JPH04312955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04312955A JPH04312955A JP6034391A JP6034391A JPH04312955A JP H04312955 A JPH04312955 A JP H04312955A JP 6034391 A JP6034391 A JP 6034391A JP 6034391 A JP6034391 A JP 6034391A JP H04312955 A JPH04312955 A JP H04312955A
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- JP
- Japan
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- chip
- chips
- semiconductor wafer
- semiconductor device
- corners
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にそのチップ分離用ライン(以下、カッティングライン
と称す)の構造に関するものである。
にそのチップ分離用ライン(以下、カッティングライン
と称す)の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の半導体装置の構造の一例を
示す。本構造では、半導体ウエハ1上に集積回路または
電界効果トランジスタのパターンが形成されたチップ5
が複数個作製され、その後の工程でカッティングライン
2上にダイヤモンドカッタでごく浅い溝を入れその後ウ
エハの裏面からローラ,ピンセット等で半導体ウエハ1
を押えつけ(以下、本工程をブレイクと呼ぶ)個々のチ
ップ5に分割する。
示す。本構造では、半導体ウエハ1上に集積回路または
電界効果トランジスタのパターンが形成されたチップ5
が複数個作製され、その後の工程でカッティングライン
2上にダイヤモンドカッタでごく浅い溝を入れその後ウ
エハの裏面からローラ,ピンセット等で半導体ウエハ1
を押えつけ(以下、本工程をブレイクと呼ぶ)個々のチ
ップ5に分割する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のようにしてウエハから分離されているので、半導体
ウエハ1の状態から各チップ5に分離するブレイク時に
チップ5のコーナ部どうしが接触しチップ5のコーナ部
でカケが発生する問題点があった。
上のようにしてウエハから分離されているので、半導体
ウエハ1の状態から各チップ5に分離するブレイク時に
チップ5のコーナ部どうしが接触しチップ5のコーナ部
でカケが発生する問題点があった。
【0004】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ブレイク時にチップのコーナ部
どうしが接触することを回避しチップコーナ部のカケの
拡大を防止してチップ上に形成されているパターンにか
からないようにした半導体装置を得ることを目的とする
。
ためになされたもので、ブレイク時にチップのコーナ部
どうしが接触することを回避しチップコーナ部のカケの
拡大を防止してチップ上に形成されているパターンにか
からないようにした半導体装置を得ることを目的とする
。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体ウエハ表面のチップ分離用ラインの交差する
部分のそれぞれに溝または金属膜を形成したものである
。
は、半導体ウエハ表面のチップ分離用ラインの交差する
部分のそれぞれに溝または金属膜を形成したものである
。
【0006】
【作用】本発明における半導体装置は、チップ分離用ラ
インの交差する部分に溝を形成することにより、ブレイ
ク時のチップコーナ部どおしの接触が回避され、また、
チップ分離用ラインの交差する部分に金属膜を形成した
ので、チップコーナ部のカケの拡がりが防止される。
インの交差する部分に溝を形成することにより、ブレイ
ク時のチップコーナ部どおしの接触が回避され、また、
チップ分離用ラインの交差する部分に金属膜を形成した
ので、チップコーナ部のカケの拡がりが防止される。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に従って説明す
る。図1は本発明の一実施例を示すウエハの斜視図で、
1は半導体ウエハであり、2は個々のチップ5に分離す
るためのカッティングライン、3は図2に拡大して示し
たように、半導体ウエハ1のカッティングライン2の交
差する部分に化学薬品のウエットエッチングにより形成
された溝で、カッティングライン2の交差部分の寸法内
で、所要の深さ、例えば10〜20μmですりばち形状
に形成される。この溝3で各チップ5のコーナ部どうし
の接触を制御しコーナ部のカケを防止する。
る。図1は本発明の一実施例を示すウエハの斜視図で、
1は半導体ウエハであり、2は個々のチップ5に分離す
るためのカッティングライン、3は図2に拡大して示し
たように、半導体ウエハ1のカッティングライン2の交
差する部分に化学薬品のウエットエッチングにより形成
された溝で、カッティングライン2の交差部分の寸法内
で、所要の深さ、例えば10〜20μmですりばち形状
に形成される。この溝3で各チップ5のコーナ部どうし
の接触を制御しコーナ部のカケを防止する。
【0008】図3は本発明の他の実施例を示すウエハの
要部の拡大斜視図で、カッティングライン2の交差する
部分にレジストのパターニングが行われた後に真空蒸着
法により金属膜4を形成したものである。この金属膜4
は、カッティングを実施する場合のカッティング部位を
避けるような形状で、かつ各チップ5に形成されるボン
ディングパッド(図示は省略)までの寸法を限度として
形成される。このように金属膜4を形成することにより
チップ5のコーナ部のカケの拡がりが防止される。なお
、上記各実施例の溝3または金属膜4は、併用して形成
しても同様の効果が得られる。
要部の拡大斜視図で、カッティングライン2の交差する
部分にレジストのパターニングが行われた後に真空蒸着
法により金属膜4を形成したものである。この金属膜4
は、カッティングを実施する場合のカッティング部位を
避けるような形状で、かつ各チップ5に形成されるボン
ディングパッド(図示は省略)までの寸法を限度として
形成される。このように金属膜4を形成することにより
チップ5のコーナ部のカケの拡がりが防止される。なお
、上記各実施例の溝3または金属膜4は、併用して形成
しても同様の効果が得られる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば半
導体ウエハのチップ分離用ラインの交差する部分に溝ま
たは金属膜を形成したので、ブレイク時のチップのコー
ナ部どおしの接触が回避され、また、チップのコーナ部
のカケの拡がりを防止できる効果がある。
導体ウエハのチップ分離用ラインの交差する部分に溝ま
たは金属膜を形成したので、ブレイク時のチップのコー
ナ部どおしの接触が回避され、また、チップのコーナ部
のカケの拡がりを防止できる効果がある。
【図1】本発明の一実施例による半導体装置の斜視図で
ある。
ある。
【図2】図1のカッティングラインの交差する部分を拡
大して示した図である。
大して示した図である。
【図3】本発明の他の実施例による半導体装置のカッテ
ィングラインの交差する部分を拡大して示した図である
。
ィングラインの交差する部分を拡大して示した図である
。
【図4】従来の半導体装置の斜視図である。
1 半導体ウエハ
2 カッティングライン
3 溝
4 金属膜
5 チップ
Claims (2)
- 【請求項1】半導体ウエハ表面に形成されたチップ分離
用ラインに沿って各チップに分離する半導体ウエハにお
いて、前記チップ分離用ラインの交差する部分のそれぞ
れに溝を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】半導体ウエハ表面に形成されたチップ分離
用ラインに沿って各チップに分離する半導体ウエハにお
いて、前記チップ分離用ラインの交差する部分のそれぞ
れに金属膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6034391A JPH04312955A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6034391A JPH04312955A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04312955A true JPH04312955A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13139424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6034391A Pending JPH04312955A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04312955A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107634032A (zh) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 南亚科技股份有限公司 | 晶片及晶片制造方法 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6034391A patent/JPH04312955A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107634032A (zh) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 南亚科技股份有限公司 | 晶片及晶片制造方法 |
CN107634032B (zh) * | 2016-07-18 | 2020-04-21 | 南亚科技股份有限公司 | 晶片及晶片制造方法 |
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