RU2486631C2 - Способ изготовления пластины держателя для использования в электростатическом держателе - Google Patents

Способ изготовления пластины держателя для использования в электростатическом держателе Download PDF

Info

Publication number
RU2486631C2
RU2486631C2 RU2011130815/28A RU2011130815A RU2486631C2 RU 2486631 C2 RU2486631 C2 RU 2486631C2 RU 2011130815/28 A RU2011130815/28 A RU 2011130815/28A RU 2011130815 A RU2011130815 A RU 2011130815A RU 2486631 C2 RU2486631 C2 RU 2486631C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
holder
electrostatic
semiconductor wafer
wafer
polishing
Prior art date
Application number
RU2011130815/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011130815A (ru
Inventor
Такахиро НАНБА
Наоки МОРИМОТО
Коудзи СОГАБЕ
Масахико ИСИДА
Original Assignee
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк.
Publication of RU2011130815A publication Critical patent/RU2011130815A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2486631C2 publication Critical patent/RU2486631C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу производства пластины держателя для электростатического держателя приемлемой продуктивности, который лишен неудовлетворительного высвобождения полупроводниковой пластины, которая является подложкой, которая должна быть обработана, с начального момента предоставления электростатического держателя для нового использования. Способ производства пластины держателя для электростатического держателя, чтобы покрывать поверхность главного тела держателя, имеющего электроды, включает в себя этапы получения спеченного тела посредством формирования прессованием сырьевого порошка в предварительно определенную форму и затем спекания ее, образования, способом полировки, такой поверхности спеченного тела, которая будет контактировать с подложкой, которая должна быть притянута, до предварительно определенной шероховатости и гладкости поверхности, и выполнение струйной обработки для выборочного удаления только готовых к отделению частиц, которые появляются на поверхности в результате вышеупомянутой полировки. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к способу производства пластины держателя, в качестве диэлектрического тела, для использования в электростатическом держателе, который служит для притягивания и удержания подложки, которая должна быть обработана (здесь и далее именуемой как "подложка, которая должна быть обработана"), такой как кремниевая полупроводниковая пластина или подобные.
Предшествующий уровень техники
Для того чтобы получить желаемую структуру устройства в процессе производства полупроводников, выполняются такие операции по обработке, как: обработка с образованием тонкой пленки способом PVD (физического осаждения из паровой фазы), способом CVD (химического осаждения из паровой фазы) или подобными; обработка ионной имплантацией; обработка травлением или подобными. В вакуумных обрабатывающих устройствах для выполнения этих операций по обработке расположены так называемые электростатические держатели, для того чтобы удерживать кремниевые полупроводниковые пластины в положении удержания (для простоты здесь и далее именуемые как "полупроводниковые пластины") в камерах обработки в вакуумной атмосфере. В качестве электростатического держателя в патентном документе 1 имеется традиционно известный так называемый биполярный тип, в котором пластина держателя как диэлектрическое тело установлена на верхней поверхности главного тела держателя, имеющего установленные, введенные в него положительные и отрицательные электроды.
Дополнительно, в зависимости от операций обработки, которые должны быть выполнены внутри вакуумного обрабатывающего устройства, существуют случаи, когда подложка управляется при предварительно определенной температуре. В таком случае известны: установка в главное тело держателя или подобного средства нагревания, например, типа электрического сопротивления; образование реберного участка, который соприкасается с периферийным краевым участком на задней поверхности (стороне, противоположной поверхности, на которой выполняется предварительно определенная обработка) полупроводниковой пластины; и вертикального расположения множества поддерживающих участков, например, концентрическим образом во внутреннем пространстве, охватываемом ребристым участком. Во время нагревания или охлаждения полупроводниковой пластины инертный газ, такой как газ Ar или подобный, подается во внутреннее пространство через проход для газа, образованный в главном теле держателя. При таком образовании атмосферы инертного газа во внутреннем пространстве, ограниченном реберным участком и задней поверхностью полупроводниковой пластины, передача тепла от главного тела держателя к полупроводниковой пластине способствует, таким образом, эффективному нагреванию или охлаждению полупроводниковой пластины.
Здесь в качестве пластины держателя для электростатического держателя используется спеченное тело, которое демонстрирует высокое электрическое сопротивление, такое как нитрид алюминия, нитрид кремния или подобные. Однако если компоновка выполнена для образования атмосферы инертного газа, как описано выше, область контакта с полупроводниковой пластиной, как и следовало ожидать, становится меньше. Следовательно, для того чтобы обеспечить обязательное притягивание полупроводниковой пластины без увеличения напряжения, которое должно быть приложено к электродам, необходимо изготовить поверхность контакта пластины держателя с полупроводниковой пластиной, т.е. верхнюю поверхность реберного участка и выступающие участки предварительно определенной шероховатости и степени гладкости поверхности.
В связи с вышеизложенным известно, например, в патентном документе 2 об обработке спеченного тела воском, и поверхность продукта, полученная таким образом, подвергается поверхностному шлифованию, полировке или химико-механической полировке (CMP) и затем удалению воска, чтобы посредством этого достичь предварительно определенной шероховатости и степени гладкости (параллельности) плоскости.
Однако, когда используется пластина держателя, которая была получена, как описано выше, в результате того, что поверхность спеченного тела подвергается поверхностному шлифованию и полировке, существовали случаи, в которых, даже если прекращалась подача напряжения в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования, полупроводниковая пластина не способна была высвободиться из-за влияния остаточных электрических зарядов. Такой тип задачи может быть решен повторением присоединения и высвобождения пластины держателя несколько сотен раз, используя фиктивную подложку (т.е. присоединение и высвобождение полупроводниковой пластины может быть выполнено удовлетворительно без влияния остаточных электрических зарядов). Однако этот способ имеет недостаток в том, что требуется много времени для держателя, чтобы функционировать в качестве электростатического держателя, и недостаток в том, что этапы производства удлиняются.
В качестве решения изобретатели этого изобретения выяснили, в результате долгих исследований, что проблема невозможности присоединения и высвобождения полупроводниковой пластины в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования происходит по следующим причинам. Выполняется описание примера, в котором пластина держателя выполнена из спеченного тела нитрида алюминия. Проблема заключается в том, что поверхность спеченного тела подвергается повреждениям при шлифовании и полировке поверхности. Готовые к отделению частицы нитрида алюминия (т.е. частицы, которые могли быть относительно легко отделены или выведены из сцепленного состояния) присутствуют локально, и в результате этого частицы нитрида алюминия переходят в электрически плавающее состояние, и они функционируют в качестве сопротивлений, когда электрическая подзарядка электродов останавливается. Поэтому остаточные электрические заряды не могут быть разряжены, таким образом приводя к возникновению вышеупомянутой задачи.
Документ предшествующего уровня техники (Патентный документ)
Патентный Документ 1: JP-A-1989-321136
Патентный документ 2: JP-A-2000-2I963
Сущность изобретения
Задачи, решаемые изобретением
На основании вышеизложенного это изобретение имеет задачей предоставить способ производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе, который имеет удовлетворительную продуктивность и не вызывает неудовлетворительного высвобождения подложки в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования.
Средство для решения задач
Для того чтобы решить вышеупомянутые задачи, способ в соответствии с этим изобретением является способом производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе. Электростатический держатель содержит: главное тело держателя, имеющее электроды, и пластину держателя, выполненную из диэлектрического тела, которое покрывает поверхность главного тела держателя. Способ содержит этапы получения спеченного тела посредством формирования прессованием сырьевого порошка в предварительно определенную форму и затем спекания; образования, посредством полировки, такой поверхности спеченного тела, которая будет контактировать с подложкой, которая должна быть притянута, до предварительно определенной шероховатости и гладкости поверхности, и выполнения струйной обработки для выборочного удаления только готовых для отделения частиц, которые появляются на поверхности в результате вышеупомянутой полировки.
