RU2017109794A - Применения, способы и системы для обработки материалов с помощью рамановского лазера видимого диапазона - Google Patents

Применения, способы и системы для обработки материалов с помощью рамановского лазера видимого диапазона Download PDF

Info

Publication number
RU2017109794A
RU2017109794A RU2017109794A RU2017109794A RU2017109794A RU 2017109794 A RU2017109794 A RU 2017109794A RU 2017109794 A RU2017109794 A RU 2017109794A RU 2017109794 A RU2017109794 A RU 2017109794A RU 2017109794 A RU2017109794 A RU 2017109794A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
wavelength
laser beam
gpa
microns
Prior art date
Application number
RU2017109794A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017109794A3 (ru
RU2710819C2 (ru
Inventor
Марк С. ЗЕДИКЕР
Original Assignee
Нубуру, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нубуру, Инк. filed Critical Нубуру, Инк.
Publication of RU2017109794A publication Critical patent/RU2017109794A/ru
Publication of RU2017109794A3 publication Critical patent/RU2017109794A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2710819C2 publication Critical patent/RU2710819C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/25—Direct deposition of metal particles, e.g. direct metal deposition [DMD] or laser engineered net shaping [LENS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40—Radiation means
    • B22F12/41—Radiation means characterised by the type, e.g. laser or electron beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H01S3/302—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/20—Cooling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/30—Platforms or substrates
    • B22F12/33—Platforms or substrates translatory in the deposition plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/30—Platforms or substrates
    • B22F12/37—Rotatable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40—Radiation means
    • B22F12/41—Radiation means characterised by the type, e.g. laser or electron beam
    • B22F12/42—Light-emitting diodes [LED]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40—Radiation means
    • B22F12/41—Radiation means characterised by the type, e.g. laser or electron beam
    • B22F12/43—Radiation means characterised by the type, e.g. laser or electron beam pulsed; frequency modulated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40—Radiation means
    • B22F12/44—Radiation means characterised by the configuration of the radiation means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40—Radiation means
    • B22F12/44—Radiation means characterised by the configuration of the radiation means
    • B22F12/45—Two or more
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/90—Means for process control, e.g. cameras or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
    • H01S3/06716—Fibre compositions or doping with active elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
    • H01S3/094007—Cladding pumping, i.e. pump light propagating in a clad surrounding the active core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094076—Pulsed or modulated pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H01S3/305—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in a gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Claims (70)

