RU2015119029A - Светоизлучающее устройство - Google Patents
Светоизлучающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015119029A RU2015119029A RU2015119029A RU2015119029A RU2015119029A RU 2015119029 A RU2015119029 A RU 2015119029A RU 2015119029 A RU2015119029 A RU 2015119029A RU 2015119029 A RU2015119029 A RU 2015119029A RU 2015119029 A RU2015119029 A RU 2015119029A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- heat sink
- main surface
- metal film
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:подложку, имеющую первую главную поверхность,вторую главную поверхность, которая является противоположной упомянутой первой главной поверхности, имонтажную поверхность, которая является смежной по меньшей мере второй главной поверхности, икоторая включает в себяизолирующий материал-основу,пару соединительных выводов, расположенных на второй главной поверхности, итеплоотводящий вывод, расположенный на второй главной поверхности между парой соединительных выводов,светоизлучающий элемент, который смонтирован на первой главной поверхности, исветоизолирующий герметизирующий элемент, который герметизирует светоизлучающий элемент и образован, по существу, в той же плоскости, что и подложка на монтажной поверхности.2. Светоизлучающее устройство по п. 1, в которомвысота теплоотводящего вывода меньше высоты соединительных выводов.3. Светоизлучающее устройство по п. 1, в которомтеплоотводящий вывод имеет узкую часть, обеспеченную рядом с монтажной поверхностью, и широкую часть, которая имеет ширину больше, чем у узкой части, и обеспечена рядом с узкой частью и на удалении от монтажной поверхности.4. Светоизлучающее устройство по п. 3, в которомтеплоотводящий вывод имеет множество узких частей.5. Светоизлучающее устройство по п. 1, в которомподложка дополнительно имеет паяльный резист, причем паяльный резист расположен между теплоотводящим выводом и соединительными выводами или на теплоотводящем выводе.6. Светоизлучающее устройство по п. 1, в которомтеплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть
Claims (25)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
подложку, имеющую первую главную поверхность,
вторую главную поверхность, которая является противоположной упомянутой первой главной поверхности, и
монтажную поверхность, которая является смежной по меньшей мере второй главной поверхности, и
которая включает в себя
изолирующий материал-основу,
пару соединительных выводов, расположенных на второй главной поверхности, и
теплоотводящий вывод, расположенный на второй главной поверхности между парой соединительных выводов,
светоизлучающий элемент, который смонтирован на первой главной поверхности, и
светоизолирующий герметизирующий элемент, который герметизирует светоизлучающий элемент и образован, по существу, в той же плоскости, что и подложка на монтажной поверхности.
2. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором
высота теплоотводящего вывода меньше высоты соединительных выводов.
3. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором
теплоотводящий вывод имеет узкую часть, обеспеченную рядом с монтажной поверхностью, и широкую часть, которая имеет ширину больше, чем у узкой части, и обеспечена рядом с узкой частью и на удалении от монтажной поверхности.
4. Светоизлучающее устройство по п. 3, в котором
теплоотводящий вывод имеет множество узких частей.
5. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором
подложка дополнительно имеет паяльный резист, причем паяльный резист расположен между теплоотводящим выводом и соединительными выводами или на теплоотводящем выводе.
6. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором
теплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть металлической пленки покрыта паяльным резистом таким образом, что открытая часть металлической пленки ограничена и служит в качестве теплоотводящего вывода между парой соединительных выводов.
7. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом
на первой главной поверхности смонтировано и выровнено в продольном направлении светоизлучающего устройства множество светоизлучающих элементов.
8. Светоизлучающее устройство по п. 7, в котором
теплоотводящий вывод расположен между светоизлучающими элементами.
9. Светоизлучающее устройство по п. 8, дополнительно содержащее
по меньшей мере один второй соединительный вывод, расположенный на первой главной поверхности подложки, и межслойное соединение, образованное внутри подложки, при этом
упомянутая пара соединительных выводов расположена на первой главной поверхности,
каждый из упомянутого множества светоизлучающих элементов смонтирован на двух выводах из пары соединительных выводов и по меньшей мере второго соединительного вывода, и
упомянутый второй соединительный вывод соединен с теплоотводящим выводом через межслойное соединение.
10. Светоизлучающее устройство по п. 2, в котором
теплоотводящий вывод имеет узкую часть, обеспеченную рядом с монтажной поверхностью, и широкую часть, которая имеет ширину больше, чем у узкой части, и обеспечена рядом с узкой частью и на удалении от монтажной поверхности.
11. Светоизлучающее устройство по п. 10, в котором
теплоотводящий вывод имеет множество узких частей.
12. Светоизлучающее устройство по п. 11, в котором
подложка дополнительно имеет паяльный резист, причем паяльный резист расположен между теплоотводящим выводом и соединительными выводами или на теплоотводящем выводе.
