JP6842232B2 - キャリア付金属箔、積層体、プリント配線板、電子機器、キャリア付金属箔の製造方法及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に用いることのできるキャリアは一般的には金属箔であり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、チタン箔及びチタン合金箔、樹脂フィルム、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCDフィルム等の形態で提供される。
本発明に用いることのできる金属箔は原料コストの観点から銅系材料、好ましくは銅材が好ましい。ここで、銅系材料とは銅を含む材料、例えば、銅を含む金属箔のことを意味する。また、銅系材料とは、好ましくは銅を50質量%以上含む金属箔、より好ましくは銅を60質量%以上含む金属箔、より好ましくは銅を70質量%以上含む金属箔、より好ましくは銅を80質量%以上含む金属箔、より好ましくは銅を90質量%以上含む金属箔である。また、銅材とは銅を主成分とする材料のことを意味する。そして、銅系材料または銅材等の材料は一般的に圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、キャリアの金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、後述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
キャリアの片面又は両面上には第一中間層を設ける。このように、キャリアは、金属層を有する面とは反対側の面に、更に第一中間層及び金属層をこの順で有してもよい。
本発明で用いる第一中間層は酸素を含む必要がある。第一中間層に酸素が含んでいると第一中間層でキャリア成分や金属層成分の拡散が抑制され、キャリア/金属層で容易に剥離できるキャリア付金属箔を提供することができる。
また、第一中間層は、クロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層であることが好ましい。また、前述のクロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層はクロメート処理層を含むことが好ましい。
また、第一中間層は、キャリア側から、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より1種又は2種以上の元素や合金または有機物を含む層とクロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層とをこの順で有することが好ましい。また、前述のクロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層はクロメート処理層を含むことが好ましい。
なお第一中間層はクロメート処理層を形成するのがより好ましい。クロムめっきは表面に緻密なクロム酸化物層を形成するため、電気めっきで金属箔を形成する際に電気抵抗が上昇し、ピンホールが発生しやすくなる恐れがある。クロメート処理層を形成した表面は、クロムめっきとくらべ緻密ではないクロム酸化物層が形成されるため、表面処理箔を電気めっきで形成する際の抵抗になり難く、ピンホールを減少させることができる。ここで、クロメート処理層として、亜鉛クロメート処理層を形成することにより、金属箔を電気めっきで形成する際の抵抗が、通常のクロメート処理層より低くなり、よりピンホールの発生を抑制することができる。なお、キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に第一中間層を設けることが好ましい。
また、第一中間層にCuを含んでいるとキャリア/金属層界面での剥離強度の調整がしやすくなるため好ましい。但し、CuはキャリアがCu系の場合、第一中間層が酸系溶液である場合浸漬した際、第一中間層を設ける側の面とは逆側の面のCuが溶解する。そのためCu濃度の管理は非常に重要である。
また、第一中間層は更に亜鉛を含んでいることが好ましい。第一中間層に亜鉛を含んでいるとキャリア/金属層界面での剥離強度の調整がよりしやすくなる。なお亜鉛は第一中間層形成溶液に添加すると第一中間層の制御がしやすい。
第一中間層の上には金属層を設ける。なお、第一中間層と金属層との間には他の層を設けてもよい。金属層には各目的に合わせて元素から構成されることが好ましく、例えばCu系めっき層を用いてもよい。ここで、Cu系めっき層とは銅を含むめっき層のことである。Cu系めっき層は、銅を50質量%以上含むめっき層であることが好ましく、銅を60質量%以上含むめっき層であることが好ましく、銅を70質量%以上含むめっき層であることが好ましく、銅を80質量%以上含むめっき層であることが好ましく、銅を90質量%以上含むめっき層であることが好ましい。
本発明のキャリア付金属箔は、キャリアと第一中間層との間に第二中間層を有することが好ましい。この第二中間層により、キャリア成分や金属層成分の拡散がより抑制され、キャリア及び第一中間層の間でより容易に剥離できるキャリア付金属箔を提供することができる。
本発明のキャリア付金属箔は、第一中間層と金属層との間に第三中間層を有することが好ましい。この第三中間層により、キャリア成分や金属層成分の拡散がより抑制され、キャリアと第一中間層との間でより容易に剥離できるキャリア付金属箔を提供することができる。また、キャリア付金属箔を金属層側から樹脂に積層し、その後キャリア付金属箔から金属層を剥離した際、第三中間層は金属層のキャリア側表面に残存する。そのため、第三中間層にレーザーの吸収性が良好な元素を用いた場合、当該金属層のキャリア側表面からレーザーを用いて加工をする際に、レーザーの吸収性が向上し、レーザー加工性が向上するため好ましい。
Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlの1種又は2種以上の元素を含む第二中間層及び第三中間層は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、CVD及びPDVのような乾式めっきにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。なお、キャリアが樹脂フィルムの場合には、CVD及びPDVのような乾式めっきまたは無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっきにより第二中間層及び第三中間層を形成することができる。
本発明のキャリア付金属箔は、キャリア、第一中間層、金属層をこの順に有する。なお第二中間層をキャリア/第一中間層の間に、また第三中間層を第一中間層/金属層の間に有していても良い。キャリア付金属箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば金属層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した金属層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
