TW201532329A - 有機電場發光元件用塡充材料及有機電場發光元件之密封方法 - Google Patents

有機電場發光元件用塡充材料及有機電場發光元件之密封方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種有機電場發光元件用填充材料、及使用其之OLED之密封方法，該有機電場發光元件用填充材料係由樹脂組成物所構成者，該樹脂組成物含有數量平均分子量為300以上且未達32000之烴系聚合物、及式：M-Ln(M表示金屬原子；L為碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之有機基，n個L均表示相同之有機基；n表示金屬原子M之價數)所表示之有機金屬化合物，且於25℃為液狀；該有機電場發光元件用填充材料對氮化矽之接觸角為10~40°，於85℃加熱1小時之水分以外之釋氣量以甲苯換算值計為500ppm以下。

Description

有機電場發光元件用填充材料及有機電場發光元件之密封方法
本發明係關於一種保護有機電場發光二極體(Organic Light-Emitting Diode)等有機電場發光元件(亦稱為OLED或OLED元件)免受濕氣影響，且塗佈時之作業性優異，釋氣成分較少，可在不會對顯示器之視認性產生不良影響之情況下使用之液狀填充材料及使用其之OLED之密封方法。
近年來，有機電場發光元件正不斷擴展至顯示器或照明等領域。
OLED於其優異之顯色性及節能性方面頗具魅力，但另一方面，亦可舉出作為最大問題之耐久性差。尤其是因水分引起之稱為暗點(dark spot)之非發光部之產生成為問題。
因此，作為不使水分滲入至OLED之方法，例如專利文獻1中提出有如下方式：於中空之氣密容器中將OLED進行密封，並以不活性氣體氛圍充滿該氣密容器內之空間。
又，例如專利文獻2及3中亦提出有如下方法：將由以氮化矽為代表之水分透過性較小之無機物所構成之保護層等設置於OLED之OLED層或 發光部等。
且說，關於在氣密容器內充滿不活性氣體之方式，散熱性並不足夠，因此反而對OLED之壽命產生不良影響。因此，存在無法充分地進行長壽命化之問題。
又，就目前之技術而言，極難在無微小缺陷之情況下成膜由無機物所構成之保護層，若於高溫高濕環境下，則仍存在產生暗點之問題。為了解決該問題，亦可考慮反覆實施如下方法多次而設置多層構造之保護層，即將例如缺陷平坦化層形成於由無機物所構成之保護層上後，進而反複重疊由無機物所構成之另一保護層。但是，關於朝普通家庭用之顯示器或照明之應用，有耗時耗力及成本方面之較大問題。
因此，專利文獻4及5中提出有使用矽油等防濕油或硬化性樹脂而並非不活性氣體作為填充劑之技術。
但是，關於填充防濕油或硬化性樹脂之方法，有由於防濕油或硬化性樹脂所含之低分子量之有機成分及溶劑等發生揮發而形成之釋氣，而於氣密容器內產生氣泡從而有損顯示器之美觀(亦稱為視認性)等問題。又，亦產生如下問題，即釋氣滲透至形成OLED層之有機分子而產生暗點之風險變高等。
而且，即便將防濕油或硬化性樹脂與保護層併用，亦無法完全消除水分之影響，尤其是若長期處於高溫高濕環境下，仍會產生暗點。
因此，例如專利文獻6或7中亦提出有如下方法：藉由對硬化性樹脂等添加氧化鈣或氧化鎂等吸濕性金屬氧化物等，而對填充劑賦予乾燥能力。
但是，於將硬化性樹脂等用於填充劑之情形時，由於硬化性樹脂等之硬化收縮，OLED元件容易被破壞，從而硬化時之破壞風險成為問題。
且說，若賦予有乾燥能力之填充劑為無色透明，則變得亦可應用於自密封基板(對向基板)側而非自TFT(Thin-Film Transistor)基板側提取OLED元件所產生之光之所謂「頂部發光型」之OLED元件。關於頂部發光型之OLED元件，由於TFT不遮蔽所提取之光，故而與所謂「底部發光型」者相比，發光效率良好，若用於例如影像顯示裝置，則可獲得更高亮度之影像，就該方面而言，頂部發光型之OLED元件較為有利。
作為上述無色透明且具有乾燥能力之填充劑，例如專利文獻8~11中提出有烷醇鋁等有機金屬化合物、及該等與樹脂之混合物等。
[專利文獻1]日本特開2002-33187號公報
[專利文獻2]日本特開2005-11648號公報
[專利文獻3]日本特開2011-159629號公報
[專利文獻4]日本實開昭58-147191號公報
[專利文獻5]日本特開2013-048115號公報
[專利文獻6]國際公開第2011/62167號說明書
[專利文獻7]日本專利第5144041號公報
[專利文獻8]日本特開2012-38659號公報
[專利文獻9]日本專利第4628210號公報
[專利文獻10]日本特開2012-38660號公報
[專利文獻11]日本特開2013-502312號公報
專利文獻8~11所記載之有機金屬化合物等均係於填充時以液狀填充劑之形式使用者。但是，有如下情形，即由於填充劑於由無機物所構成之保護層之表面未充分地潤濕擴散，或者填充劑中所含之低分子量之有機成分之一部分成為釋氣，從而部分地產生氣泡狀之缺陷。此種缺陷有損OLED之美觀，成為使用OLED之裝置，例如平板等影像顯示裝置之製造良率變差之主要原因之一。
因此，本發明之課題在於解決上述問題，而提供一種保護OLED元件免受水分影響，亦無因硬化收縮而破壞OLED元件之風險，且於絕緣性保護層之表面可在無缺陷之情況下進行塗佈、填充之填充材料及使用其之OLED之密封方法。
本發明者等人針對具有對水分之乾燥能力之填充材料，對成為基質之各種樹脂與乾燥劑之組合進行研究時發現，使用特定之烴系聚合物與特定之有機金屬化合物，並且將接觸角及釋氣量設定為特定之範圍，藉此易於將填充材料進行塗佈、填充，即便於液狀之狀態下亦保持初期之乾燥能力，而且無需填充後之硬化亦可避免破壞風險。本發明係基於該見解而完成者。
即，上述課題係藉由以下之手段而解決。
[1]一種有機電場發光元件用填充材料，其係由樹脂組成物所構成者，該樹脂組成物含有數量平均分子量為300以上且未達32000之烴系聚合物及下述式(1)所表示之有機金屬化合物，且於25℃為液狀；該有機電場發光元件用填充材料對氮化矽之接觸角為10~40°，於85℃加熱1小時之水分以 外之釋氣量以甲苯換算值計為500ppm以下；式(1)：M-Ln
(式(1)中，M表示金屬原子；L為碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之有機基，n個L均表示相同之有機基；n表示金屬原子M之價數)。
[2]如[1]之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述有機基L為源自脂肪族醇之有機基。
[3]如[1]之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述有機基L為源自β-二酮、β-酮酯或丙二酸二酯之有機基。
[4]如[1]至[3]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述金屬原子M為屬於元素之長週期表中第2族~第4族及第11族~第14族中之任一族之金屬原子。
[5]如[1]至[4]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述烴系聚合物之至少一種為聚異丁烯。
[6]如[1]至[5]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述烴系聚合物之至少一種為數量平均分子量為300以上且未達1000之環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物。
[7]如[1]至[6]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其於25℃並在剪切速度為0.1~1000S-1之區域中為非牛頓流體。
[8]如[1]至[7]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其於350~800nm之波長區域之全光線穿透率以光程長度25μm計而為90%以上。
[9]如[8]之有機電場發光元件用填充材料，其於60℃、90%RH之環境下保管100小時後之於350~800nm之波長區域之全光線穿透率以光程長度 25μm計而為80%以上。
[10]如[1]至[9]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述樹脂組成物含有1~20質量%之平均粒徑10~60nm之無機粒子。
[11]如[10]之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述無機粒子之每1粒子之投影影像之輪廓線之碎形維度(fractal dimension)大於1。
[12]如[1]至[11]中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，上述樹脂組成物含有源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯。
