TW201446488A - 附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、電子機器及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、電子機器及印刷配線板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201446488A
TW201446488A TW103111942A TW103111942A TW201446488A TW 201446488 A TW201446488 A TW 201446488A TW 103111942 A TW103111942 A TW 103111942A TW 103111942 A TW103111942 A TW 103111942A TW 201446488 A TW201446488 A TW 201446488A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
carrier
copper foil
thin copper
ultra
Prior art date
Application number
TW103111942A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI526299B (zh
Inventor
Michiya Kohiki
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=51624683&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW201446488(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201446488A publication Critical patent/TW201446488A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI526299B publication Critical patent/TWI526299B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614—Strips or foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/205—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a pattern electroplated or electroformed on a metallic carrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/538—Roughness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明提供一種極薄銅層之雷射開孔性良好而適於製作高密度積體電路基板之附載體銅箔。附載體銅箔依序具備載體、中間層、及極薄銅層。將附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz為1.40 μm以上4.05 μm以下。

Description

附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
印刷配線板通常係經過使銅箔與絕緣基板接著而製成覆銅積層板後，藉由蝕刻於銅箔面形成導體圖案之步驟而製造。伴隨近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度安裝化或訊號之高頻化得以發展，對印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)或高頻對應等。
對應微間距化，最近要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下之銅箔，但此種極薄之銅箔之機械強度較低，於印刷配線板之製造時容易破裂或產生褶皺，因此出現了將具有厚度之金屬箔用作載體，於其上介隔剝離層電鍍極薄銅層而成之附載體銅箔。將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，介隔剝離層剝離去除載體。於露出之極薄銅層上藉由抗蝕劑形成電路圖案後，而形成規定之電路。
此處，對於成為與樹脂之接著面之附載體銅箔之極薄銅層的表面，主要要求極薄銅層與樹脂基材之剝離強度充分，並且該剝離強度即便於高溫加熱、濕式處理、焊接、化學品處理等之後亦充分地保持。作為 提高極薄銅層與樹脂基材間之剝離強度之方法，通常具代表性者係使大量粗化粒子附著於經增大表面輪廓(凹凸、粗糙度)之極薄銅層上的方法。
然而，若於印刷配線板之中，特別是對需要形成微細之電路圖案之半導體封裝基板使用此種輪廓(凹凸、粗糙度)較大之極薄銅層，則於電路蝕刻時會殘留不需要之銅粒子，而產生電路圖案間之絕緣不良等問題。
因此，WO2004/005588號(專利文獻1)中，嘗試使用未對極薄銅層之表面實施粗化處理之附載體銅箔作為以半導體封裝基板為代表之微細電路用途的附載體銅箔。關於此種未實施粗化處理之極薄銅層與樹脂之密接性(剝離強度)，因其較低之輪廓(凹凸、粗度、粗糙度)之影響，若與通常之印刷配線板用銅箔相比則有下降之傾向。因此，對附載體銅箔要求進一步之改善。
因此，日本特開2007-007937號公報(專利文獻2)及日本特開2010-006071號公報(專利文獻3)中，記載有於附載體極薄銅箔之與聚醯亞胺系樹脂基板接觸(接著)之面設置Ni層或/及Ni合金層、設置鉻酸鹽層、設置Cr層或/及Cr合金層、設置Ni層與鉻酸鹽層、設置Ni層與Cr層之情況。藉由設置該等表面處理層，不實施粗化處理而獲得聚醯亞胺系樹脂基板與附載體極薄銅箔之密接強度，或即便降低粗化處理之程度(微細化)亦獲得所需之接著強度。進而，亦記載有利用矽烷偶合劑進行表面處理或實施防銹處理。
專利文獻1：WO2004/005588號
專利文獻2：日本特開2007-007937號公報
專利文獻3：日本特開2010-006071號公報
專利文獻4：日本專利第3261119號公報
附載體銅箔之開發中，迄今為止重心在於確保極薄銅層與樹脂基材之剝離強度。因此，關於適於印刷配線板之高密度安裝化之附載體銅箔，尚未進行充分之研究，而尚留有改善之餘地。
為了使印刷配線板之積體電路密度上升，通常使用形成雷射孔，通過該孔將內層與外層連接之方法。又，關於伴隨窄間距化之微細電路形成方法，可使用於極薄銅層上形成配線電路後，藉由硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除之方法(MSAP(Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成製程))，因此極薄銅層之雷射開孔性於製作高密度積體電路基板之方面為重要之項目。由於極薄銅層之雷射開孔性與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此對積體電路之設計及生產性造成較大影響。日本專利第3261119號公報(專利文獻4)中記載有雷射開孔性良好之覆銅積層板，但根據本案發明人之研究，於蝕刻性之方面尚存在改善之餘地。
因此，本發明之課題在於提供一種極薄銅層之雷射開孔性良好而適於製作高密度積體電路基板之附載體銅箔。
為了達成上述目的，本案發明人反覆進行努力研究，結果發現，控制將極薄銅層從進行過規定之加熱處理的附載體銅箔剝離時極薄銅層剝離側利用雷射顯微鏡測量之表面粗糙度，對提高極薄銅層之雷射開孔性極有效。
本發明於一態樣中，係一種附載體銅箔，依序具備有載體、中間層、及極薄銅層，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz為1.40μm以上4.05μm以下。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中，於將該附載體銅箔以 220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差為1.30μm以下。
本發明之附載體銅箔於另一實施形態中，於將該附載體銅箔 以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差為0.01μm以上1.20μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於將該附載體銅 箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz為1.60μm以上3.70μm以下。
本發明於另一態樣中，係一種附載體銅箔，依序具備有載 體、中間層、及極薄銅層，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra為0.14μm以上0.35μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於將該附載體銅箔以 220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.11μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於將該附載體銅箔以 220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.001μm以上0.10μm以下。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，依序具備有載 體、中間層、及極薄銅層，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz為0.62μm以上1.59μm以下，且表面粗糙度Rz之標準偏差為0.51μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差為0.01μm以上0.48μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面高度分佈的峰度Sku為0.50以上3.70以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面高度分佈的峰度Sku為1.00以上3.60以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，該載體之厚度為5~70μm。