第一中間層及び/または第二中間層を構成するCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlの合計付着量が1000〜50000μg/dm2であることが好ましい。1000μg/dm2未満であると第一中間層及び第二中間層の設ける効果が少なく、キャリア成分や金属層成分の拡散を抑制しにくく、適度な剥離強度を安定して得ることが難しくなる恐れがある。一方50000μg/dm2を超えると、これら元素による応力が大きくなりキャリアに反りが発生する恐れがある。第一中間層及び/又は第二中間層を構成するCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlの合計付着量は、より好ましくは5000〜30000μg/dm2である。
第一中間層がクロメート処理層の場合には、Crの合計付着量が10〜50μg/dm2であることが好ましい。10μg/dm2未満であるとクロメート処理層を設ける効果が少ない場合がある(剥離強度が大きく変わらない)。一方、50μg/dm2未満であるとクロメート処理層が厚く、金属層の密着性が悪い場合もある。
第三中間層を構成するCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlの合計付着量が50〜50000μg/dm2であることが好ましい。50μg/dm2未満であると第三中間層の設ける効果が少なくなる恐れがある。一方50000μg/dm2を超えると、これら元素による応力が大きくなりキャリアに反りが発生する恐れがある。第三中間層を構成するCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlの合計付着量は、より好ましくは250〜30000μg/dm2、更により好ましくは500〜25000μg/dm2である。
本発明のキャリア付金属箔は、キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AES(オージェ電子分光法:Auger Electron Spectroscopy)による深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの平均値が0.5nm以上15nm以下で、標準偏差/平均値が0.6以下である必要がある。当該平均値が0.5nm未満であると剥離強度が目標よりも高くなる。当該平均値が15nmを超える場合には金属層の密着性が悪くなり、また剥離強度が目標よりも低くなる等の問題が生じる。当該平均値は、好ましくは5nm以上10nm以下である。また、当該標準偏差/平均値が0.6を超えると剥離強度のバラつきが大きくなるという問題が生じる。
金属層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、金属層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
本発明のキャリア付金属箔の製造方法は、キャリア上に第一中間層を形成しその後金属層を形成する。キャリア/第一中間層の間に第二中間層を形成してもよい。また第一中間層/金属層の間に第三中間層を形成していてもよい。
本発明の第一中間層形成方法は、空気酸化、大気加熱、陽極酸化及びクロメート処理等を用いる。第一中間層の酸素濃度を制御するためには空気酸化の場合には時間、大気加熱の場合には温度と時間、陽極酸化の場合には液温、電流密度及び時間、クロメート処理の場合には液組成、液温、電流密度、時間等の条件を制御する。
本発明の第三中間層の形成方法は、第二中間層形成方法と同一である。
キャリア付金属箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば金属層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がして銅張積層板とし、絶縁基板に接着した金属層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
また、前記金属層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付金属箔は前記金属層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付金属箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記金属層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記金属層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した金属層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記金属層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した金属層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記金属層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
キャリアとして、厚さ35μmの長尺の電解銅箔(JX日鉱日石金属社製JTC)及び圧延銅箔(JX日鉱日石金属社製 タフピッチ銅箔 JIS H3100 合金番号C1100)、そして厚さ100μmの長尺の圧延銅材(JX日鉱日石金属社製 タフピッチ銅箔 JIS H3100 合金番号C1100)を用意し、表面に第一中間層及び金属層を形成した。なお、キャリアとして電解銅箔を用いた場合は、S面(光沢面)側に第1中間層を設けた。また一部のサンプルについては第二中間層及び第三中間層も設けた。また一部のサンプルについては、第二中間層、第一中間層及び第三中間層の順に設けた。また、一部のサンプルについては、第二中間層、第一中間層の順に設けた。なお第一中間層、金属層、第二中間層及び第三中間層はキャリアの片面に設けた。第一中間層、金属層、第二中間層及び第三中間層の形成は、表1、表5及び表9に記載の条件で行った。表1、5、9の「キャリア粗さRz[μm]」欄に第一中間層または第二中間層を設けた側のキャリアの表面の十点平均粗さRz(JIS B0601 1994)を記載した。電解銅箔のS面(光沢面)の粗さについては、電解銅箔製造装置の、銅を析出させる陰極ドラムの表面の粗さを調節することで制御した。陰極ドラムの表面の粗さを大きくすることで、電解銅箔のS面(光沢面)の粗さを粗くすることができる。また、陰極ドラムの表面の粗さを小さくすることで、電解銅箔のS面(光沢面)の粗さを大きくすることができる。また、圧延銅箔の表面粗さについては、圧延銅箔製造時に用いる圧延ロールの粗さを調整することで制御した。圧延ロールの表面の粗さを大きくすることで、圧延銅箔の表面の粗さを大きくすることができる。また、圧延ロールの表面の粗さを小さくすることで、圧延銅箔の表面の粗さを小さくすることができる。なお表記において「Ni」と表記されているのは純ニッケルめっきを行ったことを意味し、「純クロメート」と表記されているのは純クロメート処理を行ったことを意味し、「亜鉛クロメート」と表記されているのは亜鉛クロメート処理を行ったことを意味する。以下に、各処理条件を示す。なお、めっき液等の液組成の残部は水である。