[13]一種有機電場發光元件之密封方法，其至少包含如下步驟：於對經絕緣性保護層覆蓋之發光部進行密封之氣密容器內填充[1]至[12]中任一項之有機電場發光元件用填充材料。
[14]如[13]之有機電場發光元件之密封方法，其中，上述絕緣性保護層係由包含至少1層無機薄層之單層構造或多層構造所構成，該無機薄層由至少含有矽原子與氮原子之化合物所構成。
本發明中，使用「~」表示之數值範圍意指包含「~」前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。
根據本發明，可提供一種保護OLED元件免受水分影響，無因硬化收縮而破壞OLED元件之風險，且於覆蓋發光部等之絕緣性保護層之由無機物所構成之表面可在無缺陷之情況下進行塗佈、填充之填充材料、及使用其之OLED之密封方法。
本發明之上述內容及其他特徵及優點係根據下述記載及所隨附之圖式而進一步明確。
1‧‧‧OLED元件
2‧‧‧元件基板
3‧‧‧發光部
4‧‧‧對向基板
5‧‧‧障壁材
6‧‧‧填充材料
11‧‧‧陽極
12‧‧‧OLED層
13‧‧‧陰極
14‧‧‧絕緣性保護層
14A1、14A2‧‧‧無機薄層
14B‧‧‧平坦化層
21‧‧‧電洞注入層
22‧‧‧電洞傳輸層
23‧‧‧發光層
24‧‧‧電子傳輸層
圖1係表示使用本發明之有機電場發光元件用填充材料之OLED元件之概略的剖面概略圖。
圖2係實施例及比較例中表示填充材料之塗佈態樣的俯視圖。
以下，對用以實施本發明之形態進行說明。
再者，本發明不受該實施形態所限定，基於該形態並由業者等完成之可實施之其他形態、實施例及運用技術等全部包含於本發明之範疇內。
又，本發明中所謂石油樹脂，意指使石油化學工業中所進行之石腦油分解之副生油之一部分進行聚合反應而成之樹脂。
<<有機電場發光元件用填充材料>>
本發明之有機電場發光元件用填充材料(亦稱為本發明之填充材料)由樹脂組成物所構成，該樹脂組成物含有下述之烴系聚合物及有機金屬化合物作為必須成分，並於25℃(以下，於本案說明書中，亦將25℃稱為室溫)為液狀。
此處，所謂液狀，係指樹脂組成物作為整體處於液體狀態之情況，亦包括為含有固體分散物之懸濁液或分散液之情形。
本發明之填充材料具有對水分之乾燥能力，而可用作下述之保護OLED免受濕氣影響之液狀填充材料。藉此，可以簡單之作業較佳地抑制OLED元件之暗點產生。
本發明所使用之烴系聚合物係數量平均分子量為300以上 且未達32000之聚合物。此種烴系聚合物與下述之有機金屬化合物良好地相溶，藉此對本發明之填充材料賦予疏水性，且亦賦予用以保證於室溫下於設置有下述之絕緣性保護膜之發光部進行塗佈時之良好作業性的流動特性及較小之接觸角。
烴系聚合物係不飽和烴之聚合物或該等之氫化物，例如可列舉：非環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物、或者環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物等。
再者，氫化物之氫化之程度並無特別限定，係由下述之碘值所定義。
本發明中，聚合物包括均聚物及共聚物。
作為非環狀不飽和烴，較佳為非環狀不飽和脂肪族烴，進而較佳為非環狀烯烴。
作為非環狀烯烴之聚合物，即非環狀聚烯烴，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚異戊二烯、聚丁二烯、聚丁烯-1、聚異丁烯、異戊二烯-異丁烯共聚物、異戊二烯-丁二烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物等。作為非環狀聚烯烴之氫化物，例如可列舉：氫化聚異戊二烯、部分氫化聚異戊二烯、氫化聚丁二烯、部分氫化聚丁二烯、氫化聚丁烯-1、(末端)氫化聚異丁烯等。
尤其是就使表面能量變小，可賦予疏水性與較小之接觸角，且流動性亦優異之方面而言，較佳為聚異丁烯及氫化聚異丁烯，進而較佳為聚異丁烯。
作為環狀不飽和烴，可列舉：環狀不飽和脂肪族烴、芳香族烴等。環狀不飽和脂肪族烴較佳為環狀聚烯烴。
作為環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物，係環狀不飽和烴之均聚物、 環狀不飽和烴與其他共聚合成分之共聚物、或該等之氫化物，例如可列舉：苯乙烯-異丁烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物、環烯烴均聚物、環烯烴共聚物及石油樹脂、聚蒎烯或聚檸檬烯等萜烯樹脂、或該等之氫化物等。
作為其他共聚合成分，例如除乙烯、丙烯、異戊二烯、異丁烯、丁二烯等上述非環狀不飽和烴外，亦可列舉：戊二烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、茚、環戊二烯、環戊二烯、二環戊二烯等具有乙烯性不飽和基之化合物。
環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物較佳為石油樹脂之氫化物(稱為氫化石油樹脂)，更佳為以C5餾分為主原料之二環戊二烯(DCPD)成分與作為C9餾分之芳香族成分之共聚合石油樹脂之氫化物(稱為氫化C5/C9石油樹脂)、由作為C9餾分之芳香族成分所構成之石油樹脂之氫化物(稱為氫化C9石油樹脂)及萜烯樹脂之氫化物(稱為氫化萜烯樹脂)，進而較佳為氫化C5/C9石油樹脂。
作為烴系聚合物，只要本發明之填充材料成為液狀，則可單獨使用上述者中之1種、或併用2種以上。
於單獨使用1種之情形時，較佳為於室溫下為液狀之非環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物。
於併用2種以上之情形時，其組合並無特別限定。於該情形時，較佳為至少1種為非環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物、或者環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物。
於烴系聚合物於室溫下為固體之情形時，較佳為使之溶解或分散於其 他液狀材料，藉此以作為混合物於室溫下成為液狀之方式組合使用。此種於室溫下為固體之烴系聚合物更佳為與室溫下為液狀之非環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物併用。
關於環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物，例如環烯烴均聚物、環烯烴共聚物及氫化石油樹脂等，作為單獨成分，亦有即便為分子量特別小者，於室溫下亦為固體。因此，於室溫下為固體之情形時，如上所述，較佳為與室溫下為液狀之非環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物組合使用。藉此，可獲得水分穿透率變得非常小而防濕性優異，表面能量變小，接觸角亦較小，且具有非牛頓性流動特性之流體。
於將環狀不飽和烴之聚合物與非環狀不飽和烴之聚合物併用之情形時，較佳為聚異丁烯與氫化石油樹脂之組合。
本發明中，樹脂組成物中之聚合物成分較佳為僅為烴系聚合物，即不含有烴系聚合物以外之樹脂。
作為烴系聚合物，較佳係選自由聚乙烯、聚丙烯、聚異戊二烯、聚丁二烯、聚丁烯-1、聚異丁烯、異戊二烯-異丁烯共聚物、異戊二烯-丁二烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、氫化聚異戊二烯、氫化聚丁二烯、部分氫化聚丁二烯、氫化聚丁烯-1、氫化聚異丁烯、末端氫化聚異丁烯、環烯烴均聚物、環烯烴共聚物、萜烯樹脂、氫化環烯烴均聚物、氫化環烯烴共聚物、氫化萜烯樹脂、及以C5餾分為主原料之二環戊二烯成分與作為C9餾分之芳香族成分之共聚合石油樹脂之氫化物所組成之群中的至少1種。
又，烴系聚合物較佳為含有氫化聚異丁烯、氫化萜烯樹脂、或以C5餾分為主原料之二環戊二烯成分與作為C9餾分之芳香族成分之共聚合石油樹 脂的氫化物。
若本發明所使用之烴系聚合物之數量平均分子量為32000以上，則有無法對本發明之填充材料賦予流動性之情形等。就流動性賦予等觀點而言，數量平均分子量較佳為20000以下，更佳為10000以下。另一方面，若數量平均分子量未達300，則有產生釋氣之風險，又有破壞OLED之情形等。就防止釋氣產生及OLED破壞等方面而言，數量平均分子量較佳為400以上。
環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物尤佳為數量平均分子量未達1000者。
數量平均分子量係以利用GPC(凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography))之聚苯乙烯換算求出之值。
就可使水分透過性變小之方面等而言，本發明所使用之烴系聚合物之碘值較佳為100g/100g以下。尤其是就若與下述之特定有機金屬化合物併用，則可使水分透過性變小，可防止有機金屬化合物之去活化之方面等而言，碘值較佳為80g/100g以下，進而較佳為60g/100g以下。
另一方面，就流動性賦予等方面而言，，碘值較佳為超過30g/100g之值，尤其是於聚合物之數量平均分子量為20000以上之情形時，更佳為40g/100g以上，進而較佳為50g/100g以上。
