TWI527687B - Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board - Google Patents

Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
TWI527687B
TWI527687B TW103120685A TW103120685A TWI527687B TW I527687 B TWI527687 B TW I527687B TW 103120685 A TW103120685 A TW 103120685A TW 103120685 A TW103120685 A TW 103120685A TW I527687 B TWI527687 B TW I527687B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
carrier
copper foil
ultra
thin copper
Prior art date
Application number
TW103120685A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201511937A (zh
Inventor
Tomota Nagaura
Masafumi Ishii
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201511937A publication Critical patent/TW201511937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI527687B publication Critical patent/TWI527687B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614—Strips or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C25D3/14—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt from baths containing acetylenic or heterocyclic compounds
    • C25D3/16—Acetylenic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

附載體之銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種附載體之銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、及印刷配線板之製造方法。
就配線之容易性或輕量性方面而言，智慧型手機或平板PC等小型電子機器採用軟性印刷配線板(以下記為FPC)。近年來，因該等電子機器之高功能化而要求FPC之多層化或者對印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)。隨著此種要求，以於配線上形成電路鍍層為代表，於特定位置進行精度良好之加工變得更為重要。
另一方面，應對微間距化，最近要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下之銅箔，但此種極薄之銅箔之機械強度較低，於製造印刷配線板之時容易破裂或產生皺褶，因此出現了利用具有厚度之金屬箔作為載體，於其上經由剝離層電鍍極薄銅層而成的附載體之銅箔。於將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板而進行熱壓接後，經由剝離層將載體剝離去除。藉由於露出之極薄銅層上利用抗蝕劑形成電路圖案後，利用硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除的方法(MSAP： Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成法)而形成微細電路。作為關於此種微細電路用途之附載體之銅箔的技術，例如可列舉：WO2004/005588號(專利文獻1)、日本特開2007-007937號公報(專利文獻2)、日本專利特開2010-006071號公報(專利文獻3)及日本專利特開2009-004423號公報(專利文獻4)等。
[專利文獻1]WO2004/005588號
[專利文獻2]日本特開2007-007937號公報
[專利文獻3]日本特開2010-006071號公報
[專利文獻4]日本特開2009-004423號公報
於附載體之銅箔之開發中，迄今為止將重心置於確保極薄銅層與樹脂基材之剝離強度。因此，關於微間距化尚未進行充分之研究，關於由此產生之加工精度之提高的技術尚有改善之餘地。因此，本發明之課題在於提供一種實現良好之加工精度之附載體之銅箔。
本發明者等人反覆進行努力研究，結果發現可提供一種藉由控制附載體之銅箔之極薄銅層之特定色差、具體而言為極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L，而實現良好之加工精度的附載體之銅箔。
基於以上見解而完成之本發明於一態樣中係一種附載體之銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層者，並且上述極薄銅層表 面之基於JISZ8730之色差△L為-40以下。
本發明於另一態樣中係一種附載體之銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層者，並且上述極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab為45以上。
本發明之附載體之銅箔於一實施形態中，上述極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a為20以下。
本發明之附載體之銅箔於另一實施形態中，上述極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b為20以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述中間層含有Ni，將上述附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將上述極薄銅層剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上300μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，將上述附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離上述極薄銅層時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上250μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，將上述附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離上述極薄銅層時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上200μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，將上述附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離上述極薄銅層時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上150μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，將上述附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離上述極薄銅層時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述中間層之Ni含量為100μg/dm2以上5000μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述中間層含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述中間層含有Cr之情形時，含有Cr 5~100μg/dm2，於含有Mo之情形時，含有Mo 50μg/dm2以上1000μg/dm2以下，於含有Zn之情形時，含有Zn 1μg/dm2以上120μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述中間層含有厚度為25nm以上80nm以下之有機物。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述有機物係由選自含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之1種或2種以上構成的有機物。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之上述極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.5μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之上述極薄銅層表面之表面粗糙度Rz 為0.2μm以上1.0μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之上述極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上0.6μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述表面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述表面粗糙度Rz之標準偏差為0.4μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述表面粗糙度Rz之標準偏差為0.2μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述表面粗糙度Rz之標準偏差為0.1μm以下。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於常溫常壓下將絕緣基板貼附於上述附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於上述附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於上述附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，於氮氣氛圍中、於常壓下進行2次180℃×1小時之加熱後，於經熱壓接之狀態下，依據JIS C 6471剝離上述極薄銅層時之剝離強度為2~100N/m。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述剝離強度為2~50N/m。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述剝離強度為2~20N/m。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述載體之兩個面依序具有上述中間層及上述極薄銅層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述載體係由電解銅箔或壓延銅箔形成。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層及上述載體之至少一個表面或兩個表面具有粗化處理層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一者之單質或含有任1種以上之合金構成的層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層及上述載體之至少一個表面或兩個表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層之一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層上具備樹脂層。
本發明之附載體之銅箔於又一實施形態中，於上述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
本發明於又一態樣中係一種覆銅積層板，其使用本發明之附載體之銅箔而製造。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板，其使用本發明之附載體之銅箔而製造。
本發明於又一態樣中係一種電子機器，其使用本發明之印刷配線板而製造。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層之步驟；及於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體之銅箔的銅箔載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法形成電路之步驟。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：於本發明之附載體之銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體之銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體之步驟；及藉由於剝離上述載體後去除上述極薄銅 層，而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出之步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法於一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體之銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體之銅箔而形成上述電路的步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法於另一實施形態中，貼合於上述樹脂層上之另一附載體之銅箔為本發明之附載體之銅箔。
本發明之印刷配線板之製造方法於又一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而進行。
本發明之印刷配線板之製造方法於又一實施形態中，進而含有於剝離載體前，於附載體之銅箔之載體側表面形成基板的步驟。
根據本發明，可提供一種實現良好之視認性及加工精度的附載體之銅箔。
