TW201939771A - 電極連接元件、包含其之發光裝置以及製造發光裝置之方法 - Google Patents

電極連接元件、包含其之發光裝置以及製造發光裝置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201939771A
TW201939771A TW108104314A TW108104314A TW201939771A TW 201939771 A TW201939771 A TW 201939771A TW 108104314 A TW108104314 A TW 108104314A TW 108104314 A TW108104314 A TW 108104314A TW 201939771 A TW201939771 A TW 201939771A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
electrode
connection member
connection element
light emitting
Prior art date
Application number
TW108104314A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI787453B (zh
Inventor
金正培
琴旻鍾
尹永太
李景國
Original Assignee
南韓商周星工程股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商周星工程股份有限公司 filed Critical 南韓商周星工程股份有限公司
Publication of TW201939771A publication Critical patent/TW201939771A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI787453B publication Critical patent/TWI787453B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/90—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies using means for bonding not being attached to, or not being formed on, the body surface to be connected, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明涉及一種電極連接元件、包括該電極連接元件的發光裝置，以及製造該發光裝置的方法，更具體地，涉及電性連接電極端子和外部驅動電路的一種電極連接元件、包括該電極連接元件的發光裝置，以及製造該發光裝置的方法。根據示例性實施例的電極連接元件包括：一上連接構件，與在一基板上形成的一電極端子的一上表面接觸；一下連接構件，配置為支持該基板的一下表面；一連接構件，配置為將該上連接構件和該下連接構件相互連接。

Description

電極連接元件、包含其之發光裝置以及製造發光裝置之方法
本發明涉及一種電極連接元件、包括該電極連接元件的發光裝置，以及製造該發光裝置的方法，更特別涉及一種電性連接電極端子和外部驅動電路的電極連接元件、包括該電極連接元件的發光裝置，以及製造該發光裝置的方法。
發光裝置是指利用化合物半導體的特性將電訊號轉換成紅外線或光並且用於發送或接收訊號或用作光源的裝置。
根據視覺上表達電訊號的技術的快速進步，已經密集地進行了諸如減小厚度、重量和功耗的研究和開發，以展現出發光器件的優異特性。其中，有機發光裝置用於各種應用產品，例如照明裝置和顯示器，其藉由自發光元件的使用可以具有較小的厚度並且可以彎曲。
這種發光裝置響應於從外部驅動電路施加的電訊號而發光。
為了從外部驅動電路向發光裝置施加電訊號，通常使用薄膜軟板╱玻璃貼合製程（film-on-glass，FOG）接合方法。FOG接合方法是指這樣的方法，其中：將導電顆粒分佈在黏合樹脂膜中的異向性導電膜（anisotropic conductive film，ACF）附著到設置在玻璃上的電極上；將柔性印刷電路板（flexible printed circuit board ，FPCB）設置在異向性導電膜上並提供適當的壓力；因此，柔性印刷電路板和設置在玻璃上的電極電性連接。
然而，使用異向性導電膜以施加電訊號的方法由多個過程構成，因此會有黏合過程所消耗的工作時間增加以及生產率和工作效率降低的限制。
(相關技術文獻)
(專利文獻 1) KR10-2004-0085897 A。
本發明在此涉及電極連接元件，包括該電極連接元件的發光裝置，以及製造發光裝置的方法，其能夠藉由簡化的過程可靠地電性連接電極端子和外部驅動電路。
根據示例性實施例，電極連接元件包括：電極連接元件包括：一上連接構件，與在一基板上形成的一電極端子的一上表面接觸；一下連接構件，配置為支持該基板的一下表面；一連接構件，配置為將該上連接構件和該下連接構件相互連接；以及一彈性構件，設置在該基板與該下連接構件之間，並配置成保持該電極端子的該上表面與該上連接構件之間的接觸。
該電極端子可由一導電非金屬材料所形成，且該上連接構件可由一導電金屬材料所形成。
該連接構件可以包括一第一連接構件和一第二連接構件，該第一連接構件和該第二連接構件分別從該上連接構件的兩端彎曲而形成，且該下連接構件可以包括一第一下連接構件和一第二下連接構件，該第一下連接構件和該第二下連接構件分別從該第一連接構件和該第二連接構件彎曲。