烴系聚合物之碘值可根據不飽和烴之種類、數量平均分子量、及氫化之程度而適當進行調整。
再者，碘值係可向基質，該情形時為可對烴系聚合物100g加成之碘(I2)之克數。關於碘值之測定方法，例如可列舉：韋伊斯碘值測定法(Wijs method) 或哈納斯碘值測定法(Hanus method)等利用顯色反應之滴定法。
具體而言，精確地稱量測定試樣，添加環己烷等不與碘反應之有機溶劑而進行稀釋。繼而，添加韋伊斯試劑(一氯化碘之乙酸溶液)或哈納斯試劑(溴化碘之乙酸溶液)，放置30分鐘~1小時左右而使反應進行。繼而若添加過量之碘化鉀水溶液，則未反應之碘會游離而形成三碘陰離子並向水相移動。添加微量之澱粉，藉由碘澱粉反應而使藍色顯色，慢慢地滴下硫代硫酸鈉水溶液，於藍色消失之時點設為當量點。根據直至到達當量點使用之硫代硫酸鈉之量而算出未用於反應之碘量。以相同之方式於沒有測定試樣之系統中進行對照實驗，而求出韋伊斯試劑或哈納斯試劑本來所含之碘量。自以上述方式求出之根據測定試樣有無之碘量之差量而求出用於反應之碘量，將該碘量以烴系聚合物每100g進行換算而設為碘值。
烴系聚合物較佳為至少於末端不具有極性基，更佳為不具有極性基。至少於末端不具有極性基之烴系聚合物於其末端具有氫原子、甲基或亞甲基等烷基、環戊基或環己基等環狀烷基等非極性基。此種非極性基係如上述各基般僅由碳原子與氫原子所構成之基，其使本發明之填充材料之表面能量變小而賦予較小之接觸角。因此，含有較多非極性基之烴系聚合物於獲得塗佈性良好之本發明之填充材料之方面上較佳。
作為極性基，係與僅由碳原子與氫原子所構成之基相比，具有較強極性之基，例如可列舉含有雜原子之基，更具體而言，可列舉：羥基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、醯氧基、具有環狀醚骨架之基等。
關於烴系聚合物占本發明之填充材料整體之比例(含有率)，就使對絕緣性保護層之潤濕性(亦與流動性相關)變良好，並且抑制 水分透過性之方面而言，較佳為50~90質量%，更佳為60~80質量%。
於含有環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物之情形時，其於本發明之填充材料中之含有率較佳為50質量%以下。
又，於併用2種以上之烴系聚合物之情形時，關於各烴系聚合物之含有率，只要本發明之填充材料成為液狀，則於上述範圍內適當設定，並無特別限定。
於將非環狀不飽和烴之聚合物與環狀不飽和烴之聚合物、尤其是氫化石油樹脂併用之情形時，就流動性之方面而言，進而較佳為聚異丁烯等非環狀不飽和烴之聚合物之含量多於環狀聚烯烴等環狀不飽和烴之聚合物之含量。
本發明所使用之有機金屬化合物係於本發明之填充材料中作為乾燥成分發揮功能者。即，該有機金屬化合物可藉由捕捉自外部滲入之水分而高度或持續長期地抑制暗點產生。
有機金屬化合物係可捕捉水分之化合物，且係由下述式(1)表示之化合物或錯合物。該有機金屬化合物具有中心金屬M之離子、與由碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之原子所構成之相同有機基L。
式(1)：M-Ln
式(1)中，M表示金屬原子。L為碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之有機基，n個L均表示相同之有機基。n表示金屬原子M之價數。
關於中心金屬原子M，就透明性之觀點而言，較佳為屬於元素之長週期表中第2族~第4族及第11族~第14族中之任一族之金屬元素的原子。具體而言，較佳為鈣、鈦、鋅、鋁、矽、鎂、鋇，其中，更佳 為鋁或鈣，就可兼顧乾燥能力及潤濕性之方面而言，尤佳為鋁。又，鋁等亦可獲得無色透明之填充材料，而亦可應用於頂部發光型之裝置
有機基L係與金屬原子M化學鍵結而形成錯合物或化合物之配位子或陰離子等，且源自碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之有機分子。
若有機基L之碳原子數為9以上，則可抑制水分透過性，尤其是若具有環狀飽和烴結構，則更佳。又，若氧原子數為1以上，則與金屬原子M化學鍵結，又於水分滲入系統中之情形時良好地捕捉水分。
就使表面能量變小而使潤濕性變良好之觀點等而言，有機基L較佳為1分子中之碳原子數之合計為10以上，且氧原子數為1以上者，進而較佳為碳原子數為10以上且氧原子數為4以下者。另一方面，若碳原子數超過18，則變得容易結晶化，而變得容易產生流動性不足或白濁等問題，因此碳原子數最佳為10~18之範圍。又，若氧原子數超過4，則親水性變得過剩，水分反而變得容易透過，因此較佳為1~4之範圍。
作為上述有機基L，就與烴系聚合物之相互溶解性及潤濕性之觀點而言，較佳為源自脂肪族醇、多元醇、β-二酮、β-酮酯或丙二酸酯等者。其中，進而較佳為源自脂肪族醇、β-二酮、β-酮酯者。
有機金屬化合物一分子中之n個有機基L全部相同。若有機基L全部相同，而且碳數為9以上，則與烴系聚合物之相溶性變良好，尤其是於烴系聚合物含有環狀不飽和脂肪族烴之情形時，與環狀不飽和脂肪族烴之相溶性變良好。其結果為，可獲得透明性優異之填充材，因此應用於OLED裝置時之美觀較為優異。
又，n個有機基L較佳為全部為上述較佳者。例如全部之有機基L為碳原子數9~18且氧原子數1~4之配位子或陰離子之情況於性能之平衡良好的方面上優異，故而較佳。
再者，以碳原子數3以下(包括碳原子數0之情形)之有機基為配位子或陰離子之有機金屬化合物有使表面能量變高而使接觸角變大之情況。因此，就潤濕性之觀點而言，含有碳原子數3以下之有機分子之有機金屬化合物較佳為不添加於填充材料。
n為金屬原子M之價數，於鋁之情形時，n為3，於鈣之情形時，n為2。
本發明所使用之有機金屬化合物較佳為由下述式(2)~(5)表示。
式(2)~(5)中，M表示金屬原子，且與上述式(1)之M含義相同。該M較佳為鋁或鈣。
n1~n4分別表示金屬原子M之價數，且與上述式(1)之n含義相同。
式(2)所表示之有機金屬化合物係以脂肪族醇、較佳為脂肪族單醇之殘基為有機基L之金屬化合物。因此，式(2)中，R1較佳為表示烷基、烯基或炔基。
烷基、烯基及炔基係碳原子數9以上、較佳為10~18，且亦可為直鏈、支鏈或環狀，較佳為支鏈。
作為此種烷基，例如可列舉：直鏈、支鏈或環狀之壬基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、硬酯基等。
作為烯基及炔基，例如可列舉：肉豆蔻醯基(myristoyl group)、棕櫚基(palmitoleyl group)等。
作為上述脂肪族單醇，並無特別限定，例如可列舉：正壬醇、異壬醇、癸醇、異癸醇、正十二烷醇、硬脂醇、異硬脂醇、異肉豆蔻醇等。
式(3)所表示之有機金屬化合物係以β-二酮之殘基為有機基L之金屬錯合物。
式(3)中，R2及R4各自獨立地表示烷基、烯基、炔基、芳烷基或芳基，較佳為烷基。R3表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳烷基或芳基，較佳為氫原子。
R2及R4之碳原子數分別至少1以上，且構成R2~R4之總碳原子數為6以上，較佳為7~15。
烷基、烯基及炔基分別亦可為直鏈、支鏈或環狀，較佳為直鏈。例如作為烷基，可列舉：甲基、乙基、直鏈、支鏈或環狀之丙基、丁基、己基、辛基、壬基、癸基、十四烷基、環己基等。作為烯基及炔基，例如可列舉：肉豆蔻醯基、軟脂基等。
關於芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基等。
關於芳基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲基苯基等。
作為上述β-二酮，並無特別限定，例如可列舉：4,6-壬二 酮、4,6-癸二酮、5,8-十二烷二酮、1,2-環十二烷二酮,2,2-二甲基-6-乙基-3,5-癸二酮等。
式(4)所表示之有機金屬化合物係以β-酮酯之殘基為有機基L之金屬錯合物。
式(4)中，R4及R5各自獨立，與上述式(3)之R4及R2含義相同，且較佳者亦相同。R3係與上述式(3)R3含義相同，較佳者亦相同。
作為上述β-酮酯，並無特別限定，例如可列舉：乙醯乙酸戊酯、乙醯乙酸新戊酯、乙醯乙酸己酯、乙醯乙酸2-乙基己酯、異丁醯乙酸丁酯、己醯乙酸甲酯、月桂醯乙酸甲酯等。
式(5)所表示之有機金屬化合物係以丙二酸二酯之殘基為有機基L之金屬錯合物。
式(5)中，R6表示烷基、烯基、炔基、芳烷基或芳基，較佳為烷基。R6之碳原子數分別至少1以上，且構成2個R6之總碳原子數為6以上，較佳為7~15。2個R6可相同亦可不同，較佳為相同。關於該等烷基、烯基、炔基、芳烷基或芳基，除碳原子數不同以外，係與上述式(3)之R2及R4之烷基、烯基、炔基、芳烷基或芳基相同。
作為上述丙二酸二酯，並無特別限定，例如可列舉：丙二酸二丙酯、丙二酸二異丙酯、丙二酸二丁酯、丙二酸二-第三丁酯等。
關於有機金屬化合物於本發明之填充材料中之含有率，就接觸角與流動性之方面而言，較佳為5~40質量%，更佳為10~30質量%。
樹脂組成物較佳為含有無機粒子。藉此，可對本發明之填充材料賦予非牛頓性、尤其是觸變性。
