TW201327932A - 發光二極體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之發光二極體裝置之製造方法包括如下步驟：準備安裝有發光二極體之基板；準備半球狀之透鏡成形模；準備包含發光二極體密封層及積層於發光二極體密封層上之螢光體層，且發光二極體密封層及螢光體層二者包含最終硬化前之樹脂的發光二極體密封材；以及將發光二極體密封材以螢光體層與透鏡成形模相對向之方式配置於基板及透鏡成形模之間並進行壓縮成形，藉此利用半球狀之發光二極體密封層直接密封發光二極體，並且於發光二極體密封層之半球表面上配置螢光體層。

Description

發光二極體裝置之製造方法
本發明係關於一種使用發光二極體密封材之發光二極體裝置之製造方法。
近年來，作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白色發光裝置。於白色發光裝置中例如設置有發出藍色光之LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、及可將藍色光轉換為黃色光且被覆LED之螢光體層，白色發光裝置藉由將自LED發出之藍色光及利用螢光體層將其轉換所成之黃色光進行混色而發出高能量之白色光。
作為上述發光裝置之製造方法，例如提出有如下發光裝置之製造方法：於安裝基板上安裝LED晶片後，利用第1密封樹脂覆蓋LED晶片，隨後將包含相同材料之第2密封樹脂注入至圓頂狀之光學構件之內側，其後，將光學構件與安裝基板對準位置並使各密封樹脂硬化，藉此形成密封部，繼而，將螢光體與透光性樹脂一起成形所成之圓頂狀之顏色轉換構件利用卡止爪安裝於安裝基板上(例如參照日本專利特開2007-227677號公報)。
然而，於日本專利特開2007-227677號公報所記載之方法中，首先，形成密封LED晶片之密封部，其後，於該密封部上安裝另外準備之顏色轉換構件。因此，作業步驟較多，且對定位精度有要求，故而存在作業繁雜之不良情 形。
本發明之目的在於提供一種可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置之發光二極體裝置之製造方法。
本發明之發光二極體裝置之製造方法的特徵在於包括如下步驟：準備安裝有發光二極體之基板；準備半球狀之透鏡成形模；準備包含發光二極體密封層及積層於上述發光二極體密封層上之螢光體層且上述發光二極體密封層及上述螢光體層二者包含最終硬化前之樹脂的發光二極體密封材；以及將上述發光二極體密封材以上述螢光體層與上述透鏡成形模相對向之方式配置於上述基板及上述透鏡成形模之間並進行壓縮成形，藉此利用半球狀之上述發光二極體密封層直接密封上述發光二極體，並且於上述發光二極體密封層之半球表面上配置上述螢光體層。
根據上述發光二極體裝置之製造方法，藉由進行壓縮成形，可利用半球狀之發光二極體密封層密封發光二極體，同時於該發光二極體密封層之半球表面上配置螢光體層。
因此，根據上述發光二極體裝置之製造方法，可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置。
又，於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，較佳為上述螢光體層距上述發光二極體之中心點實質上等距離地配置。
根據上述發光二極體裝置之製造方法，可製造能實現配光性之提高，且能將光照射至較廣範圍之發光二極體裝 置。
又，於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，上述最終硬化前之樹脂較佳為2階段硬化型樹脂之1階段硬化體、及/或兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體。
根據上述發光二極體裝置之製造方法，由於發光二極體密封材為2階段硬化型樹脂之1階段硬化體、及/或兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體，故而發光二極體密封材之操作性優異，且可實現發光二極體密封材之確實之最終硬化。
根據本發明之發光二極體裝置之製造方法，可藉由包含最終硬化前之樹脂的半球狀之發光二極體密封層密封發光二極體，同時於其半球表面上配置螢光體層，因此可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置。
圖1係表示本發明之發光二極體裝置之製造方法的一實施形態之製造步驟圖，圖2係繼圖1後表示本發明之發光二極體裝置之製造方法的一實施形態之製造步驟圖。
以下，參照圖1及圖2對本發明之發光二極體裝置之製造方法的一實施形態進行說明。
於此方法中，首先，如圖1(a)所示，準備安裝有發光二極體13之基板12。
基板12例如由在銅上鍍銀所成之引線框架形成。
於基板12之上表面形成有用以將發光二極體13之端子(未圖示)、及用以向發光二極體13供給電氣之電源之端子 (未圖示)電性連接之配線(未圖示)。
作為發光二極體13，例如主要可列舉發出藍色光之藍色發光二極體(藍色LED)等。
發光二極體13於基板12之上表面上設置有複數個(於圖1及圖2中出現2個)，發光二極體13之端子(未圖示)經由金屬線17與未圖示之配線電性連接(打線接合)。
繼而，如圖1(b)所示，於該方法中準備半球狀之透鏡成形模16。
透鏡成形模16例如為包含於不鏽鋼上鍍敷有硬質鉻者等之成形模，且對應於發光二極體13，包含複數個(於圖1及圖2中出現2個)對應於螢光罩14(下述)之形狀之凹部，即半球狀之凹部。
繼而，如圖1(c)所示，於該方法中準備發光二極體密封材1。
發光二極體密封材1包含發光二極體密封層2、及積層於發光二極體密封層2上之螢光體層3。
發光二極體密封層2係可密封發光二極體13，並且使光穿透之樹脂層，且由可穿透光之樹脂的最終硬化前之樹脂形成為俯視時大致為矩形之平板形狀。
作為最終硬化前之樹脂，例如可列舉2階段硬化型樹脂之1階段硬化體(第2階段之硬化前)、或例如兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體(熱硬化前)等。
若發光二極體密封層2為2階段硬化型樹脂之1階段硬化體、及/或兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體，則發 光二極體密封層2之操作性優異，且可實現發光二極體密封層2之確實之最終硬化。