該第一下連接構件和該第二下連接構件可以藉由在該第一連接構件和該第二連接構件朝向彼此的一方向上彎曲而形成，且該彈性構件可以被支撐於該第一下連接構件和該第二下連接構件之上並施壓予該基板。
該彈性構件可以形成以使該彈性構件的一中央部彎曲以朝向該基板的該下表面突出。
該上連接構件可以包含從該上連接構件之一底表面突出的多個突出部。
該連接構件可以包含一螺栓和一螺母，或一鉚釘。
根據另一示例性實施例，發光裝置包含：一基板，包含一主動區和一非主動區；一發光元件，形成在該主動區上；以及一電極連接元件，形成在該非主動區上且被該基板彈性地支撐並耦接至該基板，以供電至該發光元件。
該發光元件可以包含延伸到該非主動區上的一電極端子，該電極連接元件的一側可以與該電極端子接觸，且該電極連接元件的另一側可以與該基板接觸。
該電極連接元件可以藉由穿過該基板以耦接至該基板。
該電極連接元件可以耦接到該基板的一側表面。
根據示例性實施例，一種用於製造發光裝置的方法包括：準備一基板，該基板具有一主動區和一非主動區；在該主動區上形成一發光元件；以及在該非主動區上形成一電極連接元件，該電極連接元件被該基板彈性地支撐並配置為向該發光元件供電。
該電極連接元件的形成可以包含：形成穿過該基板的一穿孔；以及透過該穿孔固定該電極連接元件。
該電極連接元件的固定可以包含：在該基板上提供一板狀構件，該板狀構件包含一水平部和各自從該水平部的兩端彎曲的多個垂直部；提供形成於該基板下的一彈性構件，使該彈性構件的一中央部朝向該基板的一下表面彎曲；將該些垂直部插穿該穿孔；以及將從該基板的該下表面露出的該些垂直部向內彎曲，以支撐該彈性構件。
製造發光裝置的方法可以更包含將用於連接該電極連接元件至一外部驅動電路的一接線焊接到該電極連接元件上。
在下文中，將參考圖式詳細描述示例性實施例。然而，本發明可以以不同的形式實施，並且不應該被解釋為限於這裡闡述的實施例。相反地，提供這些實施例是為了使本發明徹底和完整，並且將本發明的範圍完全傳達給本領域技術人員。在圖式中，相同的標號始終表示相同的元件。
應當理解，它被旨稱為「上」、「連接到」、「堆疊」或「耦接到」另一個元件，它可以直接在上、連接、堆疊或耦接到其他元件，或者可以存在中間元件。
空間相對術語，例如「上方」或「上」和「下方」或「下」等，在本文中為了便於描述，如圖中所示，可以使用這些元件來描述一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。應當理解，包含圖中所示的取向之外，空間相對術語旨在包括使用或操作中的裝置的不同取向。相同的圖式標記始終表示相同的元件。
圖1是示出外部驅動電路連接到典型發光裝置的狀態的視圖。
如圖1所示，為了將發光元件電性連接到外部驅動電路，典型的發光裝置使用具有分佈在黏合膜中的導電顆粒的異向性導電膜（ACF）60。
也就是說，典型的發光裝置使用這樣的方法，其中具有導電顆粒分佈在黏合膜中的異向性導電膜60被黏附到從包含在發光元件中的電極層延伸的電極端子30上，將柔性印刷電路板（FPCB）70設置在異向性導電膜上並施壓予基板20，因此，柔性印刷電路板70電性連接到包含在發光元件中的電極端子30。
這是因為電極端子30是由導電非金屬材料形成，並且導電非金屬材料不能藉由焊接連接到外部驅動電路，例如外部電線或印刷電路板。也就是說，金屬材料和另一種金屬材料可以藉由使用焊料等來焊接而彼此接合和電性連接，而當連接非金屬材料和金屬材料時，則不能使用這種焊接方法。
然而，使用這種異向性導電膜60的電訊號施加方法可能具有局限性，其在於異向性導電膜60的黏合樹脂在熱壓過程中熔化並流動，此時，導電顆粒與樹脂流一起移動，因而使外部驅動電路沒有被電性連接，或者電極之間可能發生非預期的短路。
另外，使用ACF 60作為單獨的步驟執行接合過程，並且依序地執行加載、預接合和主接合以及卸載過程中的每一個，因此，可能存在黏合過程的工作時間增加，生產率和工作效率降低的限制。
因此，根據示例性實施例的電極連接元件提出了一種技術特徵，其中外部驅動電路和電極端子可以在不使用ACF的情況下電性連接。
下文將示例性地描述一配置，其中根據示例性實施例的電極連接元件電性連接外部驅動電路和基板上提供的發光元件的電極端子。然而，電極連接元件當然不僅可以應用於發光元件的電極端子，而且還可以應用於從外部驅動電路連接電源的各種電氣元件。
圖2是根據示例性實施例所示出的發光裝置的示意圖。另外，圖3是根據示例性實施例所示出的電極連接元件的示意圖，並且圖4是根據另一示例性實施例所示出的電極連接元件的示意圖。
參考圖2至圖4，根據示例性實施例的電極連接元件300包括：與形成在基板100上的電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及將上連接構件310和下連接構件350彼此互相連接的連接構件330。
此外，根據示例性實施例的發光裝置被配置為包括電極連接元件300，且更特別包括：具有主動區和非主動區的基板100；設置在主動區上的發光元件200；設置在非主動區上，且被基板100的上側和下側支撐並耦接在基板100的上側和下側的電極連接元件300，以便供電至發光元件200。
各種絕緣基板可以用作基板100。另外，為了實現柔性顯示器，基板100可以形成為柔性透明基板，其最近作為顯示領域中的新技術而受到關注。在這種情況下，基板100可以藉由使用具有高耐熱性的聚合物塑料來形成，諸如聚合物塑料例如聚醚碸（polyethersulphone PES）、聚丙烯酸酯（polyacrylate，PAR）、聚噻吩醯亞胺（polyehterimide，PEI）、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylenenapthalate，PEN）或聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyehtyleneterepthalate，PET）。
