TW201710489A - 玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title abstract description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 197
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 165
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- -1 hydroxyethyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 18
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 8
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 5
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 43
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 25
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 24
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 21
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 12
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 11
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 7
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WEYVCQFUGFRXOM-UHFFFAOYSA-N perazine Chemical compound C1CN(C)CCN1CCCN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 WEYVCQFUGFRXOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002195 perazine Drugs 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QGJDXUIYIUGQGO-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]propanoyl]pyrrolidine-2-carboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NC(C)C(=O)N1CCCC1C(O)=O QGJDXUIYIUGQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKQMKMVTDKYWOX-UHFFFAOYSA-N 1-[2-hydroxypropyl(methyl)amino]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CN(C)CC(C)O XKQMKMVTDKYWOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGNQGTFARHLQFB-UHFFFAOYSA-N 1-dodecyl-2-phenoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1 LGNQGTFARHLQFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1C ZZXDRXVIRVJQBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYOIAXUAIXVWMU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-aminoethyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound NCCN(CCO)CCO CYOIAXUAIXVWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMOUJYKPMVFYSV-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;ethanamine Chemical compound CCN.NCCO DMOUJYKPMVFYSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000009298 Trigla lyra Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L dipotassium;[(2r,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl] phosphate Chemical compound [K+].[K+].OC[C@H]1O[C@H](OP([O-])([O-])=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- XBRDBODLCHKXHI-UHFFFAOYSA-N epolamine Chemical compound OCCN1CCCC1 XBRDBODLCHKXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002070 germicidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M potassium;2-oxo-3-(3-oxo-1-phenylbutyl)chromen-4-olate Chemical compound [K+].[O-]C=1C2=CC=CC=C2OC(=O)C=1C(CC(=O)C)C1=CC=CC=C1 WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940037001 sodium edetate Drugs 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O triethanolammonium Chemical compound OCC[NH+](CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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Abstract
本發明提供一種清潔性較高且可抑制基板之表面粗糙度之惡化之玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物。
於一實施形態中，本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物，其含有下述式(I)所表示之胺(成分A)及下述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)。
□
Description
本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物、基板之清潔方法、及玻璃製硬碟基板之製造方法。
近年來，於個入電腦或各種電子裝置中，開始處理活動圖像或聲頻等之較大之資料，必需大容量之資訊記錄裝置。其結果為，對資訊記錄媒體之高記錄密度化之要求逐年提高。為了應對該情況，硬碟採用垂直磁記錄方式並推進量產化。於垂直磁記錄方式中，針對資訊記錄媒體用基板(以下，亦稱為「硬碟基板」)，與目前之基板相比以更高之水準謀求基板之耐熱性及表面之平滑性。進而，用以減輕對轉軸馬達之負擔之低比重化、及具有用以防止碟片之損壞之較高之機械強度、可耐受掉落時與磁頭之衝擊之較高之破壞韌性較目前變得更重要。
作為資訊記錄媒體用基板所使用之材料，有鋁合金、玻璃等。最近，與鋁合金相比維氏硬度較高且表面平滑性較高之玻璃被廣泛用於假定動態使用之用途中。
而且，近年來，為了應對對高記錄密度化之要求，進行各種記錄方式之開發(參照專利文獻1~2)。
於專利文獻1及2中揭示有一種利用雷射等之熱輔助磁記錄方式之硬碟基板。而且，作為硬碟基板，使用非晶質(amorphous)玻璃基板。
進而，為了應對對表面平滑性之要求，亦進行各種清潔劑組合物之開發(參照專利文獻3~6)。
