TW201804527A - 晶片及晶片製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種晶片製造方法，用以由半導體晶圓製造晶片。半導體晶圓具有複數個街道位於其前表面。晶片製造方法包含：在半導體晶圓上分別對齊街道的交集處之位置形成複數個裂縫停止結構；沿著街道照射雷射光束聚焦於半導體晶圓的內部以誘發裂縫；以及使被照射之半導體晶圓沿著裂縫斷裂至裂縫停止結構，進而使被照射之半導體晶圓分割出晶片。
Description
本發明是有關於一種晶片以及晶片製造方法。
在半導體晶圓的處理過程中，積體電路係形成於由矽或其他半導體材料所組成的晶圓(也稱為基材)。一般來說，積體電路可利用各種材料(半導體材料、導體材料的或絕緣材料)的層形成。這些材料可利用各種習知製程摻雜、沈積與蝕刻而形成積體電路。每一晶圓可被處理而形成大量包含積體電路的個別區域(亦稱為晶粒)。
在積體電路形成製程之後，晶圓係被“切割”而分離成個別晶粒以封裝或以未封裝的形式使用於大型電路中。兩個最主要被使用來切割晶圓的技術為刻劃(scribing)與割鋸(sawing)。刻劃係利用鑽石尖端沿著預形成之劃線(scribe line)劃過晶圓表面。這些劃線沿著晶粒之間的空間延伸。這些空間通常被稱為“街道(street)”。鑽石刻劃時會沿著街道形成淺划痕於晶圓表面。當施加壓力時，例如利用滾輪，晶圓會沿著劃線分離。晶圓的斷裂係跟著晶圓的晶格結構進行的。刻劃可使用於厚度約10密耳(千分之一英吋)或更小的晶圓。對於厚
度較厚的晶圓，割鋸是較佳的切割方式。
割鋸係利用鑽石尖鋸以高轉速旋轉並接觸晶圓表面，並沿著街道割鋸晶圓。晶圓固定在支撐件(例如被拉伸橫跨膜框之膠膜)上，且鋸子係重複地施加於鉛直與水平的街道。刻劃或割鋸的一個問題在於碎片和擦傷會沿著晶粒被切斷的邊緣形成。並且，裂縫會由晶粒的邊緣形成並擴展進入基材而使得積體電路無法工作。崩裂(chipping)與破裂(cracking)特別為刻劃時會發生的問題，因為正方形或矩形之晶粒僅有一側可被沿著晶體結構刻劃。所以，晶粒的另一側將會斷裂成鋸齒狀分離線。由於崩裂與破裂，晶圓上的晶粒之間通常需要額外的空間以防止積體電路的損壞。此額外的空間可使得碎片和裂痕與實際的積體電路維持一段距離。也因為這空間要求，標準尺寸之晶圓上將無法形成太多晶粒，且可被用於電路的面積將被浪費掉。鋸子的使用更加劇半導體晶圓上的面積。一般鋸子的刀片約為15微米厚。因此，為了確保破裂與環繞鋸子所形成之切割的其他破壞不會損害積體電路，晶粒的電路之間必須分離三至五百微米。並且，在切割之後，每一晶粒需要大量的清洗以移除割鋸製程所產生的顆粒以及其他污染物。
另一種切割技術被稱為“隱形切割(stealth dicing)”。在隱形切割中，紅外線雷射光束會聚焦於矽基材的內部以產生缺陷或破裂。接著，沿著雷射所誘發的裂縫施加拉伸力即可分割出這些晶粒。然而，現有的隱形切割技術可能會造成不想要的裂縫擴展(crack propagation)和剝落(chipping)。
因此，如何提出一種可解決上述問題的晶片製造方法，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
有鑑於此，本發明之一目的在於提出一種可避免分割後晶片(特別是其角落)發生不想要的裂縫擴展和剝落的晶片製造方法。
為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種晶片製造方法用以由半導體晶圓製造複數個晶片。半導體晶圓具有前表面。前表面上定義有複數個街道。晶片製造方法包含：在半導體晶圓上分別對齊街道的交集處之複數個位置形成複數個裂縫停止結構；沿著街道照射雷射光束聚焦於半導體晶圓的內部以誘發複數個裂縫；以及使被照射之半導體晶圓沿著裂縫斷裂至裂縫停止結構，進而使被照射之半導體晶圓分割出晶片。
於一或多個實施方式中，前述之使被照射之該半導體晶圓斷裂的步驟包含施加拉伸力至被照射之半導體晶圓。
於一或多個實施方式中，保護膠帶黏合至半導體晶圓的後表面。施加拉伸力的步驟包含向外擴張保護膠帶以施加拉伸力至被照射之半導體晶圓。
於一或多個實施方式中，前述之位置係位於前表面上。形成裂縫停止結構的步驟包含由前表面蝕刻半導體晶圓以形成複數個凹陷。凹陷配置以作為裂縫停止結構。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具
