TWI791956B

TWI791956B - 基板處理裝置以及基板處理方法

Info

Publication number: TWI791956B
Application number: TW109107343A
Authority: TW
Inventors: 阿野誠士; 基村雅洋
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2019-03-20
Filing date: 2020-03-06
Publication date: 2023-02-11
Also published as: JP7202229B2; JP2020155613A; TW202040291A; WO2020189327A1

Abstract

基板處理裝置(100)係藉由鹼處理液處理基板(W)。基板處理裝置(100)係具備處理部(1)、供給單元(30)、回收單元(40)以及惰性氣體供給部(60)。處理部(1)係處理基板(W)。供給單元(30)係具有第一收容部(31)。第一收容部(31)係收容用以供給至處理部(1)的鹼處理液。回收單元(40)係具有第二收容部(41)。第二收容部(41)係收容從處理部(1)回收的鹼處理液。惰性氣體供給部(60)係對第一收容部(31)以及第二收容部(41)的至少一者供給惰性氣體。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法

本發明係有關於一種基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法。

在半導體製造中，於阻劑(resist)剝離工序使用鹼處理液作為阻劑剝離液。以阻劑剝離液而言，例如已知有氫氧化四甲銨(TMAH；tetra methyl ammonium hydroxide)(例如專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2003-140364號公報。

鹼處理液係當空氣中的二氧化碳溶入時會生成碳酸鹽。結果，會有鹼處理液的阻劑剝離性能降低的可能性。

本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種能抑制鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽之基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法。

本發明的基板處理裝置係藉由鹼處理液處理基板。前述基板處理裝置係具備處理部、供給單元、回收單元以及惰性氣體供給部。前述處理部係處理前述基板。前述供給單元係具有第一收容部。前述第一收容部係收容用以供給至前述處理部的前述鹼處理液。前述回收單元係具有第二收容部。前述第二收容部係收容從前述處理部回收的前述鹼處理液。前述惰性氣體供給部係對前述第一收容部以及前述第二收容部的至少一者供給惰性氣體。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備控制部。前述回收單元係進一步具有供給部。前述供給部係從前述第二收容部對前述第一收容部供給前述鹼處理液。前述控制部係控制前述供給部以及前述惰性氣體供給部。前述控制部係以下述方式控制前述惰性氣體供給部：與不使前述供給部動作之情形相比，在使前述供給部動作之情形中增加前述惰性氣體的供給量。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備返回配管部以及偵測部。前述返回配管部係連接前述處理部以及前述第二收容部。前述偵測部係偵測於前述返回配管部內是否存在有前述鹼處理液。前述控制部係以下述方式進行控制：在依據前述偵測部所偵測的結果判定成於前述返回配管內存在有前述鹼處理液之情形中，前述供給部開始動作。

在實施形態之一中，前述惰性氣體供給部係具有計測部。前述計測部係計測供給至前述第一收容部或者前述第二收容部之前述惰性氣體的量。

在實施形態之一中，前述處理部係進一步具備第一噴嘴以及第二噴嘴。前述第一噴嘴係對前述基板供給前述鹼處理液。前述第二噴嘴係對前述基板供給前述鹼處理液以及前述惰性氣體。

在實施形態之一中，前述處理部係進一步具有第一噴嘴以及第二噴嘴。前述第一噴嘴係對前述基板供給前述鹼處理液。前述第二噴嘴係對前述基板供給碳酸水以及惰性氣體。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備第三收容部。前述第三收容部係收容從前述處理部回收的前述碳酸水。在前述第二噴嘴對前述基板供給前述碳酸水之情形中，前述碳酸水係被回收至前述第三收容部且前述碳酸水係不會被回收至前述第二收容部。

在實施形態之一中，進一步具備第一液體接住部、第二液體接住部以及移動部。前述第一液體接住部係接住已處理過前述基板後的前述鹼處理液。前述第二液體接住部係接住已處理過前述基板後的前述碳酸水。前述移動部係使前述第一液體接住部以及前述第二液體接住部移動。前述移動部係在藉由前述鹼處理液處理前述基板之情形中，移動前述第一液體接住部以使前述第一液體接住部接住前述鹼處理液。前述移動部係在前述第二噴嘴對前述基板供給前述碳酸水之情形中，移動前述第二液體接住部以使前述第二液體接住部接住前述碳酸水。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備控制部以及返回配管部。前述返回配管部係連接前述處理部以及前述第二收容部。前述返回配管部係具有供給配管部以及排出配管部。前述供給配管部係將已處理過前述基板後的前述鹼處理液供給至前述第二收容部。前述排出配管部係將已處理過前述基板後的前述鹼處理液予以排出。前述控制部係控制前述供給配管部以及前述排出配管部。前述控制部係在前述處理部藉由前述鹼處理液開始前述基板的處理且在預定的期間內以已處理過前述基板的前述鹼處理液於前述排出配管部流動之方式進行控制，並在經過前述預定的期間後以已處理過前述基板後的前述鹼處理液於前述供給配管部流動之方式進行控制。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備回收配管部。前述回收配管部係連接前述第一收容部以及前述第二收容部。前述惰性氣體供給部係對前述回收配管部供給惰性氣體。

