JP6239973B2 - ガラスハードディスク基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示における成分Aは、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位を含む共重合化合物である。
(GPC条件)
カラム:G4000PWXL+G2500PWXL(東ソ−社製)
溶離液:0.2Mリン酸バッファ−/CH3CN=9/1(容量比)
流量:1.0mL/分
カラム温度:40℃
検出:RI
サンプルサイズ:0.2mg/mL
標準物質:分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
(重量平均分子量:194,400,600,1000,1500,4000,7000,10000,13000,20000;ジーエルサイエンス社製)
本開示における成分Bは、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる1種以上の無機酸である。成分Bは、一又は複数の実施形態において、安全性の観点から、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる2種以上を併用することが好ましく、リン酸と硫酸及び/又は硝酸とを併用することがより好ましい。
本開示に係る酸性洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、基板表面粗さの悪化抑制の観点から、さらに、成分Cとしてアルカノールアミンを含有することが好ましい。
本開示に係る酸性洗浄剤組成物のpHは、基板表面粗さの悪化抑制の観点から、3.0以上5.0以下であることが好ましい。酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合、そのpHは、一又は複数の実施形態において、より好ましくは3.0以上4.0以下である。酸性洗浄剤組成物が濃縮液でない形態の場合、そのpHは、一又は複数の実施形態において、好ましくは4.0以上5.0以下、より好ましくは4.0以上4.5以下である。また、工程2における洗浄時の洗浄液のpHは、一又は複数の実施形態において、好ましくは4.0以上5.0以下、より好ましくは4.0以上4.5以下である。なお、本開示において、pHは、25℃における洗浄剤組成物のpHであり、pHメータを用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後3分後の数値である。具体的には、pHは、実施例に記載の方法で測定されうる。
本開示に係る酸性洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分A、B、及びC以外に、アルカリ金属水酸化物、アルコール、防腐剤、酸化防止剤等を含有してもよい。
本開示に係る酸性洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されないが、例えば、成分A、B、及びC、並びに必要に応じて任意成分を、水に添加して混合する方法が挙げられる。各成分を水に添加する順序等については特に制限はない。混合方法も公知の方法を採用すればよいが、攪拌中の水に各成分が添加されることが好ましい。各成分を水に添加する時の水の温度は、一又は複数の実施形態において、20〜50℃が好ましい。攪拌モーターの回転数は、通常、周速0.1m/s〜0.65m/sが好ましい。水以外の全成分を水に添加した後の攪拌時間は、通常、0.5〜2時間が好ましい。
本開示に係る製造方法における工程1は、研磨液組成物を用いてガラス基板(工程1において、「被研磨ガラス基板」ともいう)を研磨する工程である。工程1は、上述のガラスハードディスク基板形成工程におけるいずれの研磨工程であってもよい。一又は複数の実施形態において、工程1は、仕上げ研磨工程及び/又は最終仕上げ研磨工程における研磨である。
工程2は、工程1の研磨工程で研磨されたガラス基板(工程2において「被洗浄基板」ともいう)を酸性洗浄剤組成物で洗浄する工程である。工程2で使用する酸性洗浄剤組成物は、上述のとおりである。洗浄方法の一又は複数の実施形態は、後述する。
工程3は、工程2の酸性洗浄で洗浄されたガラス基板(工程3において「被洗浄基板」ともいう)をアルカリ性洗浄剤組成物で洗浄する工程である。
工程3で使用するアルカリ性洗浄剤組成物のpHは、一又は複数の実施形態において、好ましくは8.0以上、より好ましくは9.0以上、さらに好ましくは10.0以上であり、好ましくは13.0以下、より好ましくは12.0以下である。前記アルカリ性洗浄剤組成物は、使用時に希釈することを前提とした形態であってもよく、そのまま原液を使用する形態であってもよい。希釈を前提とする場合、希釈倍率は、例えば、好ましくは10倍以上、より好ましくは20倍以上であり、そして、好ましくは500倍以下、より好ましくは200倍以下である。希釈用の水は、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。
工程2及び3における洗浄剤組成物を用いた洗浄は、一又は複数の実施形態において、被洗浄基板の浸漬洗浄及び/又はスクラブ洗浄を行うことを含む。工程2及び3では、スクラブに付着する汚れが被洗浄基板に再付着する可能性がある点で、スクラブ洗浄よりも浸漬洗浄が好ましい。また、工程2と工程3の間に工程2で得られたガラス基板を水でリンスする工程、工程3で得られたガラス基板を水でリンスする工程を有してもよい。例えば、ガラス基板を、研磨する工程(工程1)、酸性洗浄剤組成物で洗浄する工程(工程2)、水でリンスする工程、アルカリ性洗浄剤組成物で洗浄する工程(工程3)、水でリンスする工程の順で、ガラスハードディスク基板を製造することができる。
被洗浄基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の温度は、作業性及び操業性の観点から20〜100℃が好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性の向上の観点から5秒以上が好ましく、10秒以上がより好ましく、100秒以上がさらに好ましい。洗浄されたガラス基板の生産効率の向上の観点から30分以下が好ましく、10分以下がより好ましく、5分以下がさらに好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、20〜2000kHzが好ましく、40〜2000kHzがより好ましく、40〜1500kHzがさらに好ましい。
スクラブ洗浄の方法は、一又は複数の実施形態において、研磨粒子等の残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、被洗浄基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。
工程1で得られたガラス基板を酸性洗浄剤組成物で洗浄する工程2と、
工程2で得られたガラス基板をアルカリ性洗浄剤組成物で洗浄する工程3とを有する、ガラスハードディスク基板の製造方法であって、
前記酸性洗浄剤組成物が、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位を含む共重合化合物(成分A)と、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる1種以上の無機酸(成分B)とを含有する、ガラスハードディスク基板の製造方法。