此外，基板100可以是薄膜並且具有大約0.1mm或更小的厚度，且以大約50μm至大約100μm為佳。因此，當基板100形成為柔性、薄、透明的塑料等基板時，即使像紙一樣折疊或捲起也不會損壞的下一代顯示設備的柔性照明裝置和柔性顯示器可以實現。
基板100具有主動區和非主動區。於此，在基板100上，主動區是指形成發光元件200並執行照明或顯示功能的區域，而非主動區指的不是主動區，而是外部驅動電路與之電性連接的區域。
發光元件200形成在主動區上。於此，發光元件200可以是利用自發光現象並包括有機化合物層的有機發光元件。在下文中，發光元件200為包括有機發光元件的示例，當然不限於此，發光元件200可以應用設置在基板100的主動區上並發光的各種結構。
發光元件200可包括形成在基板100上的電極層；在電極層上形成的有機化合物層；和在有機化合物層上形成的導電層。
電極層和導電層可以分別是陰極電極和陽極電極，用於向有機化合物層提供電子和電洞，並且當發光元件200用於顯示裝置時，電極層和導電層可以分別延伸以形成數據線和掃描線。在這種情況下，電極端子210可以從電極層或導電層延伸並且電性連接到設置在基板100上的薄膜電晶體（未繪示）。
電極端子210可以形成以從基板100上的主動區延伸到非主動區。電極端子210主要形成以從發光元件200的電極層向一側延伸，不過當然地，導電層也可以形成以延伸到發光元件200的另一側而形成電極端子210。於此，當光是從有機發光層朝向基板100發射時，形成在有機化合物層上的導電層不一定是由導電非金屬材料形成。然而，當導電層是由導電非金屬材料形成時可能會有限制，因為從導電層延伸的電極端子210可能不藉由焊接連接到外部驅動電路，因此，示例性實施例當然也可以以相同的方式應用於這種情況。
電極層可以由透明導電材料形成，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）和氧化銦錫鋅（ITZO），因此使得由形成在電極層上的有機化合物層所產生的光可以被發射到基板100的下側而不會受到電極層干擾。
有機化合物層是形成於電極層上。儘管未繪示出來，但是有機化合物層可以藉由層疊電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層來形成。在有機化合物層中，當從外部驅動電路施加驅動訊號時，電子和電洞從分別對應的電極層和導電層釋放，並且所釋放的電子和電洞會發射可見光，同時在發光層內部再結合。此時，所產生的可見光可以藉由由透明導電材料形成的電極層發射到基板100的下側，並且用於照射目標物或顯示預定的圖片或影像。
電極連接元件300可以形成在基板100的非主動區上，並且被基板100的上側和下側支撐，以便供電至發光元件200。也就是說，電極連接元件300接觸於從電極層延伸到非主動區上的電極端子210並電性連接到電極層，且電極連接元件300具有被基板100的上側和下側支撐並被物理連接到電極端子210和基板100的結構。
如上所述，電極連接元件300包括：與在基板100上形成的電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；配置為支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及配置為將上連接構件310和下連接構件350相互連接的連接構件330。也就是說，上連接構件310位於基板100上方，且更具體地，上連接構件310是位於延伸到基板100的非主動區的電極端子210上，且接觸並電性連接於電極端子210。為此，上連接構件310可以由導電金屬材料形成。另外，下連接構件350位於基板100下方，且施壓予基板100的下表面並支撐基板100的下表面。於此，連接構件330將上連接構件310和下連接構件350彼此連接，且因此電極連接元件300可以被支撐於基板的上側和下側之上，並且耦接到基板的上側和下側。
如此一來，電極連接元件300藉由上連接構件310與基板100上的電極端子210接觸，且電極連接元件300可以通過基板100以施壓予基板100的下表面並支撐基板100的下表面，以藉由下連接構件350耦接到基板100和電極端子210。另外，雖然未繪示出來，但電極連接元件300當然也可以耦接到基板100的一個側表面，即連接到基板100的一個側表面的端部，如此一來，連接構件330藉由從上連接構件310的一端向下彎曲而形成，並且下連接構件350形成以從連接構件330的下端沿朝向上連接構件310的方向延伸。在下文之電極連接元件300穿過基板100並且耦接到基板100和電極端子210的實施例中，但是示例性實施例不限於此，當然，電極連接元件可以應用於各種結構，其中電極連接元件電性連接到電極端子210並且被基板100的上側和下側支撐並耦接到基板100的上側和下側。
如圖3所示，於示例性實施例的電極連接元件300可包括：與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及將上連接構件310和下連接構件350彼此互相連接的連接構件330，其中，連接構件330可以包括第一連接構件332和第二連接構件334，它們分別藉由從上連接構件310的兩端彎曲而形成，且下連接構件350可以包括第一下連接構件352和第二下連接構件354，它們分別藉由從第一連接構件332和第二連接構件334彎曲而形成。