於專利文獻3中揭示有一種結晶化玻璃基板之清潔方法，其使用含有包含1個以上且10個以下氮原子之胺及無機鹼之清潔劑，可抑制二氧化矽粒子等研磨粒子之顆粒之清潔中之結晶化玻璃基板之表面粗糙度的惡化，進而提昇清潔性。於專利文獻4中揭示有一種硬碟基板等之電子材料用清潔劑，其含有陰離子性界面活性劑及有機溶劑，且於無損基板表面之平滑性之情況下實現優異之顆粒的去除性，低起泡性且經時穩定性優異。於專利文獻5中揭示有一種磁碟基板等之電子材料用清潔劑，其含有硫酸酯鹽、鹼、螯合劑及水，且對顆粒之去除而言優異。於專利文獻6中揭示有一種磁碟基板等之電子材料用清潔劑，其含有非離子性界面活性劑、具有芳香環及磺酸基之高分子型陰離子性界面活性劑及水，且即便於在高溫下使用之情形時，對研磨粒之清潔性亦非常高。
專利文獻1：日本專利特開2015-96465號公報
專利文獻2：日本專利特開2015-24954號公報
專利文獻3：日本專利特開2014-111238號公報
專利文獻4：日本專利特開2009-206481號公報
專利文獻5：日本專利特開2012-177055號公報
專利文獻6：日本專利特開2013-151677號公報
近年來，在提高硬碟之記錄密度之基礎上，基板表面之平滑性之要求、及因研磨後之研磨屑或研磨粒等之殘留所引起之污染度之低
水準化等基板表面之潔淨度的要求變得更高。尤其於熱輔助磁記錄方式中，於記錄時藉由雷射光等加熱基板，故而對基板要求耐熱性以及極高水準之平滑性。但是，關於先前之清潔劑組合物之清潔性，判明清潔後之基板之潔淨度及表面粗糙度(平滑性)不充分。進而，欲用於熱輔助磁記錄方式之耐熱非晶質玻璃基板較先前之玻璃基板於鹼清潔中基板表面容易粗糙，故而難以以較高之水準實現清潔後之基板之潔淨度及平滑性。
因此，於一態樣中，本發明提供一種清潔性較高且可抑制基板之表面粗糙度之惡化之玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物、以及使用該清潔劑組合物之基板之清潔方法及玻璃製硬碟基板之製造方法。
於一或複數個實施形態中，本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物，其含有下述式(I)所表示之胺(成分A)及下述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)：
[於式(I)中，R1表示氫原子、甲基、乙基或胺基乙基，R2表示氫原子、羥基乙基、羥基丙基、甲基或乙基，R3表示胺基乙基、羥基乙基或羥基丙基，或者，於式(I)中，R1表示甲基、乙基、羥基乙基或羥基丙基，R2與R3相互鍵結而與式(I)中之N原子一起形成吡咯啶環或哌環]；
[於式(II)中，R表示碳數6~18之直鏈烷基或支鏈烷基，M1及M2分別獨立地表示氫原子、金屬原子、NH4或有機銨]。
於另一或複數個實施形態中，本發明係關於一種基板之清潔方法，其包括使用本發明之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
於另一或複數個實施形態中，本發明係關於一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其包括使用本發明之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
於另一或複數個實施形態中，本發明係關於一種本發明之清潔劑組合物之用途，其用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板。
於另一或複數個實施形態中，本發明係關於一種用以製造本發明之清潔劑組合物之套組，其係於成分A與成分B不相互混合之狀態下保管。
根據本發明，於一或複數個實施形態中，可提供一種清潔性較高且可抑制基板之表面粗糙度之惡化之玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物。而且，根據使用本發明之清潔劑組合物之清潔方法及製造方法，於一或複數個實施形態中，可獲得清潔後之基板表面之潔淨度及平滑性優異之玻璃製硬碟基板。
本發明係基於如下知識見解：若使用包含特定之胺(成分A)及特定之界面活性劑(成分B)之清潔劑組合物清潔玻璃基板，則可於不使玻璃基板之表面粗糙度惡化之情況下提昇潔淨度。
即，於一態樣中，本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用清潔劑
組合物(以下，亦稱為「本發明之清潔劑組合物」)，其含有上述式(I)所表示之胺(成分A)及上述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)。
於一或複數個實施形態中，本發明之清潔劑組合物可於不使玻璃製硬碟基板之表面粗糙度惡化之情況下提昇基板表面之潔淨度，其詳細原因雖不明確，但推斷如下。
於清潔劑組合物中，成分A與成分B形成複合物(錯合物)。與清潔劑組合物中之各成分單獨存在之情形相比，該複合物對作為顆粒之二氧化矽粒子之吸附力較強。關於複合物對二氧化矽粒子之吸附力強於單獨之成分之詳細原因雖不明確，但推測因成分A與成分B之複合物吸附於二氧化矽粒子表面，而於表面經複合物被覆之二氧化矽粒子彼此之間產生立體障壁(立體排斥)或者電性障壁(電荷排斥)，其結果為，原本容易凝集之二氧化矽粒子彼此變得難以凝集。而且，推測二氧化矽粒子之分散性因立體排斥或電荷排斥之效果(作用)而提昇，清潔性提昇，可提昇清潔後之基板表面之潔淨度。
進而，認為單獨為胺(成分A)會成為使基板之表面粗糙之要因，但推測藉由成分A與成分B形成複合物，清潔劑組合物中單獨存在之胺(成分A)之含量降低，可抑制基板之表面粗糙度之惡化。
因此，根據本發明之清潔劑組合物，於一或複數個實施形態中，具有鹼清潔、尤其是殘存於基板表面之二氧化矽粒子等研磨粒之顆粒之清潔中的對玻璃基板之較高之清潔性，進而可抑制基板之表面粗糙度之惡化。進而，根據本發明之清潔劑組合物，於一或複數個實施形態中，即便於被清潔基板與清潔劑組合物長時間接觸之條件下，亦可抑制基板之表面粗糙度之惡化。而且，根據使用本發明之清潔劑組合物之清潔方法及製造方法，於一或複數個實施形態中，可獲得潔淨度及平滑性優異之玻璃基板。進而，根據使用本發明之清潔劑組合物之清潔方法及製造方法，即便於清潔步驟及其他步驟中產生故障，
引起生產線長時間停止，亦抑制因被清潔基板與清潔劑組合物長時間接觸所引起之基板表面粗糙度之惡化，故而可於消除故障後恢復生產線。而且，由於本發明之清潔劑組合物具有較高之清潔性，故而可縮短清潔時間，減少與基板之接觸時間，進而，由於本發明之清潔劑組合物之基板表面粗糙度之惡化抑制效果較高，故而可獲得基板表面之平滑性極高之玻璃基板。進而，藉由採用使用本發明之清潔劑組合物進行清潔之玻璃基板，可實現高記錄密度之硬碟記錄裝置。
於一或複數個實施形態中，本發明之清潔劑組合物適於耐熱非晶質玻璃之清潔。耐熱非晶質玻璃基板由於與一般之玻璃基板相比實施使玻璃轉移點較高、進而使熱膨脹率較低之處理，故而基板表面容易受到因鹼所引起之腐蝕。因此，若藉由清潔性較高之鹼性液體(鹼劑)進行清潔，則有基板之表面粗糙度容易惡化之傾向。詳細之原因雖不明確，但推測作為基板表面粗糙之機制如下。認為若鹼劑與玻璃基板之表面接觸，則基板表面之成分之一部分因鹽交換等而脫落於液中，導致基板之表面粗糙度惡化。認為於為耐熱非晶質玻璃基板之情形時，尤其是提高耐熱性之成分容易自基板表面脫落，會明顯受到鹼劑之影響。
但是，認為於本發明之清潔劑組合物中，認為雖可提昇清潔性但成為使基板之表面粗糙度惡化之要因之成分A(胺)由於如上所述，與成分B(界面活性劑)形成複合物，故而難以產生與基板表面之成分之一部分(尤其是提高耐熱性之成分)之鹽交換等。推測其結果為，抑制基板之表面粗糙度之惡化，進而，如上述般二氧化矽粒子之分散性提昇，故而清潔性亦變得良好。
但是，本發明可不限定於該等機制而進行解釋。
以下，對本發明之清潔劑組合物中所包含之各成分進行說明。
[成分A：胺]
本發明之清潔劑組合物中所包含之成分A係下述式(I)所表示之胺。
於式(I)中，R1表示氫原子、甲基、乙基或胺基乙基，R2表示氫原子、羥基乙基、羥基丙基、甲基或乙基，R3表示胺基乙基、羥基乙基或羥基丙基，或者，於式(I)中，R1表示甲基、乙基、羥基乙基或羥基丙基，R2與R3相互鍵結而與式(I)中之N原子一起形成吡咯啶環或哌環。
作為成分A，於一或複數個實施形態中，可列舉：單乙醇胺、二乙醇胺等烷醇胺、以及該等之烷基化物及胺基烷基化物；乙二胺；二伸乙基三胺；具有選自由甲基、乙基、羥基乙基及羥基丙基所組成之群中之至少1個官能基之吡咯啶化合物或哌化合物等。
