的裝置。供給閥33插裝於與過濾器31a~過濾器31d連接的一次側供給配管32上。另外,於一次側供給配管32中的供給閥33的一次側連接有排液配管41。而且,排液閥42插裝於排液配管41上。控制部52對應於處理液中的粒子量,將供給閥33關閉,並將排液閥42打開,藉此將處理液經由溶解模組30及一次側供給配管32及排液配管41而排液。

Description

處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
本發明是有關於一種將處理液供給至對處理對象的基板進行處理的處理部中的處理液供給裝置及處理液供給方法。成為處理對象的基板例如包括:半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display,FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等的基板。
於半導體裝置或液晶顯示裝置的製造步驟中,使用藉由處理液來對半導體晶圓等的基板進行處理的基板處理裝置。對基板一片一片地進行處理的逐片型的基板處理裝置例如於本體部中包括處理部,所述處理部具有水平地保持基板並使其旋轉的旋轉夾盤、及朝由該旋轉夾盤所保持的基板噴出處理液的處理液噴嘴。為了將處理液供給至處理液噴嘴中,於基板處理裝置中包括有別於本體部的處理液供給裝置。於處理液噴嘴上連接有自處理液供給裝置延長的處理液供給配管,經由該處理液供給配管來供給處理液供給裝置的處理液槽中所儲存的處理液(例如,專利文獻1)。
另外,亦利用藉由溶解模組來使規定的氣體溶解的處理液對基板進行處理。例如,當利用將純水作為主成分的淋洗液對基板進行處理時,存在使用使二氧化碳以規定濃度溶解於所述純水中而成的碳酸水的情況(例如,專利文獻2)。藉由利用碳酸水對基板進行淋洗處理,而防止基板的帶電。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-351709號公報
[專利文獻2]日本專利特開2016-157895號公報
[發明所欲解決之課題]
但是,因所述溶解模組的由長時間使用所引起的經年劣化等的理由,而擔憂於通過了溶解模組的處理液中產生粒子(異物)。伴隨半導體結構的微細化,強烈要求處理液中的粒子量的去除,因此需要一種減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量的技術。
因此,本發明的目的在於提供一種可減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量的技術。
[解決課題之手段]

為了解決所述課題,第一形態是一種供給處理液的處理液供給裝置,其包括:溶解模組,使氣體溶解於處理液的原液中;一次側供給配管,其一端與所述溶解模組的二次側連接;過濾器,與所述一次側供給配管的另一端連接,對所述處理液進行過濾;二次側供給配管,與所述過濾器的二次側連接,形成通過了所述過濾器的所述處理液通過的流路;排液配管,與所述一次側供給配管連接,將所述處理液輸送至排液部中;切換部,設置於所述一次側供給配管上,於所述溶解模組與所述過濾器連通的狀態、及所述溶解模組與所述排液部連通的狀態之間進行切換;粒子測定部,設置於所述切換部的一次側,測定通過所述一次側供給配管的所述處理液中的粒子量;以及控制部,對應於由所述粒子測定部所測定的所述粒子量,控制由所述切換部所進行的切換動作。
第二形態是第一形態的處理液供給裝置,其中所述粒子測定部測定通過所述一次側供給配管中的與連接有所述排液配管的部分相比更靠一次側的所述處理液中的所述粒子量。
第三形態是第一形態或第二形態的處理液供給裝置,其中所述切換部包括:供給閥,插裝於所述一次側供給配管上,將所述一次側供給配管內的流路開閉;以及排液閥,插裝於所述排液配管上,將所述排液配管內的流路開閉;且所述控制部控制所述供給閥及所述排液閥的開閉動作。
第四形態是第三形態的處理液供給裝置,其中所述控制部於將所述供給閥關閉且將所述排液閥打開的狀態下,對應於由所述粒子測定部所測定的所述粒子量,藉由輸出裝置來向外部輸出通知。
第五形態是第三形態或第四形態的處理液供給裝置,其中所述一次側供給配管於所述切換部的二次側分支成多個分支配管,於所述多個分支配管各者上分別連接有一個所述過濾器。
第六形態是一種對基板進行處理的基板處理裝置,其包括:第一形態至第五形態的任一個處理液供給裝置、及利用已由所述處理液供給裝置的所述過濾器過濾的所述處理液對基板進行處理的處理部。