圖1之A~C係使用本發明之附載體之銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖2之D~F係使用本發明之附載體之銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自樹脂及第2層附載體之銅箔積層至雷射開孔為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖3之G~I係使用本發明之附載體之銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自形成通孔填充物至剝離第1層之載體為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖4之J~K係使用本發明之附載體之銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的自快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖5係表示轉筒式之運箔方式的示意圖。
圖6係表示髮夾彎之運箔方式的示意圖。
圖7係表示蝕刻時間與因蝕刻而減少之厚度之關係的圖表。
圖8係表示利用XPS測定獲得之碳濃度深度分佈圖之評價中樣品片之測定部位的示意圖。
<附載體之銅箔>
本發明之附載體之銅箔依序具有載體、中間層、及極薄銅層。附載體之銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物膜、氟樹脂膜等絕緣基板上，進行熱壓接後剝離載體，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻為目標導體圖案，最終可製造印刷配線板。
<載體>
可於本發明中使用之載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如可以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCD膜之形態提供。
可於本發明中使用之載體典型而言係以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係將銅自硫酸銅鍍浴中電解析出至鈦或不鏽鋼之轉筒上而製造，壓延銅箔係重複進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度銅以外，亦可使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之類的銅合金。
又，作為電解銅箔，可利用以下電解液組成及製造條件而製作。於利用以下條件製造電解銅箔之情形時，可獲得銅箔表面之TD(銅箔之製造設備中的與銅箔之行進方向呈直角之方向(寬度方向))之Rz小、TD之60度光澤度高的電解銅箔。
再者，本說明書中記載之銅箔之製造、銅箔之表面處理或銅箔之鍍敷等中所使用的處理液之剩餘部分只要無特別說明，則為水。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
再者，於本說明書中，單獨使用用語「銅箔」時，亦包括銅合金箔。
可於本發明中使用之載體之厚度亦無特別限制，只要於實現作為載體之作用方面適當調節為適宜之厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，若過厚，則生產成本提高，因此通常較佳為設為35μm以下。因此，載體之厚度典型為8~70μm，更典型為12~70μm，更典型為18~35μm。又，就減少原料成本之觀點而言，載體之厚度以小為佳。因此，載體之厚度典型為5μm以上35μm以下，較佳為5μm以上18μm以下，更 佳為5μm以上12μm以下，進而較佳為5μm以上11μm以下，進而更佳為5μm以上10μm以下。再者，於載體之厚度小之情形時，於載體之通箔時容易產生彎折。為了防止產生彎折，例如有效的是使附載體之銅箔製造裝置之搬送輥變得平滑，或縮短搬送輥與下一搬送輥之距離。再者，於作為印刷配線板之製造方法之一的埋入法(嵌入法(Enbedded Process))中使用附載體之銅箔之情形時，載體之剛性必須較高。因此，於用於埋入法之情形時，載體之厚度較佳為18μm以上300μm以下，更佳為25μm以上150μm以下，進而較佳為35μm以上100μm以下，進而更佳為35μm以上70μm以下。
<中間層>
於載體上設置中間層。亦可於載體與中間層之間設置其他層。本發明中使用之中間層只要為如下構成則並無特別限定：於附載體之銅箔向絕緣基板積層之步驟前極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板積層之步驟後極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體之銅箔之中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。又，中間層亦可為複數層。又，中間層亦可設置於載體之兩面。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種元素構成的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種或兩種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組 成之元素群中之一種或兩種以上之元素之水合物或氧化物構成的層。
又，可於載體之單面或雙面上設置含Ni之中間層。中間層較佳為於載體上依序積層鎳或含鎳之合金之任1種層、及含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層而構成。並且，較佳為於鎳或含鎳之合金之任1種層及/或含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層中含有鋅。此處，所謂含鎳之合金，係指由鎳與選自由鈷、鐵、鉻、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。含鎳之合金亦可為由3種以上之元素構成之合金。又，所謂鉻合金，係指由鉻與選自由鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。鉻合金亦可為由3種以上之元素構成之合金。又，含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層亦可為鉻酸鹽處理層。此處，所謂鉻酸鹽處理層，係指經含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一種形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層等。於本發明中，將經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層稱為純鉻酸鹽處理層。又，於本發明中，將經含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層稱為鉻酸鋅處理層。
又，中間層較佳為於載體上依序積層鎳、鎳-鋅合金、鎳-磷合金、鎳-鈷合金中之任1種之層，及鉻酸鋅處理層、純鉻酸鹽處理層、鉻鍍敷層中之任1種層而構成，中間層進而較佳為於載體上依序積層鎳層或 鎳-鋅合金層、及鉻酸鋅處理層而構成，或者依序積層鎳-鋅合金層、及純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄銅層時，變成於極薄銅層與鉻酸鹽處理層之界面進行剝離。又，對於中間層之鎳，期待防止銅成分自載體擴散至極薄銅層之障壁效果。又，較佳為不對中間層進行鉻鍍敷而形成鉻酸鹽處理層。鉻鍍敷係於表面形成緻密之鉻氧化物層，因此於利用電鍍形成極薄銅箔時，電阻上升，容易產生針孔。形成有鉻酸鹽處理層之表面係形成有與鉻鍍敷相比並不緻密之鉻氧化物層，因此不易成為利用電鍍形成極薄銅箔時之電阻，而可減少針孔。此處，藉由形成鉻酸鋅處理層作為鉻酸鹽處理層，而使利用電鍍形成極薄銅箔時之電阻低於通常之鉻酸鹽處理層，可進一步抑制針孔之產生。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光澤面設置中間層。
中間層中之鉻酸鹽處理層較薄地存在於極薄銅層之界面時，於向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，可獲得於向絕緣基板之積層步驟後可將極薄銅層自載體剝離的特性，故而較佳。於未設置鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)而使鉻酸鹽處理層存在於載體與極薄銅層之交界之情形時，剝離性幾乎未提高，於無鉻酸鹽處理層而直接將鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)與極薄銅層積層之情形時，隨著鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)中之鎳量剝離強度過強或過弱，而無法獲得適當之剝離強度。
又，若鉻酸鹽處理層存在於載體與鎳層或含鎳之合金層(例 如鎳-鋅合金層)之交界，則於剝離極薄銅層時中間層亦隨之剝離，即於載體與中間層之間發生剝離，故而欠佳。此種狀況不僅於與載體之界面設置鉻酸鹽處理層之情況下會發生，若於與極薄銅層之界面設置鉻酸鹽處理層時鉻量過多，則亦會發生。認為其原因在於，由於銅與鎳容易固溶，故而若使該等接觸，則會因相互擴散而提高接著力，變得不易剝離，另一方面，由於鉻與銅不易固溶，不易發生相互擴散，故而於鉻與銅之界面接著力較弱，容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形時，於載體與極薄銅層之間僅存微量之鉻，故而兩者進行密接而變得難以剝離。
中間層之鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)例如可藉由如電鍍、無電解鍍敷及浸漬鍍敷之濕式鍍敷，或如濺鍍、CVD及PDV之乾式鍍敷而形成。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。再者，於載體為樹脂膜之情形時，可藉由如CVD及PDV之乾式鍍敷或如無電解鍍敷及浸漬鍍敷之濕式鍍敷而形成中間層。
又，鉻酸鹽處理層例如可由電解鉻酸鹽或浸漬鉻酸鹽等形成，但由於可提高鉻濃度，使極薄銅層自載體之剝離強度變得良好，故而較佳為由電解鉻酸鹽形成。
又，較佳為中間層中之鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉻之附著量為5~100μg/dm2，鋅之附著量為1~70μg/dm2。如上所述，本發明之附載體之銅箔控制自附載體之銅箔剝離極薄銅層後之極薄銅層表面之Ni量，為了控制如此剝離後之極薄銅層表面之Ni量，較佳為中間層含有減少中間層之Ni附著量並且抑制Ni向極薄銅層側擴散的金屬種類(Cr、Zn)。就此種觀點而言，中間層之Ni含量較佳為100~40000μg/dm2，更佳 為200μg/dm2以上20000μg/dm2以下，進而較佳為500μg/dm2以上10000μg/dm2以下，進而更佳為700μg/dm2以上5000μg/dm2以下。又，Cr較佳為含有5~100μg/dm2，更佳為8μg/dm2以上50μg/dm2以下，進而較佳為10μg/dm2以上40μg/dm2以下，進而更佳為12μg/dm2以上30μg/dm2以下。Zn較佳為含有1~70μg/dm2，更佳為3μg/dm2以上30μg/dm2以下，進而較佳為5μg/dm2以上20μg/dm2以下。
本發明之附載體之銅箔之中間層係於載體上依序積層鎳層，及含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物層而構成，中間層中之鎳之附著量亦可為100~40000μg/dm2。又，本發明之附載體之銅箔之中間層係於載體上依序積層含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物層，及鎳層而構成，中間層中之鎳之附著量亦可為100~40000μg/dm2。如上所述，本發明之附載體之銅箔控制自附載體之銅箔剝離極薄銅層後之極薄銅層表面之Ni量，為了控制如此剝離後之極薄銅層表面之Ni量，較佳為中間層含有減少中間層之Ni附著量並且抑制Ni向極薄銅層側擴散的含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物層。就此種觀點而言，中間層之Ni含量較佳為100~40000μg/dm2，更佳為200μg/dm2以上20000μg/dm2以下，進而較佳為300μg/dm2以上10000μg/dm2以下，進而更佳為500μg/dm2以上5000μg/dm2以下。又，作為該含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物，可列舉BTA(苯并***)、MBT(巰基苯并噻唑)等。
又，作為中間層所含之有機物，較佳為使用由選自含氮之有 機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之1種或2種以上構成者。於含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸之中，含氮之有機化合物包括具有取代基之含氮之有機化合物。作為具體之含氮之有機化合物，較佳為使用具有取代基之***化合物即1,2,3-苯并***、羧基苯并***、N',N'-雙(苯并***基甲基)脲、1H-1,2,4-***及3-胺基-1H-1,2,4-***等。
含硫之有機化合物較佳為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤其較佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
上述有機物較佳為含有厚度為25nm以上80nm以下，更佳為含有30nm以上70nm以下。中間層亦可含有複數種(一種以上)上述有機物。
再者，有機物之厚度可以如下方式進行測定。
<中間層之有機物厚度>
於將附載體之銅箔之極薄銅層自載體剝離後，對露出之極薄銅層之中間層側表面、與露出之載體之中間層側表面進行XPS測定，而製成深度分佈圖。然後，可將自極薄銅層之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為A(nm)，將自載體之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為B(nm)，將A與B之合計設為中間層之有機物之厚度(nm)。
將XPS之運轉條件示於以下。
．裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號5600MC)
．極限真空：3.8×10-7Pa
．X射線：單色AlKα或非單色MgKα、X射線輸出300W、檢測面 積800μm、試樣與檢測器所成之角度45°
．離子束：離子種類Ar+、加速電壓3kV、掃描面積3mm×3mm、濺鍍率2.8nm/min(SiO2換算)