作為成分A，於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，較佳為選自由單乙醇胺、單異丙醇胺、N-甲基單乙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基單乙醇胺、N-乙基異丙醇胺、二乙醇胺、二異丙醇胺、N-二甲基單乙醇胺、N-二甲基單異丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二異丙醇胺、N-二乙基單乙醇胺、N-二乙基單異丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二異丙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、N-(β-胺基乙基)二乙醇胺、N-(β-胺基乙基)二異丙醇胺、1-甲基哌、1-(2-羥基乙基)吡咯啶、1-(2-羥基乙基)哌、乙二胺及二伸乙基三胺所組成之群中之至少1種，更佳為選自由單乙醇胺、單異丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基單乙醇胺、N-乙基單乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、1-(2-羥基
乙基)哌及二伸乙基三胺所組成之群中之至少1種，進而較佳為選自由單異丙醇胺、N-甲基單乙醇胺、1-(2-羥基乙基)哌及N-(β-胺基乙基)乙醇胺所組成之群中之至少1種，更進一步較佳為N-(β-胺基乙基)乙醇胺。
就清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分A相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為40質量%以上，更佳為45質量%以上，進而較佳為60質量%以上，而且，較佳為82質量%以下，更佳為80質量%以下。就抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，清潔劑組合物中之成分A相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為40質量%以上，更佳為45質量%以上，進而較佳為50質量%以上，而且，較佳為90質量%以下，更佳為81質量%以下，進而較佳為77質量%以下。
就清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分A的含量較佳為0.01質量%以上，更佳為0.04質量%以上，進而較佳為0.09質量%以上，而且，就抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，較佳為0.22質量%以下，更佳為0.18質量%以下，進而較佳為0.13質量%以下。進而，就同樣之觀點而言，清潔劑組合物中之清潔時之成分A之含量較佳為0.01質量%以上且0.22質量%以下，更佳為0.04質量%以上且0.18質量%以下，進而較佳為0.09質量%以上且0.13質量%以下。
本發明之清潔劑組合物由於如下所述般可製造為濃縮液，於清潔時加以稀釋而使用，故而於本發明中，「清潔劑組合物中之清潔時之含有成分之含量」係指於一或複數個實施形態中，清潔步驟中所使用之清潔劑組合物之含有成分之含量。因此，於本發明中，清潔時之清潔劑組合物、即清潔步驟中所使用之清潔劑組合物係指於一或複數個實施形態中加以稀釋之狀態下之清潔劑組合物。
[成分B：界面活性劑]
於一或複數個實施形態中，本發明之清潔劑組合物之成分B係下述式(II)所表示之界面活性劑(烷基二苯醚二磺酸或其鹽)。
於式(II)中，於一或複數個實施形態中，就對基板之吸附力及水溶性之觀點而言，R為碳數6~18之烷基，較佳為碳數6~14之烷基。作為烷基，於一或複數個實施形態中，可列舉：辛基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、十八烷基等。於本說明書中之上述烷基中既包含直鏈烷基亦包含支鏈烷基。例如，於辛基中既包含正辛基之類之直鏈烷基，亦包含2-乙基己基之類之支鏈烷基。
於式(II)中，於一或複數個實施形態中，M1及M2分別獨立地表示氫原子、金屬原子、NH4或有機銨。於式(II)之M1及M2表示金屬原子之情形時，作為金屬原子，於一或複數個實施形態中，可列舉：鈉、鉀、鋰等鹼金屬，就解離性之觀點而言，更佳為鈉及鉀。於式(II)之M1及M2表示有機銨之情形時，作為有機銨，於一或複數個實施形態中，可列舉：三乙醇銨等碳數2~9之烷醇銨；三甲基銨等碳數1~9之烷基銨。
作為成分B，於一或複數個實施形態中，可列舉：十二烷基二苯醚二磺酸二鈉、十二烷基二苯醚二磺酸二鉀。
就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，於一或複數個實施形態中，成分B之分子量較佳為200以上。而且，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，於一或複數個實施形態中，成分B之分子量較佳為2000以下，更佳為1000以下。
於二或複數個實施形態中，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分B相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，而且，較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。進而，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分B相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為5質量%以上且40質量%以下，更佳為10質量%以上且30質量%以下。
於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分B的含量較佳為0.008質量%以上，更佳為0.01質量%以上，進而較佳為0.02質量%以上。而且，於一或複數個實施形態中，就抑制起泡之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分B的含量較佳為0.2質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而較佳為0.08質量%以下。進而，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分B的含量較佳為0.008質量%以上且0.2質量%以下，更佳為0.01質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為0.02質量%以上且0.08質量%以下。
於本發明之清潔劑組合物中，就清潔性之觀點而言，成分A與成分B之質量比A/B較佳為1以上，更佳為2.5以上，進而較佳為5以上。而且，就同樣之觀點而言，上述質量比A/B較佳為20以下，更佳為16以下，進而較佳為10以下。
[成分C：水]
於一或複數個實施形態中，本發明之清潔劑組合物可進而含有水(成分C)。上述水只要為可發揮作為溶劑之作用者則並無特別限制，例如可列舉：超純水、純水、離子交換水或蒸餾水等，較佳為超純水、純水或離子交換水，更佳為超純水。純水及超純水例如可藉由
針對使自來水通過活性碳，進行離子交換處理，進而進行蒸餾而獲得者，視需要照射特定之紫外線殺菌燈或者通過過濾器而獲得。
於將本發明之清潔劑組合物製造為濃縮液之情形時，就保存穩定性之觀點而言，濃縮液中之成分C之含量較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上，進而較佳為60質量%以上，而且，就同樣之觀點而言，較佳為95質量%以下，更佳為93質量%以下，進而較佳為90質量%以下。
於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分C的含量較佳為90質量%以上，更佳為93質量%以上，進而較佳為95質量%以上。而且，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分C的含量較佳為99.9質量%以下，更佳為99.85質量%以下，進而較佳為99.8質量%以下。
[成分D：螯合劑]
就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物亦可含有螯合劑(成分D)。作為螯合劑，於一或複數個實施形態中，可列舉：選自由葡萄糖酸、葡庚糖酸等醛糖酸類；乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸等胺基羧酸類；檸檬酸、蘋果酸等羥基羧酸類；1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸等膦酸類；及該等之鹽所組成之群中之至少1種。於該等中，就提昇清潔性之觀點而言，較佳為選自由葡萄糖酸鈉、葡庚糖酸鈉、乙二胺四乙酸鈉、檸檬酸鈉及1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸所組成之群中之至少1種，更佳為1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)。該等螯合劑可單獨使用或混合2種以上而使用。
於一或複數個實施形態中，就清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分D相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上，更佳為4質量%以上。而且，於一或複數個實施形態