第七形態是一種供給處理液的處理液供給方法,其包括:(a)藉由溶解模組來使氣體溶解於處理液的原液中的步驟;(b)將溶解有所述氣體的所述處理液自所述溶解模組朝一次側供給配管中供給的步驟;(c)利用與所述一次側供給配管連接的過濾器對通過了所述一次側供給配管的所述處理液進行過濾的步驟;(d)測定通過所述一次側供給配管的所述處理液中的粒子量的步驟;以及(e)對應於所述步驟(d)中所測定的所述粒子量,停止所述步驟(c)中的朝所述過濾器中的所述處理液的供給,並且經由自所述一次側供給配管進行分支的排液配管將通過了所述溶解模組的所述處理液輸送至排液部中的步驟。
[發明的效果]
根據第一形態的處理液供給裝置,可排出處理液直至通過了溶解模組的處理液中的粒子量減少為止。藉此,可減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量。另外,藉由停止朝過濾器中的處理液的供給,並使一次側供給配管與排水配管連通,可將一次側供給配管內的包含粒子的處理液不經由過濾器而排出。藉此,可減少包含粒子的處理液通過過濾器,因此可謀求過濾器的長壽命化。另外,可減少包含粒子的處理液朝過濾器的二次側擴散。
根據第二形態的處理液供給裝置,於一次側供給配管中,可測定朝向排液配管的處理液中的粒子量。因此,可確認於排液處理中粒子量是否已減少。
根據第三形態的處理液供給裝置,控制部根據經測定的粒子量,自動地對供給閥及排液閥進行開閉控制來進行排液處理,因此可減輕作業者負擔。
根據第四形態的處理液供給裝置,對應於排液處理中所測定的粒子量向外部進行通知,藉此作業者可恰當地認知零件的保養·更換時期等。
根據第五形態的處理液供給裝置,於多個過濾器的一次側進行排液,藉此可減少高濃度的粒子通過各過濾器。因此,可謀求各過濾器的長壽命化,並且可減少粒子朝各過濾器的二次側擴散。
根據第六形態的基板處理裝置,可排出處理液直至通過了溶解模組的處理液中的粒子量減少為止。藉此,可減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量。另外,藉由停止朝過濾器中的處理液的供給,並使一次側供給配管與排水配管連通,可將一次側供給配管內的包含粒子的處理液不經由過濾器而排出。藉此,可謀求過濾器的長壽命化。另外,可減少粒子與包含粒子的處理液被一同供給至處理部中。
根據第七形態的處理液供給方法,可排出處理液直至通過了溶解模組的處理液中的粒子量減少為止。藉此,可減少通過了溶解模組的處理液中的粒子量。另外,藉由停止朝過濾器中的處理液的供給,並使一次側供給配管與排水配管連通,可將一次側供給配管內的包含粒子的處理液不經由過濾器而排出。藉此,可減少包含粒子的處理液通過過濾器,因此可謀求過濾器的長壽命化。另外,可減少包含粒子的處理液朝過濾器的二次側擴散。
以下,一面參照隨附的圖式,一面對本發明的實施方式進行說明。再者,該實施方式中記載的構成元件只是例示,並非將本發明的範圍僅限定於該些構成元件的意思。於圖式中,為了容易理解,有時視需要將各部的尺寸或數量誇張或簡化來圖示。
<1.實施方式>
圖1是示意性地表示實施方式的基板處理裝置1的圖。基板處理裝置1對作為基板的一例的半導體晶圓W(以下,僅稱為「晶圓W」)進行處理。基板處理裝置1包括多個處理單元2(處理部)、及將處理液供給至各處理單元2中的處理液供給單元3(處理液供給裝置)。此處,自一個處理液供給單元3對四個處理單元2供給處理液,但亦可對各處理單元設置專用的處理液供給單元。
處理單元2是利用處理液對晶圓W一片一片地進行處理的逐片型的裝置。處理單元2包括水平地保持晶圓W並使其旋轉的旋轉夾盤4、及將作為處理液的處理液供給至晶圓W上的噴嘴5。
旋轉夾盤4包括大致水平地保持晶圓W並可環繞垂直軸線進行旋轉的旋轉底座8、及使該旋轉底座8環繞垂直軸線進行旋轉的旋轉驅動機構9。可將噴嘴5設為晶圓W上的處理液的著液位置已被固定的固定噴嘴,亦可設為著液位置於自晶圓W的旋轉中心至晶圓W的邊緣的範圍內移動的可動噴嘴(掃描噴嘴)。自處理液供給單元3將處理液供給至噴嘴5中。
處理液供給單元3包括:溶解模組30、過濾器31a~過濾器31d、一次側供給配管32、供給閥33、二次側供給配管34a~二次側供給配管34d、泵35、供氣閥36、排液配管41、排液閥42、粒子測定部51、控制部52、噴出閥53a~噴出閥53d。