關於中間層所含之有機物之使用方法，以下對於載體箔上形成中間層之方法進行敍述並說明。於載體上形成中間層係將上述有機物溶解於溶劑中並使載體浸漬於該溶劑中，或者可對於欲形成中間層之面利用淋浴法、噴霧法、滴下法及電鍍法等而進行，無需採用特別限定之方法。此時，溶劑中之有機系劑之濃度於上述全部有機物中，較佳為濃度0.01g/L~30g/L、液溫20~60℃之範圍。有機物之濃度並無特別限定，原本濃度較高或較低均無問題。再者，存在如下傾向：有機物之濃度越高，又，載體對溶解上述有機物之溶劑之接觸時間越長，中間層之有機物厚度越大。並且，於中間層之有機物厚度較厚之情形時，有抑制Ni向極薄銅層側擴散的有機物之效果變大之傾向。
又，中間層較佳為於載體上依序積層鎳、及鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成。鎳與銅之接著力高於鉬或鈷與銅之接著力，故而於剝離極薄銅層時，變成於極薄銅層與鉬或鈷或鉬-鈷合金之界面進行剝離。又，對於中間層之鎳，期待防止銅成分自載體擴散至極薄銅層之障壁效果。
再者，上述鎳亦可為含鎳之合金。此處，所謂含鎳之合金，係指由鎳與選自由鈷、鐵、鉻、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。又，上述鉬亦可為含鉬之合金。此處，所謂含鉬之合金，係指由鉬與選自由鈷、鐵、鉻、鎳、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。 又，上述鈷亦可為含鈷之合金。此處，所謂含鈷之合金，係指由鈷與選自由鉬、鐵、鉻、鎳、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。
鉬-鈷合金亦可含有除鉬、鈷以外之元素(例如選自由鈷、鐵、鉻、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上之元素)。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光澤面設置中間層。
中間層中之鉬或鈷或鉬-鈷合金層較薄地存在於極薄銅層之界面時，於向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，可獲得於向絕緣基板之積層步驟後可將極薄銅層自載體剝離的特性，故而較佳。於未設置鎳層而使鉬或鈷或鉬-鈷合金層存在於載體與極薄銅層之交界之情形時，有剝離性幾乎未提高之情況，於無鉬或鈷或鉬-鈷合金層而直接將鎳層與極薄銅層積層之情形時，有隨著鎳層中之鎳量剝離強度過強或過弱，而無法獲得適當之剝離強度之情況。
又，若鉬或鈷或鉬-鈷合金層存在於載體與鎳層之交界，則有如下情況：於剝離極薄銅層時中間層亦隨之剝離，即於載體與中間層之間發生剝離，故而欠佳。此種狀況不僅於與載體之界面設置鉬或鈷或鉬-鈷合金層之情況下會發生，若於與極薄銅層之界面設置鉬或鈷或鉬-鈷合金層時鉬量或鈷量過多，則亦會發生。認為其原因在於，由於銅與鎳容易固溶，故而若使該等接觸，則會因相互擴散而提高接著力，變得不易剝離，另一方面，由於鉬或鈷與銅不易固溶，不易發生相互擴散，故而於鉬或鈷或鉬- 鈷合金層與銅之界面接著力較弱，容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形時，有如下情況：於載體與極薄銅層之間僅存微量之鉬或鈷，故而兩者進行密接而變得難以剝離。
中間層之鎳及鈷或鉬-鈷合金例如可藉由如電鍍、無電解鍍敷及浸漬鍍敷之濕式鍍敷，或如濺鍍、CVD及PDV之乾式鍍敷而形成。又，鉬可僅藉由如CVD及PDV之乾式鍍敷而形成。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。
於中間層中，較佳為鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉬之附著量為10~1000μg/dm2，鈷之附著量為10~1000μg/dm2。如上所述，本發明之附載體之銅箔控制自附載體之銅箔剝離極薄銅層後之極薄銅層表面之Ni量，為了控制如此剝離後之極薄銅層表面之Ni量，較佳為中間層含有減少中間層之Ni附著量並且抑制Ni向極薄銅層側擴散的金屬種類(Co、Mo)。就此種觀點而言，鎳附著量較佳為設為100~40000μg/dm2，更佳為設為200~20000μg/dm2，進而較佳為設為300~15000μg/dm2，進而更佳為設為300~10000μg/dm2。於中間層含有鉬之情形時，鉬附著量較佳為設為10~1000μg/dm2，鉬附著量較佳為設為20~600μg/dm2，更佳為設為30~400μg/dm2。於中間層含有鈷之情形時，鈷附著量較佳為設為10~1000μg/dm2，鈷附著量較佳為設為20~600μg/dm2，更佳為設為30~400μg/dm2。
再者，於如上所述般中間層於載體上依序積層有鎳與鉬或鈷或鉬-鈷合金之情形時，若減小用以設置鉬或鈷或鉬-鈷合金層之鍍敷處理下之電流密度，減緩載體之搬送速度，則有鉬或鈷或鉬-鈷合金層之密度變高 之傾向。若含鉬及/或鈷之層之密度提高，則鎳層之鎳變得不易擴散，可控制剝離後之極薄銅層表面之Ni量。
於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於與載體相反之面設置Ni鍍敷層等防銹層。再者，認為於利用鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層之情形時，有鉻或鋅等附著之金屬之一部分成為水合物或氧化物之情況。
又，本發明之附載體之銅箔較佳為於中間層含有Ni之情形時，於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時，極薄銅層之中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上300μg/dm2以下。於將附載體之銅箔貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，剝離銅箔載體，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，此時，若附著於極薄銅層之表面(跟與絕緣基板之接著側相反之側的表面)之Ni量較多，則變得不易蝕刻極薄銅層，難以形成微間距電路。因此，本發明之附載體之銅箔係將如上所述之剝離後之極薄銅層表面之Ni附著量控制為300μg/dm2以下。若該Ni附著量超過300μg/dm2，則難以蝕刻極薄銅層而形成較L/S=30μm/30μm更微細之配線，例如L/S=25μm/25μm之微細之配線、例如L/S=20μm/20μm之微細之配線、例如L/S=15μm/15μm之微細之配線。再者，上述「於220℃加熱2小時」係表示將附載體之銅箔貼合於絕緣基板並進行熱壓接之情形時的典型加熱條件。
若如上所述之剝離後之極薄銅層表面之Ni附著量過少，則有銅箔載體之Cu向極薄銅層側擴散之情況。於此情形時，銅箔載體與極薄銅層之結合程度變得過強，於剝離極薄銅層時極薄銅層容易產生針孔。又， 有樹脂與銅箔之密接力劣化之情況。因此，該Ni附著量控制為5μg/dm2以上。又，該Ni附著量較佳為5μg/dm2以上250μg/dm2以下，更佳為5μg/dm2以上200μg/dm2以下。
又，如上所述，將附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，剝離極薄銅層時，有極薄銅層之中間層側表面之Ni附著量成為300μg/dm2以下之情況，為了控制如此剝離後之極薄銅層表面之Ni附著量，中間層必須含有減少中間層之Ni含量並且抑制Ni向極薄銅層側擴散的金屬種類(Cr、Mo、Zn等)或有機物。就此種觀點而言，中間層之Ni含量較佳為100μg/dm2以上5000μg/dm2以下，更佳為200μg/dm2以上4000μg/dm2以下，進而較佳為300μg/dm2以上3000μg/dm2以下，進而更佳為400μg/dm2以上2000μg/dm2以下。又，作為中間層所含之金屬種類，較佳為選自由Cr、Mo、Zn所組成之群中之一種或兩種以上。於含有Cr之情形時，較佳為含有Cr 5~100μg/dm2，更佳為含有5μg/dm2以上50μg/dm2以下。於含有Mo之情形時，較佳為含有Mo 50μg/dm2以上1000μg/dm2以下，更佳為含有70μg/dm2以上650μg/dm2以下。於含有Zn之情形時，較佳為含有Zn 1μg/dm2以上120μg/dm2以下，更佳為含有2μg/dm2以上70μg/dm2以下，進而較佳為含有5μg/dm2以上50μg/dm2以下。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等之電解浴的電鍍而形成，就可於高電流密度下形成銅層之方面而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以 下。典型為0.5~12μm，更典型為1~5μm，進而更典型為1.5~5μm，進而更典型為2~5μm。再者，極薄銅層亦可設置於載體之兩面。又，可於極薄銅層之一個表面或兩個表面設置選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，亦可設置表面處理層。表面處理層亦可為選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
又，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之極薄銅層表面之表面粗糙度Rz(十點平均粗糙度)較佳為0.2μm以上1.5μm以下。若依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之極薄銅層表面之表面粗糙度Rz未達0.2μm，則有於將附載體之銅箔積層於樹脂後，自銅箔剝離載體時產生銅箔自樹脂剝離之問題之虞。又，若依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之極薄銅層表面之表面粗糙度Rz超過1.5μm，則有產生蝕刻性變差之問題之虞。該表面粗糙度Rz較佳為0.2μm以上1.0μm以下，更佳為0.2μm以上0.9μm以下，進而較佳為0.25μm以上0.8μm以下，進而更佳為0.28μm以上0.7μm以下、0.28μm以上0.6μm以下。
再者，為了降低Rz，有效的是降低載體之TD方向之Rz且提高60度光澤度。又，於對極薄銅層表面進行粗化處理之情形時，有效的是提高粗化處理中之電流密度，且縮短粗化處理時間。
以如下方式控制中間層形成前之載體之處理側表面之TD之粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，表面處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)較佳為0.20~0.55μm，更佳為0.20~0.42μm。作為此種銅箔，可調整壓延油之油膜當量而進行壓延(高光澤壓延)或調整壓延輥之表面粗糙 度而進行壓延(例如於與輥之圓周方向呈直角之方向上進行測定之情形時，可將壓延輥表面之算術平均粗糙度Ra(JIS B0601)設為0.01~0.25μm；於壓延輥表面之算術平均粗糙度Ra之值較大之情形時，有銅箔之TD之粗糙度(Rz)變大，光澤度降低之傾向；又，於壓延輥表面之算術平均粗糙度Ra之值較小之情形時，有銅箔之TD之粗糙度(Rz)變小，光澤度提高之傾向)，或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如此，藉由使處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)與光澤度為上述範圍，可容易地控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積。
又，表面處理前之銅箔較佳為TD之60度光澤度為300~910%，更佳為500~810%，進而較佳為500~710%。若表面處理前之銅箔之MD之60度光澤度未達300%，則與300%以上之情況相比，有上述樹脂之透明性變得不良之虞，若超過910%，則有產生變得難以進行製造之問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將以下式規定之油膜當量設為10000~24000以下而進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥之嚙合角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]係於40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為10000~24000，只要利用使用低黏度之壓延油或減緩通板速度等公知之方法即可。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等之蝕刻液以低於通常之濃度而長時間地進行。
又，較佳為該使用觸針式粗糙度計測得之極薄銅層表面之表 面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。若依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之極薄銅層表面之表面粗糙度Rz之標準偏差超過0.6μm，則有產生蝕刻性之不均變大之問題之虞。該表面粗糙度Rz之標準偏差較佳為0.5μm以下，更佳為0.4μm以下，進而較佳為0.3μm以下，進而更佳為0.25μm以下，進而更佳為0.2μm以下，進而更佳為0.15μm以下，進而更佳為0.1μm以下。再者，標準偏差之下限無需特別限定，為例如0.001μm以上、例如0.005μm以上、例如0.01μm以上。
再者，於本發明中，所謂關於極薄銅層表面之表面粗糙度Rz及其標準偏差的該「極薄銅層表面」，意指於在極薄銅層之表面形成粗化處理層及/或耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層等表面處理層之情形時，該表面處理層之最外側表面。
再者，於在極薄銅層表面上形成表面處理層時，藉由使附載體之銅箔與電極之距離(極間距離)保持為較先前更接近於均勻之狀態，可減小上述表面粗糙度Rz之標準偏差。
作為使與電極之距離(極間距離)保持為較先前更接近於均勻之狀態的方法，可列舉：於陰極使用陰極轉筒，或縮小搬送輥間之距離(例如200~500mm)且使搬送張力高於先前(例如3kgf/mm2以上)等。
本發明於一態樣中係將極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L控制為-40以下。若如此極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L為-50以下，則例如於附載體之銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得清晰，其結果視認性變得良好，可精度良好地進行電路之對位。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L較佳為-45以下，更佳 為-50以下。
本發明之附載體之銅箔較佳為將極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a控制為20以下。若如此極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a為20以下，則例如於附載體之銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得清晰，其結果視認性變得更良好，可精度良好地進行電路之對位。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a較佳為15以下，更佳為10以下，進而更佳為8以下。