所謂2階段硬化型樹脂，係指具有2階段之反應機制，於第1階段之反應中半硬化(B-階段狀態化)，於第2階段之反應中最終硬化之樹脂。
再者，B-階段狀態係樹脂處於可溶於溶劑之A-階段與最終硬化之C-階段之間的狀態，且為硬化及凝膠化僅少量進行，於溶劑中膨潤但未完全溶解，藉由加熱而軟化但不熔融之狀態。
作為2階段硬化型樹脂之未硬化體(第1階段之硬化前)，例如可列舉環氧樹脂組合物或聚矽氧樹脂組合物等，較佳為列舉聚矽氧樹脂組合物。
若使用聚矽氧樹脂組合物作為2階段硬化型樹脂之未硬化體(第1階段之硬化前)，則可確保優異之耐光性及耐熱性。
作為上述聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物。
縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物係可藉由加熱進行縮合反應及加成反應(具體而言為羥基化反應)之聚矽氧樹脂組合物，更具體而言，係可藉由加熱進行縮合反應而成為B-階段狀態(半硬化狀態)，繼而，可藉由進一步之加熱進行加成反應(具體而言，例如矽氫化反應)而成為硬化(最終硬化)狀態之聚矽氧樹脂組合物。
作為上述縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物，可 列舉：例如含有矽烷醇兩末端聚矽氧烷、含烯基之烷氧基矽烷及有機氫矽氧烷之第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如含有矽烷醇基兩末端聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化合物、含環氧基之矽化合物及有機氫矽氧烷之第2熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如含有1分子中具有至少2個烯基矽烷基之第1有機聚矽氧烷、1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及硬化延遲劑之第3熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如含有1分子中兼具至少2個乙烯系不飽和烴基及至少2個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基而於1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及矽氫化抑制劑之第4熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；以及例如含有1分子中兼具至少2個乙烯系不飽和烴基及至少2個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基而於1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、及矽氫化觸媒之第5熱硬化性聚矽氧樹脂組合物等。
該等縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物可單獨使用或併用2種以上。
作為縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物，較佳為列舉第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
再者，於第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物中，矽烷醇兩末端聚矽氧烷及含烯基之烷氧基矽烷為縮合原料(供給至縮合反應之原料)，含烯基之烷氧基矽烷及有機氫矽氧烷為加成原料(供給至加成反應之原料)。
矽烷醇兩末端聚矽氧烷係於分子之兩末端含有矽烷醇基(SiOH基)之矽烷化合物，具體而言，由下述式(1)表示。
(式(1)中，R1及R2為1價烴基，n表示2以上之整數。R1及R2彼此相同或不同)
上述式(1)中，R1及R2較佳為彼此相同。
R1及R2所表示之1價烴基為飽和或不飽和基，可列舉直鏈狀、支鏈狀或環狀之烴基等。就製備之容易性或熱穩定性之觀點而言，烴基之碳數例如為1~20，較佳為1~10。
具體而言，作為1價烴基，可列舉：例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、環戊基、己基、環己基等飽和脂肪族烴基；例如苯基、萘基等芳香族烴基等。
作為1價烴基，較佳為飽和脂肪族烴基，就透明性及耐光性之觀點而言，進而較佳為列舉甲基。
上述式(1)中，就穩定性及/或操作性之觀點而言，n較佳為2~10,000之整數，進而較佳為2~1,000之整數。
作為矽烷醇兩末端聚矽氧烷，具體而言，可列舉：矽烷醇兩末端聚二甲基矽氧烷、矽烷醇兩末端聚甲基苯基矽氧烷、矽烷醇兩末端聚二苯基矽氧烷等。較佳為列舉矽烷醇 兩末端聚二甲基矽氧烷。
矽烷醇兩末端聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用根據公知之方法合成者。
矽烷醇兩末端聚矽氧烷可單獨使用或併用2種以上。
再者，矽烷醇兩末端聚矽氧烷通常為n不同(即分子量不同)之化合物之混合物。
因此，上述式(1)中之n係作為平均值而算出。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，矽烷醇兩末端聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000，較佳為200~100,000。數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法，以標準聚苯乙烯進行換算而算出。關於下述數量平均分子量，亦以與上述相同之方式而算出。
矽烷醇兩末端聚矽氧烷之調配比率相對於縮合原料之總量，例如為1~99.99質量%，較佳為50~99.9質量%，進而較佳為80~99.5質量%。
含烯基之烷氧基矽烷為兼具烯基及烷氧基之矽烷化合物，具體而言，為下述式(2)所表示之含烯基之三烷氧基矽烷。
R3-Si(OR4)3 (2)(式(2)中，R3為直鏈或環狀之烯基，R4為1價烴基。R3及R4彼此不同)
就製備之容易性或熱穩定性之觀點而言，R3所表示之烯基之碳數例如為2~20，較佳為2~10。