本發明的基板處理方法係用以處理基板。前述基板處理方法係包含：供給工序，係從用以收容鹼處理液之第一收容部將前述鹼處理液供給至處理部；處理工序，係前述處理部藉由前述鹼處理液處理前述基板；以及回收工序，係將已處理過前述基板的前述鹼處理液從前述處理部回收至第二收容部。對前述第一收容部以及前述第二收容部的至少一者供給惰性氣體。

本發明的半導體製造方法係用以處理半導體基板並製造屬於處理後的前述半導體基板的半導體。前述半導體製造方法係包含：供給工序，係從用以收容鹼處理液之第一收容部將前述鹼處理液供給至處理部；處理工序，係前述處理部藉由前述鹼處理液處理前述半導體基板；以及回收工序，係將已處理過前述半導體基板的前述鹼處理液從前述處理部回收至第二收容部。對前述第一收容部以及前述第二收容部的至少一者供給惰性氣體。

本發明的基板處理裝置係能抑制鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。

1:處理單元(處理部)

2:記憶部

3:控制部

5:藥液櫃

6:腔室

10:自轉夾具

11:夾具銷

12:自轉基座

13:自轉馬達

14:第一罩(第一液體接住部)

14a,15a:上端

15:第二罩(第二液體接住部)

16:移動部

21:噴嘴(第一噴嘴)

22,24:噴嘴移動單元

23:噴嘴(第二噴嘴)

28:對向構件

30:供給單元

31:供給槽(第一收容部)

32:循環配管

32a:上流側端部

32b:下游側端部

33:循環泵

34:循環過濾器

35:循環加熱器

40:回收單元

41:回收槽(第二收容部)

44:回收泵(供給部)

51:返回配管部

52:回收配管部

60,60a,60b:惰性氣體供給部

62:流量計(計測部)

70:排出槽

80:排出槽(第三收容部)

100:基板處理裝置

100a:框體

515:偵測部

A1:旋轉軸

A2,A3:轉動軸線

C:承載器

CR:中心機器人

IR:索引機器人

LP:裝載埠

P1,P2,P3:供給配管

P4,P7:氣體供給配管

P5:配管

P6:分支配管

P8:供給配管部

P9:排出配管部

P10:配管部

U:塔

V1,V2,V3,V4,V5,V6,V31,V32,V33,V41:閥

W:基板

[圖1]係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置的構成之俯視圖。

[圖2]係示意性地顯示處理單元的構成之側視圖。

[圖]3中，(a)係顯示本實施形態的基板處理方法之流程圖，(b)係顯示阻劑剝離處理方法之流程圖。

[圖4]係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置的構成之側視圖。

[圖5]係示意性地顯示本發明的實施形態二的基板處理裝置的構成之側視圖。

[圖6]係示意性地顯示本發明的實施形態三的基板處理裝置的構成之側視圖。

[圖7]係示意性地顯示本發明的實施形態四的基板處理裝置的構成之側視圖。

[圖8]係示意性地顯示本發明的變化例的基板處理裝置的構成之側視圖。

以下，參照圖式說明本發明的實施形態。此外，針對圖式中相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，在本發明的實施形態中，X軸、Y軸以及Z軸係彼此正交，X軸以及Y軸係與水平方向平行，Z軸係與鉛直方向平行。

[實施形態一]

參照圖1說明本發明的實施形態一的基板處理裝置100。圖1係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置100的構成之俯視圖。

如圖1所示，基板處理裝置100為葉片式的裝置，用以逐片地處理基板W。基板處理裝置100係例如為使用於從經過蝕刻處理的基板W的表面剝離已不需要的阻劑之裝置。詳細而言，基板處理裝置100係藉由鹼處理液處理基板W。此外，基板處理裝置100係對表面存在有金屬膜的基板W進行處理。