於此，穿孔可以在基板100中形成以耦接連接構件。一般而言，當光是從有機發光層朝向基板100發射時，透明玻璃基板可以用以作為基板100。然而，在示例性實施例的發光裝置中，為了耦接電極連接元件300，需要在基板100中形成穿孔。由於玻璃基板在形成穿孔時更可能產生裂縫，因此相較於玻璃基板，會希望使用柔性透明基板。另外，穿孔可以藉由雷射處理等以在基板100中形成，並且在圖3中，其為藉由雷射處理等提供兩個穿孔來通過電極端子210和基板100兩者的示例。然，當電極連接元件300形成而使得第一連接構件332和第二連接構件334設置在電極端子210的兩端之外時，則當然不需要在電極端子210中設置穿孔。
於此，電極連接元件300可以藉由處理板狀構件來形成，該板狀構件藉由使用板狀似的構件形成，並且包括水平部和分別從水平部的兩端向下彎曲的垂直部。即，在板狀構件具有對應於上連接構件310的水平部和分別從水平部的兩端向下彎曲的垂直部的板狀構件中，第一連接構件332和第一下連接構件352是藉由彎曲從水平部的一端彎曲的垂直部而形成，而第二連接構件334和第二下連接構件354是藉由彎曲從水平部的另一端彎曲的垂直部而形成。因此，電極連接元件300可以形成以包括與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310、支撐基板100的下表面的下連接構件350，以及將上連接構件310和下連接構件350彼此連接的連接構件330。該電極連接元件300可以一體形成，並且由具有高導電性的金屬材料形成。另外，上連接構件310可包括從上連接構件310的底表面突出的多個突出部315。這些突出部315與上連接構件310一體形成，並提升上連接構件310和電極端子210之間的接觸性。突出部315可以藉由各種方法形成在上連接構件310的底表面上，例如增加上連接構件310的底表面的粗糙度的方法。
在示例性實施例的電極連接元件300中，第一下連接構件352和第二下連接構件354可以藉由分別向第一連接構件332和第二連接構件334的外側彎曲而形成，也可以分別藉由在第一連接構件332和第二連接構件334朝向彼此的方向上向內彎曲而形成。在兩種情況下，電極連接元件300可以施壓予基板100的下表面並且藉由第一下連接構件352和第二下連接構件354來被基板100支撐，但是當第一下連接構件352和第二下連接構件354分別藉由在第一連接構件332和第二連接構件334彼此面對的方向中彎曲而形成時，彈性構件370可以容易地固定到第一下連接構件352和第二下連接構件354之間的基板100的下表面。
彈性構件370設置在基板100和下連接構件350之間，並保持電極210的上表面與上連接構件310之間的接觸。也就是說，彈性構件370從下表面向上施壓予基板100，而因此電極連接元件300被基板彈性支撐，並且電極端子210的上表面與上連接構件310之間的接觸可以保持。另外，電極端子210的上表面與上連接構件310接觸的接觸表面的面積可以藉由施壓予彈性構件370來增加。也就是說，彈性構件370對基板100提供向上的壓力，並且因此，不僅可以保持電極端子210的上表面與上連接構件310之間的接觸，而且接觸表面的面積還可以增加。另外，當使用柔性基板時，即使在基板100折疊或捲起時，也可以確實地保持電極端子210的上表面與上連接構件310之間的接觸狀態。
設置在基板100和下連接構件350之間並向上施壓予基板100的彈性構件370可以以各種形式提供。然而，如上所述，當第一下連接構件352和第二下連接構件354藉由在第一連接構件332和第二連接構件334朝向彼此的方向上向內彎曲而形成時，彈性構件370的兩端也可以被支撐在第一下連接構件352和第二下連接構件354上並施壓予基板100。另外，可以設置彈性構件370，使得彈性構件370的中央部彎曲以朝向基板100的下表面突出，並從下方彈性地施壓予基板100。在這種情況下，彈性構件370不一定由導電金屬材料形成，而是可以由絕緣材料形成，以防止如短路之類的缺陷發生。
相反地，如圖4所示，另一示例性實施例的電極連接元件300包括：與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及將上連接構件310和下連接構件350彼此連接的連接構件330，其中連接構件330可以形成為包括螺栓和螺母，或者由鉚釘形成。
於此，穿孔也可以在基板100中形成以耦接連接構件。因此，以柔性的透明基板作為基板100為佳，而不是在形成穿孔時更可能產生裂縫的玻璃基板，並且單個穿孔可以藉由雷射處理等在基板100中或在基板和電極端子210中形成。
於此，電極連接元件300可以形成為使得具有穿孔的上連接構件310設置在電極端子210上，且具有穿孔的下連接構件設置在基板100下方，並且上連接構件310和下連接構件350藉由螺栓和螺母或鉚釘固定。也就是說，電極連接元件300，其包括與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310、支持基板100下表面的下連接構件以及將上連接構件310和下連接構件350彼此連接的連接構件330，可以形成為：將螺栓從上連接構件310上方***設置在電極端子210上的上連接構件310和設置在基板100下方的下連接構件350，然後將螺母固定到從基板100的下表面露出的螺栓上；或者，使得鉚釘從上連接構件310上方***，並且處理從基板100的下表面露出的鉚釘的端部。在這種情況下，雖然未繪示，但是電極連接元件300當然還可以包括彈性構件，該彈性構件耦接到從基板100的下表面露出的螺栓或鉚釘，並且施壓予基板100。
於此，形成上連接構件310的材料可以包括具有高導電率的金屬材料，並且可以包括多個突出部315從上連接構件310的底表面突出。此外，另一示例性實施例的電極連接元件300當然還可包括墊圈，設置在電極端子210上方或基板100下方以保護電極端子210的表面或基板100並提升螺栓和螺母之間的緊固力。
在下文中，將詳細描述根據示例性實施例的製造發光裝置的方法。在描述根據示例性實施例的製造發光裝置的方法時，將省略上述示例性實施例的關於發光裝置的重覆內容的描述。