1. Аппарат для лазерного аддитивного производства (ЛАП), включающий:
a. лазер для обеспечения функционального лазерного пучка вдоль траектории пучка, причем функциональный лазерный пучок имеет длину волны менее примерно 750 нм;
b. стол для построения;
c. исходный материал и аппарат подачи исходного материала, причем исходный материал может подаваться к целевой области вблизи стола для построения;
d. аппарат подачи лазерного пучка, включающий в себя формирующую оптику для обеспечения функционального лазерного пучка и формирования пятна лазерного пучка;
e. двигатель и аппарат позиционирования, механически соединенные со столом для построения, аппаратом подачи лазерного пучка или обоими; посредством чего двигатель и аппарат позиционирования способны обеспечивать относительное перемещение аппарата подачи лазерного пучка и стола для построения; и,
f. систему управления, содержащую процессор, устройство памяти и карту ЛАП, причем система управления способна реализовывать карту ЛАП посредством заранее заданного расположения функционального лазерного пучка и исходного материала.
2. Аппарат по п.1, причем лазер включает в себя лазерный диод накачки, имеющий длину волны менее 500 нм, и рамановский волоконный генератор.
3. Аппарат по п.1, причем лазер включает в себя лазерный диод накачки и рамановский генератор, предназначенные для обеспечения рамановской генерации n-го порядка, где n является целым числом.
4. Аппарат по п. 3, причем n выбрано из группы, состоящей из 2, 3, 4, 5 и 6.
5. Аппарат по п.3, причем генерация n-го порядка является стоксовой.
6. Аппарат по п.3, причем генерация n-го порядка является анти-стоксовой.
7. Аппарат по п.1, причем строительный материал выбран из группы, состоящей из магния, алюминия, галлия, олова, свинца, титана, ванадия, хрома, марганца, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, циркония, молибдена, родия, палладия, серебра, кадмия, вольфрама, золота, ртути, металлов, сплавов металлов и смесей металлов.
8. Аппарат по п.3, причем строительный материал выбран из группы, состоящей из магния, алюминия, галлия, олова, свинца, титана, ванадия, хрома, марганца, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, циркония, молибдена, родия, палладия, серебра, кадмия, вольфрама, золота, ртути, металлов, сплавов металлов и смесей металлов.
9. Аппарат по п.3, причем исходный материал является порошком.
10. Аппарат по п.1, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц менее примерно 1 мкм.
11. Аппарат по п.3, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц от примерно 0,05 мкм до примерно 2,5 мкм.
12. Аппарат по п.8, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц от примерно 0,05 мкм до примерно 2,5 мкм.
13. Аппарат по п.1, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц от примерно 40 мкм и меньше.
14. Аппарат по п.7, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц менее примерно 25 мкм.
15. Аппарат по п.7, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц менее примерно 15 мкм.
16. Аппарат по п.7, причем исходный материал является порошком, имеющим размер частиц менее примерно 0,5 мкм.
17. Модули рамановских лазеров (МРЛ) для применения в лазерном аддитивном производстве, причем МРЛ включают в себя: источник лазерного пучка накачки и рамановский генератор для обеспечения функционального лазерного пучка; причем функциональный лазерный пучок имеет длину волны менее примерно 700 нм, М2 менее 2 и мощность больше 500 Вт.
18. Аппарат по п.17, причем рамановский генератор содержит волоконный генератор, содержащий материал, выбранный из группы, состоящей из кварца, кварца, легированного GeO2, кварца, легированного фосфором.
19. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя лазерный диод.
20. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя множество лазерных диодов для получения лазерного пучка накачки, имеющего лучевой параметр продукта менее примерно 10 мм·мрад.
21. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя решетку из по меньшей мере 20 лазерных диодов синего свечения.
22. Аппарат по п.21, причем решетка обеспечивает лазерный пучок накачки, имеющий длину волны в диапазоне от примерно 405 нм до примерно 460 нм.
23. Аппарат по п.17, причем волокно генератора имеет длину, а эта длина составляет примерно 30 м или меньше.