基板W係例如為矽晶圓、樹脂基板、玻璃基板或者石英基板。在本實施形態中，基板W為多晶矽(polysilicon)晶圓。在本實施形態中例示了圓板狀的半導體基板作為基板W。然而，基板W的形狀並未特別地限定。基板W亦可形成為例如矩形狀。

基板處理裝置100係具備複數個裝載埠(load port)LP、複數個處理單元1、記憶部2以及控制部3。此外，處理單元1係相當於「處理部」的一例。

裝載埠LP係保持已收容了基板W的承載器(carrier)C。處理單元1係藉由處理流體處理從裝載埠LP搬運而來的基板W。處理流體係例如為處理液或者處理氣體。

記憶部2係包含ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)以及RAM(Random Access Memory；快閃記憶體)般的主記憶裝置(例如半導體記憶體)，且亦可進一步包含輔助記憶裝置(例如硬碟機(hard disk drive))。主記憶裝置以及/或者輔助記憶裝置係記憶藉由控制部3所執行的各種電腦程式。

控制部3係包含CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)以及MPU(Micro Processing Unit；微處理單元)般的處理器(processor)。控制部3係控制基板處理裝置100的各個要素。

基板處理裝置100係進一步具備搬運機器人。搬運機器人係在裝載埠LP與處理單元1之間處理基板W。搬運機器人係包含索引機器人(indexer robot)IR以及中心機器人(center robot)CR。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與處理單元1之間搬運基板W。索引機器人IR以及中心機器人CR係分別包含用以支撐基板W之手部(hand)。

基板處理裝置100係進一步具備藥液櫃(chemicals cabinet)5以及複數個供給單元30。處理單元1以及複數個供給單元30係配置於基板處理裝置100的框體100a的內部。藥液櫃5係配置於基板處理裝置100的框體100a的外部。藥液櫃5亦可配置於基板處理裝置100的側方。此外，藥液櫃5亦可配置於設置有基板處理裝置100的無塵室(cleaning room)的下方(地下)。

複數個處理單元1係構成上下層疊的塔U。塔U係設置有複數個。複數個塔U係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。

在本實施形態中，於塔U層疊有三個處理單元1。此外，塔U係設置四個。此外，構成塔U之處理單元1的個數並未特別限定。此外，塔U的個數亦未特別限定。

複數個供給單元30係分別與複數個塔U對應。藥液櫃5內的藥液係經由供給單元30供給至與供給單元30對應的塔U。結果，對塔U所含有的全部的處理單元1供給藥液。

參照圖1以及圖2說明處理單元1。圖2係示意性地顯示處理單元1的構成之側視圖。

如圖2所示，基板處理裝置100係具備處理單元1、供給單元30、回收單元40、返回配管部51、回收配管部52、惰性氣體供給部60a以及惰性氣體供給部60b。

處理單元1係包含腔室(chamber)6、自轉夾具(spin chuck)10、第一罩(cup)14以及第二罩15。

腔室6係具有略箱形狀。腔室6係收容基板W。基板W係例如為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係用以逐片地處理基板W之葉片型的裝置，且於腔室6逐片地收容有基板W。

自轉夾具10係配置於腔室6內。自轉夾具10係一邊水平地保持基板W一邊使基板W繞著旋轉軸A1旋轉。旋轉軸A1為鉛直的軸，並通過基板W的中央部。

自轉夾具10係包含複數個夾具銷(chuck pin)11、自轉基座(spin base)12、自轉馬達(spin motor)13、第一罩14、第二罩15以及移動部16。此外，第一罩14係相當於「第一液體接住部」的一例。此外，第二罩15係相當於「第二液體接住部」的一例。

自轉基座12為圓板狀的構件。複數個夾具銷11係在自轉基座12上以水平的姿勢保持基板W。自轉馬達13係使複數個夾具銷11旋轉，藉此使基板W繞著旋轉軸A1旋轉。

本實施形態的自轉夾具10為夾持式的夾具(chuck)，用以使複數個夾具銷11接觸至基板W的外周面。然而，本發明並未限定於此。自轉夾具10亦可為真空式的夾具。真空式的夾具係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面(下表面)吸附至自轉基座12的上表面，藉此水平地保持基板W。

第一罩14與第二罩15係接住從基板W排出的處理液。詳細而言，第一罩14係接住已處理過基板W後的鹼處理液。第二罩15係接住已處理過基板W後的碳酸水。

移動部16係使第一罩14以及第二罩15在上升位置與下降位置之間升降。在第一罩14位於上升位置時，第一罩14的上端14a係位於比自轉夾具10還上方。在第一罩14位於下降位置時，第一罩14的上端14a係位於比自轉夾具10還下方。此外，在第二罩15位於上升位置時，第二罩15的上端15a係位於比自轉夾具10還上方。在第二罩15位於下降位置時，第二罩15的上端15a係位於比自轉夾具10還下方。

