JP3189821U

JP3189821U - 処理液供給配管回路

Info

Publication number: JP3189821U
Application number: JP2014000239U
Authority: JP
Inventors: 智伸古庄; 卓志佐々
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-01-20
Filing date: 2014-01-20
Publication date: 2014-04-03
Anticipated expiration: 2024-01-20
Also published as: TWM514103U

Abstract

【課題】貯留機構を使って処理液供給配管回路内に滞留する処理液中の溶存気体の脱気処理の機会を増やすと共に、フィルタのフィルトレーション回数を増やすことによってトラップ液中異物を濾材でトラップさせてクリーン度を向上させることを連続的に行える処理液供給配管回路を提供する。【解決手段】液処理装置において、液供給部から供給配管７２を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンク７４と、中間タンクの上方に接続され内部の処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、中間タンクの出口側から処理液を吸液し吐出動作を連続させる送液ポンプと、送液ポンプの吐出側となる送液ポンプ二次側配管と液供給ノズルとの間の配管に設けられ液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、開閉バルブの一次側の配管から分岐されて中間タンクに連通して処理液を循環する循環配管１１６と、循環配管の処理液の流れを開閉する循環バルブ１１７とを備える。【選択図】図１

Description

この考案は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）基板等の製造プロセスにおいて、現像液等の処理液を供給する処理液供給配管回路に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法によりウエハ等にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。

このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続した塗布・現像処理システムが用いられている。この塗布・現像処理システムにおいては、現像液やシンナー等の処理液を、このシステムに配設された各処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニット等に供給する必要がある。

従来のこの種の処理液供給配管回路として、プロセス処理を行う処理液を処理ユニットに供給するために、処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留すると同時に、処理液内に溶存しているガスを発泡させて排出することにより脱気を行っている（例えば、特許文献１参照）。また、この種の処理液供給配管回路においては、供給圧力を得るためにベローズ式ポンプやダイアフラム式ポンプで加圧し供給ノズルまで圧送している。

特開２０００−１１４１５４号公報（特許請求の範囲、図６）

従来の処理液供給配管回路においては、貯留機構の貯留容器内の処理液や配管中の処理液の脱気が不十分でフィルタ内で発泡したり、基板上に処理液を吐出したときに発泡したりすることで、吐出量の精度不良やフィルタの機能の低下が懸念される。例えば、処理液の発泡がフィルタの濾過前であればフィルタ濾材にトラップされて目詰まりを起こし、濾材通過後であれば供給ノズルまで流れてしまい塗布不良の原因となることが懸念される。

また、従来の処理液供給配管回路においては、一旦貯留機構に貯留され、貯留機構から吐出される処理液は、処理ユニットに供給される間にフィルタによって処理液中の異物が除去されるが、フィルタは１回の通過であるため、経時変化した処理液中の変成した異物が通過してしまう恐れもある。この様な異物が吐出されてしまう場合にはパターンの微細化の処理に悪影響を及ぼす懸念がある。

この考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、貯留機構を使って処理液供給配管回路内に滞留する処理液中の溶存気体の脱気処理の機会を増やすと共に、フィルタのフィルトレーション回数を増やすことによってトラップ液中異物を濾材でトラップさせてクリーン度を向上させることを連続的に行なえる処理液供給配管回路を提供することを目的とする。

前記問題を解決するために、この考案の処理液供給配管回路は、基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給部との間に構成される処理液供給配管回路において、液供給部から供給配管を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンクと、前記中間タンクの上方に接続され内部の前記処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、前記中間タンクの出口側から前記処理液を吸液し吐出動作を連続させる送液ポンプと、前記送液ポンプの吐出側となる前記送液ポンプ二次側配管と前記液供給ノズルとの間の配管に設けられ、前記液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、前記開閉バルブの一次側の配管から分岐されて前記中間タンクに連通して前記処理液を循環する循環配管と、前記循環配管の前記処理液の流れを開閉する循環バルブとを備えていることを特徴とする（請求項１）。この場合、前記送液ポンプは、マグネットポンプであることが好ましい（請求項２）