24. Аппарат по п.18, причем волокно генератора имеет длину, а эта длина составляет примерно 20 м или меньше.
25. Аппарат по п.20, причем волокно генератора имеет длину, а эта длина составляет примерно 25 м или меньше.
26. Аппарат по п.22, причем волокно генератора имеет длину, а эта длина составляет примерно 20 м или меньше.
27. Аппарат по п.17, причем функциональный лазерный пучок имеет длину волны от примерно 405 нм до примерно 470 нм.
28. Аппарат по п.18, причем функциональный лазерный пучок имеет длину волны от примерно 405 нм до примерно 470 нм.
29. Аппарат по п.22, причем функциональный лазерный пучок имеет длину волны от примерно 405 нм до примерно 470 нм.
30. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя систему лазерных диодов синего свечения, обеспечивающую лазерный пучок накачки, имеющий длину волны примерно 405 нм - 475 нм, мощность более 100 Вт; и причем рамановский волоконный генератор имеет диаметр сердцевины примерно 10-50 мкм и является волокном с плавным изменением показателя преломления.
31. Система по п.17, причем лазерный источник накачки охлаждается, а охлаждение выбрано из группы, состоящей из воздушного охлаждения, жидкостного охлаждения и водяного охлаждения.
32. Система по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя спектральное устройство сведения пучков.
33. Система, включающая в себя множество МРЛ по п.17, причем лазерные пучки от МРЛ когерентно объединяются для формирования одного функционального лазерного пучка.
34. Система по п.17, причем лазерный источник накачки содержит лазерный диод и интегральную электронную схему возбуждения, чтобы регулировать ток и делать возможной быструю пульсацию диода лазерного источника накачки для обеспечения импульсного лазерного пучка накачки.
35. Система по п.34, и причем частота повторения импульсов составляет от примерно 0,1 МГц до примерно 10 МГц.
36. Аппарат для 3-D печати, включающий в себя аппарат подачи исходного материала, причем исходный материал может подаваться в целевую область вблизи предварительно заданной области построения; формирующую оптику для обеспечения пятна функционального лазерного пучка, имеющего поперечное сечение менее примерно 100 микрон в области построения; и модуль рамановских лазеров (МРЛ).
37. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.17.
38. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.18.
39. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.22.
40. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.29.
41. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.30.
42. Аппарат для 3D-печати по п. 36, причем МРЛ является МРЛ по п.35.
43. Способ лазерного аддитивного производства (ЛАП), содержащий:
a. обеспечение исходного материала, имеющего предварительно заданную максимальную длину волны поглощения;
b. направление функционального лазерного пучка, имеющего предварительно заданную длину волны, на исходный материал, причем длина волны функционального лазерного пучка обоснована по меньшей мере частичным совпадением с максимальной длиной волны поглощения;
c. взаимодействие функционального лазерного пучка с исходным материалом для построения изделия.
44. Способ по п.43, причем длина волны функционального лазерного пучка и максимальная длина волны поглощения совпадают друг с другом c погрешностью в 100 нм.
45. Способ по п.43, причем длина волны функционального лазерного пучка и максимальная длина волны поглощения совпадают друг с другом с погрешностью в 50 нм.
46. Способ по п.43, причем длина волны функционального лазерного пучка и максимальная длина волны поглощения совпадают друг с другом с погрешностью в 10%.
47. Способ по п.43, причем длина волны функционального лазерного пучка и максимальная длина волны поглощения совпадают друг с другом с погрешностью в 20%.
48. Способ по п.43, причем длина волны функционального лазерного пучка и максимальная длина волны поглощения совпадают, причем они имеют одинаковую длину волны.
49. Способ по п.43, причем изделие выстраивают за один этап.
50. Способ по п.45, причем изделие выстраивают за один этап.