在對基板W供給處理液時，第一罩14以及第二罩15係位於上升位置。

處理單元1係進一步包含噴嘴21、噴嘴移動單元22、供給配管P1以及閥V1。

噴嘴21係朝被自轉夾具10保持的基板W噴出藥液。此外，噴嘴21係相當於「第一噴嘴」的一例。藥液係例如為鹼處理液。鹼處理液係包含例如氫氧化四甲銨(TMAH)。此外，鹼處理液亦可為氫氧化鉀(KOH；potassium hydroxide)。

供給配管P1係對噴嘴21供給鹼處理液。閥V1係切換開始對噴嘴21供給鹼處理液以及停止對噴嘴21供給鹼處理液。

噴嘴移動單元22係使噴嘴21在處理位置與退避位置之間移動。處理位置係指噴嘴21朝基板W噴出藥液之位置。退避位置係指噴嘴21已從基板W離開之位置。噴嘴移動單元22係例如使噴嘴21繞著轉動軸線A2迴旋，藉此使噴嘴21移動。轉動軸線A2為鉛直的軸，且位於第一罩14以及第二罩15的周邊。

處理單元1係進一步包含噴嘴23、噴嘴移動單元24、供給配管P2、供給配管P3、閥V2以及閥V3。

噴嘴23係朝被自轉夾具10保持的基板W噴出碳酸水以及氮氣。此外，噴嘴23係相當於「第二噴嘴」的一例。

供給配管P2係對噴嘴23供給碳酸水。閥V2係切換開始對噴嘴23供給碳酸水以及停止對噴嘴23供給碳酸水。

供給配管P3係對噴嘴23供給氮氣。閥V3係切換開始對噴嘴23供給氮氣以及停止對噴嘴23供給氮氣。

噴嘴移動單元24係使噴嘴23在處理位置與退避位置之間移動。處理位置係指噴嘴23朝基板W噴出藥液之位置。退避位置係指噴嘴23已從基板W離開之位置。噴嘴移動單元24係例如使噴嘴23繞著轉動軸線A3迴旋，藉此使噴嘴23移動。轉動軸線A3為鉛直的軸，且位於第一罩14以及第二罩15的周邊。

供給單元30係對處理單元1供給鹼處理液。供給單元30係具有供給槽31。供給槽31係收容用以供給至處理單元1的鹼處理液。供給單元30的詳細說明係參照圖4並容後詳述。此外，供給槽31係相當於「第一收容部」的一例。

回收單元40係從處理單元1回收已處理過基板W的鹼處理液。回收單元40係具有回收槽41。回收槽41係收容已從處理單1元回收的鹼處理液。回收單元40的詳細說明係參照圖4並容後詳述。此外，回收槽41係相當於「第二收容部」的一例。

返回配管部51係連接處理單元1以及回收槽41。因此，已藉由處理單元1已處理過基板W的鹼處理液係於返回配管部51流動並被回收至回收槽41。

回收配管部52係連接供給槽31以及回收槽41。因此，被收容於回收槽41且已處理過基板W的鹼處理液係於回收配管部52流動並被回收至供給槽31。

惰性氣體供給部60a係對供給槽31供給惰性氣體。惰性氣體係相對於鹼處理液為惰性的氣體。惰性氣體係包含例如氮氣。此外，惰性氣體亦可為氬氣。惰性氣體的流量較佳為例如5LPM(公升/分鐘)以上。

惰性氣體供給部60b係對回收單元40供給惰性氣體。惰性氣體係相對於鹼處理液為惰性的氣體。惰性氣體係包含例如氮氣。此外，惰性氣體亦可為氬氣。惰性氣體的流量較佳為例如5LPM(公升/分鐘)以上。

接著，參照圖1、圖2、圖3中的(a)以及圖3中的(b)說明本實施形態的基板處理裝置100所執行的基板處理方法。圖3中的(a)係顯示本實施形態的基板處理方法之流程圖。圖3中的(b)係顯示阻劑剝離處理方法之流程圖。如圖3中的(a)所示，本實施形態的基板處理方法係包含步驟S1至步驟S5。如圖3中的(b)所示，阻劑剝離處理方法係包含步驟S21至步驟S23。