本發明之附載體之銅箔較佳為將極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b控制為20以下。若如此極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b為20以下，則例如於附載體之銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得清晰，其結果視認性變得更良好，可精度良好地進行電路之對位。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b較佳為15以下，更佳為10以下，進而更佳為8以下。
本發明於又一態樣中係將極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab控制為45以上。若如此極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab為45以上，則例如於附載體之銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得清晰，其結果視認性變得良好，可精度良好地進行電路之對位。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。再者，於本發明中，所謂關於極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L、△a、△b、及△E＊ab的該「極薄銅層表面」，意指於極薄銅層之表面形成粗化處理層及/或耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層等表面處理層之情形時，該 表面處理層之最外側表面。
此處，上述色差△L、△a、△b係分別利用色差計進行測定，採取黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JIS Z8730之L＊a＊b表色系統而表示之綜合指標，且表示為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍。又，△E＊ab係使用該等之色差以下述式表示。
上述色差可利用控制形成極薄銅層之鍍敷條件而調整，亦可藉由於極薄銅層之表面實施粗化處理來設置粗化處理層而調整。
於利用控制形成極薄銅層之鍍敷條件而調整上述色差之情形時，利用電解鍍敷，於此情形時，極薄銅層可利用以下電解液組成及製造條件而製作。上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度、及/或降低鍍敷液中之銅濃度、及/或提高鍍敷液之線流速而進行調整。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物中可使用以下化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
另一方面，於藉由對極薄銅層之表面實施粗化處理來設置粗化處理層而調整上述色差之情形時，該粗化處理可藉由例如由銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中之任一者之單質或含有任1種以上之合金構成的層等。又，亦可於由銅或銅合金形成粗化粒子後，進一步進行由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。
於設置粗化處理層之情形時，上述色差可藉由如下方式調整：使用含有銅與選自由鎳、鈷、鎢、鉬及磷所組成之群中之一種以上元素之鍍敷液， 較先前提高電流密度(例如38~60A/dm2)，縮短處理時間(例如0.1~1.5秒)。
例如，作為用以控制上述色差之粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電解鍍敷，以形成附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳的3元系合金層之方式實施。
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍層之鍍浴及鍍敷條件之一例係如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：38~55A/dm2
鍍敷時間：0.3~1.5秒、更佳為0.3~1.3秒
又，於設置並非粗化處理之含有Ni之合金鍍敷層(例如Ni-W合金鍍敷、Ni-Co-P合金鍍敷、Ni-Zn合金鍍敷)之情形時，上述色差可藉由如下方式進行調整：將鍍敷液中之Ni之濃度設為其他元素之濃度之2倍以上，將電流密度設為較先前低之0.1~2A/dm2，將鍍敷時間設為長至20秒以上(例如20秒~40秒)。
又，具備載體、與於載體上積層中間層並積層於中間層上之極薄銅層的附載體之銅箔亦可於上述粗化處理層上具備一層以上選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之層。
又，可於上述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可於上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，亦可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處 理層。
又，上述附載體之銅箔可於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
又，附載體之銅箔可於載體上具備粗化處理層，亦可於載體上具備一層以上選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之層。上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層可利用公知之方法而設置，亦可藉由本案說明書、申請專利範圍、圖式中記載之方法而設置。於將載體自具有上述粗化處理層等之表面側積層於樹脂基板等支持體之情形時，於載體上設置一層以上選自上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層中之層之情況具有載體與支持體不易剝離之優點。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包括如下狀態：即便用手指觸摸其表面亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊而保管，若進一步進行加熱處理，則會引起硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層亦可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而 形成，該文獻係國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本專利特開2013-19056號。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，作為較佳為，例如可列舉含有選自如下成分之群中之一種以上之樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯醇 縮乙醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠變性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰酯樹脂。
又，上述環氧樹脂係分子內具有2個以上環氧基者，並且只要為可用於電性、電子材料用途者，則可尤其無問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上環氧丙基之化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。又，可將選自由如下成分所組成之群中之1種或2種以上混合而使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、異氰尿酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環 氧丙酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，或者可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷之環氧樹脂。又，上述含磷之環氧樹脂較佳為例如分子內具備2個以上環氧基之以自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情況)
上述樹脂層亦可含有介電體(介電體填料)。
於在上述任一種樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增大電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)係使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦(Perovskite)結構之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm、較佳為0.02μm~2.0μm之範圍。再者，利用掃描型電子顯微鏡(SEM)對介電體拍攝照片，於在該照片上之介電體之粒子上引直線之情形時，將橫切介電體之粒子之直線長度為最長的部分之介電體之粒子長度設為該介電體之粒子直徑。並且，將測定視野內之介電體之粒子直徑之平均值設為介電體之粒徑。
使上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N- 甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖素、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，藉由例如輥式塗佈法等將其塗佈於上述附載體之銅箔之極薄銅層側表面，繼而視需要進行加熱乾燥，去除溶劑而成為B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。可使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，而製成樹脂固形物成分3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就氛圍之觀點而言，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂流動量為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂流動量，係指依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自使樹脂厚度為55μm之附樹脂之表面處理銅箔採取4片10cm見方試樣，於使該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2、壓製時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量所得之結果，基於數1而算出之值。
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂之表面處理銅箔)係以如下態樣使用：將該樹脂層與基材重疊後將整體熱壓接而使該樹脂層 熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體之銅箔之極薄銅層之情形時，剝離載體而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層之中間層側表面)，自與表面處理銅箔之粗化處理側相反之側的表面形成特定配線圖案。
若使用該附樹脂之表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時之預浸體材料之使用片數。而且，即便將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或完全不使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可將絕緣樹脂底漆塗佈於基材之表面而進一步改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸體材料之情形時，可節約預浸體材料之材料成本，又，積層步驟亦變得簡略，因此於經濟上較為有利，而且有如下優點：僅製造預浸體材料之厚度程度的多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有如下情況：接著力降低，於不介存預浸體材料將該附樹脂之表面處理銅箔積層於具備內層材料之基材上時，難以確保內層材料與電路之間之層間絕緣。另一方面，若樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情況：難以於1次塗佈步驟中形成目標厚度之樹脂層，而需要多餘之材料費及步驟數，故而於經濟上變得不利。
再者，於將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm時，可縮小多層印刷配線板之厚度，故而較佳。
進而，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。於本發明中，「印刷配線板」亦包括如此搭載有電子零件類之印刷配 線板及印刷電路板及印刷基板。
又，可使用該印刷配線板而製作電子機器，可使用搭載有該電子零件類之印刷電路板而製作電子機器，亦可使用搭載有該電子零件類之印刷基板而製作電子機器。以下，表示若干使用本發明之附載體之銅箔的印刷配線板之製造步驟之例子。