13. Светоизлучающее устройство по п. 12, в котором
теплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть металлической пленки покрыта паяльным резистом таким образом, что открытая часть металлической пленки ограничена и служит в качестве теплоотводящего вывода между парой соединительных выводов.
14. Светоизлучающее устройство по п. 13, при этом
на первой главной поверхности смонтировано и выровнено в продольном направлении светоизлучающего устройства множество светоизлучающих элементов.
15. Светоизлучающее устройство по п. 14, в котором
теплоотводящий вывод расположен между светоизлучающими элементами.
16. Светоизлучающее устройство по п. 15, дополнительно содержащее
по меньшей мере один второй соединительный вывод, расположенный на первой главной поверхности подложки, и межслойное соединение, образованное внутри подложки, при этом
упомянутая пара соединительных выводов расположена на первой главной поверхности,
каждый из упомянутого множества светоизлучающих элементов смонтирован на двух выводах из пары соединительных выводов и по меньшей мере второго соединительного вывода, и
упомянутый второй соединительный вывод соединен с теплоотводящим выводом через межслойное соединение.
17. Светоизлучающее устройство по п. 2, в котором
теплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть металлической пленки покрыта паяльным резистом таким образом, что открытая часть металлической пленки ограничена и служит в качестве теплоотводящего вывода между парой соединительных выводов.
18. Светоизлучающее устройство по п. 3, в котором
теплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть металлической пленки покрыта паяльным резистом таким образом, что открытая часть металлической пленки ограничена и служит в качестве теплоотводящего вывода между парой соединительных выводов.
19. Светоизлучающее устройство по п. 9, в котором
теплоотводящий вывод выполнен из металлической пленки, расположенной на второй главной поверхности, причем по меньшей мере часть металлической пленки покрыта паяльным резистом таким образом, что открытая часть металлической пленки ограничена и служит в качестве теплоотводящего вывода между парой соединительных выводов.
20. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-19, в котором
теплоотводящий вывод имеет полярность.
21. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-19, дополнительно содержащее светопропускающий элемент, размещенный на светоизлучающем элементе.
22. Светоизлучающее устройство по п. 21, в котором
светопропускающий элемент включает в себя люминофоры на основе KSF или квантовые точки.
23. Светоизлучающее устройство по п. 21, в котором
боковые поверхности светопропускающего элемента покрыты светоизолирующим герметизирующим элементом.
24. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-19, в котором
светоизлучающий элемент смонтирован на первой главной поверхности подложки методом перевернутого кристалла.
25. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-19, в котором
каждый из соединительных выводов простирается от первой главной поверхности, концевой поверхности между первой главной поверхностью и второй главной поверхностью ко второй главной поверхности.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014105728 | 2014-05-21 | ||
JP2014-105728 | 2014-05-21 | ||
JP2015-084046 | 2015-04-16 | ||
JP2015084046A JP6661890B2 (ja) | 2014-05-21 | 2015-04-16 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018145015A Division RU2690165C2 (ru) | 2014-05-21 | 2015-05-20 | Светоизлучающее устройство |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2015119029A true RU2015119029A (ru) | 2016-12-10 |
RU2015119029A3 RU2015119029A3 (ru) | 2018-11-13 |
RU2677627C2 RU2677627C2 (ru) | 2019-01-18 |
Family
ID=53181193
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015119029A RU2677627C2 (ru) | 2014-05-21 | 2015-05-20 | Светоизлучающее устройство |
RU2018145015A RU2690165C2 (ru) | 2014-05-21 | 2015-05-20 | Светоизлучающее устройство |
RU2019114690A RU2763308C2 (ru) | 2014-05-21 | 2019-05-15 | Светоизлучающее устройство |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018145015A RU2690165C2 (ru) | 2014-05-21 | 2015-05-20 | Светоизлучающее устройство |
RU2019114690A RU2763308C2 (ru) | 2014-05-21 | 2019-05-15 | Светоизлучающее устройство |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US9406852B2 (ru) |
EP (4) | EP3863073A1 (ru) |
JP (2) | JP6661890B2 (ru) |
KR (2) | KR102110554B1 (ru) |
CN (2) | CN111883630A (ru) |
RU (3) | RU2677627C2 (ru) |
TW (2) | TWI661580B (ru) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6661890B2 (ja) | 2014-05-21 | 2020-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6484982B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TW201526315A (zh) * | 2015-02-17 | 2015-07-01 | Xiu-Zhang Huang | 覆晶式發光二極體及其製造方法 |
CN107438899B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-04-30 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
KR102373329B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP1547626S (ru) * | 2015-08-19 | 2016-04-11 | ||
JP1554165S (ru) * | 2016-01-13 | 2016-07-19 | ||
JP6693369B2 (ja) | 2016-09-21 | 2020-05-13 | 豊田合成株式会社 | 光源および発光装置の実装方法 |
JP6834762B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-02-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び電子部品 |
US10199552B2 (en) * | 2016-09-29 | 2019-02-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and electronic component |
JP6565895B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2019-08-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置 |