如圖3中的(a)所示，在基板處理裝置100處理基板W之情形中，首先，基板W係被搬入至腔室6(步驟S1)。詳細而言，搬運機器人係將基板W搬入至腔室6。此外，在本實施形態中，基板W為蝕刻處理完畢且形成有阻劑的基板。被搬入的基板W係被自轉夾具10保持。

在自轉夾具10保持基板W後，進行阻劑剝離處理(步驟S2)。如圖3中的(b)所示，在阻劑剝離處理中，首先進行供給處理(步驟S21)。詳細而言，從供給槽31將鹼處理液供給至處理單元1。詳細而言，噴嘴21一邊以轉動軸線A2作為中心轉動一邊噴出鹼處理液。噴嘴21係噴出鹼處理液直至至少基板W的上表面的全部區域被鹼處理液覆蓋為止。

進行了供給處理後，再進行鹼液體處理(步驟S22)。詳細而言，處理單元1係藉由鹼處理液處理基板W。詳細而言，藉由鹼處理液處理基板W從而剝離基板W的表面的阻劑。

接著，進行回收處理(步驟S23)。詳細而言，將已處理過基板W的鹼處理液從處理單元1回收至回收槽41。

當結束阻劑剝離處理(步驟S2)時，在步驟S3中進行洗淨處理。詳細而言，噴嘴23係一邊以轉動軸線A3作為中心轉動一邊噴出碳酸水以及氮氣。結果，洗淨基板W。

在步驟S4中使基板W乾燥。

在步驟S5中，使基板W停止旋轉後，從腔室6搬出基板W並結束圖3中的(a)以及圖3中的(b)所示的處理。

此外，在實施形態一的半導體製造方法中，藉由包含步驟S1至步驟S5以及步驟S21至步驟S23的基板處理方法處理蝕刻處理完畢且形成有阻劑的半導體基板(以下稱為基板W)，藉此製造屬於處理後的半導體基板之半導體。

此外，在本實施形態中，雖然基板處理裝置100係針對蝕刻處理完畢且形成有阻劑的基板W進行了阻劑剝離處理，但本發明並未限定於此。例如，亦可在基板處理裝置100中進行蝕刻處理。

參照圖4進一步說明基板處理裝置100。圖4係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置100的構成之側視圖。

如圖4所示，供給單元30係具有供給槽31，且進一步具有循環配管32、循環泵(circulation pump)33、循環過濾器34、循環加熱器35、氣體供給配管P4、配管P5、閥V31、閥V32以及閥V33。

供給槽31係收容鹼處理液。循環配管32為管狀的構件。於循環配管32內形成有使鹼處理液循環的循環路徑。循環配管32係具有上流側端部32a以及下游側端部32b。循環配管32係連通於供給槽31。具體而言，循環配管32的上游側端部32a以及下游側端部32b係連通於供給槽31。

循環泵33係將供給槽31內的鹼處理液輸送至循環配管32。當循環泵33動作時，供給槽31內的鹼處理液係被輸送至循環配管32的上游側端部32a。被輸送至上游側端部32a的鹼處理液係於循環配管32內被運送，並從下游側端部32b被排出至供給槽31。循環泵33持續動作，藉此鹼處理液從上游側端部32a朝下游側端部32b持續地於循環配管32內流動。結果，鹼處理液係於循環配管32循環。

循環過濾器34係從於循環配管32循環的鹼處理液去除微粒(particle)般的異物。循環加熱器35係加熱鹼處理液，藉此調整鹼處理液的溫度。循環加熱器35係將鹼處理液的溫度保持成例如比室溫還高的固定的溫度(例如60℃)。於循環配管32循環的鹼處理液的溫度係藉由循環加熱器35而被保持成固定的溫度。

循環泵33、循環過濾器34以及循環加熱器35係設置於循環配管32。

亦可設置加壓裝置以取代循環泵33。加壓裝置係使供給槽31內的氣壓上升，藉此將供給槽31內的鹼處理液送出至循環配管32。

氣體供給配管P4係經由閥V31連接惰性氣體供給部60a以及供給槽31。閥V31係切換開始對供給槽31供給惰性氣體以及停止對供給槽31供給惰性氣體。

配管P5係經由閥V32以及閥V3連接於洩槽(drain tank)(未圖示)。閥V32以及閥V33係切換開始對洩槽排出鹼處理液以及停止對洩槽排出鹼處理液。

一般而言，當空氣中的二氧化碳溶入至鹼處理液時，會生成碳酸鹽。當生成碳酸鹽時，鹼處理液的濃度會降低，從而鹼處理液的阻劑剝離性能會降低。

因此，惰性氣體供給部60a係經由氣體供給配管P4對供給槽31供給惰性氣體。因此，能使供給槽31內的二氧化碳的濃度降低。結果，能抑制在供給槽31內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

