JP2002237673A - 回路基板装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板とランドとの間に半田逃し孔を設けるこ
とにより、ランド上の半田が食み出すことによる短絡等
を防止し、生産性、信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板１上には配線パターン２と接続され
たランド３を設け、このランド３上には半田１０により
電子部品５の各電極５Ａを接続する。また、基板１とラ
ンド３との間には貫通孔６を用いた半田逃し孔７を設
け、基板１の裏面１Ｂ側には半田引付ランド８を設け
る。そして、電子部品５の実装時には、溶融した半田１
０のうち余分な半田１０Ａを半田逃し孔７に逃し、この
とき半田引付ランド８によって半田１０Ａを引付ける。
これにより、半田１０Ａがランド３上から食み出して周
囲のランド３等に接触するのを防止でき、製造時の歩留
まりを高め、信頼性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板上に電
子部品を半田付けするのに好適に用いられる回路基板装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、回路基板装置は、例えば半導体
ＩＣ、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等からなる複数
の電子部品が基板上に実装されている。そして、この種
の従来技術による回路基板装置は、電子回路を形成する
ための配線パターンが設けられた基板と、該基板の表面
側に設けられ前記配線パターンに接続された金属材料か
らなるランドと、前記基板の表面側に実装され半田によ
り該ランドと接続される電子部品とによって構成されて
いる。

【０００３】ここで、基板の表面側には、複数のランド
と配線パターンとが印刷等の手段によって形成され、こ
れらのランドは各電子部品の裏面側等に設けられた電極
に対応して配置されている。また、電子部品は、各電極
が半田付けによってランドの表面側にそれぞれ固着さ
れ、これらのランドを介して配線パターンに接続される
ことにより電子回路を形成している。

【０００４】また、従来技術にあっては、例えばレジス
ト等の絶縁性材料を基板上に塗布することにより保護膜
を形成し、この保護膜によって配線パターンとランドと
を覆う構成としたものもある。この場合、保護膜には、
各ランドを露出させるための開口部が設けられている。

【０００５】そして、電子部品を基板上に実装するとき
には、まずクリーム半田等の半田材料を保護膜の各開口
部からランド上に塗布した後、電子部品を基板上の所定
位置に配設し、その各電極をクリーム半田上にそれぞれ
載置する。次に、例えば加熱炉等の高温雰囲気中で基板
を加熱することによりクリーム半田を溶融させ、各電極
をランド上に半田付けする。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術では、電子部品を実装するときに、基板の各ラン
ドにクリーム半田を塗布し、この半田上に電子部品の各
電極を載置した後に、半田を加熱、溶融することによっ
て電子部品を半田付けする構成としている。

【０００７】しかし、クリーム半田は、溶融して液状に
なると、電子部品の重さにより電極とランドとの間で押
潰されるようになるため、このときに半田の一部が電極
とランドとの間から外側に食み出し、周囲のランド、電
極等に接触する場合がある。

【０００８】特に、半導体ＩＣ等の電子部品にあって
は、複数の電極が近接して配置されているため、半田
は、ランド上から僅かに食み出しただけでも、その周囲
に隣接するランドや電極に接触し易い構造となってい
る。

【０００９】このため、従来技術では、回路基板装置の
製造時に、半田がランド上から食み出すことによって短
絡等の接続不良が生じ易くなり、製造時の歩留まりが悪
化するばかりでなく、信頼性が低下するという問題があ
る。

【００１０】また、基板上に保護膜を設ける構成として
いる場合には、溶融した半田の一部がランドと電極との
間で保護膜の開口部内に閉込められた状態となるため、
この半田に含まれるフラックス等の成分が揮発し難くな
る。この結果、半田は、比較的長い時間に亘って粘度が
低い状態を保持するようになり、ランドと電極との間に
形成された微小な隙間から周囲に食み出し易くなるとい
う問題がある。

【００１１】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、電子部品の実装時に半
田がランド上から周囲に食み出すのを防止でき、電子部
品をを安定的に半田付けできると共に、製造時の歩留ま
りを高め、信頼性を向上できるようにした回路基板装置
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項１の発明は、電子回路を形成するための配
線部が設けられた基板と、該基板の表面側に設けられ前
記配線部に接続された金属材料からなるランドと、前記
基板の表面側に実装され半田により該ランドと接続され
る電子部品とからなる回路基板装置に適用される。

【００１３】そして、請求項１の発明が採用する構成の
特徴は、基板には、前記基板の表面側と裏面側との間を
貫通して貫通孔を設け、前記基板のランドの表面側と前
記基板の裏面側との間には、該貫通孔による半田逃し孔
を設け、前記基板の裏面側には、金属材料を用いて前記
半田逃し孔を取囲んで形成され該半田逃し孔に流出した
半田を引付ける半田引付ランドを設ける構成としたこと
にある。

【００１４】このように構成することにより、基板とラ
ンドとの間には、基板の貫通孔を利用して半田逃し孔を
形成することができる。そして、電子部品の実装時に
は、半田がランド上で溶融すると、半田のうち余剰とな
った分を半田逃し孔内に収容してランド上から逃すこと
ができる。また、半田引付ランドは、半田逃し孔内を流
下する半田と接触することにより、この半田を引付けて
基板の裏面側に導くことができ、余分な半田を半田逃し
孔と半田引付ランドとに亘って溜めることができる。ま
た、半田に含まれるフラックス等の成分を半田逃し孔か
ら基板の裏面側にも揮発させることができる。