圖5至圖9是根據示例性實施例所依序示出的製造發光裝置的方法的視圖；圖10至圖12是根據另一示例性實施例所依序示出的製造發光裝置的方法的視圖。
參考圖5至圖12，示例性實施例的製造發光裝置的方法包括：準備具有主動區和非主動區的基板100；形成發光元件200在主動區上；以及形成電極連接元件300，其被在非主動區上的基板的上側和下側上支撐，以便供電至發光元件200。
在準備基板100時，準備其中定義了主動區和非主動區的基板100。於此，為了實現柔性顯示器，基板100可以藉由使用柔性透明基板來形成，例如，使用聚合物塑料，或者也可以形成為膜的形態。
在形成發光元件200在主動區上時，發光元件200形成在基板100上的主動區內，且發光元件200可以是包括使用自發光現象的有機化合物層的有機發光元件。另外，如上所述，發光元件200可包括形成在基板100上的電極層；形成在電極層上的有機化合物層；以及形成在有機化合物層上的導電層。在基板100上形成發光元件200通常是習知的，因此將省略其的詳細描述。
在形成電極連接元件300時，形成用於供電至發光元件200的電極連接元件300，並且電極連接元件300被在非主動區上的基板100的上側和下側支撐。
如上所述，電極端子210可以形成以從主動區上的電極層延伸到基板100上的非主動區。於此，電極端子210可以以與電極層相同的方式由如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）和氧化銦錫鋅（ITZO）的透明導電材料來形成，並且因此，從形成在電極層上的有機化合物層所產生的光可以被允許發射到基板100的下側而不會被電極層干擾。
因此，在形成電極連接元件300時，電極連接元件300形成以接觸並電性連接在基板100的非主動區上的電極端子210。如上所述，電極連接元件300包括：與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及將上連接構件310和下連接構件350彼此連接的連接構件330。於此，上連接構件310位於基板100上方，更具體地，上連接構件310位於延伸到基板100的非主動區的電極端子210上方，且接觸並電性連接電極端子210。另外，下連接構件350位於基板100下方且施壓支撐基板100的下表面。於此，連接構件330將上連接構件310和下連接構件350彼此連接，並且因此，電極連接元件300可以被基板的上側和下側支撐並且耦接到基板的上側和下側。
電極連接元件300還可以形成以使連接構件330從上連接構件310的一端向下彎曲，並且下連接構件350形成以從連接構件330的下端沿朝向上連接構件310的方向延伸，以便與一個側表面（即基板100的側端）接合。然而，電極連接元件300可以藉由上連接構件310接觸電極端子210且可以通過基板100並且耦接到基板100和電極端子210，以便藉由下連接構件350施壓並支撐基板100的下表面。
當電極連接元件300形成以通過基板100並且耦接到基板100和電極端子210時，電極連接元件300的形成可包括：形成穿過基板100的穿孔H；並藉由穿孔固定電極連接元件300。
於此，可以如圖5至圖9所示來執行示例性實施例中的電極連接元件300的固定。也就是說，示例性實施例的電極連接元件300的固定可包括：提供板狀構件，其包括水平部和從水平部的兩端向下彎曲的垂直部331和333；將垂直部331和333***以通過穿孔H；並且將從基板100的下表面露出的垂直部331和333向內彎曲。
也就是說，為了固定示例性實施例的電極連接元件300，在上述穿孔H的形成中，兩個穿孔形成在對應於垂直部331和333從板狀構件的兩端分別向下彎曲的位置。這些穿孔H可以僅形成在基板100中，或者形成在基板100和電極端子210兩者中。
在形成穿孔H在基板100或基板和電極端子210中之後，包括水平部和從水平部的兩端向下彎曲的垂直部331和333的板狀構件設置在基板100上方，也就是說，設置在形成在基板上的電極端子210上。於此，板狀構件具有對應於上連接構件310的水平部和從水平部的兩端向下彎曲的垂直部331和333。另外，從水平部的底表面突出的多個突出部315可以設置在底表面上，並且如上所述，水平部和電極端子210之間的接觸性可以藉由突出部而提升。
當板狀構件設置在電極端子210上方時，藉由向下施壓予板狀構件將垂直部331和333中的每一個***到穿孔H中。這樣，藉由向下施壓予板狀構件將垂直部***相應的穿孔H是藉由施壓予板狀構件直到水平部來進行的，也就是說，上連接構件310接觸電極端子210的上表面，並且當上連接構件310接觸於電極端子210的上表面並以預定壓力施壓予電極端子210時，藉由穿孔H從基板100的下表面露出的垂直部331和333在彼此相對的方向上向內彎曲。於此，可以將每個垂直部331和333向內彎曲，使得垂直部331和333施壓予基板100的下表面，並且連接構件330和下連接構件350可以藉由將每個垂直部331和333向內彎曲而形成。
此外，示例性實施例的電極連接元件300的固定還可包括：在將垂直部331和333***穿孔H之前，提供在基板100下方的彈性構件370，彈性構件370形成為彎曲的，使得彈性構件370的中央部朝向基板100的下表面突出。所提供的彈性構件370施壓予基板100，同時其兩端被第一下連接構件352和第二下連接構件354所支撐，第一下連接構件352和第二下連接構件354是藉由將每個垂直部331和333中向內彎曲而形成。因此，電極連接元件300被基板100彈性地支撐並從下方彈性地施壓予基板100，並且因此，電極端子210的上表面與上連接構件210之間的接觸可以保持。另外，如上所述，彈性構件370可以從下方彈性地施壓予基板100，使得彈性構件370的中央部彎曲以朝向基板100的下表面突出。