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該極薄銅層表面具有粗化處理層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，該粗化處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該粗化處理層之表 面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該極薄銅層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該極薄銅層上，具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該粗化處理層上，具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之附載體銅箔製造之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之附載體銅箔製造之覆銅積層板。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之印刷配線板製造之電子機器。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將該附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離該附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：於本發明之附載體銅箔之該極薄銅層側表面形成電路；以 埋沒該電路之方式於該附載體銅箔之該極薄銅層側表面形成樹脂層；於該樹脂層上形成電路；於該樹脂層上形成電路後，將該載體剝離；及將該載體剝離後，去除該極薄銅層，藉此使形成於該極薄銅層側表面且埋沒於該樹脂層之電路露出。
藉由本發明，可提供一種極薄銅層之雷射開孔性良好而適於製作高密度積體電路基板之附載體銅箔。
圖1係實施例中之電路圖案寬度方向之橫截面的示意圖、及使用該示意圖之蝕刻因數(EF)計算方法之概略。
圖2A~圖2C係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法具體例的至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖3D~圖3F係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法具體例的自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖4G~圖4I係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法具體例的自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖5J~圖5K係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法具體例的自快速蝕刻(flash etching)至形成凸塊、銅柱為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
<附載體銅箔>
本發明之附載體銅箔具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層。附載體銅箔本身之使用方法為本領域業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板上，熱壓接後剝離載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，最終製造印刷配線板。
本發明之附載體銅箔於一態樣中，於將附載體銅箔以220℃ 加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz(表面之10點高度)被控制為1.40μm以上4.05μm以下。將附載體銅箔貼合於絕緣基板，熱壓接後剝離載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案而形成電路。以上述方式使基板成為多層構造而製作印刷配線板。此處，為了使此種印刷配線板之積體電路密度上升，而形成雷射孔，通過該孔使內層與外層連接。此時，若難以於極薄銅層開出雷射孔，則當然成為問題，雷射孔過大或過小均會引起各種問題，因此必須形成為適度之大小。如此，關於極薄銅層之雷射開孔性，由於與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此係對積體電路之設計及生產性造成較大影響之重要特性。本發明中，發現該極薄銅層之雷射開孔性藉由如下操作而變良好，即，於將附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離上述極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Sz被控制為1.40μm以上4.05μm以下。若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz未達1.40μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度不足而開孔加工時之雷射之吸收性變差，變得難以開孔，即便開了孔亦成為較小之孔。又，若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz超過4.05 μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度過大而開孔加工時之雷射之吸收性變得過剩，孔變得過大。該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz更佳為1.60μm以上3.70μm以下，較佳為1.80μm以上3.50μm以下，進而更佳為2.40μm以上3.70μm以下。再者，上述「以220℃加熱2小時」表示將附載體銅箔貼合於絕緣基板而進行熱壓接之情形時之典型之加熱條件。
又，本發明之附載體銅箔較佳為將附載體銅箔以220℃加熱 2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差被控制為1.30μm以下。若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差超過1.30μm，則有產生雷射孔徑之不均增大(即標準偏差增大)或蝕刻因數之不均增大(即標準偏差增大)之問題之虞。又，該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz之標準偏差更佳為0.01μm以上1.20μm以下，再更佳為0.05μm以上1.10μm以下，尤佳為0.10μm以上1.00μm以下。
本發明之附載體銅箔於另一態樣中，於將附載體銅箔以 220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)被控制為0.14μm以上0.35μm以下。將附載體銅箔貼合於絕緣基板，熱壓接後剝離載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案而形成電路。 以上述方式使基板成為多層構造而製作印刷配線板。此處，為了使此種印刷配線板之積體電路密度上升，而形成雷射孔，並通過該孔使內層與外層連接。此時，若難以於極薄銅層開出雷射孔，則當然成為問題，雷射孔過大或過小均會引起各種問題，因此必須形成為適度之大小。如此，關於極薄銅層之雷射開孔性，由於與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此 係對積體電路之設計及生產性造成較大影響之重要特性。本發明中，發現該極薄銅層之雷射開孔性藉由如下操作而變良好，即，將附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離上述極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Ra被控制為0.14μm以上0.35μm以下。若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra未達0.14μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度不足而開孔加工時之雷射吸收性變差，變得難以開孔，即便開了孔亦成為較小之孔。又，若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra超過0.35μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度過大而開孔加工時之雷射吸收性變得過剩，孔變得過大。該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra較佳為0.16μm以上0.32μm以下，更佳為0.18μm以上0.32μm以下，進而更佳為0.20μm以上0.32μm以下。又，該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra較佳為0.14μm以上0.30μm以下。再者，上述「以220℃加熱2小時」表示將附載體銅箔貼合於絕緣基板進行熱壓接之情形時之典型加熱條件。
又，本發明之附載體銅箔較佳為將上述附載體銅箔以220℃ 加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離上述極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差被控制為0.11μm以下。若該利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差超過0.11μm，則有產生雷射孔徑之不均增大(即標準偏差增大)或蝕刻因數之不均增大(即標準偏差增大)之問題之虞。 又，該利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Ra之標準偏差較佳為0.001μm以上0.10μm以下，更佳為0.003μm以上0.09μm以下，再更佳為0.005μm以上0.08μm以下，尤佳為0.005μm以上0.06μm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，將附載體銅箔以 220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz(十點平均粗糙度)被控制為0.62μm以上1.59μm以下。將附載體銅箔貼合於絕緣基板，熱壓接後剝離載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案而形成電路。 以上述方式使基板成為多層構造而製作印刷配線板。此處，為了使此種印刷配線板之積體電路密度上升，而形成雷射孔，並通過該孔使內層與外層連接。此時，若難以於極薄銅層開出雷射孔，則當然成為問題，雷射孔過大或過小均會引起各種問題，因此必須形成為適度之大小。