<3> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは10/90以上、より好ましくは20/80以上、さらに好ましくは30/70以上である、<1>又は<2>に記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<4> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは95/5以下、より好ましくは90/10以下、さらに好ましくは80/20以下である、<1>から<3>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<5> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは10/90以上95/5以下、より好ましくは20/80以上90/10以下、さらに好ましくは30/70以上80/20以下である、<1>から<4>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<6> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位の全構成単位中に占める割合の合計が、好ましくは90モル%以上、より好ましくは95モル%以上、さらに好ましくは実質100モル%である、<1>から<5>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<7> 前記成分Aの重量平均分子量が、好ましくは500以上、より好ましくは1,000以上、さらに好ましくは1,200以上である、<1>から<6>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<8> 前記成分Aの重量平均分子量が、好ましくは100,000以下、より好ましくは10,000以下、さらに好ましくは4,000以下である、<1>から<7>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<9> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Aの含有量が、好ましくは1.0質量%以上、より好ましくは1.3質量%以上である、<1>から<8>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<10> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Aの含有量が、好ましくは20.0質量%以下、より好ましくは17.0質量%以下である、<1>から<9>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<11> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中の共重合化合物(成分A)の含有量が、好ましくは0.001質量%以上、より好ましくは0.002質量%以上である、<1>から<10>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<12> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中の共重合化合物(成分A)の含有量が、好ましくは0.01質量%以下、より好ましくは0.008質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<13> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Bの含有量が、好ましくは45質量%以上、より好ましくは50質量%以上である、<1>から<12>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<14> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Bの含有量が、好ましくは70質量%以下、より好ましくは67質量%以下である、<1>から<13>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<15> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中の無機酸(成分B)の含有量が、好ましくは0.010質量%以上、より好ましくは0.015質量%以上、さらに好ましくは0.020質量%以上である、<1>から<14>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<16> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中の無機酸(成分B)の含有量が、好ましくは0.20質量%以下、より好ましくは0.15質量%以下、さらに好ましくは0.08質量%以下である、<1>から<15>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<17> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Cの配合量が、好ましくは30.0質量%以上、より好ましくは41.0質量%以上、さらに好ましくは41.5質量%以上である、<2>から<16>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<18> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Cの配合量が、好ましくは60.0質量%以下、より好ましくは50.0質量%以下、さらに好ましくは48.0質量%以下である、<2>から<17>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<19> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中のアルカノールアミン(成分C)の配合量が、好ましくは0.010質量%以上、より好ましくは0.015質量%以上、さらに好ましくは0.030質量%以上である、<2>から<18>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<20> 前記工程2における洗浄時の洗浄液中のアルカノールアミン(成分C)の配合量が、好ましくは0.10質量%以下、より好ましくは0.09質量%以下、さらに好ましくは0.08質量%以下である、<2>から<19>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<21> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、好ましくは、3.0以上5.0以下である、<1>から<20>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<22> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、濃縮液の形態において、好ましくは3.0以上4.0以下である、<1>から<21>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<23> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、濃縮液でない形態において、好ましくは4.0以上5.0以下、より好ましくは4.0以上4.5以下である、<1>から<22>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<24> 前記工程2における洗浄時の洗浄液のpHが、好ましくは4.0以上5.0以下、より好ましくは4.0以上4.5以下である、<1>から<23>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