本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；及以使極薄銅層側與絕緣基板對向之方式將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體之銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一種方法形成電路。絕緣基板亦可設為內層電路入口。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之無電解鍍敷，形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除； 於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於含有上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於去除了上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與上述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於含有由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及上述通孔 或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於去除了上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與上述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於含有藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑； 於去除了上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於去除了上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層。
於本發明中，所謂改良半加成法，係指於絕緣層上積層金屬箔，藉由鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷增厚電路形成部之銅 厚後，去除抗蝕劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路的方法。
因此，使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；於設置上述鍍敷阻劑後，藉由電解鍍敷形成電路；去除上述鍍敷阻劑；及利用快速蝕刻去除藉由去除上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層。
使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置鍍敷阻劑； 對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於去除了上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的極薄銅層。
於本發明中，所謂部分加成法，係指於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或輔助孔用孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻形成導體電路，視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，於上述導體電路上藉由無電解鍍敷處理(視需要進一步進行電解鍍敷處理)對通孔或輔助孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板的方法。
因此，使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述 觸媒核，而形成電路；去除上述蝕刻阻劑；於利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑；及於未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑之區域設置無電解鍍敷層。
於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等將覆銅積層板上之銅箔之不需要之部分選擇性地去除，而形成導體圖案的方法。
因此，使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層，而形成電路；及去除上述蝕刻阻劑。
使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態含有如下步驟：準備本發明之附載體之銅箔與絕緣基板；將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體之銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層，而形成電路；及去除上述蝕刻阻劑。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，利用圖式詳細地說明使用本發明之附載體之銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體之銅箔為例進行說明，但並不限於此，使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體之銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板 之製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備具有表面形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體之銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影而將抗蝕劑蝕刻為特定形狀。
其次，如圖1-C所示，藉由於形成電路用鍍層後去除抗蝕劑，而形成特定形狀之電路鍍層。
其次，如圖2-D所示，以被覆電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而自極薄銅層側接著另一附載體之銅箔(第2層)。
其次，如圖2-E所示，自第2層之附載體之銅箔剝離載體。
其次，如圖2-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
其次，如圖3-G所示，於盲孔中埋入銅，形成通孔填充物。
其次，如圖3-H所示，於通孔填充物上，以上述圖1-B及圖1-C之方式形成電路鍍層。
其次，如圖3-I所示，自第1層之附載體之銅箔剝離載體。
其次，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。
其次，如圖4-K所示，於樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。如此製作使用有本發明之附載體之銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體之銅箔(第2層)可使用本發明之附載體之 銅箔，可使用先前之附載體之銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，可於圖3-H所示之第2層電路上進一步形成1層或複數層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而形成該等電路。
又，上述第1層中使用之附載體之銅箔亦可於該附載體之銅箔之載體側表面具有基板。藉由具有該基板，第1層中使用之附載體之銅箔得到支持，變得不易產生皺褶，因此有生產性提高之優點。再者，只要上述基板發揮支持上述第1層中使用之附載體之銅箔的效果，則可使用全部基板。例如，可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為上述基板。
於載體側表面形成基板之時間點並無特別限制，但必須於剝離載體前形成。尤其是，較佳為於在上述附載體之銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟前形成，更佳為於在附載體之銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟前形成。
本發明之附載體之銅箔控制極薄銅層表面之色差，因此與電路鍍層之對比度清晰，視認性良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如圖1-C所示之製造步驟中，可使電路鍍層精度良好地形成於特定位置。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，成為將電路鍍層埋入至樹脂層的構成，因此於如例如圖4-J所示之利用快速蝕刻去除極薄銅層時，藉由樹脂層保護電路鍍層，保持其形狀，藉此變得容易形成微細電路。又，由於藉由樹脂層保護電路鍍層，故而提高耐電子遷移性，良好地抑制電路之配線之導通。因此，變得容易形成微細電路。又，於如圖4-J及圖4-K所示 般藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層之露出面形成自樹脂層凹陷之形狀，因此變得容易分別於該電路鍍層上形成凸塊，進而於其上形成銅柱，製造效率提高。
再者，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。可使用例如BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸BT樹脂之玻璃布即預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述埋入樹脂亦可含有熱塑性樹脂。上述埋入樹脂之種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：包括環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯樹脂、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂等在內的樹脂，或者紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物膜、氟樹脂膜等。
<剝離強度(N/m)>
本發明之附載體之銅箔係(1)於常溫常壓狀態(常態)將極薄銅層側貼附於絕緣基板，及/或(2)藉由於大氣中、壓力：20kgf/cm2進行220℃×2小時之加熱而將極薄銅層側熱壓接而貼附於絕緣基板後，及/或(3)藉由於大氣中、壓力：20kgf/cm2進行220℃×2小時之加熱而將極薄銅層側熱壓接而貼附於絕緣基板後，於氮氣氛圍中、於常壓下(即不施加壓力之狀態、大氣壓下)進行2次180℃×1小時之加熱後，利用荷重元拉伸載體側，依據JIS C 6471剝離極薄銅層時之各剝離強度較佳為2~100N/m。若該剝離強度 未達2N/m，則有於印刷配線板之製造中極薄銅層自載體剝離之虞，若超過100N/m，則有於剝離時施加多餘之力，例如上述埋入法(嵌入法(Enbedded Process))中於埋入樹脂與極薄銅層之界面發生剝離之虞。該剝離強度更佳為2~50N/m，進而更佳為2~20N/m。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例僅為一例，並不僅限制於該例。
1.附載體之銅箔之製造
作為載體，準備具有表1、3、4中記載之厚度之長條電解銅箔或壓延銅箔。
電解銅箔係於表1、3、4中記載之條件下製造，或者使用JX Nippon Mining & Metals公司製造之JTC箔。
壓延銅箔係以如下方式製造。製造特定銅鑄錠，進行熱軋後，重複進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。利用300~800℃之連續退火線將該壓延板退火而使之再結晶，最終進行冷軋直至表1、3、4之厚度，而獲得銅箔。於表1、3、4中表示此時之壓延條件(高光澤壓延或通常壓延、油膜當量)。「高光澤壓延」及「通常壓延」係表示分別利用表1、3、4中記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。表1、3、4之「精銅」係表示經JIS H3100 C1100標準化之精銅。表1、3、4之「無氧銅」係表示經JIS H3100 C1020標準化之無氧銅。表1、3、4中記載之添加元素之「ppm」係表示質量ppm。又，例如表1、3、4之載體種類欄之「精銅+Ag 180ppm」係表示於精銅添加 Ag 180質量ppm。
藉由於以下條件下利用輥對輥型連續鍍敷線對該銅箔之光澤面(shiny side)進行電鍍而形成中間層。
「Ni」：鎳鍍敷
(液組成)硫酸鎳：270~280g/L、氯化鎳：35~45g/L、乙酸鎳：10~20g/L、硼酸：15~25g/L、光澤劑：糖精、丁炔二醇：5~15ppm、十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)4~6
(液溫)55~65℃
(電流密度)1~11A/dm2
(通電時間)1~20秒
．「Ni-Zn」：鎳鋅合金鍍敷
於上述鎳鍍敷之形成條件下，於鎳鍍敷液中添加硫酸鋅(ZnSO4)形態之鋅，於鋅濃度：0.05~5g/L之範圍內進行調整而形成鎳鋅合金鍍層。
．「Cr」：鉻鍍敷
(液組成)CrO3：200~400g/L、H2SO4：1.5~4g/L
(pH值)1~4
(液溫)45~60℃
(電流密度)10~40A/dm2
(通電時間)1~20秒
．「鉻酸鹽」：電解純鉻酸鹽處理
(液組成)重鉻酸鉀：1~10g/L、鋅：0g/L
(pH值)7~10
(液溫)40~60℃
(電流密度)0.1~2.6A/dm2
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
．「Zn-鉻酸鹽」：鉻酸鋅處理
於上述電解純鉻酸鹽處理條件下，於液中添加硫酸鋅(ZnSO4)形態之鋅，於鋅濃度：0.05~5g/L之範圍內調整而進行鉻酸鋅處理。
．「Ni-Mo」：鎳鉬合金鍍敷
(液組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
．「有機」：有機物層形成處理
藉由將含有濃度1~30g/L之羧基苯并***(CBTA)且液溫40℃、pH值5之水溶液淋浴並噴霧20~120秒而進行。
．「Co-Mo」：鈷鉬合金鍍敷
(液組成)硫酸Co：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
．「Ni-P」：鎳磷合金鍍敷
(液組成)Ni：30~70g/L、P：0.2~1.2g/L
(pH值)1.5~2.5
(液溫)30~40℃
(電流密度)1.0~10.0A/dm2
(通電時間)0.5~30秒
繼而，於輥對輥型連續鍍敷線上，藉由於表所示之條件下電鍍表1、3、4中記載之厚度之極薄銅層而形成於中間層上，從而製造附載體之銅箔。
於表2、5、6所示之表面處理條件(表面處理1~3)下對上述極薄銅層之表面進行表面處理。此處，關於表面處理方式，將使用有利用轉筒之運箔方式的電解鍍敷步驟之示意圖示於圖5。又，將使用有利用髮夾彎之運箔方式的電解鍍敷步驟之示意圖示於圖6。又，關於表面處理方式，記載為「轉筒」之實施例及比較例係表面處理1~3均藉由「轉筒」進行處理。同樣，記載為「髮夾彎」之實施例及比較例係表面處理1~3均藉由「髮夾彎」進行處理。
又，實施例3、5、7、10~18之附載體之銅箔係於表面處理層上進行以下耐熱處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理。
又，實施例20僅進行耐熱處理。實施例22僅進行鉻酸鹽處理。實施例24僅進行矽烷偶合處理。實施例1、26依序進行鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。
．耐熱處理(形成耐熱層)