如此，關於極薄銅層之雷射開孔性，由於與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此係對積體電路之設計及生產性造成較大影響之重要特性。本發明中，發現該極薄銅層之雷射開孔性藉由如下操作而變良好，即，將附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離上述極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Rz被控制為0.62μm以上1.59μm以下。若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz未達0.62μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度不足而開孔加工時之雷射吸收性變差，變得難以開孔，即便開了孔亦成為較小之孔。又，若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz超過1.59μm，則產生如下問題：極薄銅層表面之粗糙度過大而開孔加工時之雷射之吸收性變得過剩，孔變得過大。該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz較佳為0.70μm以上1.52μm以下，更佳為0.80μm以上1.50μm以下，進而更佳為0.90μm以上1.40μm以下。又，該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz更佳為1.10μm以上1.50μm以下。再者，上述「以220℃加熱2小時」表示將附載體銅箔貼合於絕緣基板進行熱壓接之情形時之典型加熱條件。
又，本發明之附載體銅箔中，將附載體銅箔以220℃加熱2 小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之上述極薄銅層於上述中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差被控制為0.51μm以下。 若該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差超過0.51μm，則產生雷射孔徑之不均增大(即標準偏差增大)或蝕刻因數之不均增大(即標準偏差增大)之問題。又，該利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差較佳為0.01μm以上0.48μm以下，更佳為0.04μm以上0.40μm以下，再更佳為0.04μm以上0.35μm以下，尤佳為0.05μm以上0.20μm以下。
又，本發明之附載體銅箔較佳為將附載體銅箔以220℃加熱 2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面高度分佈的峰度Sku(Kurtosis)被控制為0.50以上3.70以下。若Sku未達0.50，則有產生如下問題之虞：由於極薄銅層表面之凸部之形狀變平坦，因此開孔加工時之雷射吸收性變差，變得難以開孔，即便開了孔亦成為較小之孔。又，於Sku大於3.70之情形時，有產生如下問題之虞：極薄銅層表面之凹凸的凸部成為陡峭之形狀，雷射之能量被局部地吸收，相對於雷射之照射徑，實際之孔之大小變大。本發明之附載體銅箔更佳為將附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側之表面高度分佈的峰度Sku被控制為1.00以上3.60以下，再更佳為控制為1.50以上3.30以下，進而再更佳為控制為1.50以上3.20以下，再進而更佳為控制為1.50以上3.10以下，尤佳為控制為1.50以上3.00以下。
<載體>
本發明中可使用之載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕 緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCD膜之形態提供。
本發明中可使用之載體典型地以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係於鈦或不鏽鋼之滾筒上由硫酸銅鍍浴電解析出銅而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度之銅以外，例如亦可使用摻Sn銅、摻Ag銅、及如添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之銅合金。再者，於本說明書中，於單獨使用術語「銅箔」時，亦包括銅合金箔。
對本發明中可使用之載體之厚度亦並無特別限制，只要於發 揮作為載體之作用之基礎上適當調節為適合之厚度即可，例如可設為5μm以上。其中，若過厚則生產成本增高，因此通常較佳為設為35μm以下。 因此，載體之厚度典型為8~70μm，更典型為12~70μm，再更典型為18~35μm。又，就降低原料成本之觀點而言，較佳為載體之厚度薄。因此，載體之厚度典型為5μm以上35μm以下，較佳為5μm以上18μm以下，更佳為5μm以上12μm以下，再更佳為5μm以上11μm以下，尤佳為5μm以上10μm以下。再者，於載體之厚度較薄之情形時，於載體之通箔時容易產生折痕。為了防止產生折痕，有效的是例如使附載體銅箔製造裝置之搬送輥變平滑，或縮短搬送輥與下一搬送輥之距離。
本發明之上述利用雷射顯微鏡測量之極薄銅層於中間層側 的表面粗糙度Sz、Ra、Rz及該等之標準偏差、及Sku可藉由調整載體之極薄銅層側表面形態而加以控制。以下，對本發明之載體之製作方法進行說明。
將使用電解銅箔作為載體時之製造條件之一例示於以下。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下之化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz、Ra、Rz及該等之標準偏差、及Sku係藉由調整載體之極薄銅層側表面形態而加以控制。作為該載體之極薄銅層側表面形態之調整，可列舉以下(1)~(3)之調整法。再者，如表2所述，載體之極薄銅層側表面之形態與載體側極薄銅層表面 之形態成為接近之形態。因此，藉由調整載體之極薄銅層側表面之形態，可獲得具有所需之載體側極薄銅層表面之形態之附載體極薄銅箔。
(1)對低粗度及高光澤之載體進行軟蝕刻處理或逆電解處理。
具體而言，對表面粗糙度Rz為0.2μm~0.6μm、或表面粗糙度Ra為0.2μm~0.6μm、或表面粗糙度Sz為0.2μm~0.6μm且60度鏡面光澤度為500%以上之載體進行軟蝕刻處理(例如藉由硫酸5~15vol%、過氧化氫0.5~5.0wt%之水溶液，於10~30℃進行0.5~10分鐘之蝕刻處理)或逆電解處理(對光澤面進行電解研磨而形成凹凸之處理)。
再者，上述「逆電解研磨」為電解研磨。一般電解研磨係以平滑化為目的，因此通常之見解為若對電解銅箔實施電解研磨，則與光澤面為相反側之表面(粗面)成為對象。然而，此處，由於對光澤面進行電解研磨而形成凹凸，因此成為與通常相反之見解之電解研磨處理、即逆電解研磨處理。再者，因逆電解處理產生之銅之溶解量係設為2~20g/m2。又，逆電解研磨處理之電流密度係設為0.5~50A/dm2。
(2)藉由利用經噴砂處理之壓延輥之壓延而製造載體。
具體而言，準備壓延銅箔作為載體，對該壓延銅箔使用藉由噴砂將表面粗化之壓延輥進行最後加工之冷壓延。此時，可設為壓延輥粗糙度Ra=0.39~0.42μm、油膜當量29000~40000。
此處，油膜當量係以如下之式表示。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之咬入角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為於40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為29000~40000，只要利用使用高黏度之壓延油或加快通板速度等公知之方法即可。
(3)藉由規定之電解條件製造載體。
具體而言，使用硫酸銅電解液(銅濃度：80~120g/L，硫酸濃度70~90g/L)，並使用高濃度明膠(明膠濃度：3~10質量ppm)作為添加劑，於高電流密度(75~110A/dm2)且高線流速(3.7~5.0m/sec)條件下製作電解銅箔之載體。
<中間層>
於載體之單面或雙面上設置中間層。載體與中間層之間亦可設置其他層。關於本發明中使用之中間層，只要為如下構成，則並無特別限定，即，於附載體銅箔向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後可自載體剝離極薄銅層的構成。例如，本發明之附載體銅箔之中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、及有機物組成之群中一種或二種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，並於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素之水合物或氧化物構成的層。
於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍鎳層等防銹層。再者，認為於藉由鉻酸鹽處理或鋅鉻酸鹽處理或鍍敷處理設置中間層之情形時，存在鉻或鋅等附著之金屬之一部分成為水合物或氧化物之情況。
又，例如，中間層可於載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金及鉻而構成。由於鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄 銅層時，於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之阻隔效果。中間層中之鎳附著量較佳為100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，再更佳為100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，尤佳為100μg/dm2以上未達1000μg/dm2，中間層中之鉻附著量較佳為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍鎳層等防銹層。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。中間層與極薄銅層之間亦可設置其他層。 極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，就可用於通常之電解銅箔並以高電流密度形成銅箔而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型為0.5~12μm，更典型為1~5μm，再更典型為1.5~5μm，進而再典型為2~5μm。再者，亦可於載體之雙面設置極薄銅層。