51. Способ по п.43, причем изделие имеет: коэффициент теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; коэффициент теплопроводности в Вт/(м·К) от 18 до 450; удельное электрическое сопротивление в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; модуль продольной упругости в ГПа от 40 до 220; модуль упругости при сдвиге в ГПа от 15 до 52; модуль объемной упругости в ГПа от 40 до 190; коэффициент Пуассона от 0,2 до 0,5; твердость по Моосу от 1 до 7; твердость по Виккерсу в МПа от 150 до 3500; твердость по Бринелю в МПа от 35 до 2800; плотность в г/см3 от 1,5 до 21.
52. Способ по п.49, причем изделие имеет: коэффициент теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; коэффициент теплопроводности в Вт/(м·К) от 18 до 450; удельное электрическое сопротивление в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; модуль продольной упругости в ГПа от 40 до 220; модуль упругости при сдвиге в ГПа от 15 до 52; модуль объемной упругости в ГПа от 40 до 190; коэффициент Пуассона от 0,2 до 0,5; твердость по Моосу от 1 до 7; твердость по Виккерсу в МПа от 150 до 3500; твердость по Бринелю в МПа от 35 до 2800; плотность в г/см3 от 1,5 до 21.
53. Способ по п.50, причем изделие имеет: коэффициент теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; коэффициент теплопроводности в Вт/(м·К) от 18 до 450; удельное электрическое сопротивление в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; модуль продольной упругости в ГПа от 40 до 220; модуль упругости при сдвиге в ГПа от 15 до 52; модуль объемной упругости в ГПа от 40 до 190; коэффициент Пуассона от 0,2 до 0,5; твердость по Моосу от 1 до 7; твердость по Виккерсу в МПа от 150 до 3500; твердость по Бринелю в МПа от 35 до 2800; плотность в г/см3 от 1,5 до 21.
54. Способ по п.43, причем изделие имеет: коэффициент теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; коэффициент теплопроводности в Вт/(м·К) от 18 до 450; модуль продольной упругости в ГПа от 40 до 220; модуль упругости при сдвиге в ГПа от 15 до 52; модуль объемной упругости в ГПа от 40 до 190; коэффициент Пуассона от 0,2 до 0,5; и плотность в г/см3 от 1,5 до 21.
55. Способ по п.43, причем изделие имеет: удельное электрическое сопротивление в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; коэффициент Пуассона от 0,2 до 0,5; и твердость по Моосу от 1 до 7.
56. Способ по п.43, причем изделие имеет: коэффициент теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; удельное электрическое сопротивление в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; модуль продольной упругости в ГПа от 40 до 220; твердость по Моосу от 1 до 7 и плотность в г/см3 от 1,5 до 21.
57. Способ по п.43, причем изделие имеет физические свойства, выбранные из группы, состоящей из: коэффициента теплового расширения в мкм/(м·К) (при 25°С) от 7,5 до 32; коэффициента теплопроводности в Вт/(м·К) от 18 до 450; удельного электрического сопротивления в нОм·м (при 20°С) от 14 до 420; модуля продольной упругости в ГПа от 40 до 220; модуля упругости при сдвиге в ГПа от 15 до 52; модуля объемной упругости в ГПа от 40 до 190; коэффициента Пуассона от 0,2 до 0,5; твердости по Моосу от 1 до 7; твердости по Виккерсу в МПа от 150 до 3500; твердости по Бринелю в МПа от 35 до 2800; и плотности в г/см3 от 1,5 до 21.
58. Аппарат по п.17, причем рамановский генератор включает в себя кристаллический генератор, содержащий материал, выбранный из группы, состоящей из алмаза, KGW, YVO4 и Ba(NO3)2.
59. Аппарат по п.17, причем рамановский генератор содержит газ при высоком давлении.
60. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя множество лазерных диодов для получения лазерного пучка накачки, имеющего лучевой параметр продукта менее примерно 14 мм·мрад.
61. Аппарат по п.17, причем лазерный источник накачки включает в себя множество лазерных диодов для получения лазерного пучка накачки, имеющего лучевой параметр продукта от примерно 9 мм·мрад до примерно 14 мм·мрад.
RU2017109794A 2014-08-27 2015-08-27 Применения, способы и системы для обработки материалов с помощью рамановского лазера видимого диапазона RU2710819C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462042785P 2014-08-27 2014-08-27
US62/042,785 2014-08-27
US201562193047P 2015-07-15 2015-07-15
US62/193,047 2015-07-15
PCT/US2015/047226 WO2016033343A1 (en) 2014-08-27 2015-08-27 Applications, methods and systems for materials processing with visible raman laser