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
．鉻酸鹽處理(形成鉻酸鹽處理層)
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2(為了進行浸漬鉻酸鹽處理)
庫侖量：0~2As/dm2(為了進行浸漬鉻酸鹽處理)
．矽烷偶合處理(形成矽烷偶合處理層)
藉由噴霧含有0.2~2質量%之烷氧基矽烷且pH值7~8之60℃水溶液，而進行矽烷偶合劑塗佈處理。
再者，將上述表面處理之鍍浴示於表7，將極薄銅層形成之鍍浴示於表8。
2.附載體之銅箔之評價
針對如上所述般製作之實施例及比較例之各樣品，以如下方式進行各種評價。
．表面色差之測定：使用HunterLab公司製造之色差計MiniScan XE Plus，依據JISZ8730對 附載體之銅箔之極薄銅層之經表面處理之表面(於進行耐熱處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理之情形時，係於該最後進行之處理之後)與白色的色差△L、△a、△b、△E＊ab進行測定。再者，上述色差計係將白色板之測定值設為△E＊ab=0，將以黑色袋子覆蓋而於暗處進行測定時之測定值設為△E＊ab=90，從而校正色差。其中，△E＊ab係使用L＊a＊b表色系統，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍並基於下述式進行測定。此處，色差△E＊ab係以零定義白色，以90定義黑色：
再者，銅電路表面等微小區域之基於JIS Z8730的色差△L、△a、△b、△E＊ab例如可使用日本電色工業股份有限公司製造之微小面分光色差計(型號：VSS400等)或Suga Test Instruments股份有限公司製造之微小面分光測色計(型號：SC-50μ等)等公知之測定裝置進行測定。
．中間層之金屬附著量：鎳附著量係利用濃度20質量%之硝酸溶解樣品，使用SII公司製造之ICP發射光譜分析裝置(型號：SPS3100)藉由ICP發光分析進行測定；鋅及鉻附著量係藉由利用溫度100℃且濃度7質量%之鹽酸溶解樣品，使用VARIAN公司製造之原子吸光分光光度計(型號：AA240FS)利用原子吸光法進行定量分析而測定；鉬附著量係藉由利用硝酸與鹽酸之混合液(硝酸濃度：20質量%、鹽酸濃度：12質量%)溶解樣品，使用VARIAN公司製造之原子吸光分光光度計(型號：AA240FS)利用原子吸光法進行定量分析而測定。再者，上述鎳、鋅、鉻、鉬附著量之測定係以如下方式進行。首先，自附載體之銅箔剝離極薄銅層後，僅溶解極薄銅層之中間層側表面附 近(於極薄銅層之厚度為1.4μm以上之情形時，自極薄銅層之中間層側表面僅溶解0.5μm厚，於極薄銅層之厚度未達1.4μm之情形時，自極薄銅層之中間層側表面僅溶解極薄銅層厚度之20%)，測定極薄銅層之中間層側表面之附著量。又，於剝離極薄銅層後，僅溶解載體之中間層側表面附近(自表面僅溶解0.5μm厚)，測定載體之中間層側表面之附著量。然後，將極薄銅層之中間層側表面之附著量與載體之中間層側表面之附著量的合計值設為中間層之金屬附著量。
再者，於樣品不易溶解於上述濃度20質量%之硝酸或上述濃度7質量%之鹽酸中之情形時，利用硝酸與鹽酸之混合液(硝酸濃度：20質量%、鹽酸濃度：12質量%)溶解樣品後，利用上述方法可測定鎳、鋅、鉻之附著量。
再者，所謂「金屬附著量」，係指樣品每單位面積(1dm2)之該金屬附著量(質量)。
．中間層之有機物厚度
於將附載體之銅箔之極薄銅層自載體剝離後，對露出之極薄銅層之中間層側表面與露出之載體之中間層側表面進行XPS測定，而製成深度分佈圖。然後，將自極薄銅層之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為A(nm)，將自載體之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為B(nm)，將A與B之合計設為中間層之有機物之厚度(nm)。
再者，深度方向(x：單位nm)之金屬之原子濃度之測定間隔亦可設為0.18~0.30nm(SiO2換算)。本實施例中，以0.28nm(SiO2換算)間隔測定深度方向之金屬之原子濃度(於濺鍍時間內每隔0.1分鐘進行測定)。
再者，上述利用XPS測定獲得之碳濃度之深度分佈圖係對於露出之極薄銅層之中間層側表面及露出之載體之中間層側表面，分別於各樣品片之長邊方向針對距兩端50mm以內之區域內各1個部位、中央部之50mm×50mm之區域內1個部位之合計3個部位，即針對露出之極薄銅層之中間層側表面及露出之載體之中間層側表面上合計6個部位而製成。將該露出之極薄銅層之中間層側表面3個部位、露出之載體之中間層側表面3個部位之測定部位示於圖8。繼而，根據對於露出之極薄銅層之中間層側表面及露出之載體之中間層側之各3個部位之區域製成的深度分佈圖，分別算出上述自極薄銅層之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度A(nm)、及自載體之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度B(nm)，將A(nm)之算術平均值與B(nm)之算術平均值的合計設為中間層之有機物之厚度(nm)。
再者，於樣品之大小較小之情形時，上述自兩端至50mm以內之區域及中央部之50mm×50mm之區域亦可重疊。
將XPS之運轉條件示於以下。
．裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號5600MC)
．極限真空：3.8×10-7Pa
．X射線：單色AlKα或非單色MgKα、X射線輸出300W、檢測面積800μm、試樣與檢測器所成之角度45°
．離子束：離子種類Ar+、加速電壓3kV、掃描面積3mm×3mm、濺鍍率2.8nm/min(SiO2換算)
再者，所謂XPS，意指X射線光電子分光法。於本發明中，以使用 ULVAC-PHI公司之XPS測定裝置(型號5600MC或ULVAC-PHI公司製造販賣的同等測定裝置)為前提，於無法獲取此種測定裝置之情形時，只要將深度方向之各元素濃度之測定間隔設為0.10~0.30nm(SiO2換算)，將濺鍍率設為1.0~3.0nm/min(SiO2換算)，則亦可使用其他XPS測定裝置。
．極薄銅層表面之Ni附著量：將附載體之銅箔之極薄銅層側貼附於BT樹脂(三雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)並於220℃進行2小時加熱壓接。其後，依據JIS C 6471(方法A)將極薄銅層自銅箔載體剝離。繼而，藉由利用濃度20質量%之硝酸溶解樣品，使用SII公司製造之ICP發射光譜分析裝置(型號：SPS3100)進行ICP發光分析而測定極薄銅層之中間層側表面之Ni附著量。再者，於對與極薄銅層之中間層側表面相反之側的表面進行含有Ni之表面處理之情形時，藉由僅溶解極薄銅層之中間層側表面附近(於極薄銅層之厚度為1.4μm以上之情形時，自極薄銅層之中間層側表面僅溶解0.5μm厚，於極薄銅層之厚度未達1.4μm之情形時，自極薄銅層之中間層側表面僅溶解極薄銅層厚度之20%)，可測定極薄銅層之中間層側表面之Ni附著量。
．蝕刻性：將所製作之附載體之銅箔與基材(三菱瓦斯化學製造：GHPL-832NX-A，0.05mm×4片)積層並於220℃進行2小時加熱壓接後，剝離銅箔載體，使極薄銅層露出而製成尺寸250×250mm2之樣品。調整可利用硫酸-過氧化水溶液(三菱瓦斯化學製造之SE07)對極薄銅層進行各厚度蝕刻之量，藉由小型蝕刻機(Ninomiya System製造之小型半蝕刻裝置 No.K-07003)實施整面蝕刻。然後，利用直至樹脂於整面露出為止所需之蝕刻次數，對附載體之銅箔之蝕刻性進行評價。將此時之蝕刻條件示於以下。
(蝕刻條件)
．作為蝕刻液，使用硫酸-過氧化水溶液：三菱瓦斯化學製造之SE-07 20 vol%(以水將原液稀釋5倍，銅濃度18g/L)。
．將蝕刻液之溫度管理為35±2℃。
．噴霧壓力：0.1MPa(噴霧係以對蝕刻對象之銅層垂直地噴灑蝕刻液之方式進行)
．蝕刻速度(相當於蝕刻之量)：0.3μm/次(蝕刻機每1道次為30秒)
可利用上述硫酸-過氧化水溶液：三菱瓦斯化學製造之SE-07對極薄銅層進行各厚度蝕刻的量係預先將利用蝕刻時之電解銅箔JTC之重量法測定JX Nippon Mining & Metals公司製造之電解銅箔JTC(厚度35μm)之整面所得之蝕刻量(銅層厚度之減少量)、與此時之蝕刻時間的關係製成如圖7所示之圖表而求出，且根據實施例及比較例中實際耗費之蝕刻時間，推算蝕刻量(銅層厚度之減少量)而求出。
蝕刻量(銅層厚度之減少量)之測定方法係利用以下式而求出。
蝕刻量(銅層厚度之減少量)(μm)=(蝕刻前之重量(g))-(蝕刻後之重量(g))/(蝕刻面積(μm2)×銅之密度(g/μm3))
設為銅之密度=8.96g/cm3=8.96×10-12g/μm3。
具體而言，獲得相當於利用蝕刻去除之極薄銅層之厚度B=蝕刻時間(秒)×係數α(=0.0336)之關係，藉此根據蝕刻時間求出相當於利用蝕刻去除之極薄銅層之厚度B。即，例如所謂相當於利用蝕刻去除之極薄銅層之 厚度B=5μm，意指進行5μm÷係數α(=0.0336)=148.8秒蝕刻之情況。
如此，對蝕刻次數、該蝕刻次數之平均、蝕刻次數之最大值-最小值進行測定。將相對於極薄銅層厚度之蝕刻次數之判定基準、及蝕刻次數之不均之判定基準示於表10。
．視認性之評價：於實施例及比較例之附載體之銅箔之極薄銅層上塗佈鍍敷阻劑後，進行電解鍍敷，形成20μm×20μm見方之銅鍍敷部。其後，嘗試於去除鍍敷阻劑後利用CCD相機檢測上述銅鍍敷部。將10次中檢測到10次之情況設為「◎◎」，將10次中檢測到9次以上之情況設為「◎」，將檢測到7~8次之情況設為「○」，將檢測到6次之情況設為「△」，將可檢測到5次以下之情況設為「×」。
．表面粗糙度之評價：
(1)極薄銅層表面之表面粗糙度Rz(十點平均粗糙度)
依據JIS B0601-1982使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C觸針式粗糙度計，測定極薄銅層表面之表面粗糙度Rz(觸針)(十點平均粗糙度)。任意測定10個部位之Rz(觸針)，將該Rz(觸針)之平均值設為Rz(觸針)之值。又，針對Rz(觸針)算出10個部位之值之標準偏差。
(2)中間層形成側表面之載體之表面粗糙度
依據JIS B0601-1982使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C觸針式粗糙度計，測定中間層形成側表面之載體之TD方向上的表面粗糙度Rz(觸針)。任意測定10個部位之Rz(觸針)，將該 Rz(觸針)之平均值設為Rz(觸針)之值。
．極薄銅層與埋入樹脂之密接性：於附載體之銅箔之極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影而將抗蝕劑蝕刻成線狀。其次，藉由於形成電路用Cu鍍層後去除抗蝕劑，而形成線狀電路鍍層。其次，以埋沒電路鍍層之方式於極薄銅層上設置埋入樹脂(三菱瓦斯化學製造之BT樹脂(雙順丁烯二醯亞胺三樹脂))而積層樹脂層。繼而，嘗試於與極薄銅層之界面剝離載體，對此時之於樹脂層與極薄銅層之界面剝離之次數進行測量。將於樹脂層與極薄銅層之界面剝離之次數在10次中為0次情況設為「◎◎」，將10次中為1次之情況設為「◎」，將10次中為2~3次之情況設為「○」，將10次中為4~5次之情況設為「△」，將10次中為6次以上之情況設為「×」。
．中間層形成側表面之載體之TD方向之光澤度(%)
依據JIS Z8741使用日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy Gloss Meter PG-1，對於壓延銅箔以與壓延方向(壓延時之銅箔之行進方向、即寬度方向)呈直角之方向(TD)之入射角60度測定光澤度(%)。又，對於電解銅箔以與電解處理時之銅箔運搬方向呈直角之方向(即寬度方向)(TD)之入射角60度測定無光澤面之光澤度(%)。
．剝離強度(N/m)
於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將附載體之銅箔之極薄銅層側熱壓接而貼附於BT樹脂(三雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)。繼而，利用拉伸試驗機拉伸載體側，依據JIS C 6471測定剝離極薄銅層時之剝離強度。(於表9之「220℃烘烤2h後(N/m)」 欄中表示該值)
又，於上述220℃×2小時之加熱之後，進而於氮氣氛圍中不施加壓力(於常壓下即大氣壓下)而進行2次180℃×1小時之加熱，除此以外，於相同之條件下測定各試樣之剝離強度。(於表9之「180℃烘烤1h×2次後(N/m)」欄中表示該值)
進而，上述對樹脂加熱壓接前(常溫常壓狀態即常態)之各試樣亦於自極薄銅層側對樹脂基板貼附黏著帶後，利用拉伸試驗機拉伸載體側，依據JIS C 6471測定剝離極薄銅層時之剝離強度。(於表9之「常態(N/m)」欄中表示該值)
(評價結果)
實施例1~36均為極薄銅層表面之色差△L為-40以下，極薄銅層表面之色差△E＊ab為45以上，至少視認性良好。
比較例1~9均為極薄銅層表面之色差△L超過-40，極薄銅層表面之色差△E＊ab未達45，至少視認性不良。

Claims (78)

  1. 一種附載體之銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層者，並且該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△L為-40以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層者，並且該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab為45以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a為20以下。
  4. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a為20以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b為20以下。
  6. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b為20以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有Ni，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將該極薄銅層剝離時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上300μg/dm2以下。
  8. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有Ni，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將該極薄銅層剝離時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2 以上300μg/dm2以下。