<粗化處理及其他表面處理>
於極薄銅層之表面，亦可例如為了使與絕緣基板之密接性變良好等，而藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層等。又，亦可於藉由銅或銅合金形成粗化粒子後，進而進行藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。然後，可藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而可對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者亦可不進行粗化處理，而藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處 理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層亦可分別以複數層形成(例如2層以上、3層以上等)。
例如，作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電解鍍 敷，以形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳之3元系合金層的方式實施。若Co附著量未達100μg/dm2，則存在耐熱性惡化，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2，則存在如下情況，即，於必須考慮磁性之影響之情形時欠佳，產生蝕刻污漬，又，耐酸性及耐化學品性惡化。若Ni附著量未達100μg/dm2，則存在耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則存在蝕刻殘留增多之情況。較佳之Co附著量為1000~2500μg/dm2，較佳之鎳附著量為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻污漬，係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留，並且，所謂蝕刻殘留，係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之通常之鍍浴及鍍敷條件之一例如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
以上述方式製造具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為本領 域業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板上，熱壓接後剝離載體而製成覆銅積層板，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，最終製造印刷配線板。
又，具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上 之極薄銅層的附載體銅箔可於上述極薄銅層上具備粗化處理層，亦可於上述粗化處理層上具備一層以上之選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層構成之群中之層。
又，可於上述極薄銅層上具備粗化處理層，可於上述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可於上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
又，上述附載體銅箔亦可於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階 段)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即便以手指接觸其表面亦無黏著感，並可將該絕緣樹脂層重疊而保管，若進而受到加熱處理則產生硬化反應之狀態。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。 又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉包含環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯縮醛樹脂、胺酯樹脂等之樹脂。
上述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用含有無機化合物及/或有機化合物之介電體、含 有金屬氧化物之介電體等任何介電體)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如亦可使用國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
使該等樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中 而製成樹脂液，藉由例如輥塗法等將其塗佈於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽皮膜層、或上述矽烷偶合劑層上，繼而視需要進行加熱乾燥將溶劑去除而設為B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾 燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。
具備上述樹脂層之附載體銅箔(附有樹脂之附載體銅箔)係 以如下態樣使用，即，於使其樹脂層與基材重疊後，將整體熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而使極薄銅層露出(當然露出部分係該極薄銅層於中間層側之表面)，於其上形成規定之配線圖案。
若使用該附有樹脂之附載體銅箔，則可減少多層印刷配線基板之製造時之預浸材料之使用片數。並且，可將樹脂層之厚度設為如可確保層間絕緣之厚度，或即便完全未使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可於基材之表面底塗絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸材料之情形時，可節約預浸材料之材料成本，又積層步驟亦得以簡化，因此於經濟方面變得有利，並且存在如下優點：僅以預浸材料之厚度程度製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~80μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則接著力下降，於不介隔預浸材料而將該附有樹脂之附載體銅箔積層於具備內層材料之基材時，存在難以確保與內層材料之電路間之層間絕緣之情況。
另一方面，若使樹脂層之厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗佈步驟而形成目標厚度之樹脂層，花費額外之材料費與步驟數，因此於經濟方面變得不利。進而，形成之樹脂層由於其可撓性較差，因此存在如下情況：操作時易於產生龜裂等，又與內層材料之熱壓接時產生過剩之樹脂流動而難以順利地進行積層。
進而，作為該附有樹脂之附載體銅箔之另一製品形態，亦可於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層上藉由樹脂層進行被覆，使之成為半硬化狀態後，繼而 剝離載體，以不存在載體之附樹脂銅箔之形態來製造。
進而，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，而完成印刷電路 板。於本發明中，「印刷配線板」亦包括如此搭載有電子零件類之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
又，可使用該印刷配線板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類之印刷基板製作電子機器。以下，表示若干使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板的製造步驟之例。
於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，含有如 下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一方法而形成電路。絕緣基板亦可設為具有內層電路者。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層 上進行較薄之非電解鍍敷，於形成圖案後，使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案之方法。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂設置穿孔(through hole)或/及盲孔(blind via)； 對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷阻劑去除；於去除上述鍍敷阻劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一 實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層及上述絕緣樹脂基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；對藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷阻劑去除；於去除上述鍍敷阻劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一 實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層及上述絕緣樹脂基板設置穿孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷阻劑去除；於去除上述鍍敷阻劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一 實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；對藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層； 於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷阻劑去除；於去除上述鍍敷阻劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。