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017109794A true RU2017109794A (ru) 2018-09-27
RU2017109794A3 RU2017109794A3 (ru) 2018-11-27
RU2710819C2 RU2710819C2 (ru) 2020-01-14

Family

ID=55400583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017109794A RU2710819C2 (ru) 2014-08-27 2015-08-27 Применения, способы и системы для обработки материалов с помощью рамановского лазера видимого диапазона

Country Status (7)

Country Link
EP (2) EP3186821B1 (ru)
JP (4) JP6532938B2 (ru)
CN (2) CN107078021B (ru)
CA (2) CA3151421A1 (ru)
ES (1) ES2848400T3 (ru)
RU (1) RU2710819C2 (ru)
WO (1) WO2016033343A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2811824C2 (ru) * 2019-02-02 2024-01-17 Нубуру, Инк. Высоконадежные лазерные диодные системы высокой мощности и высокой яркости синего свечения и способы их изготовления

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109792129B (zh) * 2016-04-29 2023-10-20 努布鲁有限公司 单片可见光波长光纤激光器
WO2018129317A1 (en) 2017-01-05 2018-07-12 Ipg Photonics Corporation Additive laser machining systems and methods
CN108161240A (zh) * 2018-02-11 2018-06-15 成都迈锐捷激光技术有限公司 一种新型动态聚焦激光打标机
WO2019212482A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Additive manufacturing of metals
JP2019197820A (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 株式会社島津製作所 レーザ装置
WO2020107030A1 (en) * 2018-11-23 2020-05-28 Nuburu, Inc Multi-wavelength visible laser source
CN113543921A (zh) * 2018-12-30 2021-10-22 努布鲁有限公司 使用蓝色激光焊接铜和其它金属的方法和***
KR20220093194A (ko) * 2019-11-06 2022-07-05 누부루 인크. 청색 레이저 금속 적층 제작 시스템
CN111122397B (zh) * 2019-12-18 2021-06-22 中国科学院福建物质结构研究所 一种光学材料性能检测装置
CN111082296A (zh) * 2020-01-09 2020-04-28 中国人民解放军国防科技大学 一种低量子亏损的拉曼光纤激光器
CN113477948B (zh) * 2021-06-29 2022-05-24 华南理工大学 一种激光选区熔化的控制***、方法及装置
GB2618050A (en) * 2021-08-24 2023-11-01 Element Six Tech Ltd Raman laser system
JP2024060734A (ja) * 2022-10-20 2024-05-07 国立大学法人大阪大学 セラミックス－金属接合体の製造方法
CN117583752B (zh) * 2024-01-16 2024-06-07 宁德时代新能源科技股份有限公司 激光设备、切割***以及激光切割方法