溶解模組30是生成將二氧化碳(CO2 )與作為處理液的原液的純水(DIW)混合的碳酸水的裝置。自純水源將純水供給至溶解模組30中,並且自二氧化碳源(儲氣瓶等)將二氧化碳供給至溶解模組30中。純水的供給藉由設置於將純水源與溶解模組30連接的配管上的泵35來進行。另外,二氧化碳的供給藉由插裝於將溶解模組30與二氧化碳源連接的配管上的供氣閥36來控制。溶解模組30例如包括中空絲膜,將二氧化碳經由所述中空絲膜而供給至純水中,藉此使二氧化碳溶解於純水中。於處理單元2中,利用使二氧化碳溶解於純水中而成的處理液(碳酸水)對晶圓W進行處理(淋洗處理),藉此減少晶圓W的帶電。
過濾器31a~過濾器31d對被供給至各處理單元2中的處理液進行過濾。過濾器31a~過濾器31d例如包括無數的細孔,對被供給至處理單元2中的處理液進行過濾,而自處理液中去除粒子。
一次側供給配管32形成處理液的流路。一次側供給配管32的一端與溶解模組30連接。另外,一次側供給配管32的另一端側於中途的分支部D1處分支成多個分支配管320a~分支配管320d。分支配管320a~分支配管320d與過濾器31a~過濾器31d分別連接。
供給閥33插裝於一次側供給配管32上。更詳細而言,供給閥33設置於溶解模組30與分支部D1之間。供給閥33將一次側供給配管32形成的流路開閉,藉此控制自溶解模組30朝過濾器31a~過濾器31d中的處理液供給的開關。
二次側供給配管34a的一端與過濾器31a連接,另一端與多個處理單元2中的一個噴嘴5連接。關於其他二次側供給配管34b~二次側供給配管34d,亦一端與過濾器31b~過濾器31d的一者連接,另一端與多個處理單元2中的一個噴嘴5連接。二次側供給配管34a~二次側供給配管34d將已由各自連接的過濾器31a~過濾器31d過濾的處理液供給至處理單元2的噴嘴5中。
噴出閥53a~噴出閥53d分別插裝於二次側供給配管34a~二次側供給配管34d各者上。噴出閥53a~噴出閥53d將二次側供給配管34a~二次側供給配管34d形成的處理液的流路開閉,藉此控制自各噴嘴5中的處理液的噴出的開關。再者,噴出閥53a~噴出閥53d亦能夠以可調整二次側供給配管34a~二次側供給配管34d的流路的開度的方式構成。藉由所述開度調整,而可控制自各噴嘴5中的處理液的每單位時間的噴出量。
排液配管41自一次側供給配管32的供給閥33的一次側的分支部D2進行分支,並與排液槽90連接。排液槽90是為了蓄積已自處理液供給單元3中排出的處理液而設置。排液槽90中所蓄積的處理液經由排出配管92而朝基板處理裝置1的機外排液。
排液閥42插裝於排液配管41上。排液閥42將排液配管41形成的流路開閉,藉此控制自一次側供給配管32內朝排液槽90中的處理液排出的開關。
供給閥33及排液閥42是設置於一次側供給配管32上,於溶解模組30與過濾器31a~過濾器31d連通的狀態、及溶解模組30與排液槽90(排液部)連通的狀態之間進行切換的切換部的一例。
粒子測定部51測定通過一次側供給配管32的處理液中的粒子量。粒子測定部51例如為對處理液中所存在的粒子(塵埃或微粒子、雜質等)進行計數的測量器(粒子計數器)。粒子測定部51例如測量來自粒子的光的散射的強度,並將與所述粒子的大小成比例的光強度以電訊號的形式取出,藉此測定粒子量。
粒子測定部51測定通過一次側供給配管32中的自溶解模組30至分支部D2為止間的配管部分322的處理液中的粒子量。此處,粒子測定部51具有作為所述配管部分322的旁路的採樣配管510。將採樣配管510設為直徑比一次側供給配管32小。粒子測定部51測定通過採樣配管510的粒子量,藉此測定通過配管部分322的處理液中的粒子量。
圖2是用於說明基板處理裝置1的主要部分的電氣結構的方塊圖。控制部52包括微電腦,按照規定的控制程式對基板處理裝置1中所包括的控制對象進行控制。尤其,控制部52對泵35、供氣閥36、供給閥33、排液閥42及噴出閥53a~噴出閥53d進行控制。控制部52與粒子測定部51連接。再者,並非必須藉由控制部52來控制泵35及供氣閥36。例如,亦可於處理液供給單元3的啟動時始終驅動泵35,藉此自純水源中始終汲出純水。
另外,控制部52與儲存部94連接。於儲存部94中保存有程式庫(recipe)940。於程式庫940中,以規定的資料形式記述有於處理單元2中應對晶圓W實施的處理的條件。具體而言,記述有處理程序或處理內容(處理時間、溫度、壓力或供給量)等。控制部52可存取儲存部94而適宜讀出程式庫940。