具體而言，作為烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、 丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等直鏈狀烯基；或降烯基、環己烯基等環狀烯基等。
較佳為直鏈狀烯基，就加成反應之反應性之觀點而言，進而較佳為列舉乙烯基。
作為R4所表示之1價烴基，可列舉與上述式(1)之R1及R2所表示之1價烴基相同者。較佳為列舉甲基。
具體而言，作為含烯基之烷氧基矽烷，可列舉：例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷等乙烯基三烷氧基矽烷；例如烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、丁烯基三甲氧基矽烷、戊烯基三甲氧基矽烷、己烯基三甲氧基矽烷、庚烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷、降烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷等。
較佳為列舉乙烯基三烷氧基矽烷，進而較佳為列舉乙烯基三甲氧基矽烷。
含烯基之烷氧基矽烷可單獨使用或併用2種以上。
含烯基之烷氧基矽烷可使用市售品，又，亦可使用根據公知之方法而合成者。
含烯基之三烷氧基矽烷之調配比率相對於縮合原料之總量，例如為0.01~90質量%，較佳為0.01~50質量%，進而較佳為0.01~10質量%。
矽烷醇兩末端聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)相對於含烯基之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷基(SiOR4基)的莫耳比(SiOH/(SiOR4)例如為20/1~0.2/1，較佳為10/1~0.5/1，進而 較佳為實質上為1/1。
於莫耳比超過上述範圍之情形時，存在將聚矽氧樹脂組合物製成B-階段狀態時，無法獲得具有適度韌性之B-階段狀物(半硬化物)之情況，另一方面，於莫耳比未達上述範圍之情形時，存在含烯基之烷氧基矽烷之調配比率過多，因此所得樹脂層(發光二極體密封層2)之耐熱性變得不良之情況。
又，若莫耳比處於上述範圍內(較佳為實質上為1/1)，則可使矽烷醇兩末端聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)、及含烯基之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷基(SiOR4基)充分進行縮合反應。
有機氫矽氧烷為含有直接鍵結於主鏈之矽原子上之氫原子之化合物，例如可列舉下述式(3)所表示之含有直接鍵結於主鏈之中間(兩末端間)之矽原子上的氫原子之氫化合物、或下述式(4)所表示之含有直接鍵結於主鏈之兩末端之矽原子上的氫原子之氫化合物(氫矽烷基兩末端聚矽氧烷)。
(式(3)中，I、II、III及IV為結構單元，I及IV表示末端單元，II及III表示重複單元，R5彼此相同或不同，為1價烴基。a表示0或1以上之整數，b表示2以上之整數)
(式(4)中，R6彼此相同或不同，為1價烴基。c表示1以上之整數)
結構單元I中之R5、結構單元II中之R5、結構單元III中之R5及結構單元IV中之R5較佳為彼此相同。
R5所表示之1價烴基可列舉與上述R1及R2所表示之1價烴基相同者。較佳為列舉飽和脂肪族烴基，更佳為列舉甲基、乙基，進而較佳為列舉甲基。
結構單元I及IV為兩末端之結構單元。
結構單元II中之a為結構單元II之重複單元數，就反應性之觀點而言，較佳為表示1~1000之整數，進而較佳為表示1~100之整數。
結構單元III中之b為結構單元III之重複單元數，就反應性之觀點而言，較佳為表示2~10000，進而較佳為表示2~1000之整數。
具體而言，作為上述式(3)所表示之氫化合物，可列舉：甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-共聚-甲基苯基聚矽氧烷等。較佳為列舉二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷。
上述式(3)所表示之氫化合物可單獨使用或併用2種以 上。
再者，上述式(3)所表示之氫化合物通常為a及/或b不同(即分子量不同)之化合物之混合物。
因此，結構單元II中之a及結構單元III中之b分別作為平均值而算出。
上述式(3)所表示之氫化合物之數量平均分子量例如為100~1,000,000。
上述式(4)中之R6較佳為彼此相同。即鍵結於兩末端之矽原子上之R6與鍵結於兩末端間之矽原子上之R6均相同。
R6所表示之1價烴基可列舉與上述R1及R2所表示之1價烴基相同者。較佳為列舉甲基、乙基。
就反應性之觀點而言，上述式(4)中，c較佳為表示1~10,000之整數，進而較佳為表示1~1,000之整數。
具體而言，作為上述式(4)所表示之氫化合物，例如可列舉：氫矽烷基兩末端聚二甲基矽氧烷、氫矽烷基兩末端聚甲基苯基矽氧烷、氫矽烷基兩末端聚二苯基矽氧烷等。
上述式(4)所表示之氫化合物可單獨使用或組合2種以上使用。
作為上述式(4)所表示之氫化合物，通常為c不同(即分子量不同)之化合物之混合物。
因此，上述(4)中之c係作為平均值而算出。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，式(4)所表示之氫化合物之數量平均分子量例如為100~1,000,000，進而較佳為100~100,000。
有機氫矽氧烷之25℃下之黏度例如為10~100,000 mPa．s，較佳為15~50,000 mPa．s。黏度係利用B型黏度計進行測定。
有機氫矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用根據公知之方法而合成者。
作為有機氫矽氧烷，可單獨使用上述式(3)所表示之氫化合物或上述式(4)所表示之氫化合物，或者亦可併用該等。作為有機氫矽氧烷，較佳為單獨使用上述式(3)所表示之氫化合物。
有機氫矽氧烷之調配比率亦取決於含烯基之烷氧基矽烷之烯基(上述式(2)之R3)與有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比，例如相對於含烯基之烷氧基矽烷100質量份，例如為10~10,000質量份，較佳為50~1,000質量份。