有相反於前表面之後表面。前述之位置係位於後表面上。形成裂縫停止結構的步驟包含由後表面蝕刻半導體晶圓以形成複數個凹陷。凹陷配置以作為裂縫停止結構。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具有相反於前表面之後表面。前述之位置係位於前表面與後表面上。形成裂縫停止結構的步驟包含由前表面與後表面蝕刻半導體晶圓以分別形成複數個第一凹陷以及複數個第二凹陷。第一凹陷與第二凹陷配置以作為裂縫停止結構。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具有相反於前表面之後表面。形成裂縫停止結構的步驟包含蝕刻半導體晶圓以形成複數個穿孔貫穿前表面與後表面。穿孔配置以作為裂縫停止結構。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具有相反於前表面之後表面。照射半導體晶圓的步驟包含在照射期間，將雷射光束之焦點由半導體晶圓的內部移動至後表面。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具有相反於前表面之後表面。晶片製造方法還包含由後表面薄化被照射之半導體晶圓，以使被薄化之後表面抵達雷射光束之焦點。
於一或多個實施方式中，前述之半導體晶圓還具有相反於前表面之後表面。雷射光束之焦點接近後表面且遠離前表面。
為了達到上述目的，依據本發明之另一實施方式，一種晶片包含基材、元件以及複數個裂縫停止結構。基材
具有複數個角落。元件設置於基材上。裂縫停止結構分別位於角落。
於一或多個實施方式中，前述之裂縫停止結構為倒角。
於一或多個實施方式中，前述之基材還具有前表面。元件設置於前表面上。每一倒角延伸至前表面。
於一或多個實施方式中，前述之基材還具有相反於前表面之後表面。每一倒角進一步延伸至後表面。
於一或多個實施方式中，上視基材之輪廓時，每一倒角具有至少一直輪廓線。
於一或多個實施方式中，上視基材之輪廓時，每一倒角具有至少一彎輪廓線。
於一或多個實施方式中，前述之彎輪廓線為圓的一部分。
於一或多個實施方式中，前述之彎輪廓線實質上為圓的四分之一。
於一或多個實施方式中，前述之彎輪廓線實質上朝向基材的中心內凹。
於一或多個實施方式中，前述之角落中的至少一者為內凹的。
綜上所述，本發明的晶片製造方法係預先在半導體晶圓上分別對齊街道的交集處之位置(亦即，對應分割後晶片的角落)形成複數個裂縫停止結構，因此晶片可沿著由雷射光束在每一晶片的邊緣所誘發之裂縫分割至裂縫停止結構。藉
此，分割後晶片可獲得較佳之角落品質，因為裂縫停止結構可有效地防止位於邊緣的裂縫不想要地擴展至角落。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
100‧‧‧半導體晶圓
101、101’‧‧‧基材
101a‧‧‧前表面
101b、101b’‧‧‧後表面
110‧‧‧晶粒
110’、310‧‧‧晶片
110c‧‧‧角落
110a‧‧‧完整晶粒
110b‧‧‧墨水晶粒
111‧‧‧元件
112‧‧‧介電層
130、130’‧‧‧裂縫停止結構
200‧‧‧保護膠帶
4A-4A、4B-4B、11-11‧‧‧線段
Bm‧‧‧雷射光束
Cr‧‧‧裂縫
St‧‧‧街道
S101~S103‧‧‧步驟
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖為繪示本發明一實施方式之晶片製造方法的流程圖。
第2圖為繪示本發明一實施方式之半導體晶圓的上視圖。
第3圖為繪示第2圖中之半導體晶圓的局部放大圖。
第4A圖為根據本發明一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。
第4B圖為根據本發明一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。
第4C圖為繪示第4B圖中的結構的另一剖面圖，其中基材係分離。
第5圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。
第6A圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。
第6B圖為繪示第6A圖中的結構的另一剖面圖，其中基材係分離。
第7圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。
第8圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。
第9圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。
第10圖為繪示本發明一實施方式之半導體晶圓的局部上視圖。
第11圖為根據本發明一實施方式繪示第10圖中的結構沿著線段11-11的剖面圖。
第12A圖為繪示本發明一實施方式之晶片的局部上視圖。
第12B圖為繪示本發明另一實施方式之晶片的局部上視圖。
第12C圖為繪示本發明另一實施方式之晶片的局部上視圖。
第13圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也