於本發明中，所謂改良半加成法，係指如下方法：於絕緣層 上積層金屬箔，藉由鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷增加電路形成部之銅厚後，去除抗蝕劑，藉由(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路。
因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方 法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；於設置上述鍍敷阻劑後，藉由電解鍍敷形成電路；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻將因去除上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層去除。
於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的 另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體； 於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷阻劑去除；於去除上述鍍敷阻劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。
於本發明中，所謂部分加成法，係指如下方法：於設置導體 層而成之基板(視需要開出穿孔或通孔用之孔而成之基板)上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，並視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，於上述導體電路上，藉由無電解鍍敷處理對穿孔或通孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法 的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述觸媒核，而形成電路；將上述蝕刻阻劑去除；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑或鍍敷阻劑； 於未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑之區域設置無電解鍍敷層。
於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之不需要部分，而形成導體圖案之方法。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層去除而形成電路；將上述蝕刻阻劑去除。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層； 於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層去除而形成電路；將上述蝕刻阻劑去除。
亦可不進行設置穿孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，使用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖2-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
繼而，如圖2-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻為規定之形狀。
繼而，如圖2-C所示，於形成電路用之鍍層後，將抗蝕劑去除，藉此形成規定之形狀之電路鍍敷。
繼而，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而自極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第2層)。
繼而，如圖3-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖3-F所示，於樹脂層之規定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷露出而形成盲孔。
繼而，如圖4-G所示，於盲孔中埋入銅而形成通孔填充物(via fill)。
繼而，如圖4-H所示，於通孔填充物上，如上述圖2-B及圖2-C般形成電路鍍敷。
繼而，如圖4-I所示，自第1層附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將兩表面之極薄銅層去除，而使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。
繼而，如圖5-K所示，於樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以上述方式製作使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅 箔，亦可使用習知之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，於圖4-H所示之第2層之電路上，可進而形成1層或複數層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法進行該等電路形成。
藉由如上所述之印刷配線板之製造方法，由於成為將電路鍍 敷埋入樹脂層中之構成，因此於例如圖5-J所示之利用快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍敷經樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此容易形成微細電路。又，由於電路鍍敷經樹脂層保護，因此耐遷移性提高，而良好地抑制電路之配線之導通。因此，容易形成微細電路。又，於如圖5-J及圖5-K所示般藉由快速蝕刻將極薄銅層去除時，電路鍍敷之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，因此於該電路鍍層上容易形成凸塊，進而於其上容易形成銅柱，而提高製造效率。
再者，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如 可使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂之玻璃布之預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂(resin)可使用本說明書中記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
又，上述第一層中使用之附載體銅箔可於該附載體銅箔之表 面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層中使用之附載體銅箔受到支撐，不易形成褶皺，因此具有生產性提高之優點。再者，上述基板或樹脂層只要具有支撐上述第一層中使用之附載體銅箔之效果，則可使用所有基板或樹脂層。例如，作為上述基板或樹脂層，可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例之任何限定。
(實施例1~9、11、12、比較例1~5)
於電解槽中配置鈦製旋轉筒，並於筒之周圍隔開極間距離而配置電極。繼而，於電解槽中以表1中記載之載體箔製造條件進行電解，使銅析出於旋轉筒之表面，剝取析出於旋轉筒之表面之銅，連續地製造厚度18μm之電解銅箔，將其設為銅箔載體。再者，關於實施例1、2、6、8、9及12，表面處理後之銅箔載體之厚度分別為12μm、5μm、70μm、12μm、35μm、35μm。又，關於比較例3，設為厚度12μm之銅箔載體。關於實施例1、2、6、8、9及12，於表1中記載之條件對銅箔載體進行表面處理。再者，電解時間設為0.5~2分鐘，電解液溫度設為40~60℃。
此處，對實施例2及8之表面處理進行說明。實施例2及8中，於形成之電解銅箔之析出面(亦稱為無光澤面或M面)側配置陰極，將銅箔作為陽極，實施直流之電解處理，藉此對銅箔之無光澤面進行逆電解研磨處理，實施例2中使銅溶解3~8g/m2，實施例8中使銅溶解8~15g/m2。再者，關於逆電解研磨處理之電流密度，實施例2中係設為5~15A/dm2，實施例8中係設為16~25A/dm2。銅箔寬度方向之60度鏡面光澤度為13~ 40，銅箔長度方向之60度鏡面光澤度為20~94。再者，60度鏡面光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy Gloss Meter PG-1，以入射角60度進行測量。
繼而，以如下之條件形成中間層。
以如下條件於輥對輥(roll to roll)型之連續鍍敷線上進行電鍍，藉此形成附著量4000μg/dm2之Ni層。
‧Ni層
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
水洗及酸洗後，接著於輥對輥型之連續鍍敷線上，以如下條件進行電解鉻酸鹽處理，藉此使附著量11μg/dm2之Cr層附著於Ni層上。
‧電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫倫量：0.5~30As/dm2
於形成中間層後，以如下條件於中間層上進行電鍍，藉此形成厚度1~10μm之極薄銅層，而製成附載體銅箔。
‧極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
再者，實施例2、3中，於極薄銅層上進而設置粗化處理層、耐熱處理層、鉻酸鹽層、矽烷偶合處理層。
‧粗化處理
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
‧耐熱處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
‧鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：10~150μg/dm2
‧矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
(實施例10)
準備壓延銅箔(精銅，JIS H3100 C1100)，對該壓延銅箔使用藉由噴砂將表面粗化之壓延輥進行最後加工之冷壓延。此時，設為壓延輥粗糙度Ra=0.39~0.42μm、油膜當量35000。藉此，獲得銅箔載體。
繼而，藉由以與實施例1同樣之方式於電解銅箔之表面(無光澤面)形成中間層及極薄銅層而製作附載體銅箔。
對於以上述方式獲得之實施例及比較例之附載體銅箔，藉由以下之方法實施各評價。
<極薄銅層之厚度>
