TW201327933A - 密封片材、光半導體裝置之製造方法、光半導體裝置及照明裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種密封片材，其係密封光半導體元件者，且具備含有螢光體之第1層，及含有螢光體、積層於第1層上且密封光半導體元件之第2層。第1層中之上述螢光體之體積與第2層中之螢光體之體積的比率為90：10~55：45。

Description

密封片材、光半導體裝置之製造方法、光半導體裝置及照明裝置
本發明係關於一種密封片材、使用該密封片材之光半導體裝置之製造方法、光半導體裝置及照明裝置。
先前，已知有利用樹脂密封發光二極體(LED)等光半導體元件之情況。
例如，提出有使用具備含有螢光體之第1樹脂層與密封光半導體元件之第2樹脂層的光半導體密封用片材密封光半導體元件而獲得光半導體裝置(例如，參照日本專利特開2010-123802號公報)。
於該光半導體裝置中，例如，若由YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)系螢光體構成螢光體，由藍色發光二極體構成光半導體元件，則可使來自藍色發光二極體之藍光與來自YAG系螢光體之黃光混色而獲得白光。
然而，上述日本專利特開第2010-123802號公報中記載之光半導體密封用片材中，沿第1樹脂層與2樹脂層之積層方向前進之藍光與來自YAG系螢光體之黃光適當混色而成為白光，但另一方面，存在於與積層方向不同方向上前進之藍光與來自YAG系螢光體之黃光的混色失去平衡而未成為白光之情形。
例如，於第2樹脂層中不含螢光體之情形時，存在來自 藍色發光二極體之藍光未通過第1樹脂層而自第2樹脂層之側面(與積層方向正交之方向之側面)透出之情形。
即，該情形時，若自與積層方向正交之方向視認光半導體裝置，則光半導體裝置看起來發藍光。
又，若第2樹脂層中含有少量螢光體，則自與積層方向正交之方向視認光半導體裝置時，與來自YAG系螢光體之黃光相比來自藍色發光二極體之藍光較強，光半導體裝置看起來發藍光。
又，若第2樹脂層中含有大量螢光體，則自與積層方向正交之方向視認光半導體裝置時，與來自藍色發光二極體之藍光相比來自YAG系螢光體之黃光較強，光半導體裝置看起來發黃光。
如上所述，來自光半導體裝置之光之色度係根據視認光半導體裝置之角度(視角)而變動。
因此，本發明之目的在於提供一種可減少來自光半導體裝置之光之色度根據視角而變動之情況的密封片材、光半導體裝置之製造方法、光半導體裝置及照明裝置。
本發明之密封片材之特徵在於：其係密封光半導體元件者，且具備含有螢光體之第1層；及含有螢光體、積層於上述第1層上且密封上述光半導體元件之第2層；且上述第1層中之上述螢光體之體積與上述第2層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45。
又，於本發明之密封片材中，上述第1層及上述第2層較佳為含有聚矽氧樹脂。
又，於本發明之密封片材中，上述第1層中所含之上述螢光體及上述第2層中所含之上述螢光體較佳為(Sr、Ba)2SiO4：Eu。
又，於本發明之密封片材中，上述第1層中所含之上述螢光體與上述第2層中所含之上述螢光體的總量較佳為以使經密封之上述光半導體元件發光時全光束測定中CIE-y為0.32~0.37之方式進行調整。
又，本發明之光半導體裝置之製造方法的特徵在於包括：將上述密封片材以上述第2層朝向上述光半導體元件地與上述光半導體元件對向的步驟；將對向之上述密封片材及上述光半導體元件之至少1者向使該等接近之方向進行推壓而密封上述光半導體元件的步驟。
又，本發明之光半導體裝置之特徵在於：其具備：光半導體元件，含有螢光體且對上述光半導體元件隔著間隔而對向配置之第1螢光層，含有螢光體且介存於上述光半導體元件與上述第1螢光層之間密封上述光半導體元件之第2螢光層；且上述第1螢光層中之上述螢光體之體積與上述第2螢光層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45。