就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。並且，除非有其他表示，在不同圖式中相同之元件符號可視為相對應的元件。這些圖式之繪示是為了清楚表達這些實施方式中各元件之間的連接關係，並非繪示各元件的實際尺寸。
請參照第1圖至第4C圖。第1圖為繪示本發明一實施方式之晶片製造方法的流程圖。第2圖為繪示本發明一實施方式之半導體晶圓100的上視圖。第3圖為繪示第2圖中之半導體晶圓100的局部放大圖。第4A圖為根據本發明一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。第4B圖為根據本發明一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。第4C圖為繪示第4B圖中的結構的另一剖面圖，其中基材101’係分離。本實施方式之晶片製造方法係執行於半導體晶圓100上。半導體晶圓100具有前表面101a。前表面101a上定義有複數個街道St。半導體晶圓100還具有相反於前表面101a之後表面101b。
如第2圖所示，半導體晶圓100包含複數個晶粒110。晶粒110可被分類為完整晶粒110a與墨水晶粒110b。一般來說，初始電氣性能評測(initial electrical performance evaluation)發生於金屬化圖案製程(metallization pattern process)之後。在晶片製造製程的此階段中，一專門配置的探針台配備有包含非常精細、銳利針尖之探針的環，且探針係用以實體接觸散開之晶粒110上的金屬接觸墊。在電腦的控制之
下，探針台會自動地步進跨過半導體晶圓100並對每一晶粒110執行功能性電氣評估(functional electrical evaluation)。有缺陷的晶粒110會被墨水斑標示而成為墨水晶粒110b，而其他晶粒110則為完整晶粒110a。因此，當晶粒110由半導體晶圓100切割分離時，墨水晶粒110b會被丟棄。
具體來說，半導體晶圓100包含基材101(例如，矽基材)、複數個元件111以及複數個介電層112。前表面101a與後表面101b分別位於基材101的兩相反側。元件111設至於前表面101a。介電層112設至於前表面101a並分別覆蓋元件111。每一介電層112具有一或多個電路於其中。於本實施方式中，每一街道St係以凹槽形式呈現，並形成於相鄰兩介電層112之間，但本發明並不以此為限。請先參照第13圖，其為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。如第13圖所示，介電層112覆蓋基材101的整個前表面101a，且每一街道St在被切割之前係定義於相鄰兩晶粒110之間。也就是說，被定義之街道St是晶粒110預定於半導體晶圓100上的分離位置。
本實施方式之晶片製造方法開始於步驟S101，其中複數個裂縫停止結構130形成於半導體晶圓100上分別對齊街道St的交集處之位置(見第2圖至第4B圖)。本實施方式之晶片製造方法接著為步驟S102，其中聚焦於半導體晶圓100的內部之雷射光束Bm係沿著街道St照射以誘發裂縫Cr(見第4A圖與第4B圖)。需要說明的是，內部聚焦之雷射光束Bm係在基材101內誘發缺陷。缺陷可能包含位於雷射光束Bm所聚焦之區域
內的裂縫Cr，或僅為相變化。例如，由晶體(crystalline)矽基材101變化成無定形(amorphous)矽基材，或由晶體矽基材101變化成液體矽相。由於同一材料的不同相會具有不同的密度，因此在雷射影響區域的相變化通常伴隨著體積變化。未被雷射影響的鄰近區域壓抑了雷射影響區域並避免或限制體積變化的發生，這將造成相變化之區域的應力並藉此在半導體晶圓100的基材101中的裂縫Cr擴展。雷射所誘發之缺陷也可能包含孔洞/多孔(hole/pore)的形成。
本實施方式之晶片製造方法接著為步驟S103，其中被照射之半導體晶圓100係沿著裂縫Cr斷裂至裂縫停止結構130，進而使被照射之半導體晶圓100分割出晶片110’(見第4C圖)。每一被分割出的晶片110’包含分離的基材101’、對應之元件111以及對應之介電層112。對應之元件111設置於分離之基材101’上，而對應之介電層112設置於分離之基材101’上並覆蓋元件111。並且，分離之裂縫停止結構130’分別位於被分割出的晶片110’的角落110c。需要說明的是，在被分割出的晶片110’中，分離之裂縫停止結構130’以倒角的形式呈現(見第12A圖至第12C圖)。
於一些實施方式中，裂縫停止結構130的位置係位於半導體晶圓100的前表面101a上。步驟S101包含步驟S101a，其中半導體晶圓100係由前表面101a蝕刻以形成複數個凹陷，其中凹陷配置以作為裂縫停止結構130(見第2圖至第4B圖)。亦即，裂縫停止結構130係以非穿孔的形式呈現。可以預料到的是，在被分割出的晶片110’中，每一倒角(亦即，