  9. 如申請專利範圍第7項之附載體之銅箔，其中，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離該極薄銅層時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上250μg/dm2以下。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體之銅箔，其中，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離該極薄銅層時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上200μg/dm2以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之附載體之銅箔，其中，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離該極薄銅層時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上150μg/dm2以下。
  12. 如申請專利範圍第11項之附載體之銅箔，其中，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，於剝離該極薄銅層時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
  13. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，該中間層之Ni含量為100μg/dm2以上5000μg/dm2以下。
  14. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。
  15. 如申請專利範圍第14項之附載體之銅箔，其中，於該中間層含有Cr之情形時，含有Cr 5~100μg/dm2，於含有Mo之情形時，含有Mo 50μg/dm2以上1000μg/dm2以下，於含有Zn之情形時，含有Zn 1μg/dm2以上120μg/dm2以下。
  16. 如申請專利範圍第14項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有厚度為25nm以上80nm以下之有機物。
  17. 如申請專利範圍第14項之附載體之銅箔，其中，該有機物係由選自含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之1種或2種以上構成的有機物。
  18. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.5μm以下。
  19. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.5μm以下。
  20. 如申請專利範圍第18項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.0μm以下。
  21. 如申請專利範圍第20項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上0.6μm以下。
  22. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。
  23. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz之標準偏差 為0.6μm以下。
  24. 如申請專利範圍第18項之附載體之銅箔，其中，該表面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。
  25. 如申請專利範圍第24項之附載體之銅箔，其中，該表面粗糙度Rz之標準偏差為0.4μm以下。
  26. 如申請專利範圍第25項之附載體之銅箔，其中，該表面粗糙度Rz之標準偏差為0.2μm以下。
  27. 如申請專利範圍第26項之附載體之銅箔，其中，該表面粗糙度Rz之標準偏差為0.1μm以下。
  28. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，於常溫常壓下將絕緣基板貼附於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，於氮氣氛圍中、於常壓下進行2次180℃×1小時之加熱後，於經熱壓接之狀態下，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時之剝離強度為2~100N/m。
  29. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其中，於常溫常壓下將絕緣基板貼附於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而 將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，於氮氣氛圍中、於常壓下進行2次180℃×1小時之加熱後，於經熱壓接之狀態下，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時之剝離強度為2~100N/m。
  30. 如申請專利範圍第28項之附載體之銅箔，其中，該剝離強度為2~50N/m。
  31. 如申請專利範圍第30項之附載體之銅箔，其中，該剝離強度為2~20N/m。
  32. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其於該載體之兩個面依序具有該中間層及該極薄銅層。
  33. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其於該載體之兩個面依序具有該中間層及該極薄銅層。
  34. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之至少一個表面或兩個表面具有粗化處理層。
  35. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之至少一個表面或兩個表面具有粗化處理層。
  36. 如申請專利範圍第34項之附載體之銅箔，其中，該粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一者之單質或含有任1種以上之合金構成的層。
  37. 如申請專利範圍第34項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  38. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之 至少一個表面或兩個表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  39. 如申請專利範圍第32項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層之一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  40. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層上具備樹脂層。
  41. 如申請專利範圍第2項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層上具備樹脂層。
  42. 如申請專利範圍第34項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層上具備樹脂層。
  43. 如申請專利範圍第35項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層上具備樹脂層。
  44. 如申請專利範圍第37項之附載體之銅箔，其於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  45. 如申請專利範圍第38項之附載體之銅箔，其於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  46. 一種附載體之銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層者，並且該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ab為45以上。
  47. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△a為20以下。
  48. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△b為20以下。
  49. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有Ni，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將該極薄銅層剝離時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上300μg/dm2以下。
  50. 如申請專利範圍第3至6、47、48項中任一項之附載體之銅箔，其中，該中間層含有Ni，將該附載體之銅箔於220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將該極薄銅層剝離時，該極薄銅層之該中間層側表面之Ni附著量為5μg/dm2以上300μg/dm2以下。
  51. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.5μm以下。
  52. 如申請專利範圍第3至17、47至49項中任一項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz為0.2μm以上1.5μm以下。
  53. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。
  54. 如申請專利範圍第3至21、47至49、51項中任一項之附載體之銅箔，其中，依據JIS B0601-1982使用觸針式粗糙度計測得之該極薄銅層表面之表面粗糙度Rz之標準偏差為0.6μm以下。
  55. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其中，於常溫常壓下將絕緣基板貼附於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，於氮氣氛圍中、於常壓下進行2次180℃×1小時之加熱後，於經熱壓接之狀態下，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時之剝離強度為2~100N/m。
  56. 如申請專利範圍第3至27、47至49、51、53項中任一項之附載體之銅箔，其中，於常溫常壓下將絕緣基板貼附於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，及/或藉由於大氣中、於20kgf/cm2之壓力下進行220℃×2小時之加熱而將絕緣基板熱壓接於該附載體之銅箔之極薄銅層側表面後，於氮氣氛圍中、於常壓下進行2次180℃×1小時之加熱後，於經熱壓接之狀態下，依據JIS C 6471剝離該極薄銅層時之剝離強度為2~100N/m。
  57. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其於該載體之兩個面依序具有該中間層及該極薄銅層。
  58. 如申請專利範圍第3至31、47至49、51、53、55項中任一項之附載體之銅箔，其於該載體之兩個面依序具有該中間層及該極薄銅層。
  59. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之至少一個表面或兩個表面具有粗化處理層。
  60. 如申請專利範圍第3至33、47至49、51、53、55、57項中任一項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之至少一個表面或兩個表面具有粗化處理層。
  61. 如申請專利範圍第60項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  62. 如申請專利範圍第2至35、46至49、51、53、55、57、59項中任一項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層及該載體之至少一個表面或兩個表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  63. 如申請專利範圍第58項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層之一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  64. 如申請專利範圍第46項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層上具備樹脂層。
  65. 如申請專利範圍第3至39、47至49、51、53、55、57、59項中任一項之附載體之銅箔，其於該極薄銅層上具備樹脂層。
  66. 如申請專利範圍第59項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層上具備樹 脂層。
  67. 如申請專利範圍第60項之附載體之銅箔，其於該粗化處理層上具備樹脂層。
  68. 如申請專利範圍第62項之附載體之銅箔，其於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  69. 如申請專利範圍第63項之附載體之銅箔，其於該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  70. 一種覆銅積層板，其使用申請專利範圍第1至69項中任一項之附載體之銅箔而製造。
  71. 一種印刷配線板，其使用申請專利範圍第1至69項中任一項之附載體之銅箔而製造。
  72. 一種電子機器，其使用申請專利範圍第71項之印刷配線板而製造。
  73. 一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：準備申請專利範圍第1至69項中任一項之附載體之銅箔與絕緣基板之步驟；將該附載體之銅箔與絕緣基板積層之步驟；及於將該附載體之銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體之銅箔的銅箔載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法形成電路之步驟。
  74. 一種印刷配線板之製造方法，其含有如下步驟：於申請專利範圍第1至69項中任一項之附載體之銅箔之該極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒該電路之方式於該附載體之銅箔之該極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於該樹脂層上形成電路之步驟；於該樹脂層上形成電路後，剝離該載體之步驟；及藉由於剝離該載體後去除該極薄銅層，而使形成於該極薄銅層側表面之埋沒於該樹脂層的電路露出之步驟。