JP6699580B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2020-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6432639B2 (ja) | 2017-04-28 | 2018-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102481413B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2022-12-26 | 라디안트 옵토-엘렉트로닉스(쑤저우) 컴퍼니 리미티드 | Led 광원 모듈 및 이의 제조방법 |
US11686896B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-06-27 | Radiant Opto-Electronics(Suzhou) Co., Ltd. | LED light source module |
JP7098930B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-07-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
USD889422S1 (en) * | 2018-04-13 | 2020-07-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD889421S1 (en) * | 2018-04-13 | 2020-07-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD892067S1 (en) * | 2018-04-13 | 2020-08-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD919582S1 (en) * | 2018-04-13 | 2021-05-18 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD892068S1 (en) * | 2018-04-13 | 2020-08-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
JP7046230B2 (ja) | 2018-05-31 | 2022-04-01 | ニッサン ノース アメリカ,インク | モジュール内メディアアセンブリ |
JP6692012B1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-05-13 | 株式会社キルトプランニングオフィス | 照明装置 |
JP7161100B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
USD881143S1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD894853S1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-09-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD881142S1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
CN111430528B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-11-05 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种发光装置及其显示装置 |
CN110112278A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-08-09 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种安装基板及其发光装置 |
JP7307874B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-07-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
RU202751U1 (ru) * | 2020-08-11 | 2021-03-04 | Постовой Денис Александрович | Диодная сборка |
CN112802945A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-05-14 | 梅州市展至电子科技有限公司 | 一种半导体陶瓷封装基板及其封装工艺 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3227295B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2001-11-12 | 松下電工株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP3741512B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-02-01 | ローム株式会社 | Ledチップ部品 |
US6093940A (en) | 1997-04-14 | 2000-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device |
JP2000156528A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Sharp Corp | 発光素子 |
JP2001024312A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子装置の製造方法及び電子装置並びに樹脂充填方法 |
JP2001345485A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2001352105A (ja) | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光素子 |
JP2002237673A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板装置 |
CN1735973A (zh) * | 2003-01-20 | 2006-02-15 | 夏普株式会社 | 用于光学传感器滤波器的透明树脂组合物、光学传感器及其制造方法 |
US7000052B2 (en) * | 2003-02-24 | 2006-02-14 | Cisco Technology, Inc. | System and method for configuring and deploying input/output cards in a communications environment |
JP2006093565A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法 |
TW200637033A (en) | 2004-11-22 | 2006-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device |
CN100550445C (zh) * | 2005-04-01 | 2009-10-14 | 松下电器产业株式会社 | 表面安装型光半导体器件及其制造方法 |
TW200711190A (en) * | 2005-08-17 | 2007-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface mounted semiconductor device and method for manufacturing same |
US20070187701A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-16 | Goon Wooi K | Compact multi-LED light source with improved heat dissipation |
US20090168126A1 (en) * | 2006-02-22 | 2009-07-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light Emitting Unit, Lighting Apparatus and Image Reading Apparatus |
CN100530721C (zh) * | 2006-08-24 | 2009-08-19 | 亿光电子工业股份有限公司 | 适用于超薄型led封装的基板及其封装方法 |
TW200814362A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Bright Led Electronics Corp | Light-emitting diode device with high heat dissipation property |
WO2008052327A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Tir Technology Lp | Lighting device package |
JP2008147605A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-06-26 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置及びその製造方法並びに実装基板 |
US20100025722A1 (en) | 2006-11-14 | 2010-02-04 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate |
JP2009117536A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Towa Corp | 樹脂封止発光体及びその製造方法 |
JP2009188005A (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 表面実装型半導体装置 |
JP2009194213A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品 |
JP5227677B2 (ja) | 2008-06-23 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | Ledの実装構造、led光源及びこれを備えたバックライト装置 |
TWI456784B (zh) * | 2008-07-29 | 2014-10-11 | Nichia Corp | 發光裝置 |
JP2010103294A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP5521325B2 (ja) | 2008-12-27 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2011054736A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Sharp Corp | 発光装置、平面光源および液晶表示装置 |
CN102044535B (zh) * | 2009-10-26 | 2012-08-08 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种户外显示屏用的smd led器件及其显示模组 |
JP5340191B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-11-13 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置 |