分離之裂縫停止結構130’，見第4C圖)係延伸至前表面101a。
請參照第5圖，其為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。於本實施方式中，裂縫停止結構130的位置係位於半導體晶圓100的前表面101a與後表面101b上。步驟S101包含步驟S101b，其中半導體晶圓100係由前表面101a與後表面101b蝕刻以分別形成複數個第一凹陷以及複數個第二凹陷，其中第一凹陷與第二凹陷配置以作為裂縫停止結構130。可以預料到的是，在被分割出的晶片110’中，一些倒角(亦即，分離之裂縫停止結構130’)係延伸至前表面101a，且其他倒角係延伸至後表面101b。
於一些實施方式中，裂縫停止結構130的位置係位於半導體晶圓100的後表面101b上。步驟S101包含步驟S101c，其中半導體晶圓100係由後表面101b蝕刻以形成複數個凹陷，其中凹陷配置以作為裂縫停止結構130。亦即，裂縫停止結構130係以非穿孔的形式呈現。可以預料到的是，在被分割出的晶片110’中，每一倒角(亦即，分離之裂縫停止結構130’)係延伸至後表面101b。
請參照第6A圖以及第6B圖。第6A圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。第6B圖為繪示第6A圖中的結構的另一剖面圖，其中基材101’係分離。於本實施方式中，步驟S101包含步驟S101d，其中半導體晶圓100係被蝕刻以形成複數個穿孔貫穿前表面101a與後表面101b，其中穿孔配置以作為裂縫停止結構130。
於一些實施方式中，雷射光束Bm的焦點鄰近後
表面101b且遠離前表面101a。因此，雷射光束Bm的破壞所誘發之裂縫Cr鄰近後表面101b，這有助於分離被照射之半導體晶圓100。可以預料到的是，在被分割出的晶片110’中，每一倒角(亦即，分離之裂縫停止結構130’，見第6B圖)延伸至前表面101a與後表面101b。
請參照第7圖以及第8圖。第7圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。第8圖為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4B-4B的剖面圖。於本實施方式中，步驟S102包含步驟S102a，其中在照射期間，雷射光束Bm之焦點係由半導體晶圓100的內部移動至後表面101b。因此，雷射光束Bm的破壞所誘發之裂縫Cr可抵達第7圖所示之後表面101b，以及抵達第8圖所示之位於後表面101b的裂縫停止結構130，這有助於分離被照射之半導體晶圓100。
請參照第9圖，其為根據本發明另一實施方式繪示第3圖中的結構沿著線段4A-4A的剖面圖。於本實施方式中，步驟S102包含步驟S102b，其中被照射之半導體晶圓100係由後表面101b薄化，以使被薄化之後表面101b’抵達雷射光束Bm之焦點。因此，第9圖所示之被薄化之後表面101b’可抵達雷射光束Bm的破壞所誘發之裂縫Cr，這有助於分離被照射之半導體晶圓100。
請參照第10圖以及第11圖。第10圖為繪示本發明一實施方式之半導體晶圓100的局部上視圖。第11圖為根據本發明一實施方式繪示第10圖中的結構沿著線段11-11的剖面
圖。於本實施方式中，半導體晶圓100包含複數個非矩形的晶片310。可以預料到的是，藉由雷射光束Bm在裂縫停止結構130的單一側的破壞所誘發而形成之裂縫Cr，可以在分割之後獲得非矩形的晶片310。此外，如第10圖所示，非矩形的晶片310的一個角落為內凹的，而其他角落為外凸的。
於一些實施方式中，步驟S103包含步驟S103a，其中一拉伸力係施加至被照射之半導體晶圓100，但本發明並不以此為限。
於一些實施方式中，保護膠帶200係黏合至半導體晶圓100的後表面101b，如第4C圖所示。步驟S103包含步驟S103b，其中保護膠帶200係向外擴張以施加拉伸力至被照射之半導體晶圓100，但本發明並不以此為限。
請參照第12A圖至第12C圖。第12A圖為繪示本發明一實施方式之晶片110’的局部上視圖。第12B圖為繪示本發明另一實施方式之晶片110’的局部上視圖。第12C圖為繪示本發明另一實施方式之晶片110’的局部上視圖。
如第12A圖所示，上視晶片110’之基材101’的輪廓時，位於對應之角落110c的每一倒角具有彎輪廓線。
於一些實施方式中，彎輪廓線實質上為圓的一部分，但本發明並不以此為限。
於一些實施方式中，彎輪廓線實質上為圓的四分之一，但本發明並不以此為限。
於一些實施方式中，彎輪廓線實質上朝向基材101’的中心內凹，但本發明並不以此為限。