<25> アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位を含む共重合化合物(成分A)と、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる1種以上の無機酸(成分B)とを含有する、ガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<26> 更に、アルカノールアミン(成分C)が配合されている、<25>に記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<27> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは10/90以上、より好ましくは20/80以上、さらに好ましくは30/70以上である、<25>又は<26>に記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<28> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは95/5以下、より好ましくは90/10以下、さらに好ましくは80/20以下である、<25>から<27>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<29> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位との割合(モル比、AA/AMPS)が、好ましくは10/90以上95/5以下、より好ましくは20/80以上90/10以下、さらに好ましくは30/70以上80/20以下である、<25>から<28>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<30> 前記成分Aにおける、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位の全構成単位中に占める割合の合計が、好ましくは90モル%以上、より好ましくは95モル%以上、さらに好ましくは実質100モル%である、<25>から<29>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<31> 前記成分Aの重量平均分子量が、好ましくは500以上、より好ましくは1,000以上、さらに好ましくは1,200以上である、<25>から<30>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<32> 前記成分Aの重量平均分子量が、好ましくは100,000以下、より好ましくは10,000以下、さらに好ましくは4,000以下である、<25>から<31>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<33> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Aの含有量が、好ましくは1.0質量%以上、より好ましくは1.3質量%以上である、<25>から<32>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<34> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Aの含有量が、好ましくは20.0質量%以下、より好ましくは17.0質量%以下である、<25>から<33>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<35> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Aの含有量が、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.2質量%以上である、<25>から<34>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<36> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Aの含有量が、好ましくは1.0質量%以下、より好ましくは0.8質量%以下である、<25>から<35>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性ン洗浄剤組成物。
<37> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Bの含有量が、好ましくは45質量%以上、より好ましくは50質量%以上である、<25>から<36>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<38> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Bの含有量が、好ましくは70質量%以下、より好ましくは67質量%以下である、<25>から<37>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<39> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Bの含有量が、好ましくは1.0質量%以上、1.5質量%以上、より好ましくは2.0質量%以上である、<25>から<38>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用洗浄剤組成物。
<40> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Bの含有量が、好ましくは20.0質量%以下、より好ましくは15.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である、<25>から<39>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用洗浄剤組成物。
<41> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Cの配合量が、好ましくは30.0質量%以上、より好ましくは41.0質量%以上、さらに好ましくは41.5質量%以上である、<26>から<40>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<42> 前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分全体に対する成分Cの配合量が、好ましくは60.0質量%以下、より好ましくは50.0質量%以下、さらに好ましくは48.0質量%以下である、<26>から<41>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<43> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Cの配合量が、好ましくは1.0質量%以上、より好ましくは1.5質量%以上、さらに好ましくは3.0質量%以上である、<26>から<42>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<44> 前記酸性洗浄剤組成物が100倍濃縮液の形態の場合に、前記成分Cの配合量が、好ましくは10.0質量%以下、より好ましくは9.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である、<26>から<43>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<45> 洗浄時に水で希釈して用いる濃縮液の形態である、<25>から<44>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用洗浄剤組成物。
<46> 濃縮倍率が、好ましくは50倍以上、より好ましくは67倍以上、さらに好ましくは90倍以上である、<45>記載のガラスハードディスク基板用洗浄剤組成物。
<47> 濃縮倍率が、好ましくは200倍以下、より好ましくは150倍以下、さらに好ましくは110倍以下である、<45>又は<46>に記載のガラスハードディスク用基板洗浄剤組成物。