控制部52根據由粒子測定部51所測定的通過一次側供給配管32的處理液中的粒子量,判斷對於過濾器31a~過濾器31d的處理液的供給或停止。詳細而言,於粒子量超過了規定的排液基準值的情況下,控制部52控制供給閥33及排液閥42的開閉,藉此進行排出溶解模組30及一次側供給配管32內的處理液的排液處理。於進行排液處理的情況下,控制部52將供給閥33關閉,並將排液閥42打開。於該狀態下,已由泵35輸送至溶解模組30中的處理液經由溶解模組30及一次側供給配管32後,流入排液配管41中,然後被排液。藉此,藉由處理液來適宜沖洗蓄積於溶解模組30或一次側供給配管32等中的粒子。
於排液處理時,將供氣閥36關閉,藉此只有不含二氧化碳的純水通過溶解模組30及一次側供給配管32。於此情況下,主要藉由純水來對溶解模組30及一次側供給配管32的內部進行淨化。但是,亦可於排液處理時將二氧化碳供給至溶解模組30中,藉此使包含二氧化碳的處理液通過一次側供給配管32。
<處理液供給單元3的動作說明>
於將處理液供給至各處理單元2中的情況下,控制部52驅動泵35,並且將供氣閥36打開。藉此,於溶解模組30中生成處理液(碳酸水)。而且,控制部52使供給閥33變成打開狀態,使排液閥42變成關閉狀態,經由一次側供給配管32而將溶解模組30中所生成的處理液供給至過濾器31a~過濾器31d中(供給步驟)。於是,處理液分別通過過濾器31a~過濾器31d,藉此對處理液進行過濾(過濾步驟)。若將藉由所述過濾而去除了粒子的處理液輸送至各處理單元2中,則自各處理單元2的噴嘴5供給至晶圓W上,而對晶圓W進行處理。
圖3是用於說明處理液供給單元3的排液處理時的動作的流程圖。圖4是用於說明由控制部52所進行的排液處理時的控制內容的時序圖。
如圖3所示,於處理液供給單元3中的排液處理的動作中,包括控制部52根據規定的判斷基準,判斷是否需要排液處理的步驟S1。於該步驟S1中,如上所述,將粒子量作為判斷基準。
具體而言,粒子測定部51測定粒子量(粒子量測定步驟)。而且,控制部52若接收作為其測定結果的粒子量的資訊,則判斷所述粒子量是否超過規定的排液基準值。於未超過的情況(步驟S1中,否(No))下,再次執行步驟S1。再者,於此情況下,步驟S1的判斷以於粒子測定部51測定粒子量的每個循環中進行為宜。於粒子量超過了排液基準值的情況(步驟S1中,是(Yes))下,控制部52執行接下來的步驟S2。
於步驟S2中,控制部52使供給閥33自打開狀態變成關閉狀態。如圖4所示,若將供給閥33關閉,則自將處理液供給至過濾器31a~過濾器31d中的狀態變成停止供給的狀態。
控制部52若將供給閥33關閉,則於比其略晚、或與其大致同時的時機,使排液閥42自關閉狀態變成打開狀態(圖3的步驟S3,參照圖4)。藉此,變成溶解模組30、一次側供給配管32(詳細而言,配管部分322)及排液配管41與排液槽90連通的狀態。此時,如圖4所示,泵35為運轉狀態。另外,供氣閥36被關閉。因此,不含二氧化碳的處理液的原液(純水)自溶解模組30經由一次側供給配管32而流入排液配管41中,然後被朝排液槽90排出(排液步驟)。再者,如上所述,於排液步驟中,並非必須將供氣閥36關閉。即,亦可對包含二氧化碳的處理液進行排液。
如圖4所示,於本實施方式的排液步驟中,將排液閥42打開後,於供給閥33維持關閉的狀態下,進行多次(此處為四次)將排液閥42僅關閉規定時間T1後再次僅打開規定時間的循環控制。如此,藉由將排液閥42定期地關閉,可使溶解模組30及一次側供給配管32內的處理液的流動間歇性地停止。以下,將此種排液處理稱為「快速排液處理」。根據快速排液處理,可對處理液的流動賦予緩急,因此已附著於溶解模組30及一次側供給配管32的內部的粒子容易脫落,因此可期待粒子的去除效率的提昇。
再者,控制部52於快速排液處理中,當對排液閥42進行開閉控制時,亦可如圖4中由虛線所示般,對泵35的驅動進行開關控制。即,亦可對準將排液閥42關閉的時機使泵35停止,對準將排液閥42打開的時機驅動泵35。藉此,於排液閥42的關閉時可抑制溶解模組30或一次側供給配管32的內部的壓力上昇。因此,可減輕施加至溶解模組30或泵35中的負擔。
另外,於排液步驟的期間內,亦可將排液閥42始終打開,對泵35的驅動進行開關控制。於此情況下,亦可執行快速排液處理。另外,並非必須執行快速排液處理。即,於排液步驟中,亦可始終驅動泵35,並且將排液閥42始終打開。
另外,於排液步驟中,亦可於控制部52已判斷滿足特定的條件時,進行快速排液處理。所謂「特定的條件」,例如是指由粒子測定部51所測定的粒子量為超過規定的閾值的異常值時。