製作之附載體銅箔之極薄銅層之厚度係使用FIB-SIM(Focused Ion Beam-Scanning Ion Microscope，聚焦離子束-掃描離子顯微鏡)進行觀察(倍率：10000~30000倍)。藉由觀察極薄銅層之剖面，以30μm間隔測量5處，並求出平均值。
<極薄銅層之表面粗糙度>
對附載體極薄銅層與基材(三菱瓦斯化學股份有限公司製造，GHPL-832NX-A)進行以220℃加熱2小時之積層加壓後，依據JIS C 6471(1995，再者，剝離銅箔之方法設為8.1銅箔之剝離強度8.1.1試驗方法之種類(1)方法A(相對於銅箔去除面於90°方向上剝離銅箔之方法))將銅箔載體剝離，而使極薄銅層露出。繼而，藉由以下之順序，測量極薄銅層之露出面之各種粗糙度。
(1)極薄銅層於中間層側之表面粗糙度
依據JIS B0601-1994，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)測量極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz(雷射)。任意測量10處Rz(雷射)，將該Rz(雷射)之10處之平均值設為Rz(雷射)之值。又，對Rz(雷射)算出10處之值之標準偏差。
又，依據JIS B0601-1994，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra(雷射)。任意測量10處Ra(雷射)，將該Ra(雷射)之10處之平均值設為Ra(雷射)之值。又，對Ra(雷射)算出10處之值之標準偏差。
又，依據ISO25178，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz(雷射)。任意測量10處Sz(雷射)， 將該Sz(雷射)之10處之平均值設為Sz(雷射)之值。又，對Sz(雷射)算出10處之值之標準偏差。
進而，依據ISO25178，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量極薄銅層於中間層側之表面之Sku。
(2)形成極薄銅層之側之載體之表面粗糙度
依據JIS B0601-1994，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)測量形成極薄銅層之側之載體之表面粗糙度Rz(雷射)。任意測量10處Rz(雷射)，將該Rz(雷射)之10處之平均值設為Rz(雷射)之值。又，對Rz(雷射)算出10處之值之標準偏差。
又，依據JIS B0601-1994，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量形成極薄銅層之側之載體之表面粗糙度Ra(雷射)。任意測量10處Ra(雷射)，將該Ra(雷射)之10處之平均值設為Ra(雷射)之值。又，算出10處之Ra(雷射)之值之標準偏差。
又，依據ISO25178，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量形成極薄銅層之側之載體之表面粗糙度Sz(雷射)。任意測量10處Sz(雷射)，將該Sz(雷射)之10處之平均值設為Sz(雷射)之值。又，對Sz(雷射)算出10處之值之標準偏差。
進而，依據ISO25178，利用奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡OLS4000測量形成極薄銅層之側之載體之表面之Sku。
再者，關於上述Rz、Ra，於極薄銅層及載體表面之觀察中，於評價長度(基準長度)257.9μm、截止值零之條件，於載體為壓延銅箔之情形時藉由與壓延方向垂直之方向(TD)之測量，或於載體為電解銅箔之情形時藉由與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之行進方向垂直之方向(TD)的測量分別求出值。又，關於上述Sz及Sku，於評價面積(基準面積)66524μm2、截止值零之條件對極薄銅層及載體表面進行測量，藉此分別求出值。利用 雷射顯微鏡之表面之Sz、Rz、Ra及Sku之測量環境溫度係設為23~25℃。再者，關於實施例1、2、6、8、9及12，測量表面處理後之銅箔載體之Sz、Ra、Rz及Sku。
<雷射開孔性>
繼而，於極薄銅層之未處理表面(極薄銅層於中間層側表面)，於下述條件下照射1發(one shot)雷射，利用顯微鏡觀察照射後之孔形狀，並實施測量。表中，作為開孔之「實際數量」，表示於12個位置嘗試開孔而實際上開出幾個(X)孔(X/12)，進而表示此時開出之孔之「比率」(%)。又，表中亦對此時產生之孔之平均徑、產生之孔之徑之標準偏差及平均徑/光束徑進行表示。再者，孔之徑係設為包圍孔之最小圓之直徑。
‧氣體種類：CO2
‧銅箔開口徑(目標)：80μm徑
‧光束形狀：頂帽(tophat)
‧輸出：2.40W/10μs
‧脈衝寬度：33μs
‧發數：1發
‧開孔數：12孔/區域
<蝕刻性>
將附載體銅箔貼附於聚醯亞胺基板，以220℃加熱壓接2小時，然後，將極薄銅層自載體剝離。繼而，於聚醯亞胺基板上之極薄銅層表面塗佈感光性抗蝕劑後，藉由曝光步驟印刷50條L/S=5μm/5μm寬之電路，於如下之噴霧蝕刻條件下進行去除銅層之不需要部分之蝕刻處理。
(噴霧蝕刻條件)
蝕刻液：氯化鐵水溶液(波美度(Baume scale)：40度)
液溫：60℃
噴霧壓：2.0MPa
繼續蝕刻，測量電路頂部寬度成為4μm為止之時間，進而評價此時之電路底部寬度(底邊X之長度)及蝕刻因數。關於蝕刻因數，於逐漸變寬地進行蝕刻之情形時(產生塌陷之情形時)，假定電路被垂直地蝕刻時的從自銅箔上表面之垂線與樹脂基板之交點開始之塌陷之長度距離設為a時，表示該a與銅箔之厚度b之比：b/a，該數值越大，意指傾斜角越大，越不殘留蝕刻殘渣，塌陷越小。圖1表示電路圖案之寬度方向之橫截面之示意圖、及使用該示意圖之蝕刻因數之計算方法之概略。該X係藉由自電路上方之SEM觀察而進行測量，並算出蝕刻因數(EF=b/a)。再者，以a=(X(μm)-4(μm))/2進行計算。蝕刻因數表示測量電路中之12點，取平均值而得者。藉此，可簡單地判定蝕刻性之優劣。又，藉由亦算出12點之蝕刻因數之標準偏差，可判定藉由蝕刻形成之電路之直線性之優劣。
於本發明中，將蝕刻因數為4以上評價為蝕刻性：○，將2.5以上且未達4評價為蝕刻性：△，將未達2.5或無法算出或無法形成電路評價為蝕刻性：×，將無法剝離評價為蝕刻性：-。又，可認為，蝕刻因數之標準偏差越小電路之直線性越良好。將蝕刻因數之標準偏差未達0.8判斷為直線性：○，將0.8~未達1.2判斷為直線性：△，將1.2以上判斷為直線性：×。
將試驗條件及試驗結果示於表1~3。
(評價結果)
實施例1~12中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz(雷射)均為1.40μm以上4.05μm以下，因此雷射開孔性及蝕刻性良好。
比較例1、5中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz(雷射)均未達1.40μm，因此雷射開孔性不良。
比較例2~4中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Sz(雷射)均超過4.05μm，因此蝕刻性不良。
又，實施例1~12中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra(雷射)均為0.14μm以上0.35μm以下，因此雷射開孔性及蝕刻性良好。
比較例1、5中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra(雷射)均未達0.14μm，因此雷射開孔性不良。
比較例2~4中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Ra(雷射)均超過0.35μm，因此蝕刻性不良。
又，實施例1~12中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz(雷射)均為0.62μm以上1.59μm以下，且表面粗糙度Rz(雷射)之標準偏差均為0.51μm以下，因此雷射開孔性及蝕刻性良好。
比較例1、5中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz(雷射)均未達0.62μm，因此雷射開孔性不良。
比較例2~4中，極薄銅層於中間層側之表面粗糙度Rz(雷射)均超過1.59μm，因此蝕刻性不良。

Claims (32)

  1. 一種附載體銅箔，依序具備有載體、中間層、及極薄銅層，將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz為1.40μm以上4.05μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差為1.30μm以下。
  3. 如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz的標準偏差為0.01μm以上1.20μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Sz為1.60μm以上3.70μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra為0.14μm以上0.35μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.11μm以下。
  7. 如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.001μm以上0.10μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1或5項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz為0.62μm以上1.59μm以下，且表面粗糙度Rz之標準偏差為0.51μm以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差為0.01μm以上0.48μm以下。
  10. 一種附載體銅箔，係依序具備有載體、中間層、及極薄銅層，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra為0.14μm以上0.35μm以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.11μm以下。
  12. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Ra的標準偏差為0.001μm以上0.10μm以下。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之附載體銅箔，其中，於將該 附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz為0.62μm以上1.59μm以下，且表面粗糙度Rz之標準偏差為0.51μm以下。