この様に構成することにより、液供給部から供給される処理液は中間タンクに所定量が貯留されて脱気されるが、循環配管により送液ポンプから処理液を中間タンクに戻すことにより、中間タンクで脱気させる機会を増やすことができる。また、送液ポンプはマグネットポンプとすることで発塵させることなく連続使用できる。

また、請求項１または請求項２の考案において、前記中間タンクと前記送液ポンプとの間の配管にフィルタが設けられていることを特徴とする（請求項３）。または、前記送液ポンプ二次側配管にフィルタを設けても良い（請求項４）。

この様に構成することにより、送液ポンプを常時駆動させていても処理液はフィルタを通過して循環しているので濾材の通過回数も増やすことができる。

また、請求項１ないし請求項４の考案において、前記循環配管に分岐する手前に前記処理液の流量を検知する流量計または圧力を検知する圧力計が設けられて、検出値が所定の設定を保つように前記送液ポンプの駆動部を制御する制御部を有することを特徴とする（請求項５）。

この様に構成することにより、循環させる処理液の液量もしくは送液圧力を送液ポンプの回転数を制御することで自在に調整することができる。

また、前記循環バルブと中間タンクとの間には、中間タンクに処理液を流す流路と前記中間タンクを介さないで前記中間タンクの出口側の配管と接続されるバイパス流路とを切り換えるバイパスバルブが設けられていることを特徴とする（請求項６）。

この様に構成することにより、中間タンクに循環するレジスト液が入らないので中間タンクに新たにレジスト液の供給をするときに供給停止のタイミングを決める上限液面センサの誤検知を防止できる。

本考案によれば、処理液中に含まれる可能性のある溶存気体を効率的に除去可能であると共に吐出量を自在にコントロール出来る。また、異なる処理ユニットの同種処理液の供給元を共有することが出来る。

本考案の実施の形態に係わる塗布ユニットの処理液供給配管図を示す回路図である。本考案の実施の形態に係わる循環配管路の実施形態を示す回路図である。本考案の一部である循環回路の実施例を示す回路図である。本考案の実施で使用されるマグネットポンプの構造を説明する構成図である。本考案の実施に係わる液処理装置の平面図である。本考案の実施に係わる液処理装置の正面図である。本考案の実施に係わる液処理装置の背面図である。

以下に、この考案の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、この考案に係る処理液供給配管回路の一例を示す概略図、図２と図３は、この考案における処理液供給配管回路の別の一例を示す概略図、図４は、本考案に用いる処理液を循環させるためのマグネットポンプについて構造を説明する構成図である。

上記処理液供給配管回路は、図１に示すように、処理液供給源（液供給部）例えばレジスト液が入った液供給ボトル７１から処理液を供給する。この液供給ボトル７１からのレジスト液を経路の途中で一旦貯留する中間タンク７４を配設する。この液供給ボトル７１と中間タンク７４とを繋ぐ配管７２の途中にはレジスト液の流入の開閉を行なう中間タンク供給バルブ７３が設けられている。なお中間タンク７４の詳細および機能については別途後述する。

中間タンク７４の底部側はフィルタ一次配管７７でフィルタ９８の一次側（上流側）と接続され、フィルタ９８の二次側（下流側）はフィルタ二次配管１１３を介してマグネットポンプ１１４の吸液側となる一次側の吸入口２０４に接続される。このフィルタ９８によりレジスト液中の異物が濾過されることになり、このフィルタ９８内で発泡して蓄積した気体を抜くためにフィルターベント配管７８が設けられており、定期的にフィルタベントバルブ７９を開けてエア抜きが行なわれる。

マグネットポンプ１１４の吐出側となる吐出口２０５に接続される先の経路として、ポンプ二次側配管９９が流量を計測するフローメータ１１９と接続され、このフローメータ１１９の手前にはディスペンス元バルブ１１８が設けられており、これより先へのレジスト液の流れを開閉するものである。

上記ポンプ二次側配管９９とディスペンス元バルブ１１８との間には、他方に分岐するための分岐管部１１５があり、他方には中間タンク７４までレジスト液を戻す流路として循環させるための循環配管１１６が設けられる。この循環配管１１６の途中経路には循環の流れを開閉する循環バルブ１１７が設けられる。