中，就抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分D相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下。進而，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分D相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上且20質量%以下，更佳為4質量%以上且15質量%以下。
於一或複數個實施形態中，就清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分D的含量較佳為0.005質量%以上，更佳為0.008質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上。而且，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分D的含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.1質量%以下。進而，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分D的含量較佳為0.005質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.008質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為0.01質量%以上且0.1質量%以下。
[成分E：陰離子聚合物]
就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物亦可含有羧酸系聚合物等陰離子聚合物(成分E)。作為羧酸系聚合物，可列舉於結構單元中包含丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、順丁烯二酸聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸之共聚物、丙烯酸/順丁烯二酸之共聚物、甲基丙烯酸/丙烯酸甲酯之共聚物等甲基丙烯酸或丙烯酸之陰離子聚合物，較佳為丙烯酸(AA)與2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)之共聚物(AA/AMPS)，更佳為AA與AMPS之莫耳比為91/9~95/5之共聚物。關於陰離子聚合物，聚合物中之一部分或全部陰離子部分可與鹼金屬或胺形成鹽。就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，陰離子聚合物較佳為成分A(胺)之鹽。
就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之成分E相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，進而較佳為5質量%以上，而且，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下。
就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之成分E的含量較佳為0.005質量%以上，更佳為0.008質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，而且，較佳為2質量%以下，更佳為1質量%以下，進而較佳為0.5質量%以下。
[其他成分]
於本發明之清潔劑組合物中，除上述成分A~E以外，亦可將任意成分置換為水而含有。作為任意成分，可列舉：鹼金屬之氫氧化物、非離子性界面活性劑、助溶劑、抗氧化劑、防腐劑、消泡劑、抗菌劑等。於一或複數個實施形態中，清潔劑組合物中之該等任意成分之含量係如使清潔時之清潔劑組合物之pH值成為下述範圍的量。
關於本發明之清潔劑組合物，作為溶劑，除上述水以外，亦可進而包含水系溶劑(例如乙醇等醇)，較佳為本發明之清潔劑組合物中所包含之溶劑僅包含水。
就提昇清潔性且調整pH值之觀點而言，於一或複數個實施形態中，本發明之清潔劑組合物亦可含有選自由氫氧化鈉及氫氧化鉀所組成之群中之至少1種鹼金屬氫氧化物。
就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物亦可含有非離子性界面活性劑。作為非離子性界面活性劑，可列舉聚伸烷基二醇烷基醚等。
就提昇保存穩定性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物較佳為包含選自由對甲苯磺酸、二甲基苯磺酸、2-乙基己酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種化合物。
[鹼金屬離子濃度]
就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物中之清潔時之鹼金屬離子濃度、即鈉離子與鉀離子之合計濃度較佳為1質量%(10000ppm)以下，更佳為0.1質量%(1000ppm)以下，進而較佳為0.01質量%(100ppm)以下。鹼金屬離子濃度可藉由實施例記載之測定方法進行測定。
[清潔劑組合物之pH值]
於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性且抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物之清潔時之pH值較佳為9.0以上，更佳為9.3以上，進而較佳為9.5以上。而且，就同樣之觀點而言，本發明之清潔劑組合物之清潔時之pH值較佳為14.0以下，更佳為12.0以下，進而較佳為11.0以下。於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物之pH值調整可併用有機銨及鹼金屬之氫氧化物而進行。而且，就抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，較佳為使用成分A及成分D之酸進行pH值調整。
於本發明中，「清潔時之pH值」係使用25℃下之清潔劑組合物時(稀釋後)之pH值，可使用pH計(東亞電波工業股份有限公司，HM-30G)進行測定，係將電極浸漬於清潔劑組合物中3分鐘後之數值。
[清潔劑組合物之製備方法]
本發明之清潔劑組合物可藉由混合各成分而製備。於一或複數個實施形態中，就儲存及傳輸之觀點而言，本發明之清潔劑組合物可製造為濃縮液，並於使用時加以稀釋。於稀釋清潔劑組合物之濃縮液之情形時，其稀釋倍率並無特別限制，可根據上述濃縮液中之各成分之濃度或清潔條件等而適當決定。於一或複數個實施形態中，就提昇清潔性且提昇清潔後之基板表面之平滑性之觀點而言，較佳為將本發
明之清潔劑組合物之濃縮液稀釋為10質量%以下，更佳為稀釋為5質量%以下。而且，就提昇清潔性之觀點而言，較佳為將本發明之清潔劑組合物之濃縮液稀釋為0.005質量%以上，更佳為稀釋為0.3質量%以上。
[清潔劑組合物之濃縮液]
本發明之清潔劑組合物之濃縮液可藉由混合各成分而製備。本發明之清潔劑組合物之濃縮液中之水以外之各成分的含量與上述本發明之清潔劑組合物相同。
就稀釋後之清潔性之觀點而言，本發明之清潔劑組合物之濃縮液之pH值較佳為9.0以上，更佳為9.5以上，進而較佳為10.0以上。而且，就抑制基板之表面粗糙度之惡化之觀點而言，本發明之清潔劑組合物之濃縮液之pH值較佳為14.0以下，更佳為13.0以下，進而較佳為12.0以下。本發明之清潔劑組合物之濃縮液之pH值可藉由與上述本發明之清潔劑組合物之pH值相同的方法進行測定。
[被清潔基板]
於一或複數個實施形態中，作為使用本發明之清潔劑組合物之清潔之對象之被清潔基板係經研磨液組合物研磨的基板，且為用於硬碟基板之製造之基板。於一或複數個實施形態中，被清潔基板較佳為非晶質玻璃基板，更佳為耐熱非晶質玻璃基板。作為玻璃基板之材料，於一或複數個實施形態中，可列舉：鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃等，就表面平滑性或基板強度之觀點而言，較佳為鋁矽酸鹽玻璃。於一或複數個實施形態中，被清潔基板係經含有研磨粒之研磨液組合物研磨後之基板，於一或複數個實施形態中，研磨粒為二氧化矽粒子。於一或複數個實施形態中，被清潔基板為熱輔助磁記錄用磁碟基板。於一或複數個實施形態中，被清潔基板係用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板之基板。即，於一或複數個實施形態中，本發
明之清潔劑組合物可用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板。於本發明之清潔劑組合物於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板中之用途中，包含於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板之製造中之用途、或於經研磨液組合物研磨之基板之清潔中之用途。