於步驟S3中,將排液閥42打開後,控制部52判斷由粒子測定部51所測定的粒子量是否已變成規定的容許值以下(步驟S4)。於藉由處理液的排出而已將溶解模組30及一次側供給配管32內部的粒子去除的情況下,期待粒子量減少。因此,於步驟S5中,藉由監視粒子量來判斷是否繼續排液。
於粒子量已超過規定的容許值的情況(步驟S4中,否)下,返回至步驟S3,繼續進行處理液的排出。另一方面,於粒子量藉由處理液的排出而已變成規定的容許值以下的情況(步驟S4中,是)下,控制部52使排液閥42變成關閉狀態(圖3的步驟S5,參照圖4)。藉由將排液閥42關閉,而停止處理液的排出。如此,控制部52監視粒子量來進行排液處理,藉此可抑制過度地進行排液處理。
再者,於步驟S4中,控制部52亦可對應於粒子測定部51測定的粒子量,藉由輸出裝置(顯示裝置、印刷裝置或燈等)來向外部輸出通知。例如,關於排液處理的繼續時間(或處理液的排出量),可考慮事先決定基準值。即,於步驟S4中,當即便排液處理的繼續時間(或處理液的排出量)超過基準值,粒子量亦不低於容許值時,控制部52以藉由輸出裝置來向外部輸出通知為宜。藉由該通知,作業者可認知處理液供給單元3的異常,因此可恰當地認知溶解模組30等的零件的保養·更換時期。
控制部52若使排液閥42變成關閉狀態,則於比其略晚、或與其大致同時的時機,使供給閥33自關閉狀態變成打開狀態(圖3的步驟S6,參照圖4)。另外,藉由將供氣閥36打開,而對溶解模組30供給二氧化碳。藉此,變成包含二氧化碳的處理液再次於一次側供給配管32內流動,並被供給至過濾器31a~過濾器31d各者中的狀態(參照圖4)。即,變成處理液供給單元3可對處理單元2供給處理液的狀態。
如以上般,根據本實施方式的基板處理裝置1,於處理液供給單元3中,將供給閥33關閉(步驟S2),並將排液閥42打開(步驟S3)。藉此,可減少通過了溶解模組30的處理液中的粒子量。另外,可於與過濾器31a~過濾器31d相比更靠一次側(即,處理液的供給源側)排出處理液。因此,已於溶解模組30、一次側供給配管32或其以外的發塵源中產生的粒子不經由過濾器31a~過濾器31d,而被排出至外部。於此情況下,可減少包含許多已於過濾器31a~過濾器31d的一次側產生的粒子的處理液通過過濾器31a~過濾器31d。藉此,可謀求過濾器31a~過濾器31d的長壽命化。
另外,由於可於過濾器31a~過濾器31d的一次側排出包含許多的粒子的處理液,因此可減少包含所述粒子的處理液朝過濾器31a~過濾器31d的二次側擴散的風險。
另外,於根據由粒子測定部51所測定的粒子量進行排液處理的情況下,可恰當地抑制包含高濃度的粒子的處理液通過過濾器31a~過濾器31d。另外,可抑制包含許多粒子的處理液被用於晶圓W的處理。另外,可抑制多餘地進行排液處理。
<2.變形例>
以上,對實施方式進行了說明,但本發明並不限定於如上所述的實施方式,可進行各種變形。
例如,關於粒子測定部51測定的粒子量,亦可事先設定成為對溶解模組30等的零件進行保養·更換的標準的維護基準值。具體而言,於粒子量已超過規定的維護基準值的情況下,控制部52亦可藉由輸出裝置(顯示裝置、印刷裝置或燈等)來向外部輸出通知。藉由向外部進行通知,作業者可恰當地認知溶解模組30等的零件的保養·更換時期。
另外,供給閥33及排液閥42亦可如所述實施方式般,以可於控制部52的控制下進行電動開閉的方式構成,但亦能夠以可手動地開閉的方式構成至少一者。但是,藉由自動地進行開閉控制,可減輕作業者負擔。
另外,亦可考慮利用兼具供給閥33及排液閥42的功能的三通閥來代替將供給閥33及排液閥42作為切換部插裝於一次側供給配管32上。於此情況下,以於一次側供給配管32中的與排液配管41連接的分支部D2上設置三通閥為宜。
處理液供給單元3供給的處理液並不限定於已使二氧化碳溶解者,例如亦可設為已使氮氣等的其他種類的氣體溶解者。另外,亦可將於碳酸水或已使氮氣等的其他種類的氣體溶解的液體中混合藥液等的其他液體而成者設為處理液。
所述實施方式的基板處理裝置1是於處理單元2中利用處理液對晶圓W一片一片地進行處理的逐片式的裝置。但是,本發明亦可應用於包括利用處理液同時對多片晶圓W進行處理的批次式的處理單元的基板處理裝置。
另外,於所述實施方式中,作為成為處理對象的基板,採用了晶圓W,但並不限定於晶圓W,例如亦可將液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用基板、FED用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等的其他種類的基板作為處理對象。