  14. 如申請專利範圍第13項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差為0.01μm以上0.48μm以下。
  15. 一種附載體銅箔，依序具備有載體、中間層、及極薄銅層，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz為0.62μm以上1.59μm以下，且表面粗糙度Rz之標準偏差為0.51μm以下。
  16. 如申請專利範圍第15項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面粗糙度Rz的標準偏差為0.01μm以上0.48μm以下。
  17. 如申請專利範圍第1至3、5至7、10至12、15及16項中任一項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面高度分佈的峰度Sku為0.50以上3.70以下。
  18. 如申請專利範圍第17項之附載體銅箔，其中，於將該附載體銅箔以220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時，利用雷射顯微鏡測量之該極薄銅層於該中間層側之表面高度分佈的峰度Sku為1.00以上3.60以下。
  19. 如申請專利範圍第1至3、5至7、10至12、15及16項中任一項之附載體銅箔，其中，該載體之厚度為5~70μm。
  20. 如申請專利範圍第1至3、5至7、10至12、15及16項中任一項之附載體銅箔，其中，於該極薄銅層表面具有粗化處理層。
  21. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，該粗化處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層。
  22. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，於該粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。
  23. 如申請專利範圍第1至3、5至7、10至12、15及16項中任一項之附載體銅箔，其中，於該極薄銅層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。
  24. 如申請專利範圍第1至3、5至7、10至12、15及16項中任一項之附載體銅箔，其中，於該極薄銅層上，具備樹脂層。
  25. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，於該粗化處理層上，具備樹脂層。
  26. 如申請專利範圍第22項之附載體銅箔，其中，於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。
  27. 如申請專利範圍第23項之附載體銅箔，其中，於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。
  28. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第1至27項中任一項之附載體銅箔製造。
  29. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第1至27項中任一項之附載體銅箔製造。
  30. 一種電子機器，係使用申請專利範圍第28項之印刷配線板製造。
  31. 一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：準備申請專利範圍第1至27項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將該附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離該附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。
  32. 一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：於申請專利範圍第1至27項中任一項之附載體銅箔之該極薄銅層側表面形成電路；以埋沒該電路之方式於該附載體銅箔之該極薄銅層側表面形成樹脂層；於該樹脂層上形成電路；於該樹脂層上形成電路後，將該載體剝離；及將該載體剝離後，去除該極薄銅層，藉此使形成於該極薄銅層側表面且埋沒於該樹脂層之電路露出。
TW103111942A 2013-03-29 2014-03-31 Manufacturing method of supporting copper foil, printed wiring board, copper clad sheet, electronic machine and printed wiring board TWI526299B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013075198 2013-03-29
JP2013075201 2013-03-29
JP2013075188 2013-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201446488A true TW201446488A (zh) 2014-12-16
TWI526299B TWI526299B (zh) 2016-03-21

Family

ID=51624683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103111942A TWI526299B (zh) 2013-03-29 2014-03-31 Manufacturing method of supporting copper foil, printed wiring board, copper clad sheet, electronic machine and printed wiring board

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR101803165B1 (zh)
CN (1) CN105142897B (zh)
TW (1) TWI526299B (zh)
WO (1) WO2014157728A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106358377A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 Ｊｘ金属株式会社 附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
TWI624197B (zh) * 2015-08-06 2018-05-11 Jx Nippon Mining & Metals Corp 附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
TWI624375B (zh) * 2015-08-06 2018-05-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier copper foil, laminated body, manufacturing method of printed wiring board, and manufacturing method of electronic device
US10251283B2 (en) 2015-08-06 2019-04-02 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device
TWI659826B (zh) * 2015-01-29 2019-05-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、及關於其之製品
US10332756B2 (en) 2015-07-27 2019-06-25 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for manufacturing printed-wiring board and method for manufacturing electronic device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6403969B2 (ja) * 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP6867102B2 (ja) * 2014-10-22 2021-04-28 Ｊｘ金属株式会社 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
KR101852671B1 (ko) * 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
US10772219B2 (en) * 2015-12-25 2020-09-08 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board
WO2017179416A1 (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI817166B (zh) * 2021-07-23 2023-10-01 先豐通訊股份有限公司 電路板及其製作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818401B2 (ja) * 1989-05-17 1996-02-28 福田金属箔粉工業株式会社 複合箔とその製法
JP2000269637A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Furukawa Circuit Foil Kk 高密度超微細配線板用銅箔
JP2003027162A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 Nippon Mining & Metals Co Ltd 積層板用銅合金箔
JP4612978B2 (ja) * 2001-09-20 2011-01-12 日本電解株式会社 複合銅箔及びその製造方法
TW584596B (en) * 2001-12-10 2004-04-21 Mitsui Chemicals Inc Method for manufacturing a polyimide and metal compound sheet