於本發明中，耐熱非晶質玻璃基板係指玻璃轉移點溫度較高之非晶質玻璃基板。就保持熱輔助磁記錄前後之基板表面之平滑性之觀點而言，於一或複數個實施形態中，耐熱非晶質玻璃基板之玻璃轉移點溫度較佳為600℃以上，更佳為610℃以上，進而較佳為620℃以上，更進一步較佳為630℃以上，更進一步較佳為640℃以上。玻璃轉移溫度之上限並無特別限定，於一或複數個實施形態中，較佳為750℃以下，更佳為710℃以下。
[基板之清潔方法]
於一態樣中，本發明係關於一種基板之清潔方法(以下，亦稱為「本發明之清潔方法」)，其包括使用本發明之清潔劑組合物，清潔被清潔基板之清潔步驟。於一或複數個實施形態中，本發明之清潔方法可進而包括稀釋上述本發明之清潔劑組合物之濃縮液的稀釋步驟。可使用上述基板作為被清潔基板。於一或複數個實施形態中，上述清潔步驟包括進行浸漬清潔及/或擦洗清潔之操作。
(浸漬清潔)
作為被清潔基板於清潔劑組合物中之浸漬條件，並無特別限制，於一或複數個實施形態中，就作業性及操作性之觀點而言，清潔劑組合物之溫度較佳為20~100℃，就提昇清潔劑組合物之清潔性之觀點而言，浸漬時間較佳為5秒以上，更佳為10秒以上，進而較佳為100秒以上。就提昇清潔後之基板之生產效率之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為10分鐘以下，進而較佳為5分鐘以下。就提高殘留物之去除性及殘留物之分散性之觀點而言，較佳為對清潔劑組合物賦
予超音波振動。作為超音波之頻率，較佳為20~2000kHz，更佳為40~2000kHz，進而較佳為40~1500kHz。
(擦洗清潔)
於一或複數個實施形態中，就促進研磨粒等殘留物之清潔性或油分之溶解性之觀點而言，擦洗清潔之方法較佳為射出被賦予超音波振動之清潔劑組合物，使清潔劑組合物與被清潔基板之表面接觸而清潔該表面，或者，藉由射出而將清潔劑組合物供給至被清潔基板之表面上，利用清潔用刷擦拭被供給清潔劑組合物之該表面，藉此進行清潔。進而，於一或複數個實施形態中，就同樣之觀點而言，擦洗清潔之方法較佳為藉由射出而將被賦予超音波振動之清潔劑組合物供給至清潔對象之表面，且利用清潔用刷擦拭被供給清潔劑組合物之該表面，藉此進行清潔。
作為將清潔劑組合物供給至被清潔基板之表面上之機構，可使用噴霧嘴等機構。作為清潔用刷，並無特別限制，例如可使用尼龍刷或PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)海綿刷等。作為超音波之頻率，與上述浸漬清潔中較佳地採用之值相同。
關，於本發明之清潔方法，於又一或複數個實施形態中，除上述浸漬清潔及/或上述擦洗清潔以外，亦可包括1個以上使用搖動清潔、利用旋轉器等之旋轉之清潔、漿式清潔等公知之清潔之步驟。
於本發明之清潔方法中，可逐片清潔被清潔基板，亦可一次一併清潔複數片應清潔之被清潔基板。又，清潔時使用之清潔槽之數量可為1個，亦可為複數個。
以下，表示本發明之清潔方法之未被限定之一或複數個實施形態。
(1)清潔-1：將放入有本發明之清潔劑組合物之清潔槽(a)設定為特定之溫度，將被清潔基板浸漬於清潔槽(a)內之清潔劑組合物中，一面對該清潔劑組合物照射超音波一面進行清潔。
(2)沖洗-1：將放入有超純水之沖洗槽(b)設定為特定之溫度，將被清潔基板自清潔槽(a)移至沖洗槽(b)中，浸漬於沖洗槽(b)內之超純水中，一面對該超純水照射超音波一面進行沖洗。
(3)使用放入有本發明之清潔劑組合物之清潔槽(c)、及放入有超純水之沖洗槽(d)，再次反覆進行(1)及(2)。
(4)清潔-2：將沖洗槽(d)內之被清潔基板移至設置有清潔刷之擦洗清潔單元(A)中，對清潔刷射出本發明之清潔劑組合物，於該清潔劑組合物之存在下一面使清潔刷旋轉一面壓抵於該基板之兩面，藉此進行清潔。
(5)沖洗-2：將被清潔基板移至設置有清潔刷之擦洗清潔單元(B)，射出超純水，一面以與(4)相同之方式使清潔刷旋轉一面壓抵於該基板之兩面，藉此進行沖洗。
(6)使用以與擦洗清潔單元(A)相同之條件準備之擦洗清潔單元(C)、及以與擦洗清潔單元(B)相同之條件準備之擦洗清潔單元(D)，再次反覆進行(4)及(5)。
(7)沖洗-3：將被清潔基板移至放入有超純水之沖洗槽(e)中，浸漬於沖洗槽(e)內之超純水中，一面對該超純水照射超音波一面進行沖洗。
(8)乾燥：將被清潔基板移至放入有溫熱之超純水(溫純水)之沖洗槽(f)中，浸漬於溫純水中後，以特定之速度自水中提拉被清潔基板，使基板表面完全乾燥。
[硬碟基板之製造方法]
於一態樣中，本發明係關於一種硬碟基板之製造方法(以下，亦稱為「本發明之製造方法」)，其包括使用本發明之清潔劑組合物，清潔被清潔基板之步驟。可使用上述基板作為被清潔基板。於一或複數個實施形態中，本發明之製造方法較佳為玻璃製硬碟基板之製造方
法。於一或複數個實施形態中，玻璃製硬碟基板為熱輔助磁記錄用基板。
一般而言，成為硬碟基板之基礎之基材可經由形狀加工步驟、粗研削步驟、精研削步驟、粗研磨步驟、精研磨步驟等，藉此製造硬碟基板。而且，有於上述各步驟之間包括清潔步驟之情況。硬碟基板可於最終之清潔步驟後經由記錄部形成步驟，藉此成為磁性硬碟。
於一或複數個實施形態中，記錄部形成步驟係藉由利用濺鍍等方法，於硬碟基板上形成具有磁記錄區域且包含金屬薄膜之磁性層而進行。作為構成上述金屬薄膜之金屬材料，例如可列舉：鉻、鉭、鉑等與鈷之合金；鐵與鉑等之合金等。磁性層可形成於硬碟基板之兩主面側，亦可僅形成於一主面側。
於一或複數個實施形態中，上述粗研磨步驟及上述精研磨步驟係依序進行。就可進行高速研磨之原因而言，上述粗研磨步驟時使用之研磨劑組合物中所包含之無機微粒子較佳為氧化鈰粒子或氧化鋁粒子。就提昇表面之平滑性(表面粗糙度)之原因而言，上述精研磨步驟時使用之研磨劑組合物中所包含之無機微粒子較佳為二氧化矽粒子。
可於粗研磨步驟後，依序進行使用清潔劑組合物之清潔步驟(第1清潔步驟)、沖洗步驟(第1沖洗步驟)、乾燥步驟(第1乾燥步驟)、精研磨步驟、使用清潔劑組合物之清潔步驟(第2清潔步驟)、沖洗步驟(第2沖洗步驟)及乾燥步驟(第2乾燥步驟)。本發明之清潔方法可應用於上述第1清潔步驟及/或上述第2清潔步驟。於未被限定之一或複數個實施形態中，就提昇清潔性之觀點而言，本發明之清潔方法較佳為用於第2清潔步驟。
因此，於一態樣中，本發明係關於一種包括以下之步驟(1)及步驟(2)之硬碟基板之製造方法。
(1)使用研磨液組合物研磨被研磨基板之研磨步驟。
(2)使用本發明之清潔劑組合物清潔步驟(1)中所獲得之基板(被清潔基板)之清潔步驟。
上述步驟(1)中之被研磨基板一般為經過精研削步驟後之基板，較佳為經過粗研磨步驟後之基板。作為被研磨基板，可列舉上述被清潔基板中所使用之基板。步驟(1)可藉由一面對被研磨基板之研磨對象面供給研磨液組合物，使研磨墊與上述研磨對象面接觸，並施加特定之壓力(負載)，一面移動研磨墊或被研磨基板等而進行。就提昇最終之基板之品質之觀點而言，步驟(1)較佳為使用包含二氧化矽粒子之研磨液組合物之精研磨步驟。較佳為於精研磨步驟中，反覆使用研磨液組合物。
上述步驟(2)之清潔步驟可以與上述本發明之清潔方法相同之方式進行。
[硬碟記錄裝置]
於一態樣中，本發明係關於一種硬碟記錄裝置(以下，亦稱為「本發明之硬碟記錄裝置」)，其採用使用本發明之清潔劑組合物進行清潔之玻璃製硬碟基板。藉由採用使用本發明之清潔劑組合物進行清潔之硬碟基板，可提供一種高記錄密度之硬碟記錄裝置。作為記錄方式，於一或複數個實施形態中，可使用熱輔助磁記錄方式。
[套組]
於一態樣中，本發明係關於一種用以製造本發明之清潔劑組合物之套組(以下，亦稱為「本發明之套組」)，其係於成分A與成分B不相互混合之狀態下保管。
作為本發明之套組，例如可列舉於含有成分A之溶液(第一液)與含有成分B之溶液(第二液)不相互混合之狀態下保管，並於使用時混合該等之套組。於第一液及第二液之各者中，可視需要混合上述成分C~E及任意成分。
根據本發明之套組，可獲得清潔性較高且可抑制清潔後之基板之表面粗糙度之惡化的清潔劑組合物。
進而，本發明係關於以下之一或複數個實施形態。
<1>一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物，其含有下述式(I)所表示之胺(成分A)及下述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)：
[於式(I)中，R1表示氫原子、甲基、乙基或胺基乙基，R2表示氫原子、羥基乙基、羥基丙基、甲基或乙基，R3表示胺基乙基、羥基乙基或羥基丙基，或者，於式(I)中，R1表示甲基、乙基、羥基乙基或羥基丙基，R2與R3相互鍵結而與式(I)中之N原子一起形成吡咯啶環或哌環]；
[於式(II)中，R表示碳數6~18之直鏈烷基或支鏈烷基，M1及M2分別獨立地表示氫原子、金屬原子、NH4或有機銨]。
<2>如<1>記載之清潔劑組合物，其進而含有水(成分C)。