處理單元1係進一步具有閥V4以及分支配管P6。對基板W的背面供給鹼處理液。閥V4係切換對基板W的背面開始供給鹼處理液以及停止對基板W的背面供給鹼處理液。

回收單元40係具有回收槽41，且進一步具有閥V41、回收泵44以及氣體供給配管P7。此外，回收泵44係相當於「供給部」的一例。

回收槽41係收容已從處理部回收的鹼處理液。

回收泵44係從回收槽41對供給槽31供給鹼處理液。詳細而言，回收泵44係將回收槽41內的鹼處理液輸送至回收配管部52。

亦可設置加壓裝置以取代回收泵44。加壓裝置係使回收槽41內的氣壓上升，藉此將回收槽41內的鹼處理液送出至回收配管部52。

氣體供給配管P7係連接惰性氣體供給部60b以及回收槽41。

惰性氣體供給部60b係經由氣體供給配管P7對回收槽41供給惰性氣體。因此，能使回收槽41內的二氧化碳的濃度降低。結果，能抑制在回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

在已使回收泵44動作之情形中，會有回收槽41外的空氣從回收槽41的排氣口(未圖示)進入至回收單元的可能性。結果，會有回收槽41內的二氧化碳的濃度上升的可能性。

因此，在已使回收泵44動作之情形中，較佳為控制部3係以下述方式控制惰性氣體供給部60b：與未使回收泵44動作之情形相比，在使回收泵44動作之情形中惰性氣體的供給量增加。因此，使回收泵44動作，藉此能使所增加的回收槽41內的二氧化碳的濃度降低。結果，能抑制在回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。

基板處理裝置100係進一步具備排出槽70。已處理過基板W後的鹼處理液係被排出至排出槽70。

返回配管部51係連接處理單元1以及回收槽41。返回配管部51係具有供給配管部P8以及排出配管部P9。

供給配管部P8係將已處理過基板W後的鹼處理液供給至回收槽41。供給配管部P8係連接處理單元1以及回收槽41。供給配管部P8係具有閥V5。閥V5係切換開始朝回收槽41供給已處理過基板W後的鹼處理液以及停止朝回收槽41供給已處理過基板W後的鹼處理液。

排出配管部P9係將已處理過基板W後的鹼處理液排出至排出槽70。排出配管部P9係從供給配管部P8分支並連接於排出槽70。排出配管部P9係具有閥V6。閥V6係切換開始朝排出槽70排出已處理過基板W後的鹼處理液以及停止朝排出槽70排出已處理過基板W後的鹼處理液。

一般而言，在處理單元藉由鹼處理液剛開始阻劑去除的處理後，會有大量的阻劑混入至鹼處理液。因此，較佳為在剛開始阻劑去除的處理後不將鹼處理液回收至回收槽。因此，在本實施形態中，較佳為控制部3係以在剛開始阻劑去除的處理後不將鹼處理液回收至回收槽41之方式控制供給配管部P8以及排出配管部P9。

具體而言，控制部3係在處理單元1藉由鹼處理液開始基板W的處理且在預定的期間內，以已處理過基板W後的鹼處理液於排出配管部P9流動之方式進行控制。詳細而言，控制部3係控制閥V6，從而打開閥V6而使已處理過基板W後的鹼處理液流動至排出槽70。另一方面，控制部3係控制閥V5，從而關閉閥V5並使已處理過基板W後的鹼處理液不流動至回收槽41。

此外，在經過預定的期間後，以已處理過基板W後的鹼處理液於供給配管部P8流動之方式進行控制。詳細而言，控制部3係控制閥V5，從而打開V5而使已處理過基板W後的鹼處理液流動至回收槽41。另一方面，控制部3係控制閥V6，從而關閉閥V6而使已處理過基板W後的鹼處理液不會流動至排出槽70。

如此，在剛開始阻劑去除的處理後，控制部3係以不會將鹼處理液回收至回收槽41之方式進行控制。因此，能設定成在混入有大量的阻劑的狀態下不將鹼處理液回收至回收槽41。結果，能效率佳地再次使用已處理過基板W後的鹼處理液。