另外，可以如圖10至圖12所示來執行另一示例性實施例的電極連接元件300的固定。也就是說，另一示例性實施例的電極連接元件300的固定可包括：定位分別形成在基板100的上側和下側的上連接構件310和下連接構件350；從上連接構件310的上側將螺栓336***並穿過穿孔H；並且將螺母338緊固至從基板100的下表面露出的螺栓336。
也就是說，為了固定另一示例性實施例的電極連接元件300，在上述穿孔H的形成中，用於***構成連接構件330的螺栓336的單個穿孔H在基板100中形成，或是在基板100和電極端子210中形成。另外，上連接構件310和下連接構件350形成以對應於穿孔H地被穿過，穿透形成的上連接構件310位於電極端子210上，被穿透形成的下連接構件350位於基板100下方。於此，上連接構件310可包括從上連接構件310的底表面突出的多個突出部315，並且如上所述，上連接構件310和電極端子210之間的接觸性可以藉由突出部提升。
如此一來，當被穿透形成的上連接構件310和下連接構件350在基板100的上側和下側定位時，螺栓336從上連接構件310上方穿過穿孔H***。螺栓336被***直到其一端部從基板100的下表面露出，並且當一端部從基板100的下表面露出時，螺母338可以固定到螺栓336的該端部。螺母338可以被緊固，使得上連接構件310接觸並施壓予電極端子210的上表面，並且下連接構件350藉由螺栓336施壓予基板100的下表面。當然，上連接構件310和下連接構件350之間的這種連接也可以藉由從上連接構件310上方***鉚釘（未繪示）並且處理從基板100的下表面露出的鉚釘的端部來執行。根據另一示例性實施例，連接構件330可以藉由螺栓336和螺母338或鉚釘形成，並且因此，電極連接元件330可以形成，其包括：與電極端子210的上表面接觸的上連接構件310；支撐基板100的下表面的下連接構件350；以及連接上連接構件310和下連接構件350的連接構件330。在這種情況下，如上所述，電極連接元件300當然還可以包括彈性構件，該彈性構件耦接到從基板100的下表面露出的螺栓或鉚釘，並且施壓予基板100。
當藉由上述過程形成電極連接元件300在基板100的非主動區上時，發光元件200藉由電極連接元件300電性連接到外部電路。也就是說，示例性實施例的製造發光裝置的方法還可以包括焊接用於連接到外部電路的接線L到電極連接元件300上。如上所述，電極連接元件300(更具體係指包括在電極連接元件300中的上連接構件310)包括具有高導電率的金屬材料。因此，用於與外部驅動電路連接的接線L，例如外部電線或印刷電路板，可以藉由焊接S電性連接到電極連接元件300。
如此一來，根據示例性實施例的電極連接元件、包括該電光連接構件的發光裝置，以及製造發光裝置的方法，即使不使用異向性導電膜，電極端子210也可以電性連接到外部驅動電路，因此，製造成本可以降低，生產率藉此可以提高。
此外，用於向發光元件200供電的電極連接元件300為物理固定，以便被基板100支撐，並且外部驅動電路連接到電極連接元件300，因此，用於電性連接外部驅動電路的的接合過程可以簡化，並且裝置的配置可以簡化。
此外，當電極端子210形成在柔性基板上時，儘管柔性基板反複變形，但可以改善電極端子210與基板的耦接性，並且因此，與外部驅動電路的電連接特性和穩定性可以提升。
在示例性實施例的電極連接元件、包括該電光連接構件的發光裝置，以及製造發光裝置的方法中，即使不使用異向性導電膜，電極端子也可以電性連接到外部驅動電路，因此製造成本可以降低，生產率藉此可以提高。
此外，用於向發光元件供電的電極連接元件為物理固定以便被基板支撐，並且外部驅動電路連接到電極連接元件，因此，用於電性連接外部驅動電路的接合過程可以簡化，並且裝置的配置可以簡化。
此外，當電極端子設置在柔性基板上時，儘管柔性基板反覆變形，但可以改善電極端子與基板的耦接性，因此，與外部驅動電路的電連接特性和穩定性可以提升。
雖然已經使用特定術語描述和說明了優選的示例性實施例，但是這些術語僅用於解釋示例性實施例，並且顯而易見的是，在不脫離由所附申請專利範圍限定的精神和範圍的情況下，可以對示例性實施例和所使用的術語進行各種修改和改變。不應將這些各種修改的實施例解釋為與本發明的精神和範圍分開，而是包括在本發明的範圍內。
20‧‧‧基板
30‧‧‧電極端子
60‧‧‧異向性導電膜
70‧‧‧柔性印刷電路板
100‧‧‧基板
200‧‧‧發光元件
210‧‧‧電極端子
300‧‧‧電極連接元件
310‧‧‧上連接構件
315‧‧‧突出部
330‧‧‧連接構件
331、333‧‧‧垂直部
332‧‧‧第一連接構件
334‧‧‧第二連接構件
336‧‧‧螺栓
338‧‧‧螺母
350‧‧‧下連接構件
352‧‧‧第一下連接構件
354‧‧‧第二下連接構件
370‧‧‧彈性構件
圖1是示出外部驅動電路連接到典型發光裝置的狀態的視圖。
圖2是根據示例性實施例所示出的發光裝置的示意圖。
圖3是根據示例性實施例所示出的電極連接元件的示意圖。
圖4是根據另一示例性實施例所示出的電極連接元件的示意圖。
圖5至圖9是根據示例性實施例所依序示出的製造發光裝置的方法的視圖。
圖10至圖12是根據另一示例性實施例所依序示出的製造發光裝置的方法的視圖。

Claims (15)

  1. 一種電極連接元件，包含： 一上連接構件，與在一基板上形成的一電極端子的一上表面接觸； 一下連接構件，配置為支持該基板的一下表面； 一連接構件，配置為將該上連接構件和該下連接構件相互連接；以及 一彈性構件，設置在該基板與該下連接構件之間，並配置成保持該電極端子的該上表面與該上連接構件之間的接觸。
  2. 如請求項1所述之電極連接元件，其中 該電極端子係由一導電非金屬材料所形成，且該上連接構件係由一導電金屬材料所形成。