又，於本發明之光半導體裝置中，上述第1螢光層及上述第2螢光層較佳為含有聚矽氧樹脂。
又，於本發明之光半導體裝置中，較佳為，上述光半導體元件與上述第1螢光層之對向方向上之上述第1螢光層之表面與上述光半導體元件的距離跟與上述對向方向正交之 方向上之上述第2螢光層之表面與上述光半導體元件的距離相比較短。
又，於本發明之光半導體裝置中，上述第1螢光層中所含之上述螢光體及上述第2螢光層中所含之上述螢光體較佳為(Sr、Ba)2SiO4：Eu。
又，於本發明之光半導體裝置中，上述第1螢光層中所含之上述螢光體與上述第2螢光層中所含之上述螢光體之總量較佳為以全光束測定中之CIE-y成為0.32~0.37之方式進行調整。
又，本發明之照明裝置之特徵在於具備上述光半導體裝置。
根據本發明之密封片材，而將第1層中之螢光體之體積與第2層中之螢光體之體積的比率調整為90：10~55：45。
因此，若藉由本發明之密封片材密封光半導體元件而製造光半導體裝置，則可容易地將第1螢光層中之螢光體之體積與第2螢光層中之螢光體之體積的比率調整為90：10~55：45。
其結果為，可容易地減少來自光半導體裝置或照明裝置之光之色度根據視角而變動之情況。
圖1係本發明之密封片材之一實施形態的剖面圖。圖2係說明圖1所示之密封片材之製造方法的說明圖。
密封片材1係如圖1所示，具備長條之扁帶形狀之剝離膜2，積層於剝離膜2上之作為第1層之螢光體層3，積層於螢光體層3上之作為第2層之密封樹脂層4。密封片材1例如係 用以密封發光二極體(LED)等光半導體元件。本實施形態中，對密封藍色發光二極體作為光半導體元件之情形進行說明。
製造密封片材1時，如圖2(a)所示，首先於剝離膜2上形成螢光體層3。
剝離膜2係由例如聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸系膜、聚矽氧樹脂膜、苯乙烯樹脂膜、氟樹脂膜等樹脂膜形成。再者，剝離膜2之表面亦可實施脫模處理。
剝離膜2之厚度例如為20~100 μm，較佳為30~50 μm。若剝離膜2之厚度為上述範圍內，則可一面抑制成本之增大，一面實現良好之操作性(將剝離膜2自密封片材1剝離時之操作性)。
螢光體層3含有螢光體與成形樹脂作為必需成分。
作為螢光體，例如可列舉：可將藍光轉換為黃光之黃色螢光體，或可將藍光轉換為紅光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉例如(Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽(BOS))等矽酸鹽螢光體；例如Ca-α-SiAlON：Eu等α-賽隆螢光體；例如Y3Al5O12：Ce(YAG：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG：Ce)等石榴石型螢光體。
作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN3：Eu等氮化物螢光體。
作為螢光體，較佳可列舉黃色螢光體，更佳可列舉矽酸鹽螢光體，進而更佳可列舉(Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽 (BOS))。若螢光體為(Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽(BOS))，則可容易地獲得具有各種發光波長之螢光體，進而於光半導體裝置10(後述)中，有可豐富地實現將藍光轉換為黃光之發光波長變化的效果。
螢光體例如為粒子狀，於藉由雷射繞射散射式粒度分佈測定法而測得之體積基準粒度分佈中，自小粒徑側起之累計通過率(cumulative percent passing)50%之粒子徑(所謂中值粒徑(D50))例如為0.1~100 μm，較佳為1~30 μm。