又，含烯基之烷氧基矽烷之烯基(上述式(2)之R3)相對於有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)的莫耳比(R3/SiH)例如為20/1~0.05/1，較佳為20/1~0.1/1，進而較佳為10/1~0.1/1，尤佳為5/1~0.2/1，最佳為實質上為1/1。
於莫耳比超過上述上限(20/1)之情形時，存在將聚矽氧樹脂組合物製成B-階段狀態時，無法獲得具有適度韌性之半硬化物之情況，於莫耳比未達上述下限(0.05/1)之情形時，存在有機氫矽氧烷之調配比率過多，因此所得樹脂層(發光二極體密封層2)之耐熱性及韌性變得不足之情況。
又，若莫耳比未達1/1且為0.05/1以上，則於將聚矽氧樹脂組合物製成B-階段狀態時，與莫耳比為20/1~1/1之聚矽 氧樹脂組合物相比，可迅速地過渡至B-階段狀態。
聚矽氧樹脂組合物係藉由將上述矽烷醇兩末端聚矽氧烷、含烯基之烷氧基矽烷及有機氫矽氧烷與觸媒一同進行調配，並攪拌混合而製備。
作為觸媒，例如可列舉縮合觸媒(半硬化觸媒)及加成觸媒(硬化觸媒、矽氫化觸媒)等。
縮合觸媒只要為提高矽烷醇基與烷氧基矽烷基之縮合反應之反應速度的物質，則無特別限定，可列舉：例如鹽酸、乙酸、甲酸、硫酸等酸；例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鉀、氫氧化四甲基銨等鹼；例如鋁、鈦、鋅、錫等金屬系觸媒等。
就相溶性及熱分解性之觀點而言，該等之中較佳為鹼，進而較佳為列舉氫氧化四甲基銨。
縮合觸媒之調配比率相對於矽烷醇兩末端聚矽氧烷100莫耳，例如為0.1~50莫耳，較佳為0.5~5莫耳。
加成觸媒只要為提高加成反應，即烯基與SiH之矽氫化反應之反應速度之物質，則無特別限定，例如可列舉：鉑黑、氯化鉑、氯化鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-羧基錯合物、鉑-乙醯乙酸酯等鉑觸媒；例如鈀觸媒、銠觸媒等金屬觸媒。
該等之中，就相溶性、透明性及觸媒活性之觀點而言，較佳為列舉鉑觸媒，進而較佳為列舉鉑-羧基錯合物。
加成觸媒之調配比率以加成觸媒之金屬量之質量份數計，相對於有機氫矽氧烷100質量份，例如為1.0×10-4~2.0 質量份，較佳為1.0×10-4~1.5質量份，進而較佳為1.0×10-4~1.0質量份。
再者，上述觸媒可直接使用固體狀態者，或者就操作性之觀點而言，亦可以溶解或分散於溶劑中之溶液或分散液之形式使用。
作為溶劑，可列舉：例如水；例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇等。較佳為列舉水。
於製備縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物時，例如一次加入上述原料(縮合原料及加成原料)與觸媒。或者，可首先於不同之時機分別加入各原料及各觸媒。進而，亦可一次加入一部分成分，再於不同之時機分別加入剩餘部分之各成分。
較佳為首先於縮合原料中加入縮合觸媒，繼而，一次加入加成原料及加成觸媒。
具體而言，於第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物之情形時，以上述比率向矽烷醇兩末端聚矽氧烷及含烯基之烷氧基矽烷(即縮合原料)中調配縮合觸媒，並將該等攪拌例如5分鐘~24小時。
又，於調配及攪拌時，為提高縮合原料之相溶性及操作性，亦可例如設定為0~60℃。
又，於原料及縮合觸媒之調配時，亦可以適宜之比率加入用以提高該等之相溶性之相溶劑。
作為相溶劑，例如可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇等有機溶劑。再者，相溶劑於縮合觸媒被製備為有機 溶劑之溶液或分散液之情形時，亦可將該有機溶劑作為相溶劑而供給。
相溶劑之調配比率相對於矽烷醇兩末端聚矽氧烷及含烯基之烷氧基矽烷之總量100質量份，例如為1~20質量份，較佳為5~10質量份。
其後，根據需要對反應系(混合物)減壓，藉此去除揮發成分(有機溶劑)。
繼而，於所得之縮合原料及縮合觸媒之混合物中調配有機氫矽氧烷及加成觸媒，並攪拌例如1~60分鐘。
於調配及攪拌時，為提高混合物及有機氫矽氧烷之相溶性及操作性，亦可例如設定為0~60℃。
藉此，可製備縮合反應-加成反應型聚矽氧樹脂組合物。
又，2階段硬化型樹脂可根據需要含有填充劑。
藉由使樹脂含有填充劑，可降低樹脂硬化時之硬化收縮率，按照設計再現零件之精密之形狀、尺寸，進而可實現耐熱性或熱導率之提高。
作為上述填充劑，例如可列舉：聚矽氧微粒、玻璃、氧化鋁、氫氧化鋁、二氧化矽(熔融二氧化矽、晶質二氧化矽、超微粉無定型二氧化矽或疏水性超微粉二氧化矽等)、滑石、黏土、硫酸鋇等，該等填充劑可單獨使用或併用2種以上。
較佳為列舉聚矽氧微粒。
再者，填充劑之粒徑可根據目的及用途進行各種選擇， 就透明性之觀點而言，最大粒徑例如為20 μm以下，較佳為10 μm以下。
填充劑之含有比率相對於2階段硬化型樹脂100質量份例如為1~50質量份，較佳為3~30質量份。
進而，可於2階段硬化型樹脂中以適當之比例添加防穿透劑、改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知之添加物。
繼而，為使用上述2階段硬化型樹脂獲得發光二極體密封層2，例如於公知之脫模紙等上塗佈上述2階段硬化型樹脂之未硬化體(例如上述第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物等)並進行加熱，藉此進行第1階段之硬化(例如縮合反應)。
作為加熱條件，係第1階段之硬化(例如縮合反應)進行而第2階段之硬化(例如加成反應(矽氫化反應))不進行之條件，具體而言，加熱溫度例如為40~150℃，較佳為50~140℃，加熱時間例如為1~60分鐘，較佳為3~30分鐘。
藉此，可獲得包含2階段硬化型樹脂之1階段硬化體(最終硬化前之樹脂(例如縮合物等))之發光二極體密封層2。
作為兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂，例如可列舉兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂。