(液組成)硫酸ニッケル:270〜280g/L、塩化ニッケル:35〜45g/L、酢酸ニッケル:10〜20g/L、ホウ酸:30〜40g/L、光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
(pH)2〜6
(液温)40〜60℃
(電流密度)1〜11A/dm2
各金属99mass%以上の組成のスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件にて各金属の層を形成した。
装置:株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力:DC50W
アルゴン圧力:0.2Pa
(液組成)重クロム酸カリウム:1〜10g/L、亜鉛:0g/L
(pH)2〜5
(液温)30〜60℃
上記純クロメート処理条件において、液中に硫酸亜鉛(ZnSO4)の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度:0.05〜5g/Lの範囲で調整して亜鉛クロメート処理を行った。
なおクロメート処理が電解の場合には電流密度0.1〜1.5A/dm2で処理をした。
NaOH濃度 0.5〜20g/L
液温:20〜50℃
電流密度:1〜10A/dm2
なお、第二中間層を設けた実施例、比較例については、キャリアに第二中間層を設けた後に、第二中間層の表面に対して上述の陽極酸化を行うことで、第二中間層上に第一中間層を形成した。
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
(液組成)硫酸コバルト:270〜280g/L、ホウ酸:30〜40g/L、光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
(pH)2〜6
(液温)40〜60℃
(電流密度)1〜11A/dm2
・粗化処理
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
温度:40〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
時間:1〜5秒
Cu付着量:15〜40mg/dm2
Co付着量:100〜3000μg/dm2
Ni付着量:100〜1000μg/dm2
・耐熱処理
Zn:0〜20g/L
Ni:0〜5g/L
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk:0〜1.7A/dm2
時間:1秒
Zn付着量:5〜250μg/dm2
Ni付着量:5〜300μg/dm2
・クロメート処理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH或いはKOH:10〜50g/L
ZnO或いはZnSO47H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:30〜60℃
電流密度:0.1〜1.5A/dm2
時間:0.5〜100秒
Cr付着量:
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1〜1.4wt%)
pH:4〜5
時間:5〜30秒
作製したキャリア付金属箔のCuめっき(表面処理層)の厚みは、重量法により測定した。
まず、キャリア付金属箔からCuめっき(表面処理層)を引き剥がし、引き剥がしたCuめっきを濃度20質量%の塩酸で溶解してICP発光分析した。そしてサンプルの大きさ(面積)とICP分析の結果かCuめっき(金属層)の厚みを算出した。
Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlはサンプルを濃度20質量%の塩酸で溶解してICP発光分析によって測定した。なお、サンプルの分析は、キャリアの第一中間層を形成している側の面(キャリアのS面)とは逆側の面(キャリアのM面)に若干付着する金属成分の付着量を排除するため、第一中間層を形成する面とは逆側の面に絶縁基板を積層し、大気中、圧力20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させた。その後、キャリア付金属箔から金属層側を剥離した後に、第一中間層、第二中間層が、それぞれ完全に溶解するように(例えば厚みで1μm〜3μm溶解する)、露出したキャリアの表面を上記濃度20質量%の塩酸で溶解して測定を行った。
なお、上述のCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlが濃度20質量%の塩酸で十分に溶解しない場合には、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlが溶解する液(王水、塩酸と硝酸の混合水溶液等)を用いて溶解した後にICP発光分析によって測定してもよい。
Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlはサンプルを濃度20質量%の塩酸で溶解してICP発光分析によって測定した。なお、サンプルの分析は、金属層の第三中間層が付着している側の面とは逆側の面に若干付着する金属成分の付着量を排除するため、キャリア付金属箔を金属層のキャリア側とは反対側の面側から絶縁基板を積層し、大気中、圧力20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させた。その後、キャリアを剥離した後に第三中間層が完全に溶解するように(例えば厚みで0.5μm〜3μm溶解する)、露出したキャリアの表面を上記濃度20質量%の塩酸で溶解して測定を行った。なお、上述のCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlが濃度20質量%の塩酸で十分に溶解しない場合には、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及びAlが溶解する液(王水、塩酸と硝酸の混合水溶液等)を用いて溶解した後にICP発光分析によって測定してもよい。
キャリア付金属箔からキャリアを90°剥離法(JIS C 6471)に準拠して剥離させて、露出したキャリアの第一中間層側表面及び露出した金属層の第一中間層側表面から、キャリア側の第1中間層表面及び金属層側の第1中間層表間から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について下記のAES測定装置を用いてAES分析を行った。
また、金属層に絶縁基板BT樹脂(トリアジン−ビスマレイミド系樹脂、三菱瓦斯化学株式会社製)を大気中、圧力20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させたキャリア付銅箔についても同様に測定した。
・装置:AES測定装置(日本電子株式会社製、型式JAMP−7800F)
・真空到達度:2.0×10-8Pa
・試料傾斜角:30度