<3>如<2>記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分C之含量較佳為90質量%以上，更佳為93質量%以上，進而較佳為95質量%以上，而且，較佳為99.9質量%以下，更佳為99.85質量%以下，進而較佳為99.8質量%以下。
<4>如<1>至<3>中任一項記載之清潔劑組合物，其中成分
A與成分B之質量比A/B為1以上且20以下。
<5>如<1>至<4>中任一項記載之清潔劑組合物，其中成分A與成分B之質量比A/B較佳為1以上，更佳為2.5以上，進而較佳為5以上，而且，較佳為20以下，更佳為16以下，進而較佳為10以下。
<6>如<1>至<5>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分A相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為40質量%以上，更佳為45質量%以上，進而較佳為60質量%以上，而且，較佳為82質量%以下，更佳為80質量%以下。
<7>如<1>至<5>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分A相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為40質量%以上，更佳為45質量%以上，進而較佳為50質量%以上，而且，較佳為90質量%以下，更佳為81質量%以下，進而較佳為77質量%以下。
<8>如<1>至<7>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分A之含量較佳為0.01質量%以上，更佳為0.04質量%以上，進而較佳為0.09質量%以上，而且，較佳為0.22質量%以下，更佳為0.18質量%以下，進而較佳為0.13質量%以下。
<9>如<1>至<8>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分A之含量較佳為0.01質量%以上且0.22質量%以下，更佳為0.04質量%以上且0.18質量%以下，進而較佳為0.09質量%以上且0.13質量%以下。
<10>如<1>至<9>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分B相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，而且，較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
<11>如<1>至<10>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清
潔劑組合物中之成分B相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為5質量%以上且40質量%以下，更佳為10質量%以上且30質量%以下。
<12>如<1>至<11>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分B之含量較佳為0.008質量%以上，更佳為0.01質量%以上，進而較佳為0.02質量%以上，而且，較佳為0.2質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而較佳為0.08質量%以下。
<13>如<1>至<12>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分B之含量較佳為0.008質量%以上且0.2質量%以下，更佳為0.01質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為0.02質量%以上且0.08質量%以下。
<14>如<1>至<13>中任一項記載之清潔劑組合物，其進而包含螯合劑(成分D)。
<15>如<14>記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分D相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上，更佳為4質量%以上，而且，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下。
<16>如<14>或<15>記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分D相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上且20質量%以下，更佳為4質量%以上且15質量%以下。
<17>如<14>至<16>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分D之含量較佳為0.005質量%以上，更佳為0.008質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，而且，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.1質量%以下。
<18>如<14>至<17>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分D之含量較佳為0.005質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.008質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為
0.01質量%以上且0.1質量%以下。
<19>如<1>至<18>中任一項記載之清潔劑組合物，其進而包含陰離子聚合物(成分E)。
<20>如<19>記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之成分E相對於水以外之成分之合計質量的含量較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，進而較佳為5質量%以上，而且，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下。
<21>如<19>或<20>記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之成分E之含量較佳為0.005質量%以上，更佳為0.008質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，而且，較佳為2質量%以下，更佳為1質量%以下，進而較佳為0.5質量%以下。
<22>如<1>至<21>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物中之清潔時之鹼金屬離子濃度、即鈉離子與鉀離子之合計濃度較佳為1質量%(10000ppm)以下，更佳為0.1質量(1000ppm)%以下，進而較佳為0.01質量%(100ppm)以下。
<23>如<1>至<22>中任一項記載之清潔劑組合物，其中清潔劑組合物之清潔時之pH值較佳為9.0以上，更佳為9.3以上，進而較佳為9.5以上，而且，較佳為14.0以下，更佳為12.0以下，進而較佳為11.0以下。
<24>如<1>至<23>中任一項記載之清潔劑組合物，其中玻璃製硬碟基板為熱輔助磁記錄用基板。
<25>一種玻璃製硬碟基板之清潔方法，其包括使用如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟。
<26>如<25>記載之玻璃製硬碟基板之清潔方法，其中被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
<27>一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其包括使用如<1>至
<24>中任一項記載之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟。
<28>如<27>記載之玻璃製硬碟基板之製造方法，其中被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
<29>一種基板之清潔方法，其包括使用如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
<30>一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其包括使用如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物清潔被清潔基板之步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
<31>一種如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物之用途，其用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板。