作為成形樹脂，例如可列舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等透光樹脂，較佳可列舉聚矽氧樹脂。該等成形樹脂可單獨(僅1種)使用，亦可併用2種以上。若成形樹脂含有聚矽氧樹脂，則由於物理特性與電性特性，而具有可耐受範圍較廣之溫度、濕度條件或嚴酷之環境的效果。
又，成形樹脂中含有聚矽氧樹脂較佳為70質量%以上，更佳為90質量%以上，進而更佳為100質量%(即，僅聚矽氧樹脂)。
聚矽氧樹脂係市售品，例如可列舉：ERASTOSIL LR7665等ERASTOSIL系列(Wacker Asahikasei Silicone製造)等聚矽氧彈性體。
再者，於成形樹脂中含有聚矽氧樹脂之情形時，可藉由調整聚矽氧樹脂之交聯密度，而將螢光體層3之彈性調整為即便受到外力或密封時之壓力亦可維持一定厚度之彈 性。
又，螢光體層3中，可調配硬化劑、硬化促進劑、抗老化劑、改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等添加劑作為任意成分。
又，螢光體層3中，可調配例如聚矽氧樹脂微粒子等有機粒子及例如二氧化矽微粒子、硫酸鋇、碳酸鋇、鈦酸鋇等無機粒子作為任意成分。該等有機粒子及無機粒子可單獨(僅1種)使用，亦可併用2種以上。
形成螢光體層3時，首先於成形樹脂或成形樹脂之溶液中調配螢光體，並進行混合而製備成形樹脂組合物。
成形樹脂組合物中螢光體之質量基準之含有比率(固形物成分換算，以下記作質量比率)可根據目標之螢光體層3所含有之螢光體之體積基準之含有比率(以下記作體積比率)進行倒算而設定。
再者，成形樹脂組合物中之螢光體之體積比率可藉由下述式(1)而計算。
式(1)：螢光體之體積比率=(螢光體之質量比率/螢光體之比重)÷{(螢光體之質量比率/螢光體之比重)+(成形樹脂之質量比率/成形樹脂之比重)}
繼而，將獲得之成形樹脂組合物塗佈於剝離膜2上，進行乾燥而獲得螢光體層3。
作為將成形樹脂組合物塗佈於剝離膜2上之方法，例如可列舉流延、旋塗、輥塗等方法。
又，塗佈於剝離膜2上之成形樹脂組合物並無特別限定，例如於80~150℃、較佳為90~150℃下進行例如5~60分鐘加熱，藉此進行乾燥。
獲得之螢光體層3之厚度例如為30~1000 μm，較佳為100~700 μm，進而較佳為300~600 μm。
又，獲得之螢光體層3中之螢光體之體積比率取決於螢光體之種類，於螢光體為(Sr、Ba)2SiO4：Eu之情形時，例如為0.1~99.9體積%，較佳為1~99體積%，進而較佳為2~15體積%。
繼而，製造密封片材1時，如圖2(b)所示，於螢光體層3上形成密封樹脂層4。
密封樹脂層4含有螢光體與密封樹脂作為必需成分。
作為螢光體，例如可列舉與上述螢光體層3中列舉之螢光體相同者。
作為密封樹脂，可列舉與上述螢光體層3中列舉之成形樹脂相同者，較佳可列舉聚矽氧樹脂。該等密封樹脂可單獨(僅1種)使用，亦可併用2種以上。若密封樹脂含有聚矽氧樹脂，則由於物理特性與電性特性，而具有可耐受範圍較廣之溫度、濕度條件或嚴酷之環境的效果。
作為聚矽氧樹脂，較佳可列舉具有2個反應系統(硬化反應中之反應系統)之聚矽氧樹脂及改性聚矽氧樹脂。
作為具有2個反應系統之聚矽氧樹脂，例如可列舉：具有矽烷醇縮合與矽氫化反應2個反應系統之聚矽氧樹脂(例如，於後述實施例中製備之密封樹脂等)。
作為改性聚矽氧樹脂，例如可列舉具有聚矽氧樹脂之矽氧烷骨架中之一部分Si原子經取代的異質矽氧烷骨架(例如，Si原子經B原子取代之硼矽氧烷，Si原子經Al原子取代之鋁矽氧烷，Si原子經P原子取代之磷矽氧烷，Si原子經Ti原子取代之鈦矽氧烷等)之聚矽氧樹脂。
又，密封樹脂層4中，可調配例如聚矽氧樹脂微粒子等有機粒子及例如二氧化矽微粒子、硫酸鋇、碳酸鋇、鈦酸鋇等無機粒子作為任意成分。該等有機粒子及無機粒子可單獨(僅1種)使用，亦可併用2種以上。
形成密封樹脂層4時，首先，於密封樹脂或密封樹脂之溶液中調配螢光體，並進行混合而製備密封樹脂組合物。