若使用兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂，則可確保優異之耐光性及耐熱性。
兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂組合物可藉由使籠型八倍半矽氧烷與含烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下進行反應而獲得。
籠型八倍半矽氧烷係3官能聚矽氧單體之八聚物，具體而言，具有8個下述式(5)所表示之基， (式中，R7表示1價烴基，R8表示氫或1價烴基。其中，作為籠型八倍半矽氧烷整體之平均值，R8之1價烴基：氫之莫耳比處於6.5：1.5~5.5：2.5之範圍內)
更具體而言，以下述式(6)表示。
(式中，R7及R8表示與上述相同之含義。又，R8之1價烴基：氫之莫耳比與上述相同)
上述式(5)及(6)中，作為由R7所表示之1價烴基，例如可列舉飽和或不飽和之直鏈狀、支鏈狀或環狀烴基。
具體而言，可列舉：飽和之直鏈狀烴基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳數為1~6之烷基)、飽和之分支狀烴基(例如異丙基、異丁基等碳數為3~6之烷基)、飽和之環狀烴基(例如環己基等碳數為3~6之環烷基)、不飽和之環狀烴基(例如苯基等碳數為6~8之芳基)等。
1價烴基之碳數例如為1~8，較佳為1~6。
R7可相同亦可不同，較佳為相同。
作為1價烴基，就製備之容易性及熱穩定性之觀點而言，較佳為飽和之直鏈狀烴基，進而較佳為碳數為1~6之烷基，尤佳為列舉甲基。
上述式(5)及(6)中，作為由R8所表示之1價烴基，可列舉與由上述R7所表示之1價烴基相同者。較佳為列舉甲基。
式(6)中之R8之1價烴基：氫之莫耳比以籠型八倍半矽氧烷整體之平均值計為6.5：1.5~5.5：2.5之範圍內，較佳為6.0：2.0~5.5：2.5之範圍內。
即，於籠型八倍半矽氧烷1分子中形成1.5~2.5個(具體而言為2個)上述式(5)所表示之基，較佳為形成2~2.5個(具體而言為2個)氫矽烷基(-SiH)。
於上述R8之1價烴基：氫之莫耳比超過6.5/1.5(=6.5：1.5)之情形(例如7/1(=7：1))時，由於氫矽烷基之莫耳數過少，故而有籠型八倍半矽氧烷相對於含烯基之聚矽氧烷之反應程度過度降低，所得之聚矽氧樹脂之分子量降低，無法獲得固體狀之聚矽氧樹脂之情況。
另一方面，於上述R8之1價烴基：氫之莫耳比未達5.5/2.5(=5.5：2.5)之情形(例如5/3(=5：3))時，由於籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數過多，故而有籠型八倍半矽氧烷相對於含烯基之聚矽氧烷之反應程度過度增大，因而導致聚矽氧樹脂不顯示熱塑性之情況。
作為上述籠型八倍半矽氧烷，具體而言，例如可列舉上述式(5)及(6)中，R7為甲基，R8為甲基或氫，以籠型八倍半矽氧烷整體之平均值計，R8之甲基：氫之莫耳比為5.5：2.5、6：2、或6.5：1.5之籠型八倍半矽氧烷等。
上述式(6)所表示之籠型八倍半矽氧烷例如根據公知之方法(例如依據日本專利特開2007-246880號公報等之記載)而合成。
具體而言，使四烷氧基矽烷(四乙氧基矽烷等)於甲醇等醇及/或水、及觸媒之存在下進行反應，合成八(倍半矽氧烷)骨架(式(6)中式(5)之基除外之部分)，其後，以對應於上述R8之1價烴基：氫之莫耳比的調配比率調配二烷基氯矽烷(二甲基氯矽烷等)及三烷基氯矽烷(三甲基氯矽烷等)，使鍵結於八(倍半矽氧烷)骨架之矽原子上之烷氧基(乙氧基等)、與二烷基氯矽烷及三烷基氯矽烷進行反應。反應後，根據需要對產物進行純化。藉此，可獲得籠型八倍半矽氧烷。
再者，籠型八倍半矽氧烷亦可使用市售品。
含烯基之聚矽氧烷為含有烯基之聚矽氧烷，具體而言，由下述式(7)所表示。
(式中，R9表示1價烴基，R10表示烯基。又，d表示1以上之整數)
式(7)中R9所表示之1價烴基可相同亦可相異，較佳為相同。
作為R9所表示之1價烴基，可列舉與上述式(5)及(6)中R7所表示之1價烴基相同者，較佳為列舉甲基。
作為式(7)中R10所表示之烯基，例如可列舉經取代或未經取代之烯基，較佳為列舉未經取代之烯基。
作為上述烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基等碳數為2~10之烯基。
烯基之碳數例如為2~10，較佳為2~5。
R10可相同亦可不同，較佳為相同。
作為烯基，就與籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之反應性之觀點而言，較佳為列舉碳數為2~5之烯基，進而較佳為列舉乙烯基。
d與上述式(1)中之n同樣地係作為平均值而算出，就反應性及穩定性之觀點而言，較佳為表示1~5000之整數，進而較佳為表示1~1000之整數。
上述式(7)所表示之含烯基之聚矽氧烷之數量平均分子量就安全性及操作性之觀點而言，例如為100~10000，較 佳為300~5000。
上述式(7)所表示之含烯基之聚矽氧烷例如根據公知之方法而合成，或亦可使用市售品(例如Gelest公司製造)。
作為矽氫化觸媒，可列舉：例如鉑黑、氯化鉑、氯化鉑酸、鉑烯烴錯合物、鉑羧基錯合物、鉑乙醯乙酸酯等鉑觸媒；例如鈀觸媒；例如銠觸媒等。
該等矽氫化觸媒之中，就相溶性及透明性之觀點而言，較佳為列舉鉑觸媒，進而較佳為列舉鉑烯烴錯合物，具體而言，可列舉鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物等鉑-二乙烯基矽氧烷錯合物等。
再者，矽氫化觸媒亦可調製為公知之溶劑(甲苯等)溶液。
關於矽氫化觸媒(固形物成分)之調配比率，相對於籠型八倍半矽氧烷及含烯基之聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1.0×10-10~3質量份，較佳為1.0×10-8~1質量份。
而且，於本發明中，使籠型八倍半矽氧烷及含烯基之聚矽氧烷於矽氫化觸媒之存在下，以籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數相比含烯基之聚矽氧烷之烯基之莫耳數而較多(過剩)之方式進行反應。
烯基及氫矽烷基之莫耳比(烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)未達1，例如為0.10~0.99，較佳為0.20~0.99，進而較佳為0.50~0.99。