<32>一種如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物之用途，其用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板之製造。
<33>一種如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物之用途，其用於經研磨液組合物研磨之基板之清潔。
<34>一種套組，其係用以製造如<1>至<24>中任一項記載之清潔劑組合物者，且其係於成分A與成分B不相互混合之狀態下保管。
基於以下之實施例及比較例說明本發明，但本發明並不限定於此。
實施例
[清潔劑組合物之濃縮液之製備(實施例1~11及比較例1~6)]
以成為下述表1記載之組成之方式並以表1記載之比率(質量%)調配各成分，並加以混合，藉此獲得實施例1~11及比較例1~6之清潔劑組合物之濃縮液。pH值係25℃下之清潔劑組合物之濃縮液之pH值，使用pH計(東亞電波工業股份有限公司，HM-30G)，測定將電極浸漬於清潔劑組合物中3分鐘後之數值。
[用於清潔之清潔劑組合物(清潔時之清潔劑組合物)之製備]
藉由超純水將清潔劑組合物之濃縮液稀釋100倍，藉此獲得清潔時之清潔劑組合物。pH值係藉由與上述清潔劑組合物之濃縮液相同之方法進行測定。
[鹼金屬離子濃度之測定]
如下述般測定清潔劑組合物中之鹼金屬離子濃度。首先，於石英坩堝中準確稱量清潔劑組合物0.1g，進行乾式灰化，加入6N鹽酸4mL並將其溶解，藉由超純水定容為50mL。將藉由超純水將其稀釋25倍者作為測定試樣。然後，使用原子吸光分光光度計(安捷倫科技股份有限公司製造，Varian Spectr AA 220)對測定試樣中之鹼金屬離子之濃度進行測定。分別算出鈉離子之濃度(質量%)及鉀離子之濃度(質量%)，將合計該等所獲得之值(質量%)換算為ppm值而作為鹼金屬離子濃度。
使用下述者作為清潔劑組合物之成分。
[胺]
N-(β-胺基乙基)乙醇胺(日本乳化劑股份有限公司製造，胺基醇EA)：成分A
單異丙醇胺(陶氏化學公司製造)：成分A
N-甲基單乙醇胺(日本乳化劑股份有限公司製造，胺基醇MMA)：成分A
二伸乙基三胺(Nacalai Tesque股份有限公司製造)：成分A
1-(2-羥基乙基)哌(日本乳化劑股份有限公司製造，羥基乙基哌)：成分A
三乙醇胺(東京化成工業股份有限公司製造)：非成分A
[界面活性劑]
十二烷基二苯醚二磺酸二鈉(固形物成分50質量%，分子量：
542)：成分B
聚氧乙烯(3)月桂基醯硫酸鈉(花王股份有限公司製造，Emal
20C，固形物成分25質量%，分子量：420)：非成分B
[水：成分C]
使用栗田工業股份有限公司製造之連續純水製造裝置(Pureconti PC-2000VRL型)及子系統(Makuace KC-05H型)所製造之超純水
[螯合劑：成分D]
1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)(Italmatch Japan股份有限公司製造，Dequest 2010，固形物成分60質量%)
[陰離子聚合物：成分E]
丙烯酸/2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸(AA/AMPS)(莫耳比：92/8)之共聚合化合物(重量平均分子量12,000)之鈉鹽之水溶液(固形物成分40質量%)
[鹼金屬之氫氧化物]
氫氧化鉀(關東化學股份有限公司製造，鹿特級，固形物成分48質量%)
[清潔性試驗方法]
準備因實施使用下述組成之研磨液漿料(研磨劑組合物)之研磨，而被源自研磨液漿料之研磨粒及源自基板材料之研磨屑等污染之被清潔基板。使用上述被清潔基板評價清潔劑組合物之清潔性。
(評價用基板)
作為實施例1~11及比較例1~6之評價用基板，準備耐熱非晶質玻璃基板(外徑：65mm ，內徑：20mm ，厚度：0.635mm)。
(研磨條件)
研磨機：雙面9B研磨機(浜井產業股份有限公司製造)
研磨墊：FILWEL股份有限公司製造之精研磨用麂皮墊
研磨劑組合物：膠體二氧化矽漿料(膠體二氧化矽粒子之個數平均粒徑24nm，膠體二氧化矽粒子之濃度：8質量%，介質：水，花王股份有限公司製造)
預研磨：負載40g/cm2，時間60秒，研磨液流量100mL/分鐘
正式研磨：負載100g/cm2，時間1200秒，研磨液流量100mL/分鐘
水洗：負載40g/cm2，時間60秒，沖洗水流量約2L/分鐘
(清潔)
使用清潔裝置於以下之條件下清潔5片研磨後之基板(被清潔基板)。清潔槽、沖洗槽各準備2組。
(1)清潔-1：藉由超純水以成為15000g之方式將清潔劑組合物之濃縮液150g稀釋100倍，製備用於清潔之清潔劑組合物。將所製備之清潔劑組合物放入至清潔槽(a)中，以清潔槽(a)內之液溫成為40℃之方式進行設定。然後，將被清潔基板浸漬於清潔槽(a)內之清潔劑組合物中，一面照射超音波(40kHz)一面清潔120秒。
(2)沖洗-1：將超純水放入至沖洗槽(b)中，以沖洗槽(b)內之液溫成為40℃之方式進行設定。然後，將清潔槽(a)內之被清潔基板移至沖洗槽(b)而浸漬於沖洗槽(b)內之超純水中，一面照射超音波(40kHz)一面沖洗120秒。
(3)使用以與清潔槽(a)相同之條件準備之放入有清潔劑組合物之清潔槽(c)、及以與沖洗槽(b)相同之條件準備之放入有超純水之沖洗槽(d)，再次反覆進行(1)及(2)。
(4)清潔-2：將沖洗槽(d)內之被清潔基板移至設置有清潔刷之擦洗清潔單元(A)中。然後，對清潔刷射出25℃之清潔劑組合物，於該清潔劑組合物之存在下一面以400rpm使清潔刷旋轉一面壓抵於被清潔基板之兩面，藉此於25℃下清潔5秒。清潔劑組合物使用與「(1)清
潔-1」中所使用之清潔劑組合物相同組成者。
(5)沖洗-2：將被清潔基板移至以與擦洗清潔單元(A)相同之條件準備之擦洗清潔單元(B)，射出25℃之超純水，以與(4)相同之方式一面以400rpm使清潔刷旋轉一面壓抵於被清潔基板之兩面，藉此於25℃下進行沖洗5秒。
(6)使用以與擦洗清潔單元(A)相同之條件準備之擦洗清潔單元(C)、以與擦洗清潔單元(B)相同之條件準備之擦洗清潔單元(D)，再次反覆進行(4)及(5)。
(7)沖洗-3：將超純水放入至沖洗槽(e)中，以沖洗槽(e)內之液溫成為25℃之方式進行設定。然後，將被清潔基板移至沖洗槽(e)而浸漬於沖洗槽(e)內之超純水中，一面照射超音波(170kHz)一面沖洗600秒。
(8)乾燥：將被清潔基板移至放入有30℃之溫純水之沖洗槽(f)中，浸漬於沖洗槽(f)內之溫純水中60秒後，以90mm/分鐘之速度自水中提拉基板，使基板表面完全乾燥。
[清潔性之評價方法]
藉由光學式微細缺陷檢查裝置(Candela 6100，KLA-Tencor公司製造)之MODE Q-Scatter對以10000rpm旋轉之清潔過之基板照射雷射，實施缺陷數(基板上之異物數)之測定。針對實施例1~11及比較例1~6之各清潔劑組合物，對10片基板分別進行上述測定，算出平均值。將實施例1之值設為100，將相對值示於下述表2。值越小，則可評價為缺陷數越少，清潔性越優異。
[表面粗糙度之評價方法]
於藉由上述研磨方法所獲得之實施過相同之研磨處理之5片基板中，隨機選擇2片，進行使用實施例1~11及比較例1~6之各清潔劑組合物之清潔，測定各個基板之表面粗糙度。將其測定結果設為「表面
粗糙度1」。進而，將步驟(1)之浸漬時間(120秒)變更為60分鐘，且不進行步驟(3)(即，將步驟(1)及步驟(2)分別變更為僅1次)，除此以外，以相同之方式進行表面粗糙度之測定。將該測定結果設為「表面粗糙度2」。表面粗糙度係於以下所示之條件下，使用Bruker AXS股份有限公司製造之AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)測定清潔後之基板之兩面。對5片基板分別進行測定，根據其平均值算出表面粗糙度Ra。將實施例1之表面粗糙度1之值設為100，將表面粗糙度1及表面粗糙度2之相對值示於下述表2。相對值越小，則可評價為平滑性越優異。
(AFM之測定條件)
模式(Mode)：輕敲模式(Tapping mode)
區域(Area)：1×1μm
掃描速率(Scan rate)：1.0Hz
懸臂支架(Cantilever)：NCH-10V
線(Line)：512×512
將實施例1~11及比較例1~6之清潔劑組合物中之各成分相對於水以外之成分之合計質量的含量、清潔時之清潔劑組合物之物性(稀釋倍率、pH值、鹼金屬離子濃度)、清潔性及平滑性之評價結果示於表2。
如表2所示，實施例1~11之清潔劑組合物相對於比較例1~6表現出較高之清潔性及較高之平滑性。
Claims (12)
- 一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物，其含有下述式(I)所表示之胺(成分A)及下述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)：