作為無機粒子，若為無機化合物之粒子，則無特別限定，例如可列舉：二氧化矽(silica)、氧化鋁、膨潤石、滑石、雲母、氧化鈦(titania)、沸石等。其中，較佳為二氧化矽、膨潤石、滑石。
本發明所使用之無機粒子較佳為其形狀為較球形或方形更複雜之形狀。無機粒子之形狀越複雜，相對於添加量之觸變性賦予之效果變得越大。
關於無機粒子之形狀之複雜性，例如於根據每個無機粒子之投影影像進行評價之情形時，可根據平面上所繪製之投影影像之輪廓線之碎形維度而進行評價。碎形維度可基於掃描式電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)或穿透型電子顯微鏡(TEM)等之影像，應用盒子計數法等而進行計算，於涉及如上述之輪廓線等所例示之平面上之線或圖形而進行計算之情形時，該碎形維度採用1.0~2.0之值。碎形維度之詳細算出方法係於下文進行說明。
本發明中，就觸變性之觀點而言，無機粒子之碎形維度較佳為大於1者，更佳為1.1以上，進而較佳為1.3以上。上限並無特別限定，但如上述般未達2.0係實際情況。
作為具有擁有上述範圍之碎形維度之複雜粒子形狀者，例如係自數nm之二氧化矽藉由Si-O共價鍵而形成有相互牢固結合之集合體之氣相二氧化矽(fumed silica)類中找出。
就透明性之觀點而言，無機粒子之平均粒徑較佳為60nm以下，更佳為50nm以下。另一方面，就觸變性賦予之觀點而言，平均粒徑較佳為10nm以上，更佳為30nm以上。平均粒徑係1次粒子之平均粒徑， 例如亦可藉由使複數個平均粒徑為數nm以下之粒子於高溫下熔著而製作相互藉由共價鍵而結合且為60nm以下的複雜形狀之1次粒子。1次粒子藉由凡得瓦耳力、氫鍵等共價鍵以外之相互作用而相互結合而成者係作為2次凝集體而與上述之1次粒子有所區別。此種2次凝集體較脆，且不穩定，因此即便假設2次凝集體之碎形維度較大，亦難以期待上述之效果。
此處，平均粒徑係指藉由JIS Z 8825-1所規定之雷射繞射．散射法而對1群粒子團進行測定而獲得之相對於粒子數之粒徑的平均。
上述之可實施雷射繞射．散射法之測定裝置有各種者，但較佳為HORIBA公司之LA-960系列、或島津製作所之IG-1000系列等。
為了提高分散性，無機粒子亦可實施親油性表面處理。例如藉由具有烷基之矽烷偶合劑、長鏈接酸或其鹽、長鏈硫醇或烷基胺等而進行表面處理。若藉由該等進行表面處理，則分散性提高。
再者，於使用實施過親油性表面處理之膨潤石作為無機粒子之情形時，於與環狀聚烯烴或其氫化物、尤其是氫化石油樹脂併用時，必須注意著色(透明度)。例如若膨潤石之分散性較差，則有透明度降低之情況，因此較佳為藉由下述源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯等而使分散性提高。
再者，於使用實施過親油性表面處理之膨潤石作為無機粒子之情形時，於與環狀聚烯烴或其氫化物、尤其是氫化石油樹脂併用時，必須注意著色(透明度)。例如若膨潤石之分散性較差，則有透明度降低之情況，因此較佳為藉由下述源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯等而使分散性提高。
無機粒子於本發明之填充材料中之含有率較佳為0~20質量%，就觸變性賦予之方面而言，更佳為0.5~20質量%，進而較佳為1~20質量%，進而較佳為1~10質量%。
無機粒子可單獨使用1種，或併用2種以上。
樹脂組成物較佳為含有源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯。藉此，可提高烴系聚合物與有機金屬化合物之相溶性。又，於含有無機粒子之情形時，亦可使無機粒子之分散性提高。
源自松脂餾分之有機酸只要為將作為松科植物之樹液之松脂進行蒸餾而獲得之有機酸即可，例如可列舉：松香酸(rosin acid)及構成松香酸之各種酸。作為構成松香酸之酸，例如可列舉：松脂酸(abietic acid)、新松脂酸、長葉松酸(palustric acid)、海松脂酸(pimaric acid)、異海松脂酸、脫氫松脂酸。其中，較佳為松脂酸、新松脂酸。
使源自松脂餾分之有機酸之氫化物進行烷基酯化之醇並無特別限定，較佳為脂肪族醇，較佳為脂肪族多元醇。作為脂肪族多元醇，例如可列舉：甘油、乙二醇、丙二醇等。
作為源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯，具體而言，可列舉：三(四氫松脂酸)甘油酯、三(四氫新松脂酸)甘油酯等。
源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯於本發明之填充材料中的含有率較佳為0~20質量%，就使觸變性賦予劑之分散性變良好之方面而言，更佳為0.5~20質量%，進而較佳為1~10質量%。
該等可單獨使用1種，或併用2種以上。
樹脂組成物亦可含有烴系聚合物以外之樹脂、塑化劑、矽烷 偶合劑、保存穩定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、黏性調整劑或樹脂穩定劑、溶劑等。
再者，上述烴系聚合物以外之樹脂係與數量平均分子量為300以上並未達20000且碘值未達40g/100g並且不具有極性基之本發明之烴系聚合物不同者。
<有機電場發光元件用填充材料之特性>
由上述樹脂組成物所構成之本發明之填充材料可具有以下之特性，或者較佳為具有以下之特性。
(對氮化矽之接觸角)
本發明之填充材料之對氮化矽之接觸角為10~40°。若該接觸角為40°以下，則於設置於OLED層或發光部等之含有氮化矽或與其類似之無機物之絕緣性保護層進行塗佈時，本發明之填充材料向絕緣性保護層之表面自然地潤濕擴散，沒有收縮等缺陷而可進行塗佈。另一方面，若接觸角未達10°，則有潤濕擴散變得過量，從而超過障壁(dam)材而污染OLED基板之外表面等之風險。
接觸角可根據烴系聚合物之種類(不飽和烴之種類、數量平均分子量、碘值及極性基之有無)、以及有機金屬錯合物之構造及調配量而進行調整。
接觸角之測定方法係於實施例中具體地表示。
(釋氣量)
本發明之填充材料之於85℃加熱1小時之水分以外之釋氣量以甲苯換算值計為500ppm以下。若該釋氣量超過500ppm，則即便本發明之填充材料之塗佈性良好，亦產生源自釋氣之氣泡而產生氣泡狀之缺陷，從而OLED 之視認性降低。上述情況於將OLED長期放置在溫暖條件下之情形時變明顯。就氣泡狀之缺陷防止及視認性之方面而言，釋氣量較佳為200ppm以下，更佳為100ppm以下。再者，釋氣量較理想為0ppm，但實際上無法成為0ppm，例如為10ppm左右。
該釋氣量只要至少於使用時(塗佈時)處於上述範圍內即可。
上述條件下所產生之氣體有水(水蒸氣)、烴系聚合物之低分子量成分或溶劑等，但水分以外不會被有機金屬化合物捕獲。
為了將釋氣量減少至上述範圍，而可採用以下之手段。例如可列舉如下方法，即減少於製備本發明之填充材料時根據需要所使用之溶劑之殘留量。又，可列舉如下方法，即於混合上述成分後將低分子量成分等去除之方法。作為該等方法，例如可列舉：加熱處理、減壓處理或加熱減壓處理。加熱條件及減壓條件例如根據所使用之溶劑、成分等而適當進行設定。
較佳為加熱減壓處理，更佳為例如於減壓下，於60~90℃進行30分鐘~3小時處理。
再者，於釋氣量處於上述範圍內之情形時，亦可不進行用以進一步減少釋氣量之手段。
釋氣量之測定方法係於實施例中具體地表示。
(黏性)
本發明之填充材料較佳為於25℃並在剪切速度為0.1~1000S-1之區域中具有非牛頓性之非牛頓流體。此處，溫度25℃係假定本發明之填充材料之塗佈時之代表性溫度。同樣地，剪切速度0.1~1000S-1係假定於本發明之 填充材料之塗佈步驟中高速作用之剪切速度。例如，剪切速度1000S-1係假定於本發明之填充材料之塗佈步驟中使用分注器等進行塗佈時之動態狀態。又，剪切速度0.1S-1係假定將本發明之填充材料塗佈於複數個裝置時，對逐個裝置進行塗佈之期間之未進行塗佈作業之時間、及將完成填充之裝置向接下來之對向基板貼合行程進行搬送時之靜態狀態。
於動態狀態下，就潤濕擴散之觀點而言，較佳為低黏度，於靜態狀態下，就抑制洩漏或溢出之觀點而言，較佳為高黏度。因此，若於上述區域中為非牛頓流體，尤其是為觸變性流體，則塗佈時之作業性更為提高，而且幾乎不產生氣泡狀之缺陷而可進行塗佈。
所謂非牛頓性，係指流動之剪切應力與流動之速度梯度之關係並非線形的黏性之性質，將具有該性質之流體稱為非牛頓流體。非牛頓流體大致分為賓漢(Bingham)流體、觸變性流體、擬塑性流體及膨脹流體，於本發明中，較佳為觸變性流體或擬塑性流體，尤其是觸變性流體更佳。該觸變性流體係流動變得越強，或者流動時間變得越長，而變得越容易流動之流體，且係施加剪切力時黏度降低之流體。
對於使本發明之填充材料為非牛頓流體、較佳為觸變性流體而言，可列舉：選定烴系聚合物之種類(數量平均分子量、碘值及極性基之有無)之方法。又，可列舉：使用無機粒子之方法、較佳為將源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯與無機粒子一起使用之方法。除此以外，可列舉：將相互難以相溶之材料彼此混合後進行乳化之方法等。
