JP5588409B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5588409B2 JP5588409B2 JP2011192307A JP2011192307A JP5588409B2 JP 5588409 B2 JP5588409 B2 JP 5588409B2 JP 2011192307 A JP2011192307 A JP 2011192307A JP 2011192307 A JP2011192307 A JP 2011192307A JP 5588409 B2 JP5588409 B2 JP 5588409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- protective film
- semiconductor device
- dicing line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
(付記1) 前記半導体基板はシリコン基板であり、前記熱処理を水素雰囲気中、温度1000℃乃至1100℃でおこなう請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
11 半導体基板
12 半導体素子
13 ノッチ
14、15 ダイシングライン
16、51 中空部
17 保護膜
17a トレンチ
21、61 マスク材
21a、23a、61a 開口
22、62 トレンチ
23 レジスト膜
24 保護シート
25 チップ
16a〜16e、51a〜51e 空洞
Claims (5)
- 対向する第1の面と第2の面を有する半導体基板の前記第1の面に、ダイシングラインに沿って円柱状のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板を熱処理し、前記円柱状のトレンチの回りの前記半導体基板材のマイグレーションにより、前記半導体基板の内部に中空部を形成する工程と、
前記中空部が形成された前記半導体基板の前記第1の面であって、前記ダイシングラインで囲まれた矩形状領域に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体基板を、前記第2の面側から所定の厚さになるまで除去する工程と、
前記中空部を起点として、前記ダイシングラインに沿って前記半導体素子が形成された前記半導体基板をチップに分割する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の前記第1の面に前記半導体素子を覆うように保護膜を形成し、前記ダイシングラインに沿って前記保護膜にスリットを形成し、前記スリットを起点として、前記ダイシングラインに沿って前記半導体基板をチップに分離することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 対向する第1および第2の面と前記第1および第2の面と略直交し、ダイシングラインに沿った側面を有し、前記側面に複数の溝が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面であって、前記溝とオーバラップしない領域に設けられた半導体素子と、
前記半導体基板の前記第1の面に前記半導体素子を覆うように設けられた保護膜と、
を具備し、
前記複数の溝は、前記第1の面から前記第2の面に向かって周期的に配列され、且つ、前記ダイシングラインに沿って延在していることを特徴とする半導体装置。 - 対向する第1および第2の面と前記第1および第2の面と略直交し、ダイシングラインに沿った側面を有し、前記側面に格子状に複数の溝が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面であって、前記溝とオーバラップしない領域に設けられた半導体素子と、
前記半導体基板の前記第1の面に前記半導体素子を覆うように設けられた保護膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記保護膜は段差を有し、前記半導体装置の周囲に形成された前記保護膜は、前記半導体素子上に形成された前記保護膜よりも薄いことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011192307A JP5588409B2 (ja) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
US13/418,528 US8957492B2 (en) | 2011-09-05 | 2012-03-13 | Semiconductor device having grooves on a side surface and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011192307A JP5588409B2 (ja) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013055211A JP2013055211A (ja) | 2013-03-21 |
JP5588409B2 true JP5588409B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=47752484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011192307A Expired - Fee Related JP5588409B2 (ja) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8957492B2 (ja) |
JP (1) | JP5588409B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6200107B1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-20 | 新電元工業株式会社 | ワイドギャップ型半導体装置 |
US20180015569A1 (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-18 | Nanya Technology Corporation | Chip and method of manufacturing chips |
DE112022004830T5 (de) * | 2021-10-08 | 2024-07-18 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4823128B2 (ja) | 1999-08-31 | 2011-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体基板の製造方法 |
JP4074051B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体基板およびその製造方法 |
JP3882521B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2007-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の実装方法 |
JP2006245043A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子 |
JP5215605B2 (ja) * | 2007-07-17 | 2013-06-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7811896B2 (en) * | 2007-12-11 | 2010-10-12 | Hvvi Semiconductors, Inc. | Semiconductor structure and method of manufacture |
US7777295B2 (en) * | 2007-12-11 | 2010-08-17 | Hvvi Semiconductors, Inc. | Semiconductor structure and method of manufacture |
US7871895B2 (en) * | 2008-02-19 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Method and structure for relieving transistor performance degradation due to shallow trench isolation induced stress |
US8730579B2 (en) * | 2008-07-29 | 2014-05-20 | Dae-Hwan Lee | Optical sheet having enhanced optical characteristics |
US8525167B2 (en) * | 2009-10-26 | 2013-09-03 | Headway Technologies, Inc. | Laminated chips package, semiconductor substrate and method of manufacturing the laminated chips package |
JP5585056B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2014-09-10 | 富士電機株式会社 | Son半導体基板の製造方法 |
JP2011233636A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-05 JP JP2011192307A patent/JP5588409B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-13 US US13/418,528 patent/US8957492B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130056859A1 (en) | 2013-03-07 |
JP2013055211A (ja) | 2013-03-21 |
US8957492B2 (en) | 2015-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5786988A (en) | Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture | |
JP4480728B2 (ja) | Memsマイクの製造方法 | |
JP5473879B2 (ja) | 半導体ウェハのダイシングライン加工方法および半導体チップの製造方法 | |
US7244663B2 (en) | Wafer reinforcement structure and methods of fabrication | |
JP5208626B2 (ja) | 半導体回路構造製造方法 | |
KR101401580B1 (ko) | 기판 벽개 방법 | |
JP5509057B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2009521127A (ja) | 半導体デバイスの製造法 | |
JP2009088252A (ja) | ウエハのダイシング方法および半導体チップ | |
CN105810576B (zh) | 切割晶圆的方法及半导体芯片 | |
WO2018211919A1 (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
JP2006344816A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP5588409B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009226582A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN106816378B (zh) | 用于双重图案化工艺的临界尺寸控制 | |
TW201117277A (en) | Integrated circuit wafer and dicing method thereof | |
JP2009302231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN108091611B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP2016167573A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6156046B2 (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
JP2009044020A (ja) | 半導体ウェハ及びその製造方法 | |
US20050124140A1 (en) | Pre-fabrication scribing | |
JPS6226839A (ja) | 半導体基板 | |
JP2014531987A (ja) | 異なる剛性の2つの層を備える構造体において機械的作業を実施する方法 | |
JP5509051B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140725 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |