RU96123275A - Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов и способ его изготовления - Google Patents

Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов и способ его изготовления

Info

Publication number
RU96123275A
RU96123275A RU96123275/09A RU96123275A RU96123275A RU 96123275 A RU96123275 A RU 96123275A RU 96123275/09 A RU96123275/09 A RU 96123275/09A RU 96123275 A RU96123275 A RU 96123275A RU 96123275 A RU96123275 A RU 96123275A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
packaging device
coating
paragraphs
structural elements
substrate
Prior art date
Application number
RU96123275/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2153221C2 (ru
Inventor
Фюрбахер Бруно
Лупп Фридрих
Паль Вольфганг
Трауш Гюнтер
Original Assignee
Сименс Мацушита Компонентс ГмбХ унд Ко.КГ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Мацушита Компонентс ГмбХ унд Ко.КГ filed Critical Сименс Мацушита Компонентс ГмбХ унд Ко.КГ
Publication of RU96123275A publication Critical patent/RU96123275A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2153221C2 publication Critical patent/RU2153221C2/ru

Links

Claims (18)

1. Устройство корпусирования для работающих на поверхностных акустических волнах конструктивных элементов - ПАВ-конструктивных элементов - с закрывающим структуры конструктивных элементов (10, 11, 12) на подложке (1) колпачком (13, 14, 15), отличающееся тем, что колпачок (13, 14, 15) выполнен в виде предусмотренного на подложке (1) покрытия, которое в областях структур конструктивных элементов (10, 11, 12) имеет принимающие их выемки (16).
2. Устройство корпусирования по п.1, отличающееся тем, что покрытие (13 - 16) образовано вертикальным держателем (13), окружающим структуры конструктивных элементов (10, 11, 12) на подложке (1), и нанесенным на держатель покрывающим слоем (15).
3. Устройство корпусирования по п.1, отличающееся тем, что покрытие (13 - 16) является выполненным в виде единой детали, содержащим выемки элементом.
4. Устройство корпусирования по пп.1 и 2, отличающееся тем, что держатель (13) выполнен в виде замкнутой рамки.
5. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 4, отличающееся тем, что дополнительно к держателю (13) в отличных от структур конструктивных элементов (10, 11, 12) областях на подложке (1) предусмотрены опоры (14).
6. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 5, отличающееся тем, что покрытие (13 - 16) наклеено, приварено или ламелировано на подложку (1).
7. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 4, отличающееся тем, что в качестве материала для покрытия (13 - 16) использован структурируемый за счет фототехники материал.
8. Устройство корпусирования по п. 7, отличающееся тем, что в качестве материала для держателя (13) и опор (14) использован структурируемый за счет УФ-излучения материал.
9. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 8, отличающееся тем, что в качестве материала для держателя (13) и опор (14) использован фотолак.
10. Устройство корпусирования по одному из пп.1 - 9, отличающееся тем, что в качестве материала для покрывающего слоя (15) использовано стекло.
11. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 9, отличающееся тем, что в качестве материала для покрывающего слоя (15) использована стеклокерамика.
12. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 11, отличающееся тем, что в качестве материала для покрывающего слоя (15) использован структурируемый за счет фототехники материал.
13. Устройство корпусирования по одному из пп.1 - 12, отличающееся тем, что покрытие (13 - 16) сформировано таким образом, что оно оставляет свободными предусмотренные на подложке (1) электрические выводы (21).
14. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 13, отличающееся тем, что покрытие (13 - 16) содержит отверстия (17) для введения акустической демпфирующей массы (12).
15. Устройство корпусирования по одному из пп. 1 - 14, отличающееся тем, что над покрытием (13, 14, 15) расположена оболочка из синтетического материала.
16. Устройство корпусирования по п. 15, отличающееся тем, что оболочка выполнена из синтетической пленки.
17. Способ изготовления устройства корпусирования по п.15 или 16, отличающийся тем, что изготовление оболочки покрытой подложки (1) производят путем погружения, спекания, заливки, экструдирования или опрессовки с применением реакционных смол или расплавленных термопластов.
18. Способ по п. 17, отличающийся тем, что покрытие и оболочку выполняют из материалов, которые вследствие своих механических свойств, предпочтительно своих свойств расширения и усадки, обеспечивают необходимую выемку после завершения устройства корпусирования.
RU96123275/09A 1994-05-02 1995-05-02 Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов RU2153221C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4415411.9 1994-05-02
DE4415411 1994-05-02
DEP4432566.5 1994-09-13
DE4432566 1994-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU96123275A true RU96123275A (ru) 1999-03-20
RU2153221C2 RU2153221C2 (ru) 2000-07-20

Family

ID=25936202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96123275/09A RU2153221C2 (ru) 1994-05-02 1995-05-02 Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов

Country Status (9)

Country Link
US (2) US5831369A (ru)
EP (1) EP0759231B1 (ru)
JP (1) JPH09512677A (ru)
KR (1) KR100648751B1 (ru)
CN (1) CN1099158C (ru)
DE (1) DE59504639D1 (ru)
FI (2) FI952093A0 (ru)
RU (1) RU2153221C2 (ru)
WO (1) WO1995030276A1 (ru)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0759231B1 (de) * 1994-05-02 1998-12-23 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verkapselung für elektronische bauelemente
DE19548048C2 (de) * 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement)
DE19820049C2 (de) * 1998-05-05 2001-04-12 Epcos Ag Thermomechanisches Verfahren zum Planarisieren einer fototechnisch strukturierbaren Schicht, insbesondere Verkapselung für elektronische Bauelemente
JP2000114918A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp 表面弾性波装置及びその製造方法
JP4151164B2 (ja) * 1999-03-19 2008-09-17 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6287894B1 (en) 1999-10-04 2001-09-11 Andersen Laboratories, Inc. Acoustic device packaged at wafer level
DE10006446A1 (de) * 2000-02-14 2001-08-23 Epcos Ag Verkapselung für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6653762B2 (en) * 2000-04-19 2003-11-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric type electric acoustic converter
CN1254914C (zh) * 2000-07-06 2006-05-03 株式会社东芝 声表面波器件及其生产方法
CN1211921C (zh) * 2000-11-09 2005-07-20 皇家菲利浦电子有限公司 电子器件、包括这种器件的半导体器件和制造这种器件的方法
JP3974346B2 (ja) * 2001-03-30 2007-09-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
DE10164494B9 (de) 2001-12-28 2014-08-21 Epcos Ag Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung
DE10206919A1 (de) 2002-02-19 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
US6877209B1 (en) 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
DE10253163B4 (de) 2002-11-14 2015-07-23 Epcos Ag Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung
DE10300958A1 (de) * 2003-01-13 2004-07-22 Epcos Ag Modul mit Verkapselung
US7108344B2 (en) * 2003-11-03 2006-09-19 Hewlett-Packard Devleopment Company, L.P. Printmode for narrow margin printing
DE102004005668B4 (de) 2004-02-05 2021-09-16 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren
WO2005099088A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 Cypress Semiconductor Corp. Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device
US7259499B2 (en) 2004-12-23 2007-08-21 Askew Andy R Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof
US7288847B2 (en) * 2005-01-25 2007-10-30 Medtronic, Inc. Assembly including a circuit and an encapsulation frame, and method of making the same
US8074622B2 (en) * 2005-01-25 2011-12-13 Borgwarner, Inc. Control and interconnection system for an apparatus
DE102005034011B4 (de) * 2005-07-18 2009-05-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben
JP4760357B2 (ja) * 2005-12-19 2011-08-31 パナソニック株式会社 電子部品パッケージ
DE102007058951B4 (de) 2007-12-07 2020-03-26 Snaptrack, Inc. MEMS Package
US8059425B2 (en) * 2008-05-28 2011-11-15 Azurewave Technologies, Inc. Integrated circuit module with temperature compensation crystal oscillator
DE102008030842A1 (de) 2008-06-30 2010-01-28 Epcos Ag Integriertes Modul mit intrinsischem Isolationsbereich und Herstellungsverfahren
DE102008040775A1 (de) * 2008-07-28 2010-02-04 Robert Bosch Gmbh Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum selektiven Verkapseln
DE102008042106A1 (de) 2008-09-15 2010-03-18 Robert Bosch Gmbh Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum Verkapseln
JP5453787B2 (ja) * 2008-12-03 2014-03-26 パナソニック株式会社 弾性表面波デバイス
WO2012120968A1 (ja) * 2011-03-09 2012-09-13 株式会社村田製作所 電子部品
US9812350B2 (en) 2013-03-06 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer
US9583414B2 (en) 2013-10-31 2017-02-28 Qorvo Us, Inc. Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same
JP2014192782A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Japan Radio Co Ltd 封止部材、封止補助部材、封止方法および封止補助方法
JP5695145B2 (ja) * 2013-08-19 2015-04-01 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性表面波デバイス
WO2015029219A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 新電元工業株式会社 電気機器およびその製造方法、並びに電気機器の設計方法
US9824951B2 (en) 2014-09-12 2017-11-21 Qorvo Us, Inc. Printed circuit module having semiconductor device with a polymer substrate and methods of manufacturing the same
US10085352B2 (en) 2014-10-01 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Method for manufacturing an integrated circuit package
US10431533B2 (en) 2014-10-31 2019-10-01 Ati Technologies Ulc Circuit board with constrained solder interconnect pads
US9530709B2 (en) 2014-11-03 2016-12-27 Qorvo Us, Inc. Methods of manufacturing a printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer
JP5921733B2 (ja) * 2015-02-05 2016-05-24 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性表面波デバイスを製造する方法
US9960145B2 (en) 2015-03-25 2018-05-01 Qorvo Us, Inc. Flip chip module with enhanced properties
US9613831B2 (en) 2015-03-25 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Encapsulated dies with enhanced thermal performance
US20160343604A1 (en) 2015-05-22 2016-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination
US10276495B2 (en) 2015-09-11 2019-04-30 Qorvo Us, Inc. Backside semiconductor die trimming
JP6350510B2 (ja) * 2015-12-24 2018-07-04 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US10020405B2 (en) 2016-01-19 2018-07-10 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with integrated sensors
US10090262B2 (en) 2016-05-09 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with inductive element and magnetically enhanced mold compound component
US10784149B2 (en) 2016-05-20 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Air-cavity module with enhanced device isolation
US10773952B2 (en) 2016-05-20 2020-09-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
US10103080B2 (en) 2016-06-10 2018-10-16 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same
US10079196B2 (en) 2016-07-18 2018-09-18 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature
CN109844938B (zh) 2016-08-12 2023-07-18 Qorvo美国公司 具有增强性能的晶片级封装
US10486965B2 (en) 2016-08-12 2019-11-26 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
JP7035014B2 (ja) 2016-08-12 2022-03-14 コーボ ユーエス,インコーポレイティド 性能が強化されたウェハレベルパッケージ
US10109502B2 (en) 2016-09-12 2018-10-23 Qorvo Us, Inc. Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same
US10090339B2 (en) 2016-10-21 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Radio frequency (RF) switch
US10749518B2 (en) 2016-11-18 2020-08-18 Qorvo Us, Inc. Stacked field-effect transistor switch
US10068831B2 (en) 2016-12-09 2018-09-04 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same
US10755992B2 (en) 2017-07-06 2020-08-25 Qorvo Us, Inc. Wafer-level packaging for enhanced performance
RU2658596C1 (ru) * 2017-08-07 2018-06-21 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" Чувствительный элемент на поверхностных акустических волнах для измерения давления жидкостей и газов
US10784233B2 (en) 2017-09-05 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US10366972B2 (en) 2017-09-05 2019-07-30 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US11152363B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process
US10804246B2 (en) 2018-06-11 2020-10-13 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with vertically stacked dies
US11069590B2 (en) 2018-10-10 2021-07-20 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US10964554B2 (en) 2018-10-10 2021-03-30 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US11646242B2 (en) 2018-11-29 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same
US20200235040A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Qorvo Us, Inc. Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11923313B2 (en) 2019-01-23 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. RF device without silicon handle substrate for enhanced thermal and electrical performance and methods of forming the same
US11387157B2 (en) 2019-01-23 2022-07-12 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
EP3915135A1 (en) 2019-01-23 2021-12-01 Qorvo US, Inc. Rf semiconductor device and manufacturing method thereof
US11646289B2 (en) 2019-12-02 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11923238B2 (en) 2019-12-12 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE252473C (ru)
US2824219A (en) * 1954-11-08 1958-02-18 Midland Mfg Co Inc Piezoelectric crystal assembly
US3622816A (en) * 1970-06-12 1971-11-23 Electro Dynamics Piezoelectric crystal assembly
DE2610172C3 (de) * 1975-03-12 1980-08-21 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto (Japan) Filter auf der Basis der akustischen Oberflächenwellen
GB1512593A (en) * 1975-03-13 1978-06-01 Murata Manufacturing Co Elastic surface wave filter
DE2819499C3 (de) * 1978-05-03 1981-01-29 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Gehäuse für eine Halbleiteranordnung
US4213104A (en) * 1978-09-25 1980-07-15 United Technologies Corporation Vacuum encapsulation for surface acoustic wave (SAW) devices
JPS55112019A (en) * 1979-02-22 1980-08-29 Murata Mfg Co Ltd Elastic surface wave device
US4270105A (en) * 1979-05-14 1981-05-26 Raytheon Company Stabilized surface wave device
CH626479A5 (ru) * 1979-07-05 1981-11-13 Suisse Horlogerie
CH625372A5 (ru) * 1979-07-06 1981-09-15 Ebauchesfabrik Eta Ag
GB2100521B (en) * 1981-05-13 1984-09-12 Plessey Co Plc Electrical device package
FR2516702A1 (fr) * 1981-11-18 1983-05-20 Dassault Electronique Boitier pour circuits electroniques
EP0157938A3 (de) * 1984-03-23 1987-05-13 Siemens Aktiengesellschaft Gehäuse für elektrische Bauelemente
US4872825A (en) * 1984-05-23 1989-10-10 Ross Milton I Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices
JPS61152112A (ja) * 1984-12-26 1986-07-10 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPS6297418A (ja) * 1985-10-23 1987-05-06 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置のパツケ−ジ方法
DD252473A1 (de) * 1986-08-19 1987-12-16 Berlin Treptow Veb K Gehaeuse fuer integrierte optoelektronische systeme
US5010270A (en) * 1986-12-22 1991-04-23 Raytheon Company Saw device
US4855868A (en) * 1987-01-20 1989-08-08 Harding Ade Yemi S K Preformed packaging arrangement for energy dissipating devices
JPH01229514A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JPH01231415A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
US5107586A (en) * 1988-09-27 1992-04-28 General Electric Company Method for interconnecting a stack of integrated circuits at a very high density
US5162822A (en) * 1988-10-31 1992-11-10 Hitachi, Ltd. Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces
JPH02143466A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0316311A (ja) * 1989-03-30 1991-01-24 Canon Inc 弾性表面波素子およびその製造法
JPH02305013A (ja) * 1989-05-18 1990-12-18 Nec Corp 弾性表面波素子の実装構造
JPH03104409A (ja) * 1989-09-19 1991-05-01 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JPH03173216A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JPH03173214A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス
WO1992003035A1 (en) * 1990-08-01 1992-02-20 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus
US5059848A (en) * 1990-08-20 1991-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low-cost saw packaging technique
US5214844A (en) * 1990-12-17 1993-06-01 Nchip, Inc. Method of assembling integrated circuits to a silicon board
US5237235A (en) * 1991-09-30 1993-08-17 Motorola, Inc. Surface acoustic wave device package
JPH066169A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
JP3222220B2 (ja) * 1992-10-19 2001-10-22 株式会社村田製作所 チップ型圧電共振子の製造方法
US5410789A (en) * 1992-11-13 1995-05-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing piezoelectric-resonator having vibrating spaces formed therein
CA2109687A1 (en) * 1993-01-26 1995-05-23 Walter Schmidt Method for the through plating of conductor foils
US5502344A (en) * 1993-08-23 1996-03-26 Rohm Co., Ltd. Packaged piezoelectric oscillator incorporating capacitors and method of making the same
EP0759231B1 (de) * 1994-05-02 1998-12-23 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verkapselung für elektronische bauelemente
US5467253A (en) * 1994-06-30 1995-11-14 Motorola, Inc. Semiconductor chip package and method of forming
EP0794616B1 (en) * 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU96123275A (ru) Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов и способ его изготовления
RU2153221C2 (ru) Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов
US5798557A (en) Lid wafer bond packaging and micromachining
JPH02501692A (ja) 厚膜ハイブリッド回路用密閉バリア
US3747176A (en) Method of manufacturing an energy trapped type ceramic filter
NO912543D0 (no) Immobilisering av biomolekyler ved elektrisk presipitasjon
NO911774D0 (no) Anordning ved innkapsling av et funksjonsorgan, samt fremgangsmaate for fremstilling av samme.
EP1915320A1 (en) Method for manufacturing a microelectronic package comprising a silicon mems microphone
JPS6290955A (ja) ほぼ平坦なシ−ト状の装置を製造する改良された方法
JP2004535938A (ja) インサイチュ・キャップ及び集積回路装置用インサイチュ・キャップの製造方法
DE69531472D1 (de) Mustererzeugung in der Herstellung von mikroelektronischen Anordnungen
KR970072371A (ko) Ic 카드 및 그 제조방법
TW201218348A (en) Package for system level electronic products
US3650003A (en) Method of manufacturing an energy trapped type ceramic filter
IT1168827B (it) Scatola porta componenti elettrici o elettronici
CA2372172A1 (en) Lead frame moisture barrier for molded plastic electronic packages
KR950010028A (ko) 액체를 함유한 마이크로전자 장치 패키지 및 그 제조방법
DK0834600T3 (da) Overfladebelægning på isolerende materialer, samt fremgangsmåde og anvendelse ved tilvejebringelse af afskærmning af isolerende kasser
EP0424638A3 (en) Fabrication of a semiconductor device including a step for prodiving a layer of insulating material formed from an organo-silica sol
BR8001933A (pt) Suporte de acondicionamento de componentes e processo de fabricacao utilizando o dito suporte
US4914547A (en) Process for making capacitors
EP0146207A3 (en) Improvements in electrical components
DK156776C (da) Fremgangsmaade ved fremstilling af en elektrisk leder
JPS55138241A (en) Sealing structure for semiconductor device
JPH09307243A (ja) 電子装置及びその製造方法