密封樹脂組合物中之螢光體之質量比率(固形物成分換算)係與上述成形樹脂組合物中之螢光體之質量比率相同地，根據目標之密封樹脂層4所含有之螢光體之體積比率進行倒算而設定。
再者，密封樹脂組合物中螢光體之體積比率可藉由下述式(2)進行計算。
式(2)：螢光體之體積比率=(螢光體之質量比率/螢光體之比重)÷{(螢光體之質量比率/螢光體之比重)+(密封樹脂之質量比率/密封樹脂之比重)}
繼而，將獲得之密封樹脂組合物塗佈於螢光體層3上，進行乾燥而獲得密封樹脂層4。
作為將密封樹脂組合物塗佈於螢光體層3上之方法，例 如可使用與上述將成形樹脂組合物塗佈於剝離膜2上之方法相同之方法。
又，塗佈於螢光體層3上之密封樹脂組合物例如於50~160℃、較佳為80~150℃下進行例如5~300分鐘加熱，藉此進行乾燥。
就光半導體元件之密封性或作業性、光半導體元件之白色化之觀點而言，獲得之密封樹脂層4之厚度例如為30~2000 μm，較佳為200~1000 μm，進而較佳為400~800 μm。
又，密封樹脂層4之厚度與螢光體層3之厚度的比率例如為5：5~9：1，較佳為5.5：4.5~7：3。
又，獲得之密封樹脂層4中螢光體之體積比率取決於螢光體之種類，於螢光體為(Sr、Ba)2SiO4：Eu之情形時，例如為0.1~99.9體積%，較佳為0.1~4體積%。
又，螢光體層3中之螢光體之含有比率與密封樹脂層4中之螢光體之含有比率較佳為以全光束測定中之CIE-y為0.32~0.37之方式進行調整以使經密封之發光二極體11(後述)發光時為白光。全光束測定中之CIE-y係例如使用瞬間多通道測光系統(MCPD-9800，大塚電子公司製造)等並以積分球方式進行測定。
再者，密封樹脂層4亦可以單層形式形成，又，亦可藉由積層複數層而形成為上述厚度。
藉此而獲得密封片材1。再者，密封片材1之形狀及尺寸可根據密封對象(發光二極體11)之形狀及尺寸而適當調 節。
於獲得之密封片材1中，螢光體層3中之螢光體之體積與密封樹脂層4中之螢光體之體積的比率係調整為例如90：10~55：45，較佳為80：20~60：40。
圖3係說明本發明之光半導體裝置之製造方法之一實施方法的說明圖。圖4係表示本發明之光半導體裝置之一實施形態的概略構成圖。
繼而，對使用獲得之密封片材1密封發光二極體11而製造光半導體裝置之方法進行說明。
如圖3(a)所示，密封發光二極體11時，首先，將安裝有相互隔著間隔而配置之複數個發光二極體11的基板12載置於大致平板形狀之加壓裝置之底板13上，並於基板12之上方，以使密封樹脂層4與發光二極體11於上下方向上對向之方式而配置密封片材1。
繼而，以與底板13之間夾持密封片材1之方式，使加壓板14向底板13接近，而將密封片材1向基板12進行推壓，其後加熱加壓板14。
加壓板14之溫度例如為120~200℃，較佳為140~180℃。
加壓板14對密封片材1之推壓力例如為0.01~10 MPa，較佳為0.1~4 MPa。
於是，如圖3(b)所示，發光二極體11被埋設於密封樹脂層4內。
然後，繼續加熱螢光體層3及密封樹脂層4，藉此使螢光體層3硬化而形成作為第1螢光層之螢光層15，同時使密封 樹脂層4硬化而形成作為第2螢光層之密封層16。
最後，剝離剝離膜2，如圖4所示，獲得光半導體裝置10。
於獲得之光半導體裝置10中，發光二極體11與螢光層15之對向方向(圖4中之紙面上下方向)上之螢光層15之表面與發光二極體11的距離X例如為500~2000 μm，較佳為600~1000 μm。
又，與對向方向正交之方向(圖4中之紙面左右方向)上之密封層16之表面與發光二極體11(最接近密封層16之表面之發光二極體11)的距離Y例如為500~5000 μm，較佳為1000~3000 μm。
又，距離X與距離Y之比率例如為1：10~4：1，較佳為1：5~2：1。
根據上述密封片材1，螢光體層3中之螢光體之體積與密封樹脂層4中之螢光體之體積的比率被調整為90：10~55：45。
因此，根據該光半導體裝置10，螢光層15中之螢光體之體積與密封層16中之螢光體之體積的比率被調整為90：10~55：45。