・フィラメント電流:2.22A
・プローブ電圧:10kV
・プローブ電流:2.8×10-8A
・プローブ径:約500nm
・スパッタリングレート1.9nm/min(SiO2換算)
分析した元素は、キャリア、第一中間層、第二中間層、第三中間層、金属層構成元素とCu、Zn、C及びOであった。これら元素を指定元素とした。また、指定元素の合計を100at%として、各元素の濃度(at%)を分析した。深さ(nm)は、SiO2をスパッタリングの対象物とした際のスパッタリングレート1.9nm/min(SiO2換算)を用い、スパッタリングを行った時間(min)に基づいて以下の式から算出した。
測定している箇所の深さ(nm)=スパッタリングレート1.9nm/min(SiO2換算)×スパッタリングを行った時間(min)
そのため、深さ(nm)はSiO2をスパッタリングした場合における深さ(nm)(SiO2換算深さ(nm))を意味する。得られたデータについて、データ処理ソフト「Spectra investigator(Version1.08)」を使用して各元素の濃度(at%)を得た。
そして、各測定点において、前述の剥離して露出したキャリアの前記第一中間層側表面から、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での前述の剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さを測定した。そして、前述の10箇所について測定した、当該深さの算術平均値を、酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での剥離されたキャリアの第一中間層側表面からの深さの平均値とした。また、前述の10箇所について測定した深さの値に基づいて、酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での剥離されたキャリアの第一中間層側表面からの深さの標準偏差並びに、標準偏差/平均値の値を算出した。また、前述の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での深さの範囲におけるCu濃度の最大値の平均値を算出した。
キャリア付金属箔の表面処理箔側をBT樹脂(トリアジン−ビスマレイミド系樹脂、三菱瓦斯化学株式会社製)に、大気中、圧力:20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させて貼り付けた。続いて、ロードセルにてキャリア側を引っ張り、90°剥離法(JIS C 6471)に準拠して、長手方向に30mm間隔で10点および幅方向に30mm間隔で10点測定した。目標とする剥離強度は2〜30N/mである。
キャリア付金属箔をキャリア側からプリプレグに積層し、金属張積層板を製造した。そして、金属張積層板のキャリア付金属箔の極薄金属層の上に回路を形成し、回路を埋没させるように樹脂層を積層した。その後、樹脂層上に回路、樹脂層を2回設けた後に、キャリアから極薄金属層を剥離し、その後、極薄金属層をエッチングすることにより4層回路基板を作成した。当該4層回路基板を10回作成し、4層回路基板作成中にキャリアから金属層が8回以上剥離した場合には、金属層密着性を「×」とした。また、4〜7回剥離した場合には金属層密着性を「△」、剥離しなかった又は1〜3回剥離した場合には、金属密着性を「○」とした。
キャリア付銅箔と基材(三菱ガス化学(株)製:GHPL−832NX−A)に対して、220℃で2時間加熱の積層プレスを行った後、銅箔キャリアをJIS C 6471(1995、なお、銅箔を引き剥がす方法は、8.1 銅箔の引き剥がし強さ 8.1.1試験方法の種類(1)方法A(銅箔を銅箔除去面に対して90°方向に引き剥がす方法)とした。)に準拠して引き剥がし、極薄銅層の中間層側表面を露出させた。そして露出させたキャリア付銅箔の極薄銅層の中間層側表面に、レーザーを下記条件にて1ショットまたは2ショット照射し、照射後の穴形状を顕微鏡にて観察し、計測を実施した。表では、穴開けの「実数」として、100個の地点に穴開けを試みて実際に何個の穴が空けられなかったか(未開口穴数)を観察した。なお、穴の径は、穴を取り囲む最小円の直径とした。
・ガス種:CO2
・銅箔開口径(狙い):50μm径
・ビーム形状:トップハット
・出力:2.40W/10μs
・パルス幅:33μs
・ショット数:
1ショット(極薄銅層の厚みが0.8〜2μmの場合)
2ショット(極薄銅層の厚みが3〜5μmの場合)
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて220℃で2時間加熱圧着し、その後、極薄銅層を銅箔キャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により50本のL/S=5μm/5μm幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
(スプレーエッチング条件)
エッチング液:塩化第二鉄水溶液(ボーメ度:40度)
液温:60℃
スプレー圧:2.0MPa
エッチングを続け、回路トップ幅が4μmになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅(底辺Xの長さ)及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合(ダレが発生した場合)、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅箔の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図6に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このXは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクター(EF=b/a)を算出した。なお、a=(X(μm)−4(μm))/2で計算した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。本発明では、エッチングファクターが5以上をエッチング性:○、2.5以上5未満をエッチング性:△、2.5未満或いは算出不可をエッチング性:×と評価した。なお、表中「底辺Xの長さ」における「連結」は、少なくとも底辺部分において隣接する回路と連結してしまい、回路が形成できなかったことを示している。
反り量は、キャリア付金属箔を10cm角のシート状に切り出して極薄金属層側を上にして水平面上に24時間以上静置した後、シート4隅角部の水平面からの浮き上がり高さの最大値を測定した。シート四隅角部が浮き上がらず、下方向に反っている場合、極薄金属層側を下にして置いてシート四隅角部の浮き上がり高さの最大値を測定した。
反り量は20mm以下を良好として「○」とし、20mmを超える場合には不良として「×」とした。
以上の試験条件及び結果を表1〜12に示す。