本發明之填充材料之黏性之判斷係於實施例中具體地表示。
(全光線穿透率)
本發明之填充材料較佳為於可見光區域(350nm~800nm)中透明，且較佳為至少350~800nm之波長區域中之全光線穿透率以光程長度25μm計而為90%以上。若該全光線穿透率為90%以上，則幾乎不會妨礙OLED元件之發光而可向OLED元件外放光，尤其是作為頂部發光型之OLED用填充材料較佳。該全光線穿透率更佳為95%以上，進而較佳為97%以上。
全光線穿透率有根據有機金屬化合物、無機粒子之種類及含有率等而變動之情況，因此可藉由適當選定該等，又根據烴系聚合物之種類及含有率等而進行調整。
(吸濕後之全光線穿透率)
本發明之填充材料較佳為於60℃、90%RH之環境下保管100小時後之於350~800nm之波長區域中之全光線穿透率(亦稱為吸濕後之全光線穿透率)以光程長度25μm計而為80%以上。若吸濕後之全光線穿透率為80%以上，則即便放置於高溫高濕環境下，亦不會較大地妨礙OLED元件之發光而可向元件外放光，尤其是作為頂部發光型之OLED用填充材料較佳。吸濕後之全光線穿透率更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。吸濕後之全光線穿透率之上限實際上為94%左右。
吸濕後之全光線穿透率之測定方法係於實施例中具體地表示。
本發明之填充材料可藉由視需要使上述之各成分溶解或分散於溶劑中並將該等進行混合而以樹脂組成物之形態進行製備。此時，混合方法及混合順序等混合條件、以及溫度、濕度及壓力等環境條件等並無特別限定。
再者，於使用溶劑之情形時，於混合後將溶劑去除直至成為上述釋氣 量以下。
<<OLED元件>>
本發明之填充材料係用作OLED之密封構造之一部分。
以下，針對應用本發明之填充材料之OLED元件進行說明。
OLED元件具備：一對相對向之電極，即陽極及陰極；配置於該等電極之間之具有OLED層的發光部；及填充於OLED元件之內部的本發明之填充材料。
OLED層只要至少具有發光層即可，亦可為僅發光層之單層構造。又，例如亦可為發光層/電子傳輸層、電洞傳輸層/發光層、電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層、發光層/電子傳輸層/電子注入層、電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層、電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層等多層構造。
OLED層通常設置於具有絕緣性之由例如矩形狀之玻璃板等所構成之元件基板上。
關於由2個電極與配置於該等電極之間之OLED層所構成之發光部，有例如OLED層為1層之情形，亦有將2層以上之OLED層組合並合併之情形，上述發光部可具有各種層構成。
參照圖1，對OLED元件之一例進行說明。
OLED元件1具備：元件基板2、設置於元件基板2上之發光部3、與元件基板2相對向之對向基板4、包圍發光部3之外周之障壁材5、及以無氣泡狀態填充於被該等所密閉之空間內之本發明之填充材料(亦簡稱為填充材料)6。
發光部3係如下述般具有陽極11及陰極13、與配置於該等電極之間之OLED層12。於發光部3之表面設置有絕緣性保護層14。
如上所述，發光部3係內包於以元件基板2、對向基板4及障壁材5所密閉之空間內，且藉由填充材料6進行密封。
元件基板2係由硬質之材料、例如釔穩定氧化鋯(YSZ)、玻璃、金屬等無機材料；或者例如聚酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯等樹脂材料所構成。基板之形狀、構造、尺寸等並無限制，可根據設為目標之OLED元件之構成而選擇最佳者。通常之元件基板2係平板之形狀。又，元件基板2可無色透明，亦可半透明，亦可不透明。又，於元件基板2上，可視需要而設置防透濕層(阻氣層)等，亦可設置由TFT等所構成之驅動電路。
於元件基板2上形成有發光部3。
具體而言，於元件基板2上形成有由氧化銦錫(ITO)膜等導電材料之薄膜所構成的陽極11。ITO膜例如可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法等PVD(Physical Vapor Deposition)法而成膜。其後，藉由利用光阻法之手段之蝕刻等圖案化為特定圖案形狀而形成陽極。陽極11之一部分係被引出至元件基板2之端部而與驅動電路連接。
作為導電材料，除ITO外，亦可列舉：氧化錫、氧化鋅、氧化銦等半導電性金屬氧化物；例如金、銀、鉻、鎳等金屬；例如聚苯胺、聚噻吩等有機導電性材料。
於陽極11之上表面，例如藉由真空蒸鍍法、電阻加熱法等PVD法，而積層有利用有機化合物材料之薄膜的OLED層12。該OLED層12形成有於陽極11上成膜之電洞注入層21、於電洞注入層21之上表面成 膜之電洞傳輸層22、於電洞傳輸層22之上表面成膜之發光層23、及於發光層23之上表面成膜之電子傳輸層24的4層構造。
電洞注入層21及電洞傳輸層22可分別由電洞傳輸材料形成。電洞傳輸材料具有自陽極11注入電洞(electron hole)之功能、傳輸電洞之功能或阻擋自陰極13注入之電子之功能中之任一功能。作為電洞傳輸材料，可列舉：酞菁銅(CuPc)、雙[N-(1-萘基)-N-苯基]聯苯胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(間甲苯基)聯苯胺、N,N,N',N'-四(間甲苯基)-1,3-苯二胺、1,1-雙[4-[N,N-二(對甲苯基)胺基]苯基]環己烷、4,4',4"-三[N,N',N"-三苯基-N,N',N"-三(間甲苯基)]胺基]-亞苯等。
該等層之厚度並無特別限定，通常為5~100nm，較佳為數10nm。
發光層23含有至少1種之發光材料，亦可視需要含有電洞傳輸材料、電子傳輸材料等。發光材料並無特別限定。
關於發光材料，可列舉：金屬錯合物、低分子螢光色素或螢光性高分子化合物。
作為金屬錯合物，可列舉：三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq3)、雙(苯并羥基喹啉)鈹錯合物、雙(8-羥基喹啉)鋅錯合物、啡啉系銪錯合物等。作為低分子螢光色素，可列舉：苝、喹吖酮、香豆素、2-噻吩羧酸等，作為螢光性高分子化合物，可列舉：聚(對苯乙炔)、9-氯甲基蒽、聚芴、聚乙烯咔唑等。
發光層23之厚度並無特別限定，通常為5~100nm，較佳為數10nm。
電子傳輸層24可由電子傳輸材料形成。電子傳輸材料具有傳輸電子之功能或阻擋自陽極11注入之電洞之功能中之任一功能。作為電子傳輸材料，可列舉：氟化鋰(LiF)、2-(4-第三丁基苯基)-5-(4-聯苯)-1,3,4- 二唑、3-(4-第三丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯)-1,2,4-***等。
電子傳輸層24之厚度並無特別限定，通常為5~100nm，較佳為數nm。
陰極13係於OLED層12之電子傳輸層24之上表面以導電材料之薄膜之方式形成。作為金屬薄膜之材料，例如可列舉：Al、Li、Mg、In之金屬。陰極13之一部分係被引出至元件基板2之端部而與驅動電路連接。
為了保護陽極11、OLED層12及陰極13免受水分及氧影響，而利用絕緣性保護層14進行覆蓋。絕緣性保護層14具有由絕緣性無機物所構成之無機薄層。作為絕緣性無機物，並無特別限定，可列舉：至少含有矽原子與氮原子之化合物、金屬氮化物及金屬氧化物等，較佳為至少含有矽原子與氮原子之化合物，尤其是就防濕性與透明性之平衡優異之方面而言，較佳為氮化矽或氧基氮化矽。
無機薄層可藉由選自電漿CVT、離子束輔助蒸鍍、反應濺鍍法等之方法而進行設置。
絕緣性保護層14具有至少1層無機薄層，可為由1層之無機薄層所構成之單層構造，亦可為由至少2層之無機薄層所構成之多層構造。
於為多層構造之情形時，就使通過無機薄層內所產生之微小缺陷之水分透過之不良影響變小的方面而言，較佳為於鄰接之2個無機薄層14AX與無機薄層14AX+1之間設置平坦化層14B。平坦化層14B係由具有絕緣性之無機物或有機物所構成，且可藉由選自各種蒸鍍法或旋轉塗佈法、噴霧法等之方法進行成膜。該平坦化層14B所使用之材料只要為與無機薄層不同 之物質即可，若為無機物，則可較佳地使用氧化矽或碳氧化矽或氧化鋁等，若為有機物，則可較佳地使用氟樹脂或丙烯酸樹脂、或聚醯亞胺等。
關於無機薄層14AX與平坦化層14B之積層構造，越多層，越可抑制微小缺陷之不良影響而提高對水分或氧之阻隔性，但現實上可適合普通用之製品的是無機薄層14A1/平坦化層14B/無機薄層14A2之3層構造。
以上述方式，藉由由陽極11、OLED層12及陰極13之積層構造所構成之發光部3與絕緣性保護層14而形成積層體。
藉由搭載有被絕緣性保護層14覆蓋之發光部3的元件基板2、與例如矩形之對向基板4及障壁材5，而於元件基板2上形成有內包積層體之形態之氣密容器。
作為對向基板4之材料，尤其是可使用選自金屬或玻璃、由聚合物所構成之膜等之材料。其中，若為例如玻璃或PET、PEN、脂肪族聚醯亞胺等無色透明之材料，則可採用頂部發光型，該頂部發光型係自OLED元件1上表面經由對向基板4而提取光。於頂部發光型之情形時，亦可於對向基板4貼合彩色濾光片。為了抑制水分或氧之透過，而亦可於對向基板4上藉由蒸鍍等方法而設置由氮化矽等所構成之無機層。