JP5640632B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-12-17 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
KR20110111243A (ko) * | 2010-04-02 | 2011-10-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치 |
JP2012028501A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
CN102376845A (zh) * | 2010-08-17 | 2012-03-14 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的封装结构 |
JP2012099544A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP5693194B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2015-04-01 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
US20120153311A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Intematix Corporation | Low-cost solid-state based light emitting devices with photoluminescent wavelength conversion and their method of manufacture |
US8455908B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | Light emitting devices |
US20120261689A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Bernd Karl Appelt | Semiconductor device packages and related methods |
JP5770006B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-08-26 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2013008772A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 側面実装型led |
JP2013033909A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子搭載用基板及びledパッケージ |
JP5937315B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2016-06-22 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
JP5933959B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2016-06-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体光学装置 |
JP2013110199A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP5940799B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2016-06-29 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 |
CN103137825B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-06-01 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块 |
DE102012212968A1 (de) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element |
JP6127468B2 (ja) | 2012-11-22 | 2017-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9673364B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP6273124B2 (ja) * | 2013-11-08 | 2018-01-31 | シチズン電子株式会社 | Led照明装置 |
JP2015207754A (ja) | 2013-12-13 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI650389B (zh) * | 2014-03-18 | 2019-02-11 | Kuraray Co., Ltd. | 電子裝置 |
DE102014103828A1 (de) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen |
JP6318844B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6661890B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2020-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2015
- 2015-04-16 JP JP2015084046A patent/JP6661890B2/ja active Active
- 2015-05-08 TW TW104114798A patent/TWI661580B/zh active
- 2015-05-08 TW TW108112519A patent/TWI783143B/zh active
- 2015-05-18 KR KR1020150068649A patent/KR102110554B1/ko active Application Filing
- 2015-05-19 US US14/716,670 patent/US9406852B2/en active Active
- 2015-05-20 EP EP21166171.5A patent/EP3863073A1/en active Pending
- 2015-05-20 EP EP19190649.4A patent/EP3591721B1/en active Active
- 2015-05-20 RU RU2015119029A patent/RU2677627C2/ru active
- 2015-05-20 EP EP18196044.4A patent/EP3454385B1/en active Active
- 2015-05-20 RU RU2018145015A patent/RU2690165C2/ru active
- 2015-05-20 EP EP15168538.5A patent/EP2947704B1/en active Active
- 2015-05-21 CN CN202010715349.9A patent/CN111883630A/zh active Pending
- 2015-05-21 CN CN201510262411.2A patent/CN105098029B/zh active Active
-
2016
- 2016-07-26 US US15/219,627 patent/US9680071B2/en active Active
-
2017
- 2017-05-08 US US15/588,863 patent/US9793459B2/en active Active
- 2017-09-13 US US15/703,591 patent/US9978923B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-09 US US15/975,121 patent/US10193045B2/en active Active
- 2018-12-12 US US16/217,365 patent/US10333043B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-07 US US16/405,651 patent/US10559735B2/en active Active
- 2019-05-15 RU RU2019114690A patent/RU2763308C2/ru active
- 2019-12-28 US US16/729,319 patent/US10734563B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-13 JP JP2020022238A patent/JP6928283B2/ja active Active
- 2020-05-07 KR KR1020200054690A patent/KR102254989B1/ko active IP Right Grant
- 2020-07-31 US US16/945,538 patent/US10892393B2/en active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2015119029A (ru) | Светоизлучающее устройство | |
JP2016001724A5 (ru) | ||
JP2015216405A5 (ja) | 照明装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2011014890A5 (ru) | ||
US20110260179A1 (en) | Flexible led packaging structure | |
TW201526315A (zh) | 覆晶式發光二極體及其製造方法 | |
JP2014029949A5 (ru) | ||
TW201306315A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
EP2760046A3 (en) | Lamp unit | |
GB2532869A (en) | Semiconductor die and package jigsaw submount | |
CN105576103A (zh) | 发光装置 | |
TWI623117B (zh) | Led封裝結構 | |
EP2858129A3 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
TWI545701B (zh) | 電子元件連接基座以及使用此電子元件連接基座製成之電子元件模組與電子裝置 | |
US20140001500A1 (en) | Led light bar | |
CN204144252U (zh) | 一体化超量子led发光装置 | |
US20160218263A1 (en) | Package structure and method for manufacturing the same | |
JP2014192313A5 (ja) | Led発光装置の製造方法及びled発光装置 | |
JP2016021554A (ja) | Led発光装置 | |
TW201526310A (zh) | 發光二極體之封裝結構 | |
TWI573296B (zh) | 覆晶式led封裝體 | |
CN105428494A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN104319273A (zh) | Led光源 | |
TWI489059B (zh) | 發光二極體燈條 | |
CN204204853U (zh) | Led光源 |