雖然對本發明進行了詳細說明,但所述說明於所有方面均為例示,本發明並不限定於此。將未例示的無數的變形例解釋為可不脫離本發明的範圍而想到者。所述各實施方式及各變形例中所說明的各結構只要不相互矛盾,則可適宜組合、或省略。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元(處理部)
3‧‧‧處理液供給單元(處理液供給裝置)
4‧‧‧旋轉夾盤
5‧‧‧噴嘴
8‧‧‧旋轉底座
9‧‧‧旋轉驅動機構
30‧‧‧溶解模組
31a~31d‧‧‧過濾器
32‧‧‧一次側供給配管
320a~320d‧‧‧分支配管
322‧‧‧配管部分
33‧‧‧供給閥
34a~34d‧‧‧二次側供給配管
35‧‧‧泵
36‧‧‧供氣閥
41‧‧‧排液配管
42‧‧‧排液閥
51‧‧‧粒子測定部
52‧‧‧控制部
53a~53d‧‧‧噴出閥
510‧‧‧採樣配管
90‧‧‧排液槽(排液部)
92‧‧‧排出配管
94‧‧‧儲存部
940‧‧‧程式庫
D1、D2‧‧‧分支部(連接部分)
W‧‧‧晶圓(半導體晶圓)
S1~S6‧‧‧步驟
圖1是示意性地表示實施方式的基板處理裝置1的圖。
圖2是用於說明基板處理裝置1的主要部分的電氣結構的方塊圖。
圖3是用於說明處理液供給單元3的排液處理時的動作的流程圖。
圖4是用於說明由控制部52所進行的排液處理時的控制內容的時序圖。

Claims (7)

  1. 一種處理液供給裝置,其是供給處理液的處理液供給裝置,其包括: 溶解模組,使氣體溶解於處理液的原液中; 一次側供給配管,其一端與所述溶解模組的二次側連接; 過濾器,與所述一次側供給配管的另一端連接,對所述處理液進行過濾; 二次側供給配管,與所述過濾器的二次側連接,形成通過了所述過濾器的所述處理液通過的流路; 排液配管,與所述一次側供給配管連接,將所述處理液輸送至排液部中; 切換部,設置於所述一次側供給配管上,於所述溶解模組與所述過濾器連通的狀態、及所述溶解模組與所述排液部連通的狀態之間進行切換; 粒子測定部,設置於所述切換部的一次側,測定通過所述一次側供給配管的所述處理液中的粒子量;以及 控制部,對應於由所述粒子測定部所測定的所述粒子量,控制由所述切換部所進行的切換動作。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的處理液供給裝置,其中所述粒子測定部測定通過所述一次側供給配管中的與連接有所述排液配管的部分相比更靠一次側的所述處理液中的所述粒子量。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的處理液供給裝置,其中所述切換部包括: 供給閥,插裝於所述一次側供給配管上,將所述一次側供給配管內的流路開閉;以及 排液閥,插裝於所述排液配管上,將所述排液配管內的流路開閉;且 所述控制部控制所述供給閥及所述排液閥的開閉動作。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的處理液供給裝置,其中所述控制部於將所述供給閥關閉且將所述排液閥打開的狀態下,對應於由所述粒子測定部所測定的所述粒子量,藉由輸出裝置來向外部輸出通知。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的處理液供給裝置,其中所述一次側供給配管於所述切換部的二次側分支成多個分支配管,於所述多個分支配管各者上分別連接有一個所述過濾器。
  6. 一種基板處理裝置,其是對基板進行處理的基板處理裝置,其包括: 如申請專利範圍第1項或第2項所述的處理液供給裝置;以及 處理部,利用已由所述處理液供給裝置的所述過濾器過濾的所述處理液對基板進行處理。
  7. 一種處理液供給方法,其是供給處理液的處理液供給方法,其包括: (a)藉由溶解模組來使氣體溶解於處理液的原液中的步驟; (b)將溶解有所述氣體的所述處理液自所述溶解模組朝一次側供給配管中供給的步驟; (c)利用與所述一次側供給配管連接的過濾器對通過了所述一次側供給配管的所述處理液進行過濾的步驟; (d)測定通過所述一次側供給配管的所述處理液中的粒子量的步驟;以及 (e)對應於所述步驟(d)中所測定的所述粒子量,停止所述步驟(c)中的朝所述過濾器中的所述處理液的供給,並且經由自所述一次側供給配管進行分支的排液配管將通過了所述溶解模組的所述處理液輸送至排液部中的步驟。