障壁材5並無特別限定，例如可利用如下方法形成，即藉由分注器等，將由環氧樹脂或丙烯酸樹脂等熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂及無機粒子之混合物等所構成之接著劑以包圍基板外周部之方式塗佈於兩基板2及4並進行硬化。或者，可藉由如下方式形成：使用令作為障壁材5之窗框型玻璃雷射熔合於兩基板2及4等方法。以上述方式形成之障壁材5 具有如下作用，即防止對向基板4與發光部3接觸，並且內包發光部3且保持氣密容器之氣密性而防止下述之液狀填充材6向外洩漏。
以上述方式形成之氣密容器內部被本發明之填充材料6填滿。
具有本發明之填充材料之OLED元件係藉由本發明之密封方法將發光部進行密封而製造。因此，本發明之密封方法亦為OLED元件之製造方法。
對本發明之密封方法、及包含其之OLED元件之製造方法具體地進行說明。再者，下述說明並非限定本發明者，對照本發明之宗旨進行設計變更之情況均包含於本發明之技術範圍內。
本發明之密封方法至少具有如下步驟，即於被絕緣性保護層覆蓋之發光部進行密封、包圍之氣密容器內填充本發明之有機電場發光元件用填充材料。
於本發明之密封方法中，由元件基板、對向基板及障壁材所構成之氣密容器、以及包含發光部3之積層體可以上述方式進行設置。
於本發明之密封方法中，在將對向基板接著於障壁材之前，向積層體上或積層體與障壁材之空間填充本發明之填充材料。
關於本發明之填充材料，為了防止水分之混入，較佳為於室溫下且於不活性氣體、例如氮氣氛圍下填充本發明之填充材料。
塗佈量通常為與氣密容器內之空間體積相等之容量、或較氣密容器內之空間體積稍多之量。
本發明之液狀材料之填充係藉由分注器、狹縫模具、網版印 刷等進行塗佈而進行，尤其就即便不特別變更機械或治具等之規格，亦可向各種尺寸或形狀之裝置進行塗佈之方面而言，分注器較為優異。利用分注器等進行塗佈時，就容易自注射器擠出之方面而言，本發明之填充材料之黏度越小越佳，更佳為未達1000Pa．sec，進而較佳為未達100Pa．sec。越高於1000Pa．sec之黏度，於潤濕擴散之方面變得越不利。
但是，另一方面，若本發明之填充材料之黏度較低，則引起如下異常，即向複數個裝置進行塗佈時，於逐個裝置進行塗佈之期間之未進行塗佈作業之時間內，填充材非刻意地自分注器之注射器洩漏而向不要塗佈之部分滴下填充材。因此，於未自注射器擠出之靜態狀態下，若填充材料之黏度未達100Pa．sec，則難以作業。因此，黏度越大越佳，更佳為1000Pa．sec以上。
又，靜態黏度較高者於下述方面亦有利，即抑制自塗佈步驟將塗佈過本發明之填充材料之裝置向下一步驟進行搬送時，本發明之填充材料灑落或溢出之異常。再者，下一步驟例如為將障壁材與對向基板貼合之步驟。
有對自注射器擠出本發明之填充材料時之動態黏度、與未擠出時之靜態黏度之技術要求矛盾，從而牛頓流體之填充材無法解決該矛盾之情形。於藉由使用非牛頓流體之填充材料，從而黏度根據剪切流速而變化，從而可解決上述矛盾之本發明中，可兼顧動態狀態下低黏度、靜態狀態下高黏度這一矛盾之流動特性。其結果為，變得可實現包含利用分注器等之塗佈步驟之OLED密封步驟中之優異的作業性。尤其是就於絕緣性保護層上沒有缺陷而容易潤濕擴散之方面而言，尤佳為黏度有時間．速度依存性之觸變性液體。
將本發明之填充材料填充後，於上述溫度及氛圍下進行放置直至填充材料潤濕擴散。此時，可進行靜置，亦可賦予振動等。藉此，本發明之填充材料可於絕緣性保護層之表面沒有缺陷之情況下進行流延。
藉此，使本發明之填充材料流延，而向包含發光部之積層體與障壁材之空間填充填充材料。
將本發明之填充材料填充後，進行將對向基板接著於障壁材而密封積層體之步驟。藉此，將OLED元件密封而製造OLED元件。
如上所述，若使用本發明之填充材料，則可以較高之製造良率製造OLED元件。
[實施例]
以下，基於實施例而對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明並不限定於該等。
[實施例1]
將室溫下為液狀之聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：600，碘值40g/100g)、氫化C5/C9系石油樹脂(「I-MARV P100」(商品名)，出光興產公司製造，數量平均分子量：900，碘值<10g/100g)之甲苯50%溶液、及三異壬氧化鋁之甲苯50%溶液以質量比2：3：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時減壓乾燥。
以上述方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
將所製備之OLED用填充材料填充於對經絕緣性保護層覆蓋之發光部進行密封之氣密容器內，而製造與圖1所示之OLED元件相同 之OLED元件1。
使用3.6cm×3.6cm及5.6cm×5.6cm之經ITO蒸鍍之玻璃2種作為元件基板2，向該等元件基板2分別施加利用光阻法之蝕刻而圖案化為特定圖案形狀，而形成厚度100nm之陽極11。再者，將ITO膜之一部分引出至元件基板2之端部，而與未圖示之驅動電路連接。
繼而，於陽極11之上表面，藉由電阻加熱法而以70nm之膜厚成膜由酞菁銅(CuPc)所構成之電洞注入層21，於該電洞注入層21上表面，以30nm之膜厚成膜由雙[N-(1-萘基)-N-苯基]聯苯胺(α-NPD)所構成之電洞傳輸層22。進而於電洞傳輸層22之上表面，以50nm之膜厚成膜由三(8-羥基喹啉)鋁所構成之發光層23。
繼而，於發光層23之上表面，以7nm之膜厚成膜由氟化鋰所構成之電子傳輸層24，進而於電子傳輸層24上，以150nm之膜厚物理蒸鍍鋁而成膜陰極13。再者，將陰極13之一部分引出至元件基板2之端部而與未圖示之驅動電路連接。以上述方式，獲得搭載有由陽極11、OLED層12及陰極13所構成之發光部3之元件基板2。
繼而，於該發光部3之表面，以下述方式將包含由至少含有矽原子與氮原子之化合物所構成之無機薄層之3層構造的絕緣性保護層14成膜，而形成作為積層體之被絕緣性保護層14覆蓋之發光部3。
將對應於無機薄層14A1/平坦化層14B/無機薄層14A2之3層構造之絕緣性保護層14成膜。首先，於發光部3之表面，藉由電漿CVT法而形成1nm厚度之由氮化矽所構成之無機薄層14A1後，藉由旋轉塗佈，以2μm之厚度將丙烯酸丁酯以0.1質量%之比例混合2,2-二乙氧基苯乙酮而 成者進行塗佈後，藉由UV照射使之硬化而形成平坦化層14B。其後，再次藉由電漿CVT法而形成1nm厚度之由氮化矽所構成之無機薄層14A2，藉此成膜3層構造之絕緣性保護層14。
使用行星式混合機，將雙酚A型環氧樹脂(「RE310S」(商品名)，日本化藥公司製造)、二氧化矽粒子(「SO-C1」(商品名)，Admatechs公司製造)、及光陽離子觸媒(「Adeka Optomer SP170」(商品名)，ADEKA公司製造)以質量比100：30：1進行混合，而製備光硬化性之障壁材。
繼而，於經露點(dew point)-76℃以下之氮氣置換之手套箱中，利用分注器，於搭載有積層體之元件基板2之外周部以框狀包圍積層體之方式，且成為寬度3mm、高度40μm之方式塗佈所製備之障壁材。繼而，利用分注器，於積層體之表面上塗佈與由元件基板2與未硬化之障壁材所構成之氣密容器之空間體積相等容量分之OLED用填充材料。OLED用填充材料6係如圖2所示般，於絕緣性保護層14之表面十字狀及斜十字狀地進行塗佈。
其後，於手套箱中，放置2分鐘而使OLED用填充材料潤濕擴散。繼而，將對向基板4與障壁材5貼合後，照射紫外線以使障壁材5硬化。藉由使障壁材5硬化，而於由障壁材5、對向基板4及元件基板2所構成且密封被絕緣性保護層14覆蓋之發光部3之氣密容器內直接填充有液狀之OLED用填充材料6。
以上述方式，製造2種類之具有於氣密容器內直接填充有液狀之OLED用填充材料6之密封構造的不同尺寸之OLED元件1。
[實施例2]
將室溫下為液狀之聚異丁烯(「3N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：720，碘值35g/100g)、氫化C5/C9系石油樹脂(「I-MARV P100」(商品名)，出光興產公司製造，數量平均分子量900，碘值<10g/100g)之甲苯50%溶液、及三(4,6-壬二酸)鋁之甲苯50%溶液以質量比2：3：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時之減壓乾燥。對以上述方式獲得之組成物，將合成膨潤石粒子(「Lucentite SAN」(商品名)，CO-OP CHEMICAL公司製造，平均粒徑：40nm)以成為3%之質量分率之方式進行添加，並使用均質機使之分散。
以上述方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例3]