実施例1〜60は、いずれもキャリアの第一中間層側表面のAES分析において、10箇所の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での剥離されたキャリアの第一中間層側表面からの深さの平均値が0.5nm以上15nm以下で、標準偏差/平均値が0.6以下であったため、金属層密着性及び剥離性が良好であった。
比較例1〜6、比較例8〜11は、いずれもキャリアの第一中間層側表面のAES分析において、10箇所の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での剥離されたキャリアの第一中間層側表面からの深さの平均値が0.5nm以上15nm以下の範囲外又は標準偏差/平均値が0.6以下の範囲外であったため、金属層密着性及び剥離性の少なくともいずれかが不良であった。
図5に、実施例15の一部サンプルのキャリアの第一中間層側表面の基板貼り合わせ前の深さ方向のAES分析結果を示す。
Claims (49)
- キャリア、酸素を含む第一中間層、金属層をこの順で有するキャリア付金属箔であって、
前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所の前記酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの平均値が0.5nm以上15nm以下で、標準偏差/平均値が0.6以下であるキャリア付金属箔。 - 前記第一中間層がクロメート処理層を含む請求項1に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所のCrが5at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの平均値が0.2nm以上10nm以下である請求項2に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所のCrが5at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの標準偏差/平均値が0.6以下である請求項2又は3に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層が更に銅を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層が更に亜鉛を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアの前記第一中間層側表面から、前記酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での深さの範囲におけるCu濃度の最大値の平均値が15at%以下である請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層が、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より選択される1種又は2種以上の元素を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層が含むCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より選択される1種又は2種以上の元素の合計付着量が1000〜50000μg/dm2である請求項8に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアと前記第一中間層との間に第二中間層を有する請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第二中間層が、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より選択される1種又は2種以上の元素を含む請求項10に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第二中間層が含むCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より選択される1種又は2種以上の元素の合計付着量が1000〜50000μg/dm2である請求項10又は11に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層と前記金属層との間に第三中間層を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第三中間層が、Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlからなる群より選択される1種又は2種以上の元素を含む請求項13に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層がクロメート処理層であり、且つ、Crの付着量が10〜50μg/dm2である請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔を前記金属層側から絶縁基板に大気中、圧力20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させ、前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの平均値が0.5nm以上15nm以下である請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔を前記金属層側から絶縁基板に大気中、圧力20kgf/cm2、220℃×2時間の条件下で熱圧着させ、前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させて、前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所の酸素が10at%以下となるまでのSiO2換算での前記剥離されたキャリアの前記第一中間層側表面からの深さの標準偏差/平均値が0.6以下である請求項1〜16のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させ、前記キャリアを剥離することにより露出した、前記キャリア付金属箔の前記金属層の第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所のCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlの合計濃度が5at%以下となるまでのSiO2換算での前記金属層表面からの深さの平均値が0.5nm以上300nm未満で、標準偏差/平均値が0.6以下である請求項1〜17のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリア付金属箔から前記キャリアをJIS C 