以上，如已參照圖1至圖4所說明般，在基板處理裝置100中，惰性氣體供給部60係對供給槽31(第一收容部)以及回收槽41(第二收容部)的至少一者供給惰性氣體(氮氣)。因此，能使供給槽31內以及回收槽41內的二氧化碳的濃度降低。結果，能抑制在供給槽31內以及回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

此外，在本實施形態中，雖然惰性氣體供給部60皆對供給槽31以及回收槽41供給惰性氣體，但本發明並未限定於此。例如，惰性氣體供給部60亦可僅對供給槽31以及回收槽41的任一者供給惰性氣體。

此外，控制部3係以下述方式控制惰性氣體供給部60：與不使回收泵44(供給部)動作之情形相比，在使回收泵44動作之情形中增加惰性氣體的供給量。因此，使回收泵44動作，藉此能使所增加的回收槽41內的二氧化碳的濃度降低。結果，能抑制在回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。

此外，控制部3係在處理單元1(處理部)藉由鹼處理液開始基板W的處理且在預定的期間內，以已處理過基板W後的鹼處理液於排出配管部P9流動之方式進行控制。此外，控制部3係在經過預定的期間後，以已處理過基板W後的鹼處理液於供給配管部P8流動之方式進行控制。因此，能設定成在混入有大量的阻劑的狀態下不將鹼處理液回收至回收槽41。結果，能效率佳地再次使用已處理過基板W後的鹼處理液。

[實施形態二]

參照圖1、圖2以及圖5說明本發明的實施形態二的基板處理裝置100。圖5係示意性地顯示本發明的實施形態二的基板處理裝置100的構成之側視圖。除了惰性氣體供給部60具有流量計62之點除外，由於實施形態二的基板處理裝置100係具有與實施形態一的基板處理裝置100同樣的構成，因此省略重複部分的說明。

如圖5所示，惰性氣體供給部60a係具有流量計62。此外，流量計62係相當於「計測部」的一例。流量計62係計測被供給至供給槽31之惰性氣體的量。較佳為控制部3係依據流量計62所計測的惰性氣體的供給量調整惰性氣體供給部60a供給至供給槽31之惰性氣體的量。結果，能抑制過度地供給惰性氣體。此外，控制部3亦可進行反饋(feedback)控制，藉此調整供給至供給槽31之惰性氣體的量。

同樣地，惰性氣體供給部60b係具有流量計62。此外，流量計62係相當於「計測部」的一例。流量計62係計測供給至回收槽41之惰性氣體的量。較佳為控制部3係依據流量計62所計測的惰性氣體的供給量調整惰性氣體供給部60b供給至回收槽41之惰性氣體的量。結果，能抑制過度地供給惰性氣體。此外，控制部3亦可進行反饋控制，藉此調整供給至回收槽41之惰性氣體的量。此外，如在實施形態一所說明般，會有下述可能性：回收槽41係在回收泵44的動作中，回收槽41的二氧化碳的濃度係上升。因此，較佳為用以對回收槽41供給惰性氣體之惰性氣體供給部60b係具有流量計62。

與實施形態一同樣地，在本實施形態中亦能抑制在供給槽31內以及回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

[實施形態三]

參照圖1、圖2以及圖6說明本發明的實施形態三的基板處理裝置100。圖6係示意性地顯示本發明的實施形態三的基板處理裝置100的構成之側視圖。除了基板處理裝置100具備偵測部515之點除外，由於實施形態三的基板處理裝置100係具有與實施形態一的基板處理裝置100同樣的構成，因此省略重複部分的說明。

如圖6所示，基板處理裝置100係進一步具備偵測部515。偵測部515係設置於回收槽41內。詳細而言，偵測部515係設置於回收槽41的底面附近。偵測部515係偵測於回收槽41內是否存在有鹼處理液。偵測部515係例如為電容量感測器。控制部3係在已依據偵測部515所偵測的結果判定成於回收槽41內存在有鹼處理液之情形中，進行控制以使回收泵44開始動作。因此，能縮短鹼處理液滯留於回收槽41的時間。此外，控制部3係在已依據偵測部515所偵測的結果判定成於回收槽41內未存在有鹼處理液之情形中，進行控制以使回收泵44停止動作。結果，能抑制在回收槽41中鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

與實施形態一以及實施形態二同樣地，在本實施形態中，亦能抑制在供給槽31內以及回收槽41內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

[實施形態四]

參照圖1、圖2以及圖7說明本發明的實施形態四的基板處理裝置100。圖7係示意性地顯示本發明的實施形態四的基板處理裝置100的構成之側視圖。除了基板處理裝置100進一步具備排出槽80之點除外，由於實施形態四的基板處理裝置100係具有與實施形態一的基板處理裝置100同樣的構成，因此省略重複部分的說明。