TW108109177A 2018-03-23 2019-03-18 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 TWI697976B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018055666A JP7023763B2 (ja) 2018-03-23 2018-03-23 処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法
JP2018-055666 2018-03-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201941339A true TW201941339A (zh) 2019-10-16
TWI697976B TWI697976B (zh) 2020-07-01

Family

ID=67987114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108109177A TWI697976B (zh) 2018-03-23 2019-03-18 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7023763B2 (zh)
KR (1) KR102404042B1 (zh)
CN (1) CN111788660A (zh)
TW (1) TWI697976B (zh)
WO (1) WO2019181339A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496926A (zh) * 2020-04-07 2021-10-12 细美事有限公司 基板处理方法以及基板处理装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102490845B1 (ko) * 2018-06-15 2023-01-25 엘지전자 주식회사 스팀 공급 장치 및 이를 구비한 조리기기
JP7309297B2 (ja) * 2021-03-03 2023-07-18 株式会社Screenホールディングス 給液装置、塗布装置、エージング装置、給液方法、およびエージング方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61268391A (ja) * 1985-05-24 1986-11-27 Hitachi Ltd 純水製造装置
JPH10177940A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sony Corp 薬液供給装置
JP2006351709A (ja) 2005-06-14 2006-12-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP5977058B2 (ja) * 2012-03-28 2016-08-24 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置および処理液供給方法
JP6300139B2 (ja) * 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP5741549B2 (ja) * 2012-10-09 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体
JP3189821U (ja) * 2014-01-20 2014-04-03 東京エレクトロン株式会社 処理液供給配管回路
JP6290016B2 (ja) * 2014-06-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6453724B2 (ja) * 2014-08-26 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置
JP6407764B2 (ja) 2015-02-26 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び記憶媒体