另一方面，於上述莫耳比超過上述範圍之情形時，氫矽烷基少於烯基，於該情形下，有於反應後不殘留過剩部分 之氫矽烷基，而無法對聚矽氧樹脂賦予熱硬化性之情況。
繼而，為使上述籠型八倍半矽氧烷與含烯基之聚矽氧烷進行反應，將該等以上述調配比率與矽氫化觸媒及溶劑一併進行調配，其後，根據需要加熱該等。
作為溶劑，可列舉：例如甲苯等芳香族烴，例如己烷等脂肪族烴，例如乙酸乙酯等酯等。就提高各成分之相溶性之觀點而言，較佳為列舉芳香族烴，進而較佳為列舉甲苯。
反應溫度例如為0~100℃，較佳為20~80℃，反應時間例如為0.5~96小時。
藉此，籠型八倍半矽氧烷之氫矽烷基與含烯基之聚矽氧烷之烯基進行矽氫化反應。
再者，矽氫化反應之程度可藉由1H-NMR測定，根據來自含烯基之聚矽氧烷之烯基的訊號之強度而確定，當該訊號消失時，被認為矽氫化反應結束。
於上述矽氫化反應中，由於籠型八倍半矽氧烷與含烯基之聚矽氧烷以氫矽烷基之莫耳數與烯基之莫耳數相比過剩之方式進行反應，故而於該反應後，殘留氫矽烷基之過剩部分，該過剩部分之氫矽烷基藉由加熱(例如100~200℃之加熱)與空氣中之水分進行水解及縮合反應而相互鍵結(三維交聯)，藉此對聚矽氧樹脂賦予熱硬化性。
藉此，可獲得兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂。
所得之聚矽氧樹脂為固體狀。由於籠型八倍半矽氧烷之立體阻礙(steric hindrance)而導致含烯基之聚矽氧烷之移 動性降低，故而以固體狀之形式獲得聚矽氧樹脂。
又，兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂可與上述2階段硬化型樹脂同樣地，根據需要以上述比率含有填充劑或添加劑。
繼而，為使用上述兼具熱塑性及熱硬化之樹脂而獲得發光二極體密封層2，例如於公知之脫模紙等上配置兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂，並加溫保持至其熱塑溫度，藉此使其塑化。
再者，於使用上述兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂作為兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之情形時，該熱塑性係藉由利用加熱使籠型八倍半矽氧烷及含烯基之聚矽氧烷之移動性上升而得以表現。
再者，兼具熱塑性及熱硬化性之聚矽氧樹脂之熱塑溫度例如為40~100℃，較佳為50~90℃。又，熱塑溫度為聚矽氧樹脂顯示熱塑性之溫度，具體而言，為固體狀之聚矽氧樹脂藉由加熱而軟化並完全成為液體狀之溫度，實質上與軟化溫度相同。
藉此，可獲得包含兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體(最終硬化前之樹脂)的發光二極體密封層2。
以上述方式獲得之發光二極體密封層2之厚度例如為50~1000 μm，較佳為300~900 μm。
螢光體層3係可發出螢光，並且可使光穿透之樹脂層，由可穿透光之樹脂之最終硬化前之樹脂形成為俯視時大致為矩形之平板形狀。上述螢光體層3係為吸收自發光二極 體13產生之光並發出螢光而設置。
於螢光體層3中，作為最終硬化前之樹脂，例如可列舉上述2階段硬化型樹脂之1階段硬化體、或兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體(熱硬化前)等。
又，螢光體層3含有螢光體。
螢光體例如可列舉可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體等。作為上述螢光體，例如可列舉於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中例如摻雜有鈰(Ce)或銪(Eu)等金屬原子之螢光體。
具體而言，作為螢光體，可列舉：例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔．鋁．石榴石)：Ce)、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12：Ce等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體；例如(Sr,Ba)2SiO4：Eu、Ca3SiO4Cl2：Eu、Sr3SiO5：Eu、Li2SrSiO4：Eu、Ca3Si2O7：Eu等矽酸鹽螢光體；例如CaAl12O19：Mn、SrAl2O4：Eu等鋁酸鹽螢光體；例如ZnS：Cu,Al、CaS：Eu、CaGa2S4：Eu、SrGa2S4：Eu等硫化物螢光體；例如CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體；例如CaAlSiN3：Eu、CaSi5N8：Eu等氮化物螢光體；例如K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn等氟化物系螢光體等。較佳為列舉石榴石型螢光體，進而較佳為列舉Y3Al5O12：Ce。
又，螢光體為粒狀，其形狀並無特別限定，例如可列舉：大致球狀、大致平板狀、大致針狀等。
又，螢光體之平均粒徑(最大長度之平均值)例如為0.1~30 μm，較佳為0.2~20 μm。螢光體粒子之平均粒徑係藉由粒度分佈測定裝置進行測定。
螢光體可單獨使用或併用。
若形成螢光體層3之樹脂含有螢光體，則於螢光體層3中，可效率良好地發出螢光。
而且，例如於發光二極體裝置11中，使用藍色發光二極體作為發光二極體13，並將自該發光二極體13產生之光與自螢光體產生之光進行混色，藉此可將發光二極體裝置11例如製成產生白色光之發光二極體裝置11(白色發光二極體)。
螢光體之含有比率相對於最終硬化前之樹脂100質量份，例如為1~50質量份，較佳為3~35質量份。
繼而，為使最終硬化前之樹脂中含有螢光體，調配上述螢光體及最終硬化前之樹脂，並攪拌混合。攪拌時間例如為0.5~2小時。
又，螢光體層3可與上述發光二極體密封層2同樣地根據需要含有上述填充劑。
作為填充劑，較佳為列舉二氧化矽。
再者，填充劑之粒徑可根據目的及用途進行各種選擇，就透明性之觀點而言，最大粒徑例如為50 nm以下，較佳為20 nm以下。作為上述填充劑，更具體而言，例如可列舉奈米二氧化矽(奈米微粒之二氧化矽)等。