其結果為，可減少來自光半導體裝置10之光之色度根據視角而變動之情況。
再者，若螢光體層3中之螢光體之含有比率超過上述範圍(90)，則有來自光半導體裝置10之光之色度根據視認光半導體裝置10之角度(視角)而較大變動的異常。又，若密 封樹脂層4中之螢光體之含有比率超過上述範圍(45)，則有來自光半導體裝置10之光之色度根據視認光半導體裝置10之角度(視角)而較大變動的異常。
又，根據該光半導體裝置10，如圖4所示，密封層16之側面與發光二極體11之距離Y比螢光層15之表面與發光二極體11之距離X長。
因此，可藉由密封層16中之螢光體而使未通過螢光層15而通過密封層16之側面的光白色化。
圖6係本發明之照明裝置之一實施形態的平面圖。圖7係圖6所示之照明裝置之A-A剖面圖。
該光半導體裝置10例如係安裝於照明裝置20上。
如圖6及圖7所示，照明裝置20具備收容光半導體裝置10之殼體21。
殼體21係於特定方向上形成為縱向之大致盒子形狀，具備底架23、蓋構件24及電源線25。
底架23於殼體21之長度方向上延伸，形成朝向上側(與特定方向正交之方向之一側，以下相同)開放之俯視大致矩形框形狀。底架23構成殼體21之下側(與特定方向正交之方向之一側，以下相同)一半。
蓋構件24係以自上側被覆底架23之方式，形成為於殼體21之長度方向上延伸之大致字形狀。於蓋構件24中，貫通形成有於長度方向上延伸之窗部27。於窗部27內，嵌合有玻璃板26。
電源線25係於底架23之長度方向一端部以連接底架23之 內外之方式被支撐。電源線25係於底架23內電性連接於光半導體裝置10之基板12。
光半導體裝置10係形成為於殼體21之長度方向上延伸之俯視大致矩形之平板形狀。再者，於該光半導體裝置10中，於1個基板12上於長度方向上隔著間隔而並列配置有複數個發光二極體11。又，光半導體裝置10具備複數個透鏡22。
複數個透鏡22分別係對應複數個發光二極體11而分別設置。透鏡22係形成為凸透鏡形狀，設置於光半導體裝置10之螢光層15上。透鏡22使自發光二極體11出射之光定向。
根據該照明裝置20，其具備上述光半導體裝置10，因此可容易地減少來自照明裝置20之光之色度根據視角而變動之情況。
再者，於上述實施形態中，剝離膜2上依次積層有螢光體層3及密封樹脂層4，但亦可例如藉由將螢光體層3與密封樹脂層4分別形成為不同之膜，其後利用熱壓接等方法使螢光體層3與密封樹脂層4貼合。
又，於上述實施形態中，於利用密封片材1密封發光二極體11後剝離剝離膜2，但亦可於自密封片材1剝離剝離膜2後密封發光二極體11。
又，於上述實施形態中，利用大致平板形狀之加壓板14將密封片材1對基板12進行加壓，但亦可使用特定形狀之成形模具代替加壓板14而進行加壓。
實施例
以下，基於各實施例及各比較例而對本發明進行說明，但本發明並不受該等實施例等任何限定。
1.成形樹脂之製備
將ERASTOSIL LR7665(Wacker Asahikasei公司製造，二甲基矽氧烷骨架衍生物)之A液與B液以1：1之比率進行混合而製備成形樹脂。獲得之成形樹脂之比重為1.0 g/cm3。
2.密封樹脂之製備
對加溫至40℃之矽烷醇基兩末端聚矽氧烷(下述式(1)中，R1全部為甲基，n之平均為155，數量平均分子量11,500，矽烷醇基當量0.174 mmol/g)2031 g(0.177莫耳)調配乙烯基三甲氧基矽烷15.76 g(0.106莫耳)及(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷2.80 g(0.0118莫耳)，並進行攪拌混合。
再者，矽烷醇基兩末端聚二甲基矽氧烷之矽烷醇基(SiOH)相對於乙烯基三甲氧基矽烷及(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷之甲氧基矽烷基(SiOCH3)的莫耳比(矽烷醇基之莫耳數/甲氧基矽烷基之總莫耳數)為1/1。