<48> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、好ましくは、3.0以上5.0以下である、<25>から<47>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<49> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、濃縮液の形態において、好ましくは3.0以上4.0以下である、<45>から<48>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<50> 前記酸性洗浄剤組成物のpHが、濃縮液でない形態において、好ましくは4.0以上5.0以下、より好ましくは4.0以上4.5以下である、<25>から<49>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
<51> ガラスハードディスク基板の製造方法における、<25>から<50>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物の使用。
<52> ガラスハードディスク基板の洗浄方法における、<25>から<50>のいずれかに記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物の使用。
表1の記載の組成となるように各成分を質量%で配合し、混合することにより、100倍濃縮液の形態の酸性洗浄剤組成物を得た(参考例1、実施例2〜8、比較例1〜5)。表1において、上段の欄は、酸性洗浄剤組成の各成分の水を含めた全体質量に対する仕込み量(質量%)及び組成(質量%)を示す。表1において、下段の欄は、水以外の成分の全体質量に対する質量%を示す。また、pHは、25℃における洗浄剤組成物のpHであり、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後3分後の数値である。表1において、pHは、上段が調製した洗浄剤組成物(100倍濃縮液)のpHを示し、下段が洗浄時(上段の洗浄剤組成物の1%希釈時)のpHを示す。
共重合体A−1:
アクリル酸80質量%、2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸20質量%の共重合体(重量平均分子量2000、40質量%水溶液、東亞合成株式会社製、アロンA−6016)
共重合体A−2:
アクリル酸30質量%、2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸70質量%の共重合体(重量平均分子量1330、40質量%水溶液)
AEA:N−(β―アミノエチル)エタノールアミン
水:栗田工業株式会社製の連続純水製造装置(ピュアコンティ PC-2000VR-L型)とサブシステム(マクエース KC-05H型)を用いて製造した超純水
(評価用基板)
参考例1、実施例2〜8、比較例1〜5の評価用基板として、ガラス基板(外径:65mmφ、内径:20mmφ、厚さ:0.635mm)を使用した。
(研磨条件)
以下の条件で前記評価用ガラス基板を研磨した。研磨液組成物の供給速度は、非研磨ガラス基板1cm2あたり0.33mL/分である。
研磨機:両面9B研磨機(浜井産業社製)
研磨パッド:FILWEL社製仕上げ研磨用スウェードパッド
研磨液組成物:コロイダルシリカスラリ−(コロイダルシリカ粒子の個数平均粒径24nm、コロイダルシリカ粒子の濃度:8質量%、媒体:水、花王社製)
予備研磨:荷重40g/cm2、時間60秒、研磨液流量100mL/分
本研磨:荷重100g/cm2、時間1200秒、研磨液流量100mL/分
水リンス:荷重40g/cm2、時間60秒、リンス水流量約2L/分
参考例1、実施例2〜8、比較例1〜5の酸性洗浄剤組成物(100倍濃縮液)を1%に希釈した洗浄剤組成物を30g用意し、ポリカップの容器に入れた。そして工程1で得られた研磨後のガラス基板(被洗浄基板)1枚を希釈された洗浄剤組成物の入ったポリカップに全面が浸漬されるように入れ、40℃に設定した恒温槽に入れ、1時間静置した。
次いで、恒温槽からポリカップを取り出し、ポリカップ内の被洗浄基板を超純水が30g入ったポリカップにピンセットを使用して移動させ、手で振とうさせた。
工程2の後のポリカップ内の被洗浄基板をpH12のアルカリ性洗浄剤が30g入ったポリカップにピンセットを用いて移動させ、40℃に設定した恒温槽に入れ、24時間静置した。
なお、アルカリ性洗浄剤は、アクリル酸/2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸の共重合体0.02質量%と、非イオン性界面活性剤(C12、C14アルキル−O(EO)5(PO)1.5(EO)5H)0.05質量%とを含み、水酸化カリウムでpH12.0(25℃)に調整した水溶液を用いた。
次いで恒温槽からポリカップを取り出し、ポリカップ内の被洗浄基板を超純水が30g入ったポリカップにピンセットを使用して移動させ、手で振とうさせた。
被洗浄基板をピンセットを用いて取り出し、表面清浄度向上のために洗浄機にて水洗浄を実施した。洗浄機では、超音波洗浄(40kHz、40℃、30秒間)、洗浄ブラシによるスクラブ洗浄(400rpm、25℃、5秒)を行った。
上述の工程1〜3を行った後の基板の表面粗さを測定した。表面粗さは、各々の基板の両面を、以下に示す条件にて、AFM(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)を用いて測定し、平均値を算出した。これらの結果を表1に示す。
(AFMの測定条件)
Mode: Tapping mode
Area: 1×1μm
Scan rate: 1.0Hz
Cantilever: NCH−10V
Line: 512×512
Claims (6)
- ガラス基板を研磨液組成物を用いて研磨する工程1と、
工程1で得られたガラス基板を酸性洗浄剤組成物で洗浄する工程2と、
工程2で得られたガラス基板をアルカリ性洗浄剤組成物で洗浄する工程3とを有する、ガラスハードディスク基板の製造方法であって、
前記酸性洗浄剤組成物が、アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位を含む共重合化合物(成分A)と、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる1種以上の無機酸(成分B)とを含有し、更に、アルカノールアミン(成分C)が配合されたものであり、
前記酸性洗浄剤組成物のpHが、3.0以上5.0以下である、ガラスハードディスク基板の製造方法。 - 工程2における洗浄時の洗浄液中のアルカノールアミン(成分C)の配合量が、0.03質量%以上0.08質量%以下である、請求項1に記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
- 工程2における洗浄時の洗浄液中の共重合化合物(成分A)の含有量が、0.001質量%以上0.008質量%以下である、請求項1又は2に記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
- 前記酸性洗浄剤におけるアルカノールアミン(成分C)の配合量が、前記酸性洗浄剤組成物の水以外の成分に対して、41.5質量%以上48.0質量%以下である、請求項1から3のいずれかに記載のガラスハードディスク基板の製造方法。
- アクリル酸に由来の構成単位と2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸に由来の構成単位を含む共重合化合物(成分A)と、硫酸、硝酸及びリン酸から選ばれる1種以上の無機酸(成分B)とを含有し、
更に、アルカノールアミン(成分C)が配合され、
pHが3.0以上5.0以下である、ガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。 - 前記酸性洗浄剤におけるアルカノールアミン(成分C)の配合量が、前記酸性洗浄剤の水以外の成分に対して、41.5質量%以上48.0質量%以下である、
請求項5記載のガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物。
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