次に、フローメータ１１９から先の経路について説明する。先ず、図１中のＸ−Ｙで示す一点鎖線は、図７で詳細を後述するが例えばレジスト塗布モユニット１０，１１のようにレジスト塗布ユニットが異なることを示すものである。この異なるレジスト塗布ユニット１０、１１１を塗布ユニットＡ、Ｂとして記載している。この塗布ユニットＡ，Ｂの夫々の液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂはレジスト液の供給される供給元側が共用化されてフローメータ１１９の二次側に分岐点を有して接続をされている。

そして、液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂとフローメータ１１９との間のノズル供給管１３１ａ、１３１ｂの途中経路には、それぞれディスペンスバルブ１３０ａ、１３０ｂが設けられており制御部３００により開閉のタイミングが制御される。

図１に示す中間タンク７４は、レジスト液の貯留レベルを認識するための例えば静電容量式の液面センサを上限量位置と下限量位置に設けている。上限位置は、液供給ボトル７１から供給されるレジスト液を上限液面センサ１１１で検出すると中間タンク供給バルブ７３が閉じられて供給が停止される位置である。下限位置は、中間タンク７４内の液面が使用されることで下がって下限液面センサ１１２がオフになると中間タンク供給バルブ７３が開かれてレジスト液が供給される位置である。

この中間タンク７４内のレジスト液面の上方には空間が出きる様に設定されており、この空間の気体を排気することで陰圧としてレジスト液中に含まれる溶存された気体、例えば窒素、酸素などを脱気する様に中間タンクベント管７５と中間タンクベントバルブ７６が設けられている。中間タンクベント管７５は図示しない吸引排気元に接続される。

前述した循環配管１１６は、中間タンク７４の上限液面センサ１１１と下限液面センサ１１２の検出位置に影響を及ぼさない位置で中間タンク７４の内部壁面上に沿ってレジスト液が流れ落ちる様に配置される。これにより、循環されるレジスト液は中間タンク７４内で脱気が繰り返されるのでレジスト液中の溶存気体が配管中や吐出した基板上で発泡することが無い。また、この循環配管１１６の途中には、循環配管１１６の開閉を行なう循環バルブ１１７が設けられている。

次に、マグネットポンプ１１４についての構造例を説明する。図４は、この考案の一実施例に係るマグネットポンプ１１４の要部を示す断面図である。フロントケーシング２０１とリアケーシング２０２とで形成されるポンプ室２０３には、その前面にレジスト液の吸込口２０４が形成され、その上面にレジスト液の吐出口２０５が形成されている。ポンプ室２０３の内部には、回転体２０６が収容されている。回転体２０６は、リアケーシング２０２の中央からポンプ室２０３に向けて突設された支持軸２０７に回転可能に支持されている。回転体２０６は、支持軸２０７の外周と摺動可能に接触する円筒状の軸受２１１と、この軸受２１１の外周に形成され、外周部にリング状の従動マグネット２１２を配置したマグネットキャン２１３と、このマグネットキャン２１３の前面に装着されて回転によってレジスト液を吸込口２０４からポンプ室２０３の内部に導入し、吐出口２０５から吐出させるインペラ２１４と、このインペラ２１４の裏面に装着されて空運転時などに支持軸２０７の先端部とピンポイント接触するスラスト軸受２１５と、インペラ２１４の前面に装着されたマウスリング２１６とにより構成されている。また、インペラ２１４の前面のマウスリング２１６と対向するフロントケーシング２０１の部分には、インペラ２１４が前面に移動したときに摺接するライナーリング２１７が装着されている。

一方、リアケーシング２０２を介してマグネットキャン２１３の従動マグネット２１２と対向する位置には、回転駆動手段を構成する駆動回転体２２１のリング状駆動マグネット２２２が従動マグネット２１２と磁気結合されて配置されている。駆動回転体２２１は、駆動軸２２３を介してサーボモータＭにより駆動される。なお、駆動回転体２２１は、ポンプ室２０３からは隔離され、リアケーシング２０２と駆動体ケーシング部２２４との間の空間に収容されている。軸受２１１は、非粘着材、例えばＰＴＦＥによって形成されている。