6471に準拠して剥離させ、前記キャリアを剥離することにより露出した、前記キャリア付金属箔の前記金属層の第一中間層側表面から、幅方向(TD方向)に20mm間隔で5箇所および長手方向(MD方向)に20mm間隔で5箇所の合計10箇所について、AESによる深さ方向の分析を行ったとき、前記10箇所のCr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、ZnおよびAlの合計濃度が5at%以下となるまでのSiO2換算での前記金属層表面からの深さの標準偏差/平均値が0.6以下である請求項1〜18のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアがCu系材である請求項1〜19のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記金属層がCu系めっき層である請求項1〜20のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記第一中間層は、キャリア側から、ニッケル、コバルト、鉄、タングステン、モリブテン、バナジウム、又は、ニッケル、コバルト、鉄、タングステン、モリブテン及びバナジウムからなる群から選択される1種以上の元素を含む合金のいずれか1種の層と、クロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層とをこの順で有する請求項1〜21のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記クロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層がクロメート処理層を含む請求項22に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアは、前記金属層を有する面とは反対側の面に、更に第一中間層及び金属層をこの順で有する請求項1〜23のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアが電解銅箔または圧延銅箔で形成されている請求項1〜24のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記金属層表面及び前記キャリアの表面のいずれか一方または両方に粗化処理層を有する請求項1〜25のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である請求項26に記載のキャリア付金属箔。
- 前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項26又は27に記載のキャリア付金属箔。
- 前記金属層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記金属層上に樹脂層を備える請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項26又は27に記載のキャリア付金属箔。
- 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項28又は29に記載のキャリア付金属箔。
- 前記樹脂層が接着用樹脂である請求項30〜32のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である請求項30〜33のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いて製造した積層体。
- 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付金属箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。
- 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いて製造したプリント配線板。
- 請求項37に記載のプリント配線板を用いて製造した電子機器。
- 一つの請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を前記キャリア側から、もう一つの請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔のキャリア側に積層した積層体。
- 前記一つのキャリア付金属箔のキャリアと前記もう一つのキャリア付金属箔のキャリアとが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて構成されている請求項39に記載の積層体。
- 前記一つのキャリア付金属箔のキャリアと前記もう一つのキャリア付金属箔のキャリアとが接合されている請求項39又は40に記載の積層体。
- 請求項39〜41のいずれか一項に記載の積層体の表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付金属箔から前記金属層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 前記キャリア上に、ニッケルを含むめっき層を形成した後、クロムを含むめっき層またはクロメート処理層を形成することで前記第一中間層を形成する工程と、前記第一中間層上に電解めっきにより前記金属層を形成する工程とを含む請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の製造方法。
- 前記金属層上に粗化処理層を形成する工程をさらに含む請求項43に記載のキャリア付金属箔の製造方法。
- 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の前記金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記金属層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記金属層を剥離させた後に、前記金属層または前記キャリアを除去することで、前記金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記金属層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記金属層を剥離させた後に、前記金属層または前記キャリアを除去することで、前記金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の前記金属層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付金属箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記金属層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付金属箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の金属層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付金属箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
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