Согласно этому изобретению, при выполнении струйной обработки после полировки будут выборочно удалены только частицы, которые готовы быть отделены и которые появились на поверхности в результате операции полировки. В результате, когда этот вид пластины держателя собирается с главным телом держателя, и с начального момента предоставления пластины держателя для нового использования в качестве электростатического держателя, подложка, которая должна быть обработана, т.е. полупроводниковая пластина может быть высвобождена без влияния остаточных электрических зарядов, когда приложение напряжения к электродам было остановлено. В дополнение, в этом изобретении струйная обработка выполняется после полировки. Рабочая процедура является простой, а продуктивность может быть улучшена в сравнении с традиционным способом, в котором притяжение и высвобождение подложки пластиной держателя повторяются несколько сотен раз. В дополнение, в вышеупомянутой струйной обработке шероховатость и гладкость поверхности не будут сильно ухудшены, в результате чего зона контакта с полупроводниковой пластиной не будет сокращена.
В этом изобретении предпочтительно использовать жидкостную струйную обработку в качестве струйной обработки.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 - вид в разрезе, схематически иллюстрирующий электростатический держатель, в котором была осуществлена сборка пластины держателя, изготовленного способом производства согласно варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2(a)-2(d) схематично иллюстрируют этапы производства при частичном увеличении пластины держателя согласно этому варианту осуществления.
Варианты осуществления изобретения
Ссылаясь на чертежи, далее будет описан электростатический держатель, который предоставлен с пластиной держателя, которая изготовлена в соответствии со способом производства этого изобретения, в котором подложка, которая должна быть обработана, определена как полупроводниковая пластина W, в вакуумном устройстве обработки для выполнения операций по обработке, как, например, нанесения тонкого пленочного покрытия посредством способа PVD, способа CVD или подобных, операций по обработке, как, например, обработки ионной имплантацией, обработки травлением или подобными, полупроводниковая пластина W остается притянутой с момента начального использования и может быть непременно освобождена после операций обработки.
Как показано на фиг.1, электростатический держатель (EC) состоит из главного тела 1 держателя, которое расположено в нижней части камеры обработки (не иллюстрирована), и пластины 2 держателя, которая является диэлектрическим телом, расположенным на верхней поверхности главного тела 1 держателя. Главное тело 1 держателя выполнено, например, из нитрида алюминия, а его верхний участок имеет встроенные положительные и отрицательные электроды 3а, 3b в электрических изолированных слоях (не проиллюстрированы). Компоновка выполнена так, что может быть приложено напряжение постоянного тока от известного источника E питания держателя.
В дополнение, главное тело 1 держателя имеет проход 4 для газа, который проходит внутрь держателя через этот проход в вертикальном направлении. Нижний конец прохода 4 для газа посредством газовой трубы 6, имеющей контроллер 5 весового потока, расположенный на ней, сообщается с источником 7 газа, который содержит в нем входное отверстие для газа, такого как газ Ar или подобный. Эти части образуют средство подачи газа в этом варианте осуществления. Главное 1 тело держателя имеет встроенный в него нагреватель 8 типа нагревания от электрического сопротивления, имеющий известную конструкцию, таким образом, что полупроводниковая пластина W может быть нагрета до предварительно определенной температуры и поддерживать ее.
Пластина 2 держателя выполнена, например, из спеченного тела нитрида алюминия и состоит из: кольцевого реберного участка 2а, который допускает поверхностный контакт с внешним периферийным участком задней поверхности полупроводниковой пластины W, и множества поддерживающих участков 2с в форме стержней, которые вертикально расположены концентрическим способом во внутреннем пространстве 2b, охваченном реберным участком 2а. В этом случае высота поддерживающих участков 2с выполнена так, чтобы быть слегка меньше, чем высота реберного участка 2а. Таким образом, компоновка выполнена так, что полупроводниковая пластина W поддерживается каждым из поддерживающих участков 2с, когда полупроводниковая пластина W присоединяется к передней поверхности пластины 2 держателя.
После того, как полупроводниковая пластина W была размещена в местоположении на пластине 2 держателя, полупроводниковая пластина W притягивается передней поверхностью пластины 2 держателя в соответствии с электростатической силой, порожденной приложенным напряжением постоянного тока между электродами 3а, 3b. В это время в результате поверхностного контакта внешнего периферийного участка задней поверхности полупроводниковой пластины W с реберным участком 2а по всей окружности полупроводниковой пластины W внутреннее пространство 2b может быть герметично изолированно. При подаче газа Ar через средство подачи газа в этом состоянии во внутреннем пространстве 2b формируется газовая атмосфера. В соответствии с такой компоновкой, когда нагреватель 8 работает для нагрева полупроводниковой пластины W, в результате образования атмосферы инертного газа во внутреннем пространстве 2b, которое ограничено реберным участком 2а и задней поверхностью полупроводниковой пластины W, полупроводниковая пластина W может быть эффективно нагрета при содействии в передаче тепла к полупроводниковой пластине W. В этом варианте осуществления описание было сделано со ссылкой на пример, в котором был размещен только нагреватель 8. Без ограничений к нему может быть также выполнена компоновка для сборки известного охлаждающего средства.
Далее будет выполнено описание способа производства пластины 2 держателя, которая является спеченным телом нитрида алюминия. Сначала получают порошок нитрида алюминия в качестве сырья (или сырьевой муки) посредством известного способа, такого как способ восстановления в азоте или подобные. Затем, после надлежащего добавления к порошку нитрида алюминия органических вяжущих веществ или спекающих добавок, для того чтобы улучшить прессуемость, сырьевой порошок формуется посредством использования известной формовочной машины, чтобы таким образом изготовить прессованную порошковую деталь, имеющую вышеупомянутую форму. Затем прессованная порошковая деталь, полученная таким образом, спекается в печи для спекания в атмосфере инертного газа при 2000°С, чтобы таким образом получить спеченное тело нитрида алюминия, имеющее желаемое конкретное объемное сопротивление. Должно быть замечено, что так называемый способ спекания горячего прессования может быть использован в производстве спеченного тела нитрида алюминия.
Затем, как показано на фиг.2, из всего числа поверхностей таким образом полученного тела S нитрида алюминия поверхность, приходящая в соприкосновение с полупроводниковой пластиной W, подвергается полировке до предварительно определенной шероховатости и гладкости (параллельности) поверхности. В качестве полировки можно прибегнуть к поверхностному шлифованию, в котором используется алмазный шлифовальный камень, к полировочному станку, в котором используются свободные абразивные зерна, или к химической механической полировке (CMP). Механическая обработка выполняется таким образом до достижения предварительно определенной шероховатости (Ra 0,1 мкм или менее) и гладкости (0,005 или менее) поверхности.
Здесь, ссылаясь на фиг.2, в вышеупомянутом спеченном теле S нитрида алюминия поверхность будет повреждена во время полировки и в результате придет в состояние, в котором в некоторых районах будут присутствовать частицы g нитрида алюминия, которые готовы к тому, чтобы отделиться или отвалиться (см. фиг.2(а)). Если этот тип готовых к отделению частиц g нитрида алюминия присутствует на поверхности контакта с полупроводниковой пластиной W, частицы g нитрида алюминия придут в электрически плавающее состояние (см. фиг.2(b)). Когда подача напряжения к электродам 3а, 3b прекращается, электрически плавающее состояние частиц становится сопротивлением, в результате чего остаточные электрические заряды не могут быть разряжены (на фиг.2 поток электрических зарядов показан стрелками). Следовательно, особенно в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования существует вероятность, что может часто происходить неудовлетворительное отделение или высвобождение полупроводниковой пластины W.
В качестве решения в этом варианте осуществления выполняется струйная обработка. При этой струйной обработке выборочно удаляются только готовые к отделению частицы g нитрида алюминия, которые присутствуют на поверхности контакта с полупроводниковой пластиной W пластины 2 держателя, которая является спеченным телом S нитрида алюминия (см. фиг.2(с)). В качестве такого типа пескоструйной обработки наиболее подходящей является так называемая жидкостная струйная обработка, в которой вода, смешанная со шлифовальными частицами, совместно с воздухом направляется струей к объекту, который должен быть обработан, т.е к пластине 2 держателя, в результате чего полируется поверхность объекта, который должен быть обработан.
В качестве шлифовальных частиц, которые должны быть использованы в жидкостной струйной обработке, используются частицы, которые выполнены из оксида алюминия, а размер частиц находится в диапазоне ниже среднего размера частиц спеченного оксида алюминия. Шлифующие частицы смешиваются с водой в предварительно определенном весовом соотношении. В дополнение, предпочтительно установить давление воды в струйной обработке от 0,01 до 0,05 МПа и давление сжатого воздуха от 0,1 до 0,3 МПа. Если давление воды и давление воздуха находятся ниже вышеупомянутых давлений, то становится невозможным удалить частицы, сила адгезии которых среди частиц была снижена. С другой стороны, если давление воды и воздуха выше вышеупомянутых давлений, существует недостаток в том, что шероховатость поверхности будет увеличиваться, и в том, что не смогут быть удалены частицы, чья сила адгезии среди частиц снижена.
Как описано выше, при дополнительном выполнении жидкостной струйной обработки, после выполнения полировки, могут быть выборочно удалены только готовые к отделению частицы g нитрида алюминия, которые появились на поверхности при полировке. Поэтому в случае, когда пластина 2 держателя, которая была изготовлена способом производства согласно этому варианту осуществления, собирается с вышеупомянутым главным телом держателя 1, чтобы таким образом предложить продукт такой, как электростатический держатель EC, сначала к положительным и отрицательным электродам 3а, 3b может быть приложено напряжение посредством источника E питания держателя. После притяжения полупроводниковой пластины W посредством предварительно определенной силы притяжения и впоследствии, когда прекращается подача электроэнергии, полупроводниковая пластина W может быть благополучно высвобождена без влияния эффекта остаточных электрических зарядов (см. фиг.2(d)). В дополнение, исходя из того, что струйная обработка выполняется после полировки, обработка является простой, а продуктивность может быть повышена в сравнении с традиционным способом, в котором притягивание и освобождение полупроводниковой пластины W посредством пластины 2 держателя повторяется несколько сотен раз. Дополнительно, в вышеупомянутой струйной обработке шероховатость и гладкость поверхности пластины 2 держателя показывает небольшой износ или его отсутствие, и не существует возможности сокращения зоны контакта с полупроводниковой пластиной W.
Для того чтобы показать вышеупомянутый эффект, было произведено, посредством известного способа, спеченное тело нитрида алюминия с вариантом осуществления, как описано выше. Затем поверхность контакта с полупроводниковой пластиной W была зеркально отполирована, чтобы иметь шероховатость поверхности 0,1 мкм. Соответственно, была выполнена жидкостная струйная обработка.
Затем пластина 2 держателя была установлена на главное 1 тело держателя для образования электростатического держателя EC. Полупроводниковая пластина W была установлена в местоположение, которое обеспечивается множеством известных подъемных штырей для подъема полупроводниковой пластины W до местоположения, находящегося прямо над электростатическим держателем EC. Затем, после размещения полупроводниковой пластины W на пластине 2 держателя, полупроводниковая пластина была притянута напряжением в диапазоне от 0 до 1000 В посредством источника E питания держателя. Затем, при отключении напряжения источника E питания держателя сработал подъемный механизм. Затем было подтверждено, что полупроводниковая пластина W была поднята подъемными штырями с отсутствием недостаточного высвобождения.
Хотя до настоящего времени описывался настоящий вариант осуществления, без ограничения к вышеупомянутому химическому составу, настоящее изобретение может быть также применено в том случае, в котором пластина держателя выполнена из других материалов, таких как спеченное тело нитрида кремния или подобных. В дополнение, до настоящего времени выполнялось описание примера, в котором была применена жидкостная струйная обработка. Однако подобным образом может быть применен другой способ при условии, что готовые к отделению частицы могут быть выборочно удалены простым способом.
Описание ссылочных позиций и символов
EC электростатический держатель
1 главное тело держателя
2 пластина держателя (спеченное тело S нитрида алюминия)
2а реберный участок
2b внутреннее пространство
2c поддерживающий участок
3a, 3b электроды
g готовые к отделению частицы AIN
W полупроводниковая пластина

Claims (2)

1. Способ производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе, причем электростатический держатель содержит: главное тело держателя, имеющее электроды, и пластину держателя, выполненную из диэлектрического тела, которое покрывает поверхность главного тела держателя, при этом способ содержит этапы, на которых:
получают спеченное тело посредством формования прессованием сырьевого порошкового материала в предварительно определенную форму и затем ее спекания;
образуют, посредством полировки, такую поверхность спеченного тела, которая будет контактировать с подложкой, которая должна быть притянута, до предварительно определенной шероховатости и гладкости поверхности; и
выполняют струйную обработку для выборочного удаления только готовых к отделению частиц, которые появляются на поверхности в результате вышеупомянутой полировки.
2. Способ по п.1, в котором струйная обработка является жидкостной струйной обработкой.
RU2011130815/28A 2008-12-25 2009-12-09 Способ изготовления пластины держателя для использования в электростатическом держателе RU2486631C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008329612 2008-12-25
JP2008-329612 2008-12-25
PCT/JP2009/006731 WO2010073514A1 (ja) 2008-12-25 2009-12-09 静電チャック用のチャックプレートの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011130815A RU2011130815A (ru) 2013-01-27
RU2486631C2 true RU2486631C2 (ru) 2013-06-27

Family

ID=42287172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011130815/28A RU2486631C2 (ru) 2008-12-25 2009-12-09 Способ изготовления пластины держателя для использования в электростатическом держателе

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20110256810A1 (ru)
JP (1) JP5188584B2 (ru)
KR (1) KR101316804B1 (ru)
CN (1) CN102265390B (ru)
DE (1) DE112009003808T5 (ru)
RU (1) RU2486631C2 (ru)
SG (1) SG171819A1 (ru)
TW (1) TWI455791B (ru)
WO (1) WO2010073514A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815294C1 (ru) * 2023-03-02 2024-03-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" Способ обработки обратной стороны кремниевой транзисторной структуры

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT521222B1 (de) * 2018-05-07 2020-04-15 Engel Austria Gmbh Vorrichtung zum Handhaben und lokalen Fixieren

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213774A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Kyocera Corp ウェハ保持部材及びその製造方法
JPH09219441A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Fujitsu Ltd 静電チャックからの被処理基板離脱方法及び製造装置
JPH10256358A (ja) * 1997-03-06 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd ウエハー吸着装置およびその製造方法
JP2000277598A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
EP1690845A1 (en) * 2003-10-31 2006-08-16 Tokuyama Corporation Aluminum nitride joined article and method for manufacture thereof
RU2295799C2 (ru) * 2001-06-28 2007-03-20 Лэм Рисерч Корпорейшн Электростатический держатель для использования в вакуумной камере высокотемпературной обработки, способ обработки подложки и расширительный узел электростатического держателя
WO2008048518A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Applied Materials Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20080276865A1 (en) * 2006-11-29 2008-11-13 Toto Ltd. Electrostatic Chuck, Manufacturing method thereof and substrate treating apparatus