  75. 如申請專利範圍第74項之印刷配線板之製造方法，其中，於該樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體之銅箔自極薄銅層側貼合於該樹脂層上，使用貼合於該樹脂層之附載體之銅箔而形成該電路的步驟。
  76. 如申請專利範圍第75項之印刷配線板之製造方法，其中，貼合於該樹脂層上之另一附載體之銅箔為申請專利範圍第1至69項中任一項之附載體之銅箔。
  77. 如申請專利範圍第74至76項中任一項之印刷配線板之製造方法，其中，於該樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而進行。
  78. 如申請專利範圍第74至76項中任一項之印刷配線板之製造方法，其進而含有於剝離載體前，於附載體之銅箔之載體側表面形成基板的步驟。
TW103120685A 2013-06-13 2014-06-13 Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board TWI527687B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013124398 2013-06-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201511937A TW201511937A (zh) 2015-04-01
TWI527687B true TWI527687B (zh) 2016-04-01

Family

ID=52022391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120685A TWI527687B (zh) 2013-06-13 2014-06-13 Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5651811B1 (zh)
KR (1) KR101762049B1 (zh)
CN (2) CN105189829B (zh)
TW (1) TWI527687B (zh)
WO (1) WO2014200106A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI694757B (zh) * 2016-11-30 2020-05-21 日商福田金屬箔粉工業股份有限公司 複合金屬箔、使用該複合金屬箔的覆銅層疊板及該覆銅層疊板的製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI504504B (zh) * 2012-11-20 2015-10-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Attached copper foil
KR101929635B1 (ko) * 2013-08-29 2018-12-14 제이엑스금속주식회사 표면 처리 금속재, 캐리어 부착 금속박, 커넥터, 단자, 적층체, 실드 테이프, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP6522974B2 (ja) * 2015-02-07 2019-05-29 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
WO2016143117A1 (ja) * 2015-03-12 2016-09-15 三井金属鉱業株式会社 キャリア付き金属箔及び配線基板の製造方法
JP6236119B2 (ja) * 2015-06-24 2017-11-22 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
MY188258A (en) * 2016-02-18 2021-11-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Copper foil for printed circuit board production, copper foil with carrier, and copper-clad laminate plate, and printed circuit board production method using copper foil for printed circuit board production, copper foil with carrier, and copper-clad laminate plate
WO2017149811A1 (ja) 2016-02-29 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法
JP7449921B2 (ja) * 2019-03-27 2024-03-14 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板用金属箔、キャリア付金属箔及び金属張積層板、並びにそれらを用いたプリント配線板の製造方法
CN110996536B (zh) * 2019-12-25 2023-06-02 广东生益科技股份有限公司 一种载体铜箔及其制备方法和应用
LU101698B1 (en) * 2020-03-18 2021-09-20 Circuit Foil Luxembourg Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing same
KR102232514B1 (ko) * 2020-07-13 2021-03-25 동우 화인켐 주식회사 플렉시블 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
CN114828447A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 线路板及其制作方法
CN112941478A (zh) * 2021-01-29 2021-06-11 山东金宝电子股份有限公司 一种微弧氧化处理铝箔为载体超薄铜箔及其制备方法
CN113416986B (zh) * 2021-07-08 2022-10-11 江西柔顺科技有限公司 电解铜箔的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4087369B2 (ja) * 2003-11-11 2008-05-21 古河サーキットフォイル株式会社 キャリア付き極薄銅箔、およびプリント配線板
US7341796B2 (en) * 2004-02-17 2008-03-11 Nippon Mining & Metals Co., Ltd Copper foil having blackened surface or layer
KR101614624B1 (ko) * 2011-08-31 2016-04-29 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 캐리어가 부착된 구리박
WO2013065727A1 (ja) * 2011-11-02 2013-05-10 Jx日鉱日石金属株式会社 印刷回路用銅箔
JP5156873B1 (ja) * 2012-07-25 2013-03-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔
JP5481553B1 (ja) * 2012-11-30 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI694757B (zh) * 2016-11-30 2020-05-21 日商福田金屬箔粉工業股份有限公司 複合金屬箔、使用該複合金屬箔的覆銅層疊板及該覆銅層疊板的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105189829B (zh) 2018-06-01
WO2014200106A1 (ja) 2014-12-18
CN105189829A (zh) 2015-12-23
JP5651811B1 (ja) 2015-01-14
KR20150085105A (ko) 2015-07-22
KR101762049B1 (ko) 2017-07-26
JPWO2014200106A1 (ja) 2017-02-23
TW201511937A (zh) 2015-04-01
CN108277513A (zh) 2018-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI527687B (zh) Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board
JP6640796B2 (ja) キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
TWI638590B (zh) Carrier copper foil, laminated body, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method
JP7055049B2 (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法
TWI603655B (zh) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, laminated board, printed wiring board, electronic equipment, and manufacturing method of printed wiring board
JP5885790B2 (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、電子機器の製造方法、並びに、プリント配線板の製造方法
TWI613940B (zh) 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法
TWI526299B (zh) Manufacturing method of supporting copper foil, printed wiring board, copper clad sheet, electronic machine and printed wiring board
US20160212846A1 (en) Copper foil provided with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, and method for fabricating printed wiring board
TWI503454B (zh) Method for manufacturing copper foil, attached copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper clad sheet, and printed wiring board
WO2015012376A1 (ja) 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI532592B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
TWI575121B (zh) Production method of copper foil, laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board
WO2015030256A1 (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及びプリント配線板の製造方法
JP5746402B2 (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
TWI503456B (zh) Attached copper foil
TWI484073B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, copper laminated board, printed wiring board and electronic equipment
US20180288881A1 (en) Surface Treated Copper Foil, Surface Treated Copper Foil With Resin Layer, Copper Foil With Carrier, Laminate, Method For Manufacturing Printed Wiring Board, And Method For Manufacturing Electronic Device
TWI489014B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, copper laminated board, printed wiring board, and electronic equipment
TWI526303B (zh) Surface-treated copper foil, laminated board, carrier copper foil, printed wiring board, printed circuit board, electronic machine and printed wiring board manufacturing method
TW201618619A (zh) 附載體銅箔之製法、覆銅積層板之製法、印刷配線板之製法、電子機器之製法及其等之製品
TWI586851B (zh) Manufacturing method of copper foil, laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board
TWI512151B (zh) A carrier copper foil, a method of manufacturing a carrier copper foil, a printed wiring board, and a printed circuit board
JP2016145390A (ja) キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法
JP2017013473A (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板、積層体、プリント配線板、コアレス基板、電子機器及びコアレス基板の製造方法