攪拌混合後，添加氫氧化四甲基銨之甲醇溶液(縮合觸媒，濃度10質量%)0.97 mL(觸媒含量：0.88毫莫耳，相對於矽烷醇基兩末端聚二甲基矽氧烷100莫耳相當於0.50莫耳)，於40℃下攪拌1小時。將獲得之混合物(油)於40℃之減壓下(10 mmHg)一面攪拌1小時一面去除揮發成分(甲醇等)。
其後，將系統還原至常壓後，於反應物中添加有機氫化 矽氧烷(信越化學工業公司製造，數量平均分子量2,000，氫矽烷基當量7.14 mmol/g)44.5 g(0.022莫耳)，於40℃下攪拌1小時。
再者，乙烯基三甲氧基矽烷之乙烯基(CH2=CH-)相對於有機氫化矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比(CH2=CH-/SiH)為1/3。
其後，於系統中添加鉑-羰基錯合物之矽氧烷溶液(加成觸媒，鉑濃度2質量%)0.13 mL(作為鉑，相對於有機氫化矽氧烷100質量份相當於5.8×10-3質量份)，於40℃下攪拌10分鐘而獲得密封樹脂。
獲得之密封樹脂之比重為1.0 g/cm3。
3.各實施例及各比較例 實施例1 (密封片材之製作)
於成形樹脂85 g中調配螢光體((Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽)比重：4.8 g/cm3)15 g，攪拌混合1小時，而製備含有15質量%之螢光體之成形樹脂組合物。
將獲得之成形樹脂組合物以400 μm之厚度塗佈於剝離膜(聚酯膜：SS4C，Nippa公司製造，厚度50 μm)上，並於 100℃下乾燥10分鐘，而形成積層於剝離膜上之螢光體層(參照圖2(a))。
繼而，於密封樹脂93 g中調配螢光體((Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽))7 g，進行混合而製備含有7質量%之螢光體之密封樹脂組合物。
將獲得之密封樹脂組合物以600 μm之厚度塗佈於螢光體層上，並於135℃下乾燥5分鐘。藉此使密封樹脂組合物半硬化而形成密封樹脂層(參照圖2(b))。
藉此獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(半導體裝置之製作)
對LED陣列基板(於外尺寸22 mm×15 mm之金屬基板上形成12 mm 、深度150 μm之凹陷部，並於凹陷部內以3 mm間隔搭載有9個(3個(縱)×3個(橫))藍色發光二極體晶片而形成的LED陣列基板)，以密封樹脂層對向於藍色發光二極體晶片之方式配置密封片材(參照圖3(a))。
使用金屬製之加壓板，將密封片材一面於160℃下進行加熱，一面以0.1 MPa之壓力向藍色發光二極體晶片推壓5分鐘，而密封藍色發光二極體晶片。
最後，剝離剝離膜而獲得光半導體裝置。
實施例2 (密封片材之製作)
使成形樹脂組合物含有16.5質量%之螢光體，使密封樹 脂組合物含有6質量%之螢光體，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(光半導體裝置之製作)
以與上述實施例1相同之方式，使用獲得之密封片材密封藍色發光二極體晶片而獲得光半導體裝置。
實施例3 (密封片材之製作)
於成形樹脂83 g中調配螢光體((Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽))17 g，攪拌混合1小時，而製備含有17質量%之螢光體之成形樹脂組合物。
將獲得之成形樹脂組合物以500 μm之厚度塗佈於剝離膜(聚酯膜：SS4C，Nippa公司製造，厚度50 μm)上，並於100℃下乾燥10分鐘，而形成積層於剝離膜上之螢光體層(參照圖2(a))。
繼而，於密封樹脂95 g中調配螢光體((Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸鹽))5 g，進行混合而製備含有5質量%之螢光體之密封樹脂組合物。