このマグネットポンプ１１４によれば、サーボモータMが回転軸２２３を介して駆動回転体２２１を回転駆動して駆動マグネット２２２が回転すると、これと磁気結合された従動マグネット２１２も回転する。これにより、軸受２１１は支持軸２０７の周りを摺動し、インペラ２１４が回転して吸込口２０４からポンプ室２０３の内部にレジスト液が導入される。導入されたレジスト液は、殆どが吐出口２０５を介してポンプ二次配管９９側に送液される。

この様な構成にて中間タンク７４内のレジスト液は、フィルタ９８を通過しマグネットポンプ１１４で供給圧力を加えられて配管の分岐管部１１５で循環配管１１６側に流れて再び中間タンク７４に向かうレジスト液循環が行なわれる。

次に、レジスト液ディスペンスについて説明すると、液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂに向けてレジスト液を送液して基板上にレジスト液を供給する場合には、フローメータ１１９の一次側と循環配管１１６の分岐管部１１５との間に設けられたディスペンス元バルブ１１８を開けてレジスト液をフローメータ１１９以降に送液することになり、滴下処理される塗布ユニットＡ、Ｂの対応するいずれかのディスペンスバルブ１３０ａ、１３０ｂが開かれることで液処理が行われることとなる。なお、この時に循環バルブ１１７は閉じられて循環配管１１６側にレジスト液が流れない様に制御される。

フローメータ１１９は、ノズル供給管１３１ａ、１３１ｂ側に流れる流量をモニターしておりディスペンスバルブ１３０ａまたは（及び）ディスペンスバルブ１３０ｂの開閉のタイミングにより変動する液量がレジストのディスペンスレートである時間あたりの吐出流量に合う様にマグネットポンプ１１４のサーボモータＭの回転数を制御する。これにより、例えば吐出動作が重なったり単独であったりなどの様なレジストの吐出タイミングによる液量の変動を抑えることができる。液流量の代わりに圧力センサを設けて液圧力をモニターしても良いし、液流量と液圧力の両方をモニターして制御に利用しても良い。

なお、図２に示す様にフローメータ１１９が分岐管部１１５よりも手前に設けられて循環動作中の液流量を常時監視できる位置に設けられていても前述同様にマグネットポンプ１１４の制御が出来る。また、マグネットポンプ１１４の配置はフィルタ９８の一次側に設けられていても良い。

循環配管１１６においても図３に示す様に中間タンク７４と循環配管１１６との間に設けられる循環バルブ１１７の二次側に３方弁となるバイパスバルブ１２５を設ける。このバイパスバルブ１２５は、中間タンク７４に接続する配管とは別に中間タンク７４のアウト側の配管となるフィルタ一次側配管７７（図１）との間にバイパス分岐部１２７を設けてバイパス配管１２６で接続される。バイパスバルブ１２５は、中間タンク７４を通さずに循環させる様に切り換えることが出来る。切り換え信号は、例えば中間タンク７４の下限液面センサ１１２が検知されて液供給ボトル７１からの中間タンク７４へレジスト液の供給が開始される信号と同期してバイパスバルブ１２５を切り換えてバイパス配管１２６側に接続する。次に、上限液面センサ１１１が検知後にレジスト液の供給を停止すると同時にバイパスバルブ１２５を元に戻す切り換えを行い中間タンク７４側に接続する。また、別の例として、塗布ユニットＡ、Ｂで液処理を行わない待機状態が所定時間経過した場合や複数の液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂのうちで使用されない液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂが待機している時間が所定時間経過した場合などにおいて制御部からバイパス配管１２６側に切り換える信号が出される。また、同期してマグネットポンプ１１４のサーボモータＭの回転数を落としてレジスト液の循環総量を少なくさせる。これにより、フィルタ９８のフィルトレーション量を無駄に多くさせずにレジスト成分の変質を抑えることが出来る。

次に、この考案に係る処理液供給システムをレジスト塗布・現像処理システムに適用した一例について簡単に説明する。図５は、レジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図６は、レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図、図７は、レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。