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2695436B2 (ja) 1988-06-24 1997-12-24 富士通株式会社 静電チャックの劣化検出回路
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
JP2000021963A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Nippon Steel Corp 静電吸着装置
JP2001035817A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2001118664A (ja) * 1999-08-09 2001-04-27 Ibiden Co Ltd セラミックヒータ
JP3273773B2 (ja) * 1999-08-12 2002-04-15 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ
TW473792B (en) * 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
JP3228924B2 (ja) * 2000-01-21 2001-11-12 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2001244320A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Ibiden Co Ltd セラミック基板およびその製造方法
US6483690B1 (en) * 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
JPWO2003008359A1 (ja) * 2001-07-19 2004-11-04 イビデン株式会社 セラミック接合体およびその接合方法、セラミック構造体
JP2003224180A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP4472372B2 (ja) * 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
US7102871B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co,, Ltd. Electrostatic chuck assembly having disassembling device
TWI267940B (en) * 2004-06-28 2006-12-01 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP2007088411A (ja) * 2005-06-28 2007-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法
JP4664142B2 (ja) * 2005-07-21 2011-04-06 住友重機械工業株式会社 ステージ装置
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
JP5065660B2 (ja) * 2005-12-02 2012-11-07 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 半導体処理
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP4936925B2 (ja) * 2006-03-03 2012-05-23 日本碍子株式会社 ブラスト処理方法
JP5116330B2 (ja) * 2007-03-26 2013-01-09 株式会社東京精密 電解加工ユニット装置及び電解加工洗浄乾燥方法
JP2009060035A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置
JP2009081223A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd 静電チャック部材
TWI475594B (zh) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
CN102177578A (zh) * 2008-10-07 2011-09-07 株式会社爱发科 基板管理方法
JP4761334B2 (ja) * 2009-02-23 2011-08-31 株式会社ソディック 着色セラミック真空チャックおよびその製造方法
JP5510411B2 (ja) * 2010-08-11 2014-06-04 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック及び静電チャックの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213774A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Kyocera Corp ウェハ保持部材及びその製造方法
JPH09219441A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Fujitsu Ltd 静電チャックからの被処理基板離脱方法及び製造装置
JPH10256358A (ja) * 1997-03-06 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd ウエハー吸着装置およびその製造方法
JP2000277598A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
RU2295799C2 (ru) * 2001-06-28 2007-03-20 Лэм Рисерч Корпорейшн Электростатический держатель для использования в вакуумной камере высокотемпературной обработки, способ обработки подложки и расширительный узел электростатического держателя
EP1690845A1 (en) * 2003-10-31 2006-08-16 Tokuyama Corporation Aluminum nitride joined article and method for manufacture thereof
WO2008048518A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Applied Materials Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20080276865A1 (en) * 2006-11-29 2008-11-13 Toto Ltd. Electrostatic Chuck, Manufacturing method thereof and substrate treating apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815294C1 (ru) * 2023-03-02 2024-03-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" Способ обработки обратной стороны кремниевой транзисторной структуры

Also Published As

Publication number Publication date
KR101316804B1 (ko) 2013-10-11
US20110256810A1 (en) 2011-10-20
JP5188584B2 (ja) 2013-04-24
WO2010073514A1 (ja) 2010-07-01
TW201032943A (en) 2010-09-16
DE112009003808T5 (de) 2012-06-06
SG171819A1 (en) 2011-07-28
CN102265390A (zh) 2011-11-30
JPWO2010073514A1 (ja) 2012-06-07
RU2011130815A (ru) 2013-01-27
KR20110107796A (ko) 2011-10-04
CN102265390B (zh) 2014-10-15
TWI455791B (zh) 2014-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214376B2 (en) Substrate mounting stage and surface treatment method therefor
JP5225041B2 (ja) 静電チャック
JP4739039B2 (ja) 静電チャック装置
CN111052317B (zh) 静电基板支撑件几何形状的抛光
CN107078090A (zh) 用于基座组件的弹簧负载销及使用该弹簧负载销的处理方法
KR20170067719A (ko) 정전 척 장치
US6491571B1 (en) Substrate for use in wafer attracting apparatus and manufacturing method thereof
CN102931056B (zh) 表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置
RU2486631C2 (ru) Способ изготовления пластины держателя для использования в электростатическом держателе
TW202239128A (zh) 在靜電吸盤上形成臺面
JP4275682B2 (ja) 静電チャック
JP4031419B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP4545536B2 (ja) 真空吸着用治具
KR20050054950A (ko) 미립자 발생도가 낮은 정전기 척 및 그의 제조 방법
JP3784274B2 (ja) 静電チャック
JP4439135B2 (ja) 静電チャック
JP6934342B2 (ja) 炭化珪素部材の製造方法
JP6782157B2 (ja) 静電チャック
CN101276775A (zh) 载置台的表面处理方法
JP7398011B2 (ja) ギャップピン
JP4268450B2 (ja) ディスプレー用大型ガラス基板吸着装置
JP2003129239A (ja) プラズマ処理方法及び装置
TW201717250A (zh) 半導體晶圓表面加工方法
TW202236415A (zh) 電漿處理腔室用之火花電漿燒結元件
JP2015159257A (ja) 加工方法および加工装置並びに該加工方法又は該加工装置により加工された加工物