如第12B圖與第12C圖所示，上視晶片110’之基材101’的輪廓時，位於對應之角落110c的每一倒角具有至少一直輪廓線。舉例來說，上視第12B圖中所示之基材101’的輪廓時，一倒角具有單一直輪廓線。舉例來說，上視第12C圖中所示之基材101’的輪廓時，一倒角具有兩個直輪廓線。
由以上對於本發明之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，本發明的晶片製造方法係預先在半導體晶圓上分別對齊街道的交集處之位置(亦即，對應分割後晶片的角落)形成複數個裂縫停止結構，因此晶片可沿著由雷射光束在每一晶片的邊緣所誘發之裂縫分割至裂縫停止結構。藉此，分割後晶片可獲得較佳之角落品質，因為裂縫停止結構可有效地防止位於邊緣的裂縫不想要地擴展至角落。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S101~S103‧‧‧步驟
Claims (20)
- 一種晶片製造方法，用以由一半導體晶圓製造複數個晶片，該半導體晶圓具有一前表面，該前表面上定義有複數個街道，該晶片製造方法包含：在該半導體晶圓上分別對齊該些街道的交集處之複數個位置形成複數個裂縫停止結構；沿著該些街道照射一雷射光束聚焦於該半導體晶圓的內部以誘發複數個裂縫；以及使被照射之該半導體晶圓沿著該些裂縫斷裂至該些裂縫停止結構，進而使被照射之該半導體晶圓分割出該些晶片。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該使被照射之該半導體晶圓斷裂的步驟包含：施加一拉伸力至被照射之該半導體晶圓。
- 如請求項第2項所述之晶片製造方法，其中一保護膠帶黏合至該半導體晶圓的一後表面，並且該施加該拉伸力的步驟包含：向外擴張該保護膠帶以施加該拉伸力至被照射之該半導體晶圓。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該些位置係位於該前表面上，並且該形成該些裂縫停止結構的步驟包含：由該前表面蝕刻該半導體晶圓以形成複數個凹陷，其中 該些凹陷配置以作為該些裂縫停止結構。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，該些位置係位於該後表面上，並且該形成該些裂縫停止結構的步驟包含：由該後表面蝕刻該半導體晶圓以形成複數個凹陷，其中該些凹陷配置以作為該些裂縫停止結構。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，該些位置係位於該前表面與該後表面上，並且該形成該些裂縫停止結構的步驟包含：由該前表面與該後表面蝕刻該半導體晶圓以分別形成複數個第一凹陷以及複數個第二凹陷，其中該些第一凹陷與該些第二凹陷配置以作為該些裂縫停止結構。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，並且該形成該些裂縫停止結構的步驟包含：蝕刻該半導體晶圓以形成複數個穿孔貫穿該前表面與該後表面，其中該些穿孔配置以作為該些裂縫停止結構。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，並且該照 射該半導體晶圓的步驟包含：在照射期間，將該雷射光束之一焦點由該半導體晶圓的內部移動至該後表面。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，並且該晶片製造方法還包含：由該後表面薄化被照射之該半導體晶圓，以使被薄化之該後表面抵達該雷射光束之一焦點。
- 如請求項第1項所述之晶片製造方法，其中該半導體晶圓還具有相反於該前表面之一後表面，並且該雷射光束之一焦點接近該後表面且遠離該前表面。
- 一種晶片，包含：一基材，具有複數個角落；一元件，設置於該基材上；以及複數個裂縫停止結構，分別位於該些角落。
- 如請求項第11項所述之晶片，其中該些裂縫停止結構為倒角。
- 如請求項第12項所述之晶片，其中該基材還具有一前表面，該元件設置於該前表面上，並且每一該些倒角延伸至該前表面。
- 如請求項第13項所述之晶片，其中該基材還具有相反於該前表面之一後表面，並且每一該些倒角進一步延伸至該後表面。
- 如請求項第12項所述之晶片，其中上視該基材之一輪廓時，每一該些倒角具有至少一直輪廓線。
- 如請求項第12項所述之晶片，其中上視該基材之一輪廓時，每一該些倒角具有至少一彎輪廓線。
- 如請求項第16項所述之晶片，其中該彎輪廓線為一圓的一部分。
- 如請求項第17項所述之晶片，其中該彎輪廓線實質上為該圓的四分之一。
- 如請求項第16項所述之晶片，其中該彎輪廓線實質上朝向該基材的一中心內凹。
- 如請求項第11項所述之晶片，其中該些角落中的至少一者為內凹的。
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