JP2009004423A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Hitachi Cable Ltd キャリア箔付き銅箔
US20100215982A1 (en) * 2007-10-18 2010-08-26 Nippon Mining And Metals Co., Ltd. Metal Covered Polyimide Composite, Process for Producing the Composite, and Apparatus for Producing the Composite
KR102104161B1 (ko) * 2009-03-27 2020-04-23 제이엑스금속주식회사 프린트 배선판용 동박 및 그 제조 방법
JP6219034B2 (ja) * 2010-10-06 2017-10-25 古河電気工業株式会社 銅箔及びその製造方法、キャリア付き銅箔及びその製造方法、プリント配線板、多層プリント配線板

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI659826B (zh) * 2015-01-29 2019-05-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、及關於其之製品
CN106358377A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 Ｊｘ金属株式会社 附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
US10349531B2 (en) 2015-07-16 2019-07-09 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, laminate producing method, printed wiring board producing method, and electronic device producing method
CN106358377B (zh) * 2015-07-16 2019-09-13 Ｊｘ金属株式会社 附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
US10332756B2 (en) 2015-07-27 2019-06-25 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for manufacturing printed-wiring board and method for manufacturing electronic device
TWI624197B (zh) * 2015-08-06 2018-05-11 Jx Nippon Mining & Metals Corp 附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
TWI624375B (zh) * 2015-08-06 2018-05-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier copper foil, laminated body, manufacturing method of printed wiring board, and manufacturing method of electronic device
US10251283B2 (en) 2015-08-06 2019-04-02 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device
US10299385B2 (en) 2015-08-06 2019-05-21 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device
US10356898B2 (en) 2015-08-06 2019-07-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN105142897B (zh) 2018-09-28
KR101803165B1 (ko) 2017-11-29
TWI526299B (zh) 2016-03-21
KR20150135523A (ko) 2015-12-02
CN105142897A (zh) 2015-12-09
WO2014157728A1 (ja) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI526299B (zh) Manufacturing method of supporting copper foil, printed wiring board, copper clad sheet, electronic machine and printed wiring board
TWI672085B (zh) 表面處理銅箔、附有樹脂層之表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
JP6403969B2 (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
TWI601457B (zh) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, base material, resin base material, printed wiring board, copper-clad laminated board, and the manufacturing method of a printed wiring board
TWI527687B (zh) Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board
TWI638590B (zh) Carrier copper foil, laminated body, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method
TWI613940B (zh) 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法
TWI623422B (zh) Carrier copper foil, laminated body, method for producing laminated body, method for producing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device
WO2014196576A1 (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、樹脂層、キャリア付銅箔の製造方法、及びプリント配線板の製造方法
TWI577256B (zh) 表面處理銅箔、附載體銅箔、基材、樹脂基材、印刷配線板、覆銅積層板及印刷配線板之製造方法
TWI509115B (zh) High-frequency circuit copper foil, high-frequency circuit with copper laminated board, high-frequency circuit printed wiring board, high-frequency circuit with a carrier copper foil, electronic equipment, and printed wiring board manufacturing methods
TWI641294B (zh) Carrier copper foil, printed wiring board, laminated body, electronic device, and printed wiring board manufacturing method
TW201446495A (zh) 附載體銅箔、使用其之覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
TWI590720B (zh) Copper foil, carrier-attached copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, circuit board for semiconductor package, semiconductor package, electronic apparatus, resin substrate, circuit formation method, semiaddition method, printed wiring board Manufacturing method
JP6546836B2 (ja) キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP2014208484A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP2016194112A (ja) キャリア付金属箔、積層体、プリント配線板、電子機器、キャリア付金属箔の製造方法及びプリント配線板の製造方法
JP2014208481A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP2014208909A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP6425399B2 (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP2014208485A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
TWI631008B (zh) Metal foil with carrier, method for producing printed wiring board, method for producing electronic device, and method for producing metal foil with carrier
JP6842232B2 (ja) キャリア付金属箔、積層体、プリント配線板、電子機器、キャリア付金属箔の製造方法及びプリント配線板の製造方法
JP2014210427A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP2014208482A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法