將聚異丁烯(「3N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：720，碘值35g/100g)、氫化C5/C9系石油樹脂(「I-MARV P100」(商品名)，出光興產公司製造，數量平均分子量：900，碘值<10g/100g)之甲苯50%溶液、及三(4,6-癸二酸)鋁之甲苯50%溶液以質量比2：3：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時之減壓乾燥。對以上述方式獲得之組成物，將奈米型之氣相二氧化矽粒子(「Aerosi RX50」(商品名)，日本Aerosi公司製造，平均粒徑：60nm)以成為3%之質量分率之方式進行添加，並使用均質機使之分散。
以上述方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於 25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例4]
使用三(丙二酸二異丙酯)鋁代替三(4,6-癸二酸)鋁，除此以外，以與實施例3相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例5]
將聚異丁烯(「3N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：720，碘值35g/100g)、氫化C5/C9系石油樹脂(「I-MARV P100」(商品名)，出光興產公司製造，數量平均分子量：900、碘值<10g/100g)之甲苯50%溶液、三硬脂氧化鋁之甲苯50%溶液、及三(四氫松脂酸)甘油酯之甲苯50%溶液以質量比4：6：4：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時之減壓乾燥。對以上述方式獲得之組成物，將奈米型之氣相二氧化矽粒子(「Aerosil RX50」(商品名)，日本Aerosi公司製造，平均粒徑：60nm)以成為3%之質量分率之方式進行添加，並使用均質機使之分散。
以上述方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例6]
使用三異癸氧化鋁代替三異硬脂氧化鋁，除此以外，以與實施例5相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例7]
使用奈米型之真球二氧化矽粒子(「ST」(商品名)，日產化學公司製造，平均粒徑：15nm)代替氣相二氧化矽粒子，除此以外，以與實施例6相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例8]
使用氫化C9系石油樹脂(「Arkon P90」(商品名)，荒川化學工業公司製造，數量平均分子量：600，碘值<10g/100g)代替氫化C5/C9系石油樹脂，使用合成膨潤石粒子(「Lucentite SAN」(商品名)，CO-OP CHEMICAL公司製造，平均粒徑：40nm)代替氣相二氧化矽粒子，除此以外，以與實施例6相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例9]
使用氫化萜烯樹脂(「Clearon P105」(商品名)，Yasuhara Chemical公司製造，數量平均分子量：600，碘值<10g/100g)代替氫化C5/C9系石油樹脂，又使用二異壬氧化鈣代替三異硬脂氧化鋁，除此以外，以與實施例5相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例10]
使用部分氫化聚異戊二烯(「LIR290」(商品名)，Kuraray公司製造，數量平均分子量：31000，碘值40g/100g)代替聚異丁烯，除此以外，以與實施例6相同之方式製備本發明之OLED用填充材料。該OLED用填充材料於25℃為液狀。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件1。
[實施例11]
將聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：600，碘值40g/100g)、氫化C5/C9系石油樹脂(「I-MARV P100」(商品名)，出光興產公司製造，數量平均分子量：900，碘值<10g/100g)之甲苯50%溶液、及三異壬氧化鋁之甲苯50%溶液以質量比4：1：3進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時減壓乾燥。
使用該OLED用填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2 種OLED元件1。
[比較例1]
藉由蒸發器，於80℃對聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：600，碘值40g/100g)進行1小時減壓乾燥，而製備填充材料。
使用該填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件。
[比較例2]
使用三異壬氧化鋁作為填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件。
[比較例3]
將苯乙烯-異戊二烯-丁二烯共聚物(「LIR310」(商品名)，Kuraray公司製造，數量平均分子量：32000)之甲苯50%溶液、與三異壬氧化鋁之甲苯50%溶液以質量比4：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時減壓乾燥。
以上述方式製備填充材料。該填充材料於25℃為固體，釋氣量以外無法進行評價。
因此，使用該填充材料，利用與實施例1相同之方法而無法製造OLED元件。
[比較例4]
將聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量；600，碘值40g/100g)之甲苯50%溶液、與三正丁氧化鋁以質量比3：1進行混合 後，使用蒸發器於80℃進行1小時之減壓乾燥。
以上述方式製備填充材料。該填充材料於25℃為液狀。
使用該填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件。
[比較例5]
將聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：600，碘值40g/100g)之甲苯50%溶液、與單(二丙基丙二酸)二正丁酸鋁以質量比3：1進行混合後，使用蒸發器於80℃進行1小時減壓乾燥。
以上述方式製備填充材料。該填充材料於25℃為液狀。
使用該填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件。
[比較例6]
將聚異丁烯(「015N」(商品名)，日油公司製造，數量平均分子量：600、碘值40g/100g)之甲苯50%溶液、與辛酸氧化鋁三聚物之甲苯50%溶液以質量比3：2進行混合後，使用蒸發器於40℃進行1小時減壓乾燥。
以上述方式製備填充材料。該填充材料於25℃為液狀。
使用該填充材料，以與實施例1相同之方式製造尺寸不同之2種OLED元件。
(無機粒子之碎形維度)
針對實施例所使用之各無機粒子，使用穿透型電子顯微鏡(TEM)而獲得無機粒子之投影影像後，抽選隨機選擇之10個無機粒子作為標本，根據各自之投影影像之輪廓線，藉由盒子計數法並利用下述式求出碎形維度。
式：log(輪廓線長度)=(1-D)log(分解能力)+log(常數)
式中，D表示碎形維度，常數表示根據輪廓線之形狀或尺寸而決定之固有值，係相當於使輪廓線近似於最單純之形狀時之長度。複雜性可僅由碎形維度D之大小進行評價，且常數之大小與複雜性並不相關。
無機粒子之碎形維度係設為包含平均值、或10個無機粒子各自之碎形維度之範圍。
將各無機粒子之TEM影像、平均粒徑及輪廓線之碎形維度示於表1。
針對實施例及比較例中所製備或使用之各填充材料，以下述方式評價下述項目。
(接觸角)
對藉由真空蒸鍍而於表面形成有氮化矽膜之平滑晶圓上，分別滴下實施例及比較例之填充材料，利用JIS R 3257所規定之靜滴法之蒸餾水代替填充材料之方法，對滴下液與氮化矽膜表面之接觸角進行測定。
(釋氣量)
針對實施例及比較例之各填充材料，利用JIS K 0114所規定之氣相層析 分析法而進行釋氣量之測定。藉由頂空取樣裝置，捕獲將各填充材料於85℃加熱1小時時所揮發之成分並進行分析。釋氣量係以甲苯換算求出除去水分之揮發成分之量。
(全光線穿透率)
同時以2mm厚之聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)板2片(光程長度25μm)與厚度25μm之框型分隔件夾住實施例及比較例之各填充材料，使用可見光．紫外光分光計「UV-3600」(島津製作所製造)，以僅2片PMMA板之情況下所測得之量為背景資料(參考)而對350~800nm之波長區域中之穿透率進行測定。將其進行平均而設為全光線穿透率(表2及表3中記載為初期)。
(吸濕後之全光線穿透率)