填充劑之含有比率相對於最終硬化前之樹脂100質量 份，例如為1~50質量份，較佳為3~30質量份。
螢光體層3可與發光二極體密封層2同樣地以最終硬化前之樹脂之形式而獲得。
螢光體層3之厚度例如為40~500 μm，較佳為50~200 μm。
又，螢光體層3之厚度相對於發光二極體密封層2之厚度，例如為10~40%。
繼而，發光二極體密封材1可藉由使發光二極體密封層2及螢光體層3貼合而獲得。
例如使包含最終硬化前之樹脂之發光二極體密封層2及螢光體層3貼合，並於例如100~150℃，較佳為110~140℃下加熱例如0.5~5分鐘，較佳為1~3分鐘，藉此可維持發光二極體密封層2及螢光體層3之最終硬化前之狀態，並獲得發光二極體密封材1。
具體而言，於發光二極體密封層2及螢光體層3二者為2階段硬化型樹脂之1階段硬化體(B-階段狀態)之情形時，使發光二極體密封層2及螢光體層3貼合，並於例如100~150℃，較佳為110~140℃下加熱例如0.5~5分鐘，較佳為1~3分鐘，藉此可維持發光二極體密封層2及螢光體層3之第2階段之硬化前之狀態，並獲得發光二極體密封材1。
又，於發光二極體密封層2及螢光體層3二者為兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體(熱硬化前)之情形時，使發光二極體密封層2及螢光體層3貼合，並於例如 100~150℃，較佳為110~140℃下加熱例如0.5~5分鐘，較佳為1~3分鐘，藉此可維持發光二極體密封層2及螢光體層3之熱硬化前之狀態，並獲得發光二極體密封材1。
發光二極體密封材1之厚度例如為90~1500 μm，較佳為350~1000 μm。
根據上述發光二極體密封材1，具體如下所述，可利用半球狀之發光二極體密封層2密封發光二極體13，同時成形為半球狀，進而可於發光二極體密封層2之半球表面上配置螢光體層，故而可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置11(下述)。
繼而，於該方法中，如圖2(d)所示，將上述發光二極體密封材1以螢光體層3與透鏡成形模16相對向之方式配置於基板12及透鏡成形模16之間，如圖2(e)所示，以利用基板12與透鏡成形模16挾入發光二極體密封材1之方式進行壓縮成形。
實際上，於透鏡成形模16上(形成凹部之側)載置發光二極體密封材1後，再將包含發光二極體13之基板12以發光二極體13與發光二極體密封材1相對向之方式載置於其上，並壓縮成形。
於壓縮成形中，壓縮壓力例如為0.1~5 MPa，較佳為0.5~3 MPa，壓縮時間例如為1~15分鐘，較佳為2~10分鐘。
此時，發光二極體密封材1例如係以一面伸長20~30 μm一面追隨透鏡成形模16之方式而成形。
藉此，利用半球狀之發光二極體密封層2直接密封發光二極體13，並且於發光二極體密封層2之半球表面上配置螢光體層3。
又，於該方法中，例如可藉由在壓縮成形之同時對發光二極體密封材1進行加熱處理而使最終硬化前之樹脂最終硬化。
加熱處理通常包括使發光二極體密封材1之發光二極體密封層2及螢光體層3硬化至可脫模程度之第1步驟、及於自透鏡成形模16脫模後最終硬化之第2步驟。
加熱處理中之加熱條件為包含最終硬化前之樹脂的發光二極體密封層2及螢光體層3最終硬化之條件，於第1步驟中例如為於120~180℃下加熱2~20分鐘，於第2步驟中例如為於100~180℃下加熱30分鐘~5小時。
具體而言，於發光二極體密封層2及螢光體層3包含2階段硬化型樹脂之1階段硬化體之情形時，加熱條件為第2階段之硬化(例如加成反應(矽氫化反應))進行之條件，具體而言，於第1步驟中例如為於120~180℃下加熱2~20分鐘，於第2步驟中例如為於100~180℃下加熱30分鐘~5小時。
又，例如於發光二極體密封層2及螢光體層3二者為兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體(熱硬化前)之情形時，加熱條件為熱硬化反應進行之條件，具體而言，於第1步驟中例如為於120~180℃下加熱2~20分鐘，於第2步驟中例如為於100~180℃下加熱30分鐘~5小時。
藉由如此般進行壓縮成形(及根據需要進行加熱處理)， 可於發光二極體密封層2密封發光二極體13之狀態下，且以發光二極體密封材1對應於透鏡成形模16之形狀，使發光二極體密封材1硬化。藉此，可同時形成發光二極體密封層15(硬化後之發光二極體密封層2)、及螢光罩14(硬化後之螢光體層3)。
又，於該方法中，較佳為將發光二極體密封材1、透鏡成形模16及發光二極體13以於壓縮成形後發光二極體密封材1之螢光體層3距發光二極體13之中心點實質上等距離地配置之方式進行位置對準。
若螢光體層3(及其硬化後之螢光罩14)距發光二極體13之中心點等距離地配置，則光源至螢光體層3為止之光徑長度變得均勻(參照圖2(e)箭頭)。
具體而言，於發光二極體13之最上表面(與基板12相對之另一側)之俯視下的中心點至螢光體層3之內側面(發光二極體13側表面)為止之距離的最大長度與最小長度之差為0~50 μm之範圍內之情形時，即為螢光體層3距發光二極體13之中心點實質上等距離。
根據上述發光二極體裝置之製造方法，可實現配光性之提高，而可製造能將光照射至較廣範圍之發光二極體裝置。
其後，如圖2(f)所示，根據需要以使各發光二極體13分別個別化之方式切割為單片狀。藉此，可獲得發光二極體裝置11。
如此，根據本發明之發光二極體裝置11之製造方法，於 利用包含最終硬化前之樹脂的半球狀之發光二極體密封層密封發光二極體之同時，可於其半球表面上配置螢光體層。密封發光二極體13後，無需另外安裝透鏡或螢光罩14，可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置11。
實施例
以下展示實施例及比較例進一步具體地說明本發明，但本發明並不限定於任何實施例。
實施例1 <聚矽氧樹脂組合物之製備>