將獲得之密封樹脂組合物以600 μm之厚度塗佈於螢光體層上，並於135℃下乾燥5分鐘。藉此使密封樹脂組合物半硬化而形成密封樹脂層(參照圖2(b))。
藉此獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有 之螢光體之體積的比率示於表1。
實施例4 (密封片材之製作)
使成形樹脂組合物含有20質量%之螢光體，使密封樹脂組合物含有3質量%之螢光體，除此以外，以與上述實施例3相同之方式獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(光半導體裝置之製作)
以與上述實施例1相同之方式，使用獲得之密封片材密封藍色發光二極體晶片而獲得光半導體裝置。
比較例1 (密封片材之製作)
使成形樹脂組合物含有23質量%之螢光體，使密封樹脂組合物含有1質量%之螢光體，除此以外，以與上述實施例3相同之方式獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(光半導體裝置之製作)
以與上述實施例1相同之方式，使用獲得之密封片材密封藍色發光二極體晶片而獲得光半導體裝置。
比較例2 (密封片材之製作)
使成形樹脂組合物含有63質量%之螢光體，使密封樹脂 組合物不含有螢光體，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(光半導體裝置之製作)
以與上述實施例1相同之方式，使用獲得之密封片材密封藍色發光二極體晶片而獲得光半導體裝置。
比較例3 (密封片材之製作)
使密封樹脂組合物含有13.5質量%之螢光體，且不形成螢光體層而於剝離片材上形成密封樹脂層，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得密封片材。
將螢光體層所含有之螢光體之體積與密封樹脂層所含有之螢光體之體積的比率示於表1。
(光半導體裝置之製作)
以與上述實施例1相同之方式，使用獲得之密封片材密封藍色發光二極體晶片而獲得光半導體裝置。
4.光半導體裝置之發光測定評價 (1)配光特性評價
將各實施例及各比較例中獲得之光半導體裝置以270 mA點亮，利用LED配光測定系統(GP-1000，大塚電子公司製造)於0°(螢光層與發光二極體之對向方向)至85°(與對向方向正交之方向)之範圍內，一面改變視野角度一面測定色度(CIE-y)。將結果示於圖5。
又，將測定之最大色度與最小色度之差(最大色度差)示於表1。最大色度差越小，由視野角度引起之色度變化越小，配光特性越優異。
又，藉由目視自光半導體裝置之側面(與對向方向正交之方向之面)出射之光之顏色，而依據下述標準進行評價。將結果示於表1。
(目視評價之評價基準)
○：光看起來為白色。
×：光看起來為藍色或黃色。
(2)全光束測定
將各實施例及各比較例中獲得之光半導體裝置以270 mA點亮，利用瞬間多通道測光系統(MCPD-9800，大塚電子公司製造)以積分球方式測定色度(CIE-y)。將結果示於表1。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其只不過僅為例示，不能限定性地解釋。該技術領域之從業者明確之本發明之變形例係包含於後述專利申請 之範圍中者。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧剝離膜
3‧‧‧螢光體層
4‧‧‧密封樹脂層
10‧‧‧光半導體裝置
11‧‧‧發光二極體
12‧‧‧基板
13‧‧‧底板
14‧‧‧加壓板
15‧‧‧螢光層
16‧‧‧密封層
20‧‧‧照明裝置
21‧‧‧殼體
22‧‧‧透鏡
23‧‧‧底架
24‧‧‧蓋構件
25‧‧‧電源線
26‧‧‧玻璃板
27‧‧‧窗部
X‧‧‧螢光層15之表面與發光二極體11之距離
Y‧‧‧密封層16之表面與發光二極體11之距離
圖1係本發明之密封片材之一實施形態的剖面圖。