將實施例及比較例之各填充材料於培養皿上於60℃且相對濕度90%下保管100小時。針對該吸濕後之各填充材料，以與上述「全光線穿透率」相同之方式求出全光線穿透率(表2及表3中記載為吸濕後)。
再者，於60℃、90%RH下之100小時之保管係使用恆溫恆濕槽(ESPEC股份有限公司製造之PR-1J)。
(黏性)
使用E型黏度計，於0.1S-1、10S-1及1000S-1之各剪切速度下對實施例及比較例之各填充材料於25℃之黏度進行測定。
關於黏性之判斷，將每種剪切速度下所測得之黏度不同之情形判斷為非牛頓性，尤其是將隨著使剪切速度變大而黏度變小之情形判斷為填充材料為觸變性(表2及表3中記載為「非牛頓觸變性」)。
又，將3種剪切速度下所測得之3種黏度為固定(相同值)，即剪切速度與剪切應力具有線形關係之情形判斷為牛頓性。
(填充材料之溢出．洩漏之評價)
對是否發現填充材料向氣密容器外溢出、洩漏等進行評價。
具體而言，以肉眼，自外部分別對各實施例及比較例中所製造之2種OLED元件進行觀察，確認有無溢出及洩漏。
關於評價基準，將具有3.6cm×3.6cm之元件基板之OLED元件(稱為小型OLED元件)及具有5.6cm×5.6cm之元件基板之OLED元件(稱為大型OLED元件)之兩元件均無法確認溢出及洩漏者設為「A」，將於小型OLED元件無法確認溢出及洩漏，但於大型OLED元件可確認溢出及洩漏者設為「B」，將於小型OLED元件可確認溢出及洩漏者設為「C」。
溢出及洩漏之評價係對填充材料之污染性進行評價之試驗，且如下所述，對於試樣而言，大型OLED元件時之評價係苛刻試驗。
因此，對於評價而言，評價基準為「B」之情形為合格等級，評價基準為「A」之情形係作為OLED用填充材料所理想之等級。
(氣泡狀缺陷及未填充部分之評價)
於相對濕度0.003%之乾燥氛圍下，將所製造之OLED元件分別於60℃放置24小時後，利用顯微鏡，觀察於氣密容器內是否存在氣泡或未被填充材料潤濕之部分(未填充部分)。
關於評價基準，將小型OLED元件及大型OLED元件之兩元件均無法確認到氣泡狀缺陷及未填充部分者設為「A」，將於小型OLED元件無法確認到氣泡狀缺陷及未填充部分，但於大型OLED元件可確認到氣泡狀缺陷 及未填充部分者設為「B」，將於小型OLED元件可確認到氣泡狀缺陷及未填充部分者設為「C」。
氣泡狀缺陷及未填充部分之評價係對填充材料之潤濕性及對顯示器之美觀之影響進行評價之試驗。
再者，例如於可用作數位鐘或隨身聽等之顯示器之OLED元件之情形時，並不限於採用5.6×5.6cm尺寸以上之大型者，但考慮到製造大型者之可能性、及用於其他用途之OLED元件之情形等，上述試驗係以苛刻試驗之方式實施。
因此，對於評價而言，評價基準為「B」之情形為合格等級，評價基準為「A」之情形係作為OLED用填充材料所理想之等級
(暗點之產生)
針對實施例及比較例中所製造之2種OLED元件中，小型OLED元件分別進行於溫度60℃且相對濕度90%之環境下放置500~1000小時之高溫高濕放置試驗。於放置時間經過500小時後、經過750小時後及經過1000小時後，分別使小型OLED元件發光，利用顯微鏡對發光狀態進行觀察。
將於各經過時間未發現暗點者設為「B」，將於各經過時間發現暗點者設為「C」。
關於在暗點之產生試驗中，經過時間為750小時及1000小時時之評價，例如於可用於數位鐘或隨身聽等各種攜帶機器之OLED元件之情形時，可認為於通常之條件下使用者持續1個月以上連續地於溫度60℃且濕度90%之高溫高濕環境下進行使用、保管之可能性較低，因此係苛刻試驗(加速試驗)。
因此，於經過時間為500小時時之評價為「B」之情形為合格等級。於經過時間為500小時及750小時時之評價均為「B」之情形係作為OLED元件所理想之等級，經過時間為500小時、750小時及1000小時時之評價均為「B」之情形係作為OLED元件尤其理想之等級。
整理所獲得之結果，並示於下述表2及表3。
自表2可明確，實施例之OLED用填充材料均於25℃為液狀，且填充材料之溢出．洩漏之評價、氣泡狀缺陷及未填充部分之評價以及暗點之產生為合格等級。
再者，實施例之OLED用填充材料均不具有硬化性，於障壁材之硬化時亦不硬化而以液狀形態進行填充。因此，於OLED元件之製造中，可避免由於硬化收縮而OLED元件破壞之風險。
如上所述，可知實施例之OLED用填充材料保護OLED元件免受水分影響，無因硬化收縮而破壞OLED元件之風險而可進行塗佈、填充。又，可知於覆蓋發光部等之絕緣性保護層之由無機物所構成之表面沒有氣泡狀缺陷及未填充部分，而且亦無洩漏或溢出而可進行塗佈、填充。
亦可知尤其是實施例1~8即便持續長期於高溫高濕下放置750小時及1000小時亦未發現暗點之產生。
又，亦可知亦使製造時之破損風險變小而製造良率良好地製造難以高度地產生暗點而視認性優異之OLED。
自表3可明確，比較例之OLED用填充材料均於填充材料之溢出．洩漏之評價、氣泡狀缺陷及未填充部分之評價、以及暗點之產生之至少1項不合格。
對本發明與其實施態樣一併進行了說明，可認為只要本發明者未特別指定，則無論說明之何處細節均不限定本發明，應於不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神與範圍之情況下廣泛地進行解釋。
本申請案係主張基於2013年12月27日於日本提出專利申請之日本專利申請特願2013-271025之優先權，且參照其並將其內容作為本 說明書記載之一部分併入於本文中。
1‧‧‧OLED元件
2‧‧‧元件基板
3‧‧‧發光部
4‧‧‧對向基板
5‧‧‧障壁材
6‧‧‧填充材料
11‧‧‧陽極
12‧‧‧OLED層
13‧‧‧陰極
14‧‧‧絕緣性保護層
14A1、14A2‧‧‧無機薄層
14B‧‧‧平坦化層
21‧‧‧電洞注入層
22‧‧‧電洞傳輸層
23‧‧‧發光層
24‧‧‧電子傳輸層

Claims (14)

  1. 一種有機電場發光元件用填充材料，其係由樹脂組成物所構成者，該樹脂組成物含有數量平均分子量為300以上且未達32000之烴系聚合物及下述式(1)所表示之有機金屬化合物，且於25℃為液狀；該有機電場發光元件用填充材料對氮化矽之接觸角為10~40°，於85℃加熱1小時之水分以外之釋氣量以甲苯換算值計為500ppm以下；式(1)：M-Ln(式(1)中，M表示金屬原子；L為碳原子數為9以上且氧原子數為1以上之有機基，n個L均表示相同之有機基；n表示金屬原子M之價數)。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該有機基L為源自脂肪族醇之有機基。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該有機基L為源自β-二酮、β-酮酯或丙二酸二酯之有機基。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該金屬原子M為屬於元素之長週期表中第2族~第4族及第11族~第14族中之任一族之金屬原子。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該烴系聚合物之至少一種為聚異丁烯。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該烴系聚合物之至少一種為數量平均分子量為300以上且未達1000之環狀不飽和烴之聚合物或其氫化物。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其於25℃並在剪切速度為0.1~1000S-1之區域中為非牛頓流體。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其於350~800nm之波長區域之全光線穿透率以光程長度25μm計而為90%以上。
  9. 如申請專利範圍第8項之有機電場發光元件用填充材料，其於60℃、90%RH之環境下保管100小時後之於350~800nm之波長區域下之全光線穿透率以光程長度25μm計而為80%以上。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該樹脂組成物含有1~20質量%之平均粒徑10~60nm之無機粒子。
  11. 如申請專利範圍第10項之有機電場發光元件用填充材料，其中該無機粒子之每1粒子之投影影像之輪廓線之碎形維度(fractal dimension)大於1。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之有機電場發光元件用填充材料，其中，該樹脂組成物含有源自松脂餾分之有機酸之氫化物之烷基酯。
  13. 一種有機電場發光元件之密封方法，其至少包含如下步驟：於對經絕緣性保護層覆蓋之發光部進行密封之氣密容器內填充申請專利範圍第1至12項中任一項之有機電場發光元件用填充材料。
  14. 如申請專利範圍第13項之有機電場發光元件之密封方法，其中，該絕緣性保護層係由包含至少1層無機薄層之單層構造或多層構造所構成，該無機薄層由至少含有矽原子與氮原子之化合物所構成。
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