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0542729B1 (en) 1986-10-17 1996-05-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for producing parts by selective sintering
US4863538A (en) 1986-10-17 1989-09-05 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for producing parts by selective sintering
JPH01245992A (ja) * 1988-03-25 1989-10-02 Ind Res Inst Japan 多波長レーザー加工装置
US5053090A (en) 1989-09-05 1991-10-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Selective laser sintering with assisted powder handling
US5204055A (en) 1989-12-08 1993-04-20 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
JP2571740B2 (ja) * 1992-09-07 1997-01-16 理化学研究所 真空紫外光による加工装置および加工方法
US5352405A (en) 1992-12-18 1994-10-04 Dtm Corporation Thermal control of selective laser sintering via control of the laser scan
US5902441A (en) 1996-09-04 1999-05-11 Z Corporation Method of three dimensional printing
US5578227A (en) * 1996-11-22 1996-11-26 Rabinovich; Joshua E. Rapid prototyping system
US5832006A (en) 1997-02-13 1998-11-03 Mcdonnell Douglas Corporation Phased array Raman laser amplifier and operating method therefor
CN1306629A (zh) * 1998-05-13 2001-08-01 光谱科学公司 微型激光小珠及其结构,以及相关方法
JP2000307181A (ja) * 1999-02-15 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置およびレーザ加工装置
US7014885B1 (en) * 1999-07-19 2006-03-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Direct-write laser transfer and processing
JP2001053371A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Inst Of Physical & Chemical Res 真空紫外光発生方法及び発生装置並びにその利用装置
WO2001020534A1 (en) * 1999-09-16 2001-03-22 Solidica, Inc. Object consolidation through sequential material deposition
GB9928475D0 (en) * 1999-12-03 2000-02-02 Secr Defence Brit Laser devices
JP2001196665A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai 二波長レーザ加工光学装置およびレーザ加工方法
AUPQ901400A0 (en) * 2000-07-26 2000-08-17 Macquarie Research Limited A stable solid state raman laser and a method of operating same
EP1241746A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-18 Europäische Organisation für astronomische Forschung in der südlichen Hemisphäre Narrow band high power fibre lasers
JP2002273581A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Japan Atom Energy Res Inst 短パルス波長可変ラマンレーザーによる物質の加工方法
JP2003080604A (ja) * 2001-09-10 2003-03-19 Fuji Photo Film Co Ltd 積層造形装置
WO2003034554A1 (fr) * 2001-10-16 2003-04-24 Kataoka Corporation Appareil laser
JP2003156649A (ja) * 2001-11-19 2003-05-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 光ファイバ
AU2002243473A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-30 Bp Corporation North America Inc. Method of manufacturing thin film photovoltaic modules
US7358157B2 (en) * 2002-03-27 2008-04-15 Gsi Group Corporation Method and system for high-speed precise laser trimming, scan lens system for use therein and electrical device produced thereby
JP2003340924A (ja) * 2002-05-23 2003-12-02 Fuji Photo Film Co Ltd 積層造形装置
CN1659479A (zh) * 2002-04-10 2005-08-24 富士胶片株式会社 曝光头及曝光装置和它的应用
US20040012124A1 (en) * 2002-07-10 2004-01-22 Xiaochun Li Apparatus and method of fabricating small-scale devices
JP4452470B2 (ja) * 2003-09-09 2010-04-21 東京電力株式会社 複数レーザ光のコヒーレンス度相互補正方法及び装置
US7034992B2 (en) * 2003-10-08 2006-04-25 Northrop Grumman Corporation Brightness enhancement of diode light sources
US7742512B2 (en) * 2004-02-02 2010-06-22 Raytheon Company Scalable laser with robust phase locking
DE102004012682A1 (de) * 2004-03-16 2005-10-06 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Objekten mittels Lasertechnik und Auftragen eines Absorbers per Inkjet-Verfahren
JP4525140B2 (ja) * 2004-03-31 2010-08-18 三菱電機株式会社 コヒーレント光結合装置
JP2005340788A (ja) * 2004-04-28 2005-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびそれを用いた半導体装置の作製方法
JP2006078595A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Synclayer Inc ラマン増幅用光伝送路
WO2006058381A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-08 Macquarie University External cavity raman laser
JP2006267377A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Shibaura Mechatronics Corp 高調波レーザ発振器
AU2007240113B2 (en) * 2006-04-13 2012-09-13 Macquarie University Continuous-wave laser
JP5269764B2 (ja) * 2006-04-28 2013-08-21 コーニング インコーポレイテッド パルス動作ｕｖ及び可視ラマンレーザシステム
KR20100046196A (ko) * 2007-08-01 2010-05-06 딥 포토닉스 코포레이션 펄스형 고조파 자외선 레이저 장치 및 펄스형 고조파 자외선 생성 방법
JP2009084619A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Jsr Corp マイクロ光造形用光硬化性組成物、金属造形物、及びその製造方法
WO2009108873A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. Optical fiber systems and methods
US7949017B2 (en) * 2008-03-10 2011-05-24 Redwood Photonics Method and apparatus for generating high power visible and near-visible laser light
US8374206B2 (en) * 2008-03-31 2013-02-12 Electro Scientific Industries, Inc. Combining multiple laser beams to form high repetition rate, high average power polarized laser beam
JP2010005629A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Mitsubishi Electric Corp Ｓｉ基板のレーザ加工方法
US8094689B1 (en) * 2008-08-01 2012-01-10 Sandia Corporation Laser systems configured to output a spectrally-consolidated laser beam and related methods
RU2410196C1 (ru) * 2009-07-01 2011-01-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный технический университет МГТУ "МАМИ" Способ получения полупрозрачного материала
EP2470955A1 (en) * 2009-08-28 2012-07-04 NKT Photonics A/S Pulsed fiber laser
US8441718B2 (en) * 2009-11-23 2013-05-14 Lockheed Martin Corporation Spectrally beam combined laser system and method at eye-safer wavelengths
ES2871148T3 (es) * 2010-02-24 2021-10-28 Univ Macquarie Sistemas y procedimientos de láser raman de diamante de infrarrojo de medio a lejano
US9175568B2 (en) * 2010-06-22 2015-11-03 Honeywell International Inc. Methods for manufacturing turbine components
US8905742B2 (en) 2010-09-17 2014-12-09 Synerdyne Corporation Compact rotary platen 3D printer
GB2487437A (en) * 2011-01-24 2012-07-25 Univ Southampton A first resonant optical fiber cavity and an second resonant enhancement cavity arranged in the first cavity.
US8933367B2 (en) * 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
DE102011075213B4 (de) * 2011-05-04 2013-02-21 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Laserbearbeitungssystem mit einem in seiner Brillanz einstellbaren Bearbeitungslaserstrahl
JP5765050B2 (ja) * 2011-05-11 2015-08-19 富士通セミコンダクター株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP6132523B2 (ja) * 2012-11-29 2017-05-24 キヤノン株式会社 金属光造形用の金属粉末、三次元造形物の製造方法および成形品の製造方法
US10971896B2 (en) 2013-04-29 2021-04-06 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for a laser deliver addressable array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2811824C2 (ru) * 2019-02-02 2024-01-17 Нубуру, Инк. Высоконадежные лазерные диодные системы высокой мощности и высокой яркости синего свечения и способы их изготовления

Also Published As

Publication number Publication date
EP3186821A4 (en) 2018-09-26
EP3186821B1 (en) 2021-01-13
ES2848400T3 (es) 2021-08-09
CA3151421A1 (en) 2016-03-03
JP2019194699A (ja) 2019-11-07
EP3186821A1 (en) 2017-07-05
JP2024019706A (ja) 2024-02-09
CA2959372A1 (en) 2016-03-03
JP7413424B2 (ja) 2024-01-15
JP2017537334A (ja) 2017-12-14
RU2017109794A3 (ru) 2018-11-27
RU2710819C2 (ru) 2020-01-14
CN113664223B (zh) 2023-12-12
WO2016033343A1 (en) 2016-03-03
CN107078021A (zh) 2017-08-18
EP3832815A1 (en) 2021-06-09
CA2959372C (en) 2022-07-12
JP2022095671A (ja) 2022-06-28
CN113664223A (zh) 2021-11-19
JP6532938B2 (ja) 2019-06-19
CN107078021B (zh) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017109794A (ru) Применения, способы и системы для обработки материалов с помощью рамановского лазера видимого диапазона
Versolato Physics of laser-driven tin plasma sources of EUV radiation for nanolithography
US10971896B2 (en) Applications, methods and systems for a laser deliver addressable array
Steen et al. Laser material processing
JP2024020355A (ja) レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム
Shen et al. Design and development of a high-performance LED-side-pumped Nd: YAG rod laser
Hübner et al. Novel high-power, high repetition rate laser diode pump modules suitable for high-energy class laser facilities
Maleki et al. Experimental study of electro-optical Q-switched pulsed Nd: YAG laser
Krylov et al. Compact Q-switched Yb: Er laser with a pulse repetition rate of 10 Hz
Van Leeuwen et al. Passively Q-switched VCSEL-pumped Nd: YAG laser with 47 mJ pulse energy
Němec et al. Temperature influence on Er: YAlO3 spectroscopy and diode-pumped laser properties
Morales et al. Advances in 808nm high power diode laser bars and single emitters
Ahmad et al. Wide-band, passively Q-switched Yb-and Tm-doped fibre laser using WSSe saturable absorber
Nguyen et al. All fiber approach to solid-state laser cooling
Sato et al. A design strategy for a high-energy Tm, Ho: YLF laser transmitter
Fibrich et al. InGaN diode pumped Pr: SrF2 laser at 639 nm wavelength
Clery Laser fusion energy poised to ignite
Fibrich et al. Power-scaling of a Pr: YAlO3 microchip laser operating at 747 nm wavelength at room temperature
Akhmeteli et al. Efficient non-resonant absorption in thin cylindrical targets: Experimental evidence for longitudinal geometry
Crump et al. Progress in GaAs-based Semiconductor Sources For High Brightness Beam-Combined Applications
Pilar et al. Characterization of diode-laser stacks for high-energy-class solid state lasers
Wu et al. A diode-end-pumped long-pulse-width acoustic–optical Q-switched Tm: LuAG laser at room temperature
Vetrovec et al. Yb: YAG ceramic-based laser driver for inertial fusion energy (IFE)
Loiko et al. Tm: GdVO4 microchip laser Q-switched by a Sb2Te3 topological insulator
Singh Tm: Ho: YLF and LuLiF laser development for global winds measurements