如圖7所示，基板處理裝置100係進一步具備排出槽80以及配管部P10。排出槽80係收容已從處理單元1回收的碳酸水。已洗淨過基板W後的碳酸水係被排出至排出槽80。配管部P10係連接處理單元1以及排出槽80。此外，排出槽80係相當於「第三收容部」的一例。

在噴嘴21對基板W供給鹼處理液之情形中，已處理過基板W後的鹼處理液鹼處理液係被回收至回收槽41。此時，控制部3係以打開閥V5且關閉閥V6之方式進行控制。此外，移動部16(參照圖2)係在藉由鹼處理液處理基板W之情形中使第一罩14移動，從而使第一罩14接住鹼處理液。因此，被第一罩14接住的鹼處理液係經由供給配管部P8被回收至回收槽41。

另一方面，在噴嘴23對基板W供給碳酸水之情形中，碳酸水係被回收至排出槽80。此外，在噴嘴23對基板W供給碳酸水之情形中，碳酸水不會被回收至回收槽41。此時，控制部3係以關閉閥V5以及閥V6之方式進行控制。此外，移動部16(參照圖2)係在噴嘴23對基板W供給碳酸水之情形中使第二罩15 移動，藉此使第二罩15接住碳酸水。因此，被第二罩15接住的碳酸水係經由配管部P10被回收至排出槽80。

以上，如已參照圖1、圖2以及圖7所說明般，移動部16係在藉由鹼處理液處理基板W之情形中使第一罩14(第一液體接住部)移動，從而使第一罩14接住鹼處理液。因此，在藉由鹼處理液處理基板W之情形中，鹼處理液係被回收至回收槽41。另一方面，在噴嘴23(第二噴嘴)對基板W供給碳酸水之情形中使第二罩15(第二液體接住部)移動，從而使第二罩15接住碳酸水。因此，在噴嘴23對基板W供給碳酸水之情形中，碳酸水係被回收至排出槽80。結果，能效率佳地回收鹼處理液以及碳酸水。

以上，已參照圖式(圖1至圖7)說明了本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施(例如以下所示的(1)至(5))。為了容易理解，圖式係主體性且示意性地顯示各個構成要素，且圖式中的各個構成要素的厚度、長度、個數等係因為圖式製作的便利性而與實際不同。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀以及尺寸等為一個例子，並未特別限定，可在未實質性地逸離本發明的功效的範圍內進行各種變更。

(1)雖然在實施形態一至實施形態四中噴嘴23(第二噴嘴)係對基板W供給(噴出)碳酸水以及氮氣，但本發明並未限定於此。例如，噴嘴23亦可供給 (噴出)鹼處理液以及惰性氣體。在此情形中，能抑制在藉由鹼處理液處理基板W的過程中生成碳酸鹽。

(2)雖然在實施形態一至實施形態四中惰性氣體供給部60係對供給槽31或者回收槽41供給惰性氣體，但本發明並未限定於此。例如，惰性氣體供給部60亦可對回收配管部52供給惰性氣體。結果，在從回收單元40經由回收配管部52對供給單元30供給鹼處理液之情形中，能抑制在回收配管部52內鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

(3)惰性氣體供給部60亦可藉由氣泡(bubbling)將惰性氣體供給至供給槽31以及回收槽41。藉由氣泡供給惰性氣體，藉此能使鹼處理液中的溶存二氧化碳量減少。結果，能抑制鹼處理液與二氧化碳反應從而生成碳酸鹽。因此，能抑制鹼處理液的阻劑剝離性能的降低。

(4)雖然在實施形態一至實施形態四中回收單元40係配置於基板處理裝置100的內部，但本發明並未限定於此。回收單元40亦可配置於基板處理裝置100的外部。

(5)在實施形態一至實施形態四中，處理單元1亦可進一步包含對向構件28(參照圖8)。圖8係示意性地顯示本發明的變化例的基板處理裝置100的構成之側視圖。如圖8所示，對向構件(阻隔板)28係可與基板W的上表面對向地配置。例如，對向構件28係移動至從基板W起10mm以下的高度。對向構件28中之與基板W的上表面對向之面的尺寸係例如比基板W的上表面的尺寸還大。噴嘴21係從對向構件28的中央部隔著間隔與基板W的上表面對向。噴嘴21係噴出鹼處理液並噴出惰性氣體。因此，能抑制在藉由鹼處理液處理基板W的過程中生成碳酸鹽。