上記レジスト塗布・現像処理システム１は、図５に示すように、例えば２５枚のウエハＷを収容するカセットＣに対してウエハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウエハ搬送アーム７が設けられている。ウエハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウエハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。

また、ウエハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。

処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１，第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１，第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。

第１の処理ユニット群Ｇ１には、
図６に示すように、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布処理装置を有するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０，１１，１２、露光時の光の反射を防止するための紫外線硬化樹脂液を塗布して反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３，１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、ウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２１〜２４が下から順に４段に重ねられている。

なお、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種現像液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５，２６がそれぞれ設けられている。このケミカル室（ＣＨＭ）２５．２６に、この考案に係る処理液供給システムが組み込まれている。また、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図７に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウエハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウエハＷを加熱処理する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウエハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。

また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図５に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図７に示すように、ウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）８０，８１、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）８２，８３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）８４が配置されている。

また、図６に示すように、カセットステーション２、処理ステーション３及びインターフェース部４の各ブロックの上部には、各ブロック内を空調するための空調ユニット９０が備えられている。この空調ユニット９０により、カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェース部４内は、所定の温度及び湿度に調整できる。また、図７に示すように、例えば処理ステーション３の上部には、第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５内の各装置に所定の気体を供給する、例えばＦＦＵ（ファンフィルタユニット）などの気体供給手段である気体供給ユニット９１がそれぞれ設けられている。気体供給ユニット９１は、所定の温度、湿度に調整された気体から不純物を除去した後、当該気体を所定の流量で送風できる。

インターフェース部４は、図５に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウエハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウエハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図５の背面側），１０４（図５の正面側）が各々設置されている。ウエハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３，１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウエハ搬送アーム１０６が設けられている。ウエハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。

なお、上記実施形態では、この考案に係る処理液供給システムを半導体ウエハの塗布・現像処理システムのレジスト液の配管回路に適用する場合について説明したが、洗浄液であるシンナーや純水の供給ラインや現像処理に用いられる現像液の供給ラインにも適用できる。また、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＦＰＤでも適用できる。

Ａ、Ｂ塗布ユニット
７１液供給ボトル
７４中間タンク
７６中間タンクベントバルブ
９８フィルタ
１１１上限液面センサ
１１２下限液面センサ
１１４マグネットポンプ
１１６循環配管
１１７循環バルブ
１１８ディスペンス元バルブ
１１９フローメーター
１２５バイパスバルブ
１２６バイパス配管
１３０ａ、ｂディスペンスバルブ
１３２ａ、ｂ液供給ノズル

Claims

基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給部との間に構成される処理液供給配管回路において、
液供給部から供給配管を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンクと、
前記中間タンクの上方に接続され内部の前記処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、
前記中間タンクの出口側から前記処理液を吸液して吐出動作を連続させる送液ポンプと、
前記送液ポンプの吐出側となる前記送液ポンプ二次側配管と前記液供給ノズルとの間の配管に設けられ、前記液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、
前記開閉バルブの一次側の配管から分岐されて前記中間タンクに連通して前記処理液を循環する循環配管と、
前記循環配管の前記処理液の流れを開閉する循環バルブと、
を、備えていることを特徴とする処理液供給配管回路。
前記送液ポンプは、マグネットポンプであることを特徴とする請求項１に記載の処理液供給配管回路。
前記中間タンクと前記送液ポンプとの間の配管にはフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液供給配管回路。
前記送液ポンプ二次側配管にはフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液供給配管回路
前記循環配管に分岐する手前に前記処理液の流量を検知する流量計または前記処理液の圧力を検知する圧力計が設けられて、検出値が所定の設定を保つように前記送液ポンプの駆動部を制御する制御部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の処理液供給配管回路。
前記循環バルブと中間タンクとの間には、中間タンクに処理液を流す流路と前記中間タンクを介さないで前記中間タンクの出口側の配管と接続されるバイパス流路とを切り換えるバイパスバルブが設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の処理液供給配管回路。