- 如請求項1之清潔劑組合物，其進而含有水(成分C)。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其中成分A與成分B之質量比A/B為1以上且20以下。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其中上述清潔劑組合物中之成分A相對於水以外之成分之合計質量的含量為40質量%以上且90質量%以下。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其中上述清潔劑組合物中之清潔時之成分A之含量為0.01質量%以上且0.28質量%以下。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其進而包含螯合劑(成分D)。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其進而包含陰離子聚合物(成分E)。
- 如請求項1或2之清潔劑組合物，其中玻璃製硬碟基板為熱輔助磁記錄用基板。
- 一種基板之清潔方法，其包括使用如請求項1至8中任一項之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
- 一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其包括使用如請求項1至8中任一項之清潔劑組合物清潔被清潔基板之清潔步驟，且被清潔基板係經研磨液組合物研磨之基板。
- 一種如請求項1至8中任一項之清潔劑組合物之用途，其用於熱輔助磁記錄用玻璃製硬碟基板。
- 一種套組，其係用以製造如請求項1至8中任一項之清潔劑組合物者，且其係於成分A與成分B不相互混合之狀態下保管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-126960 | 2015-06-24 | ||
| JP2015126960 | 2015-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201710489A true TW201710489A (zh) | 2017-03-16 |
| TWI708839B TWI708839B (zh) | 2020-11-01 |
Family
ID=57584937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105120067A TWI708839B (zh) | 2015-06-24 | 2016-06-24 | 玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10570355B2 (zh) |
| JP (1) | JP6691540B2 (zh) |
| CN (1) | CN107532115A (zh) |
| MY (1) | MY188330A (zh) |
| SG (1) | SG11201710747WA (zh) |
| TW (1) | TWI708839B (zh) |
| WO (1) | WO2016208412A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017050039A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料基板用洗浄液 |
| CN115069636A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-20 | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 | 一种半导体用石英零部件的清洗的方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262535A (en) | 1992-02-20 | 1993-11-16 | Binney & Smith Inc. | Surfactant composition and method of making the same |
| JP2521630B2 (ja) * | 1992-12-10 | 1996-08-07 | 花王株式会社 | 硬質表面用洗浄剤組成物 |
| JP2004189944A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 樹脂状汚れ除去用洗浄剤、及び洗浄方法 |
| US7531490B2 (en) * | 2004-10-01 | 2009-05-12 | Kao Corporation | Detergent composition comprising calcium gluconate and a mixture of calcium ion sequestering agents |
| WO2009078123A1 (ja) | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法 |
| JP2010086563A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Kao Corp | ハードディスク用ガラス基板用洗浄剤組成物。 |
| JP5242656B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2013-07-24 | エバーライト ユーエスエー、インク | 洗浄剤組成物 |
| JP5774330B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-09-09 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料用洗浄剤 |
| JP2013151677A (ja) | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
| CN103694957B (zh) | 2012-09-28 | 2015-03-04 | 中国石油化工股份有限公司 | 玻璃防雾剂及其制备方法 |
| JP6234673B2 (ja) | 2012-12-05 | 2017-11-22 | 花王株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
| JP6208575B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-10-04 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP5900560B2 (ja) | 2014-09-01 | 2016-04-06 | 旭硝子株式会社 | 基板用ガラスおよびガラス基板 |
| JP5947364B2 (ja) | 2014-12-17 | 2016-07-06 | Hoya株式会社 | ガラス基板 |
-
2016
- 2016-06-09 CN CN201680024905.XA patent/CN107532115A/zh active Pending
- 2016-06-09 SG SG11201710747WA patent/SG11201710747WA/en unknown
- 2016-06-09 JP JP2017525189A patent/JP6691540B2/ja active Active
- 2016-06-09 WO PCT/JP2016/067228 patent/WO2016208412A1/ja active Application Filing
- 2016-06-09 US US15/739,432 patent/US10570355B2/en active Active
- 2016-06-09 MY MYPI2017704934A patent/MY188330A/en unknown
- 2016-06-24 TW TW105120067A patent/TWI708839B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI708839B (zh) | 2020-11-01 |
| US20180163159A1 (en) | 2018-06-14 |
| WO2016208412A1 (ja) | 2016-12-29 |
| JP6691540B2 (ja) | 2020-04-28 |
| MY188330A (en) | 2021-11-30 |
| CN107532115A (zh) | 2018-01-02 |
| US10570355B2 (en) | 2020-02-25 |
| JPWO2016208412A1 (ja) | 2018-04-12 |
| SG11201710747WA (en) | 2018-01-30 |
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