JP6716992B2 (ja) * 2016-03-25 2020-07-01 栗田工業株式会社 ウェット洗浄装置及びウェット洗浄方法
JP2016189493A (ja) * 2016-08-09 2016-11-04 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496926A (zh) * 2020-04-07 2021-10-12 细美事有限公司 基板处理方法以及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111788660A (zh) 2020-10-16
JP2019169586A (ja) 2019-10-03
TWI697976B (zh) 2020-07-01
JP7023763B2 (ja) 2022-02-22
KR102404042B1 (ko) 2022-05-30
WO2019181339A1 (ja) 2019-09-26
KR20200103113A (ko) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210225667A1 (en) Substrate processing device
TW201941339A (zh) 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
US6861371B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP5173500B2 (ja) 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US5826601A (en) Treating liquid replacing method, substrate treating method and substrate treating apparatus
TWI720261B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
CN112619272B (zh) 基板处理装置
US20040069226A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP2012216778A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20210252560A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
TWI820065B (zh) 液供給裝置及液供給方法
TWI426360B (zh) Processing system
US20050276908A1 (en) Thin film coating device, thin film coating method, immersion exposure device, and immersion exposure method
JP4553781B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
TWI792558B (zh) 處理液供應裝置以及處理液供應方法
JP2006024793A (ja) 薬液回収方法および基板処理装置
CN110073472B (zh) 基板处理方法、送液方法以及基板处理装置
JP2008159871A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI806097B (zh) 洗淨裝置、洗淨方法、晶圓洗淨方法、以及矽晶圓製造方法
TWI791956B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JPH11627A (ja) 洗浄液供給系及び供給方法
JPH06101774A (ja) ダイヤフラムバルブ
KR20230089388A (ko) 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
JPH07297169A (ja) エッチング装置
JPH06326071A (ja) ウェハーのウェット洗浄装置