圖2係說明圖1所示之密封片材之製造方法的說明圖，(a)表示於剝離膜上形成螢光體層之步驟，(b)表示於螢光體層上形成密封樹脂層之步驟。
圖3係說明本發明之光半導體裝置之製造方法之一實施方法的說明圖，(a)表示使密封片材與光半導體元件對向之步驟，(b)表示密封光半導體元件之步驟。
圖4係表示本發明之光半導體裝置之一實施形態的概略構成圖。
圖5係表示於各實施例及各比較例之光半導體裝置中由視野角度所致之色度變化的圖表。
圖6係本發明之照明裝置之一實施形態的平面圖。
圖7係圖6所示之照明裝置之A-A剖面圖。
2‧‧‧剝離膜
3‧‧‧螢光體層
4‧‧‧密封樹脂層
11‧‧‧發光二極體
12‧‧‧基板
13‧‧‧底板
14‧‧‧加壓板
15‧‧‧蛍螢光層
16‧‧‧密封層

Claims (11)

  1. 一種密封片材，其特徵在於：其係密封光半導體元件者，且其具備含有螢光體之第1層、及含有螢光體、積層於上述第1層上且密封上述光半導體元件之第2層，且上述第1層中之上述螢光體之體積與上述第2層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45。
  2. 如請求項1之密封片材，其中上述第1層及上述第2層含有聚矽氧樹脂。
  3. 如請求項1之密封片材，其中上述第1層所含有之上述螢光體及上述第2層所含有之上述螢光體為(Sr、Ba)2SiO4：Eu。
  4. 如請求項1之密封片材，其中上述第1層所含有之上述螢光體與上述第2層所含有之上述螢光體的總量係以使經密封之上述光半導體元件發光時全光束測定中之CIE-y為0.32~0.37之方式進行調整。
  5. 一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括：準備密封光半導體元件之密封片材的步驟，該密封片材具備含有螢光體之第1層，及含有螢光體、積層於上述第1層上且密封上述光半導體元件之第2層，上述第1層中之上述螢光體之體積與上述第2層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45；將上述密封片材以上述第2層朝向上述光半導體元件 地與上述光半導體元件對向的步驟；將對向之上述密封片材及上述光半導體元件之至少一者向使該等接近之方向進行推壓而密封上述光半導體元件的步驟。
  6. 一種光半導體裝置，其特徵在於具備：光半導體元件，含有螢光體且對上述光半導體元件隔著間隔而對向配置之第1螢光層，及含有螢光體且介存於上述光半導體元件與上述第1螢光層之間，密封上述光半導體元件之第2螢光層；且上述第1螢光層中之上述螢光體之體積與上述第2螢光層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45。
  7. 如請求項6之光半導體裝置，其中上述第1螢光層及上述第2螢光層含有聚矽氧樹脂。
  8. 如請求項6之光半導體裝置，其中上述光半導體元件與上述第1螢光層之對向方向上之上述第1螢光層之表面與上述光半導體元件的距離跟與上述對向方向正交之方向上之上述第2螢光層之表面與上述光半導體元件的距離相比較短。
  9. 如請求項6之光半導體裝置，其中上述第1螢光層所含有之上述螢光體及上述第2螢光層所含有之上述螢光體為(Sr、Ba)2SiO4：Eu。
  10. 如請求項6之光半導體裝置，其中上述第1螢光層所含有之上述螢光體與上述第2螢光層所含有之上述螢光體之 總量係以全光束測定中之CIE-y為0.32~0.37之方式進行調整。
  11. 一種照明裝置，其特徵在於具備光半導體裝置，上述光半導體裝置具備光半導體元件，含有螢光體且與上述光半導體元件隔開間隔對向配置之第1螢光層，及含有螢光體且介存於上述光半導體元件與上述第1螢光層之間，密封上述光半導體元件的第2螢光層，且上述第1螢光層中之上述螢光體之體積與上述第2螢光層中之上述螢光體之體積的比率為90：10~55：45。
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