將兩末端矽烷醇型聚矽氧油(商品名：X-21-5842，信越化學工業公司製造，數量平均分子量為11500)100 g(8.70 mmol)、乙烯基三甲氧基矽烷(商品名：KBM-1003，信越化學工業公司製造)0.86 g(5.80 mmol，兩末端矽烷醇型聚矽氧油之SiOH基與乙烯基三甲氧基矽烷之甲氧基的莫耳比(SiOH/甲氧基)=17/17)、及2-丙醇10 mL(相對於兩末端矽烷醇型聚矽氧油及乙烯基三甲氧基矽烷之總量100質量份，為8質量份)攪拌混合後，加入氫氧化四甲基銨水溶液(濃度：10質量%)0.16 mL(0.17 mmol，相對於兩末端矽烷醇型聚矽氧油100莫耳為2.0莫耳)作為縮合觸媒，並於室溫(25℃)下攪拌2小時。於所得之油中加入有機氫聚矽氧烷(甲基氫聚矽氧烷，商品名：KF-9901，信越化學工業公司製造)0.75 g(乙烯基三甲氧基矽烷之乙烯基與有機氫聚矽氧烷之SiH基的莫耳比(乙烯基/SiH)=1/1)、及作為矽氫化 觸媒之鉑羧基錯合物溶液(鉑濃度：2質量%)0.26 mL(相對於有機氫聚矽氧烷100質量份為35質量份)，獲得聚矽氧樹脂組合物。
<發光二極體密封層之製造>
相對於<聚矽氧樹脂組合物之製備>中所得之聚矽氧樹脂組合物100質量份，添加聚矽氧微粒(聚甲基倍半矽氧烷微粒，商品名：Tospearl 2000B，Momentive Performance Materials Japan公司製造，平均粒徑為6.0 μm)30質量份。
將其塗佈於脫模紙上，於135℃下乾燥12分鐘，獲得厚度為900 μm之半硬化狀態(B-階段狀態)之發光二極體密封層。
<螢光體層之製造>
相對於<聚矽氧樹脂組合物之製備>中所得之聚矽氧樹脂組合物100質量份，添加奈米二氧化矽(二甲基矽烷化二氧化矽，商品名：AEROSIL R976S，Nippon Aerosil公司製造，平均粒徑為7 nm)5質量份、及螢光體(Y3Al5O12：Ce(YAG：Ce)，球狀，平均粒徑為17 μm)35質量份。
將其塗佈於脫模紙上，於135℃下乾燥3分鐘，獲得厚度為100 μm之包含半硬化(B-階段狀態)之聚矽氧樹脂組合物之螢光體層。
<發光二極體密封材之製造>
使上述所得之發光二極體密封層及螢光體層貼合，於120℃下加熱3分鐘，獲得厚度為1000 μm之發光二極體密封材。
再者，於發光二極體密封材中，發光二極體密封層及螢光體層維持半硬化狀態(B-階段狀態)。
<發光二極體裝置之製造>
於形成有配線之基板之上表面上安裝100個(10×10配置)藍色發光二極體(參照圖1(a))。
繼而，準備形成有100個半球狀凹部之透鏡成形模(參照圖1(b))，將上述所得之發光二極體密封材(參照圖1(c))以螢光體層與透鏡成形模相對向之方式配置於該透鏡成形模與基板之間(參照圖2(d))。
繼而，將發光二極體密封材夾入基板及透鏡成形模之間，於1.6 MPa下壓縮成形，並且於160℃下加熱10分鐘(參照圖2(e))。其後，進行脫模並於150℃下加熱3小時使其完全硬化，切割為單片狀，藉此製造100個發光二極體裝置(參照圖2(f))。
如此，可於利用半球狀之發光二極體密封層密封發光二極體之同時成形透鏡，而於其半球表面上一體成形螢光體層。
藉此，可以較少之作業步驟簡易且精度良好地製造發光二極體裝置。
將所得之發光二極體裝置之剖面照片圖示於圖3。
比較例1 <發光二極體密封層之製造>
使用聚矽氧彈性體(二甲基矽氧烷骨架衍生物，商品名：LR7556，旭化成瓦克公司製造)溶液代替<聚矽氧樹 脂組合物之製備>中所得之聚矽氧樹脂組合物，又，將乾燥條件設為於150℃下進行10分鐘，除此此外，以與實施例1相同之方式獲得發光二極體密封層。
<螢光體層之製造>
使用聚矽氧彈性體(二甲基矽氧烷骨架衍生物，商品名：LR7556，旭化成瓦克公司製造)溶液代替<聚矽氧樹脂組合物之製備>中所得之聚矽氧樹脂組合物，又，將乾燥條件設為於150℃下進行10分鐘，除此此外，以與實施例1相同之方式獲得螢光體層。
<發光二極體密封材之製造>
以與實施例1相同之方式獲得發光二極體密封材。
<發光二極體裝置之製造>
以與實施例1相同之方式獲得發光二極體裝置。
所得之發光二極體裝置於螢光體層中產生龜裂。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，不應限定性加以解釋。對該技術領域之當業者而言清楚瞭解之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍內。
1‧‧‧發光二極體密封材
2‧‧‧發光二極體密封層
3‧‧‧螢光體層
11‧‧‧發光二極體裝置
12‧‧‧基板
13‧‧‧發光二極體
14‧‧‧螢光罩
15‧‧‧發光二極體密封層
16‧‧‧透鏡成形模
17‧‧‧金屬線
圖1係表示本發明之發光二極體裝置之製造方法的一實施形態之製造步驟圖，(a)係準備安裝有發光二極體之基板之步驟，(b)係準備半球狀之透鏡成形模之步驟，(c)係準備發光二極體密封層及螢光體層之步驟。
圖2係繼圖1後表示本發明之發光二極體裝置之製造方法 的一實施形態之製造步驟圖，(d)表示將發光二極體密封材以螢光體層與透鏡成形模相對向之方式配置於基板及透鏡成形模之間之步驟，(e)表示將發光二極體密封材壓縮成形之步驟，(f)表示將半球狀之透鏡成形模打開並將成形物切割為單片狀之步驟。
圖3表示實施例1之發光二極體裝置之剖面照片圖。
1‧‧‧發光二極體密封材
2‧‧‧發光二極體密封層
3‧‧‧螢光體層
11‧‧‧發光二極體裝置
12‧‧‧基板
13‧‧‧發光二極體
14‧‧‧螢光罩
15‧‧‧發光二極體密封層
16‧‧‧透鏡成形模
17‧‧‧金屬線

Claims (3)

  1. 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備安裝有發光二極體之基板；準備半球狀之透鏡成形模；準備包含發光二極體密封層及積層於上述發光二極體密封層上之螢光體層，且上述發光二極體密封層及上述螢光體層二者包含最終硬化前之樹脂的發光二極體密封材；以及將上述發光二極體密封材以上述螢光體層與上述透鏡成形模相對向之方式配置於上述基板及上述透鏡成形模之間並進行壓縮成形，藉此利用半球狀之上述發光二極體密封層直接密封上述發光二極體，並且於上述發光二極體密封層之半球表面上配置上述螢光體層。
  2. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中上述螢光體層距上述發光二極體之中心點實質上等距離地配置。
  3. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中上述最終硬化前之樹脂為2階段硬化型樹脂之1階段硬化體、及/或兼具熱塑性及熱硬化性之樹脂之熱塑體。
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