TWI455199B - 晶圓切割製程 - Google Patents

Description

晶圓切割製程

本發明是有關於一種半導體製程，且特別是有關於一種晶圓切割製程。

隨著科技日新月異，積體電路(integrated circuits，IC)元件已廣泛地應用於我們日常生活當中。一般而言，積體電路的生產主要分為三個階段：半導體晶圓(wafer)的製造、積體電路的製作及積體電路的封裝。

此外，在半導體晶圓上製造積體電路之後，會對半導體晶圓進行切割以形成多個晶片(chip)。一般來說，上述的切割製程通常是先於晶圓的正面貼附研磨貼片(grinding tape)，並研磨晶圓的背面，以減少晶圓的厚度。然後，移除研磨貼片。接著，於晶圓的背面貼附第一切割貼片(saw tape)，並切割晶圓的正面，以於晶圓的正面上形成切割道。而後，移除第一切割貼片。之後，於晶圓的正面貼附第二切割貼片，並切割晶圓的背面，以形成多個晶片。

然而，在上述的切割製程中，在切割晶圓的背面之後往往會產生背崩(chipping)現象，即在切割晶圓的背面而形成多個晶片之後晶片會彼此碰撞或者因切割應力而造成晶片的背面受損，因而影響所形成的晶片的品質。

有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種晶圓切割製程，其可解決晶圓因背崩而損壞的問題。

本發明提出一種晶圓切割製程，其先提供晶圓。晶圓具有正面與背面。然後，於晶圓的正面貼附研磨貼片，並預切割(pre-cutting)晶圓的背面，以於晶圓的背面上形成多個切割道。接著，研磨晶圓的背面，以減少晶圓的厚度與切割道的深度。而後，移除研磨貼片。之後，於晶圓的背面貼附第一切割貼片，並切割晶圓的正面，以形成多個彼此分離的晶片。

依照本發明實施例所述之晶圓切割製程，上述之晶圓例如具有多個凸塊(bump)，且這些凸塊陣列排列於晶圓的正面。

依照本發明實施例所述之晶圓切割製程，上述之預切割晶圓的背面的方法例如是先將貼附有研磨貼片的晶圓置於第二切割貼片上，其中研磨貼片與第二切割貼片接觸。之後，於晶圓的背面上形成切割道。

依照本發明實施例所述之晶圓切割製程，在預切割晶圓的背面之後，還可以移除第二切割貼片。

依照本發明實施例所述之晶圓切割製程，上述之預切割晶圓的背面的方法例如是進行雷射切割、機械切割或蝕刻。

依照本發明實施例所述之晶圓切割製程，上述之研磨貼片例如是在晶圓被研磨之後被移除。

在本發明中，在對晶圓的背面進行預切割之後，對晶圓的背面進行研磨，以移除晶圓的背面因背崩而造成的損壞，因此可形成具有良好品質的晶片。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A至圖1E為依照本發明實施例所繪示的晶圓切割製程之剖面示意圖。首先，請參照圖1A，提供晶圓100。晶圓100具有正面100a與背面100b。正面100a為主動表面，其上具有多個凸塊102。凸塊102例如為銀凸塊、銅金凸塊或金凸塊。凸塊102例如是陣列排列於晶圓100的正面100a上。然後，於晶圓100的正面100a上貼附研磨貼片104。

請參照圖1B，將貼附有研磨貼片104的晶圓100置於切割貼片106上，使研磨貼片104與切割貼片106接觸。之後，進行預切割步驟，切割晶圓100的背面100b，以於晶圓100的背面100b上形成多個切割道108。切割晶圓100的背面100b的方法例如是進行雷射切割、機械切割(例如使用切割刀)或蝕刻。需要注意的是，在此步驟中，並未將晶圓100切割成多個分離的晶片，亦即切割道108並未貫穿晶圓100。

此外，在形成切割道108之後，晶圓100的背面100b可能會因切割應力的影響而在區域110處產生損壞，此即為熟知的背崩現象。

接著，請參照圖1C，移除切割貼片106。之後，研磨晶圓100的背面100b，以減少晶圓100的厚度與切割道108的深度。特別一提的是，在研磨晶圓100的背面100b之後，因背崩而在區域110處造成的損壞已一併被移除，因而解決了先前技術中所形成的晶片的背面受損的問題。

而後，請參照圖1D，移除研磨貼片104。然後，於晶圓100的背面100b貼附切割貼片112。

之後，進行切割步驟，對應於晶圓100的背面100b上的切割道108，切割晶圓100的正面100a，以形成多個彼此分離的晶片114。特別一提的是，在切割晶圓100的正面100a時，若使用切割刀來進行切割，則所使用的切割刀的寬度大於切割晶圓100的背面100b時所使用的切割刀的寬度。

綜上所述，在本發明的晶圓切割製程中，先對晶圓的背面進行預切割再切割晶圓的正面來形成多個晶片，且在預切割之後對晶圓的背面進行研磨。如此一來，晶圓的背面因背崩而造成的損壞可在研磨的過程中被移除，因而可形成具有良好品質的晶片。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．晶圓

100a．．．正面

100b．．．背面

102．．．凸塊

104．．．研磨貼片

106、112．．．切割貼片

108．．．切割道

110．．．區域

114．．．晶片

圖1A至圖1E為依照本發明實施例所繪示的晶圓切割製程之剖面示意圖。

100．．．晶圓

100a．．．正面

100b．．．背面

102．．．凸塊

104．．．研磨貼片

108．．．切割道

Claims (6)

1. 一種晶圓切割製程，包括：提供一晶圓，該晶圓具有一正面與一背面；於該晶圓的該正面貼附一研磨貼片，並預切割該晶圓的該背面，以於該晶圓的該背面上形成多個切割道；研磨該晶圓的該背面，以減少該晶圓的厚度與該些切割道的深度；移除該研磨貼片；以及於該晶圓的該背面貼附一第一切割貼片，並切割該晶圓的該正面，以形成多個彼此分離的晶片。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割製程，其中該晶圓具有多個凸塊，且該些凸塊陣列排列於該晶圓的該正面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割製程，其中預切割該晶圓的該背面的方法包括：將貼附有該研磨貼片的該晶圓置於一第二切割貼片上，其中該研磨貼片與該第二切割貼片接觸；以及於該晶圓的該背面上形成該些切割道。
4. 如申請專利範圍第3項所述之晶圓切割製程，其中預切割該晶圓的該背面的方法更包括：在預切割該晶圓的該背面之後，移除該第二切割貼片。
5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割製程，其中預切割該晶圓的該背面的方法包括進行雷射切割、機械切割或蝕刻。
6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割製程，其中該研磨貼片是在該晶圓被研磨之後被移除。