  3. 如請求項1所述之電極連接元件，其中該連接構件包括一第一連接構件和一第二連接構件，該第一連接構件和該第二連接構件分別從該上連接構件的兩端彎曲而形成，且該下連接構件包括一第一下連接構件和一第二下連接構件，該第一下連接構件和該第二下連接構件分別從該第一連接構件和該第二連接構件彎曲。
  4. 如請求項3所述之電極連接元件，其中該第一下連接構件和該第二下連接構件藉由在該第一連接構件和該第二連接構件朝向彼此的一方向上彎曲而形成，且該彈性構件被支撐於該第一下連接構件和該第二下連接構件之上並施壓予該基板。
  5. 如請求項4所述之電極連接元件，其中該彈性構件形成以使該彈性構件的一中央部彎曲以朝向該基板的該下表面突出。
  6. 如請求項1所述之電極連接元件，其中該上連接構件包含從該上連接構件之一底表面突出的多個突出部。
  7. 如請求項1所述之電極連接元件，其中該連接構件包含一螺栓和一螺母，或一鉚釘。
  8. 一種發光裝置，包含： 一基板，包含一主動區和一非主動區； 一發光元件，形成在該主動區上；以及 一電極連接元件，形成在該非主動區上且被該基板彈性地支撐並耦接至該基板，以供電至該發光元件。
  9. 如請求項8所述之發光裝置，其中該發光元件包含延伸到該非主動區上的一電極端子，該電極連接元件的一側與該電極端子接觸，且該電極連接元件的另一側與該基板接觸。
  10. 如請求項8所述之發光裝置，其中該電極連接元件藉由穿過該基板以耦接至該基板。
  11. 如請求項8所述之發光裝置，其中該電極連接元件耦接到該基板的一側表面。
  12. 一種製造發光裝置的方法，包含： 準備一基板，該基板具有一主動區和一非主動區； 在該主動區上形成一發光元件；以及 在該非主動區上形成一電極連接元件，該電極連接元件被該基板彈性地支撐並配置為向該發光元件供電。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該電極連接元件的形成包含： 形成穿過該基板的一穿孔；以及 透過該穿孔固定該電極連接元件。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該電極連接元件的固定包含： 在該基板上提供一板狀構件，該板狀構件包含一水平部和各自從該水平部的兩端彎曲的多個垂直部； 提供形成於該基板下的一彈性構件，使該彈性構件的一中央部朝向該基板的一下表面彎曲； 將該些垂直部插穿該穿孔；以及 將從該基板的該下表面露出的該些垂直部向內彎曲，以支撐該彈性構件。
  15. 如請求項12所述之方法，更包含將用於連接該電極連接元件至一外部驅動電路的一接線焊接到該電極連接元件上。
TW108104314A 2018-02-09 2019-02-01 電極連接元件、包含其之發光裝置以及製造發光裝置之方法 TWI787453B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180016200A KR102562442B1 (ko) 2018-02-09 2018-02-09 전극 접속 소자, 이를 포함하는 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR10-2018-0016200 2018-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201939771A true TW201939771A (zh) 2019-10-01
TWI787453B TWI787453B (zh) 2022-12-21

Family

ID=67549476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108104314A TWI787453B (zh) 2018-02-09 2019-02-01 電極連接元件、包含其之發光裝置以及製造發光裝置之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210050323A1 (zh)
JP (2) JP7357186B2 (zh)
KR (1) KR102562442B1 (zh)
CN (1) CN111684612A (zh)
TW (1) TWI787453B (zh)
WO (1) WO2019156491A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112815A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 검사 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6246966A (ja) * 1985-08-23 1987-02-28 株式会社豊田中央研究所 窒化けい素質焼結体の製造方法
JPH0644125Y2 (ja) * 1986-04-09 1994-11-14 アルプス電気株式会社 プリント基板の端子接続構造
JPH0250976U (zh) * 1988-09-30 1990-04-10
EP0892592B1 (en) * 1997-07-16 2006-01-18 Teikoku Tsushin Kogyo Co. Ltd. Construction for mounting an electronic component on a flexible substrate
WO2003041192A1 (en) * 2001-11-05 2003-05-15 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Circuit component connector, its connection structure, and gasket
JP2003157803A (ja) * 2001-11-26 2003-05-30 Hitachi Ltd 平板型光源装置
JP2003249291A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Hosiden Corp 電子部品用コネクタ及び電子部品ユニット
JP2004296419A (ja) 2003-02-06 2004-10-21 D D K Ltd コネクタ
KR100517331B1 (ko) 2003-04-02 2005-09-28 엘에스전선 주식회사 Ｃｏｆ 및 ｔｃｐ 겸용 이방성 도전 필름
JP4581885B2 (ja) * 2005-07-22 2010-11-17 株式会社デンソー 半導体装置
JP2009117182A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Yazaki Corp 直付けコネクタ
KR100983082B1 (ko) * 2008-04-22 2010-09-17 세종메탈 주식회사 메탈 인쇄회로기판을 관통하여 체결되는 관통형 커넥터, 및이를 구비한 발광다이오드 조명모듈
KR101778157B1 (ko) * 2010-11-05 2017-09-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2015038810A (ja) * 2011-01-12 2015-02-26 イリソ電子工業株式会社 コネクタ
KR101292747B1 (ko) * 2012-07-11 2013-08-02 한국몰렉스 주식회사 엘이디 다이렉트 타입 커넥터
JP6006085B2 (ja) * 2012-11-01 2016-10-12 京セラディスプレイ株式会社 クリップピン取り付け方法
KR20140073776A (ko) * 2012-12-07 2014-06-17 서울반도체 주식회사 조립형 ｌｅｄ 패키지
JP6248984B2 (ja) * 2014-07-31 2017-12-20 株式会社デンソー 駆動装置
US9890933B2 (en) * 2014-09-11 2018-02-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Holder of light-emitting module, and lighting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102562442B1 (ko) 2023-08-03
JP2023164800A (ja) 2023-11-14
JP7357186B2 (ja) 2023-10-06
CN111684612A (zh) 2020-09-18
KR20190096581A (ko) 2019-08-20
WO2019156491A1 (ko) 2019-08-15
JP2021513721A (ja) 2021-05-27
TWI787453B (zh) 2022-12-21
US20210050323A1 (en) 2021-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4969856B2 (ja) 有機電界発光表示装置
US20200373282A1 (en) Manufacturing method of micro-led display panel
JP4679921B2 (ja) Ｅｌ光源体およびｅｌ光源装置
US11362249B2 (en) Display module and manufacturing method thereof
TW201923729A (zh) 微型led顯示面板的製備方法
JP2006179867A (ja) 有機電子デバイス用の垂直相互接続
WO2020107819A1 (zh) 显示装置及其制作方法
CN110299393B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置及其制作方法
KR102051122B1 (ko) 표시 장치
KR102107456B1 (ko) 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2023164800A (ja) 電極接続素子、これを備える発光装置及び発光装置の製造方法
US20160197097A1 (en) Display device
US9638400B2 (en) OLED lighting module
CN111048560B (zh) 显示装置
JP5106467B2 (ja) 有機ｅｌ装置
KR102108993B1 (ko) 연성 인쇄회로기판
TW201635600A (zh) Ｌｅｄ元件用基板、ｌｅｄ構裝模組、及使用該等而得之ｌｅｄ顯示裝置
WO2021097904A1 (zh) 显示装置
WO2020118897A1 (zh) 柔性电路板及其制作方法与oled显示装置
CN109994526B (zh) 电致发光显示装置
KR100708685B1 (ko) 평판표시장치용 테이프 기판 및 이를 구비한 평판표시장치
JP2016524305A (ja) 有機発光素子
KR20040085779A (ko) 유기 ｅｌ 모듈
JP2007012935A (ja) 半導体素子の接続構造
JP2016181412A (ja) 有機ｅｌ照明パネル及びその製造方法