【００１５】また、請求項２の発明によると、半田逃し
孔は、内壁に金属材料を付着させたスルーホール構造と
している。

【００１６】これにより、半田がランド上で溶融したと
きには、余分な半田をスルーホールを経由して半田逃し
孔内に逃すことができ、このとき半田はスルーホールを
形成する金属材料に沿って円滑に流下することができ
る。

【００１７】また、請求項３の発明のように、ランドと
スルーホール内壁とを同一の金属材料を用いて形成する
構成とすることにより、これらの部材と半田逃し孔とを
一緒に、かつ同時に形成することができる。

【００１８】さらに、請求項４の発明によると、基板の
裏面側には、前記半田逃し孔を閉塞する閉塞部材を設け
る構成としている。

【００１９】これにより、閉塞部材は、半田逃し孔内に
収容された余分な半田が基板の裏面側から突出するのを
防止でき、例えば基板全体の厚さ寸法等を小さく抑えた
構成とすることもできる。

【００２０】また、請求項５の発明によると、基板の裏
面側には、金属材料を用いて前記半田逃し孔を取囲んで
形成され該半田逃し孔に流出した半田を引付ける半田引
付ランドを設ける構成としている。

【００２１】これにより、半田引付ランドは、半田逃し
孔内を流下する半田と接触することにより、この半田を
引付けて基板の裏面側に導くことができ、余分な半田を
半田逃し孔と半田引付ランドとに亘って溜めることがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
回路基板装置を、添付図面を参照しつつ詳細に説明す
る。

【００２３】ここで、図１ないし図６は本発明による第
１の実施の形態を示し、本実施の形態では、基板上に電
子部品として半導体ＩＣ、トランジスタ等を実装した場
合を例に挙げて述べる。

【００２４】図中、１は回路基板装置の本体部分をなす
基板で、該基板１は、例えば絶縁性の樹脂材料等により
形成され、その表面１Ａ側には、金属材料等を印刷する
ことにより配線部としての複数の配線パターン２，２，
…が形成されている。また、基板１の表面１Ａと裏面１
Ｂとの間には、図２に示す如く、後述の貫通孔６，６，
…が穿設されている。

【００２５】３，３，…は基板１の表面１Ａ側に各配線
パターン２と接続して設けられた複数のランドで、該各
ランド３は、図３、図４に示す如く、例えば略四角形状
の金属膜等によって形成され、後述する電子部品５の各
電極５Ａに対応して配置されている。また、ランド３
は、その外縁側が後述の保護膜９によって覆われ、その
中央部は保護膜９に設けられた開口部９Ａの位置で露出
している。また、基板１とランド３との間には、各貫通
孔６を利用して後述の半田逃し孔７，７，…が設けられ
ている。

【００２６】４は基板１上に搭載された電子回路で、該
電子回路４は、図１に示す如く、例えば半導体ＩＣ、ト
ランジスタ等の能動素子からなる後述の電子部品５と、
抵抗、コンデンサ等の受動素子からなる他の電子部品と
を含んで構成され、これらの電子部品５等は配線パター
ン２によって互いに接続されている。

【００２７】５は電子回路４の一部を構成する略四角形
状の電子部品で、該電子部品５は、例えばＲＯＭ、ＲＡ
Ｍ、マイクロプロセッサ等の半導体ＩＣまたはトランジ
スタ等からなり、その裏面側には複数の電極５Ａ，５
Ａ，…が形成されている。そして、電子部品５は、各電
極５Ａが後述の半田１０によりランド３の表面側にそれ
ぞれ接続され、基板１上に実装されているものである。

【００２８】６，６，…は各ランド３に対応する位置で
基板１に貫通して形成された複数の貫通孔で、該各貫通
孔６は、基板１の表面１Ａと裏面１Ｂとに開口し、半田
逃し孔７の一部を構成している。

【００２９】７，７，…は基板１と各ランド３との間に
設けられた複数の半田逃し孔で、該各半田逃し孔７は、
保護膜９の開口部９Ａ内でランド３に貫通して形成され
たランド側孔部７Ａと、該ランド側孔部７Ａと連通し、
基板１の貫通孔６により構成された基板側孔部７Ｂとに
よって形成されている。また、半田逃し孔７は、貫通孔
６を経由してランド３の表面側と基板１の裏面１Ｂ側と
に開口している。

【００３０】そして、電子部品５の実装時には、後述の
図６に示す如く、ランド３と電子部品５の電極５Ａとの
間で溶融した半田１０のうち、余剰となった半田１０Ａ
がランド３上から半田逃し孔７内に流出する。これによ
り、半田逃し孔７は、余分な半田１０Ａを収容してラン
ド３上から逃し、この半田１０Ａがランド３の外側に食
み出すのを防止するものである。

【００３１】８，８，…は各半田逃し孔７に対応して基
板１の裏面１Ｂ側に設けられた複数の半田引付ランド
で、該各半田引付ランド８は、例えば金属材料等を基板
１の裏面１Ｂに印刷することにより半田逃し孔７の開口
部位を取囲む環状の金属膜として形成されている。

【００３２】そして、ランド３上の半田１０が溶融した
ときには、余分な半田１０Ａが半田逃し孔７内を流下し
て半田引付ランド８に接触すると、このときに半田１０
Ａは表面張力により半田引付ランド８上で凸湾曲状に盛
上がるため、半田逃し孔７内の半田１０Ａは半田引付ラ
ンド８に引付けられ、基板１の裏面１Ｂ側に向けて流動
し易くなる。これにより、半田引付ランド８は、余分な
半田１０Ａを半田逃し孔７から基板１の裏面１Ｂ側に導
き、この半田１０Ａを半田引付ランド８上に溜めるもの
である。

【００３３】９は基板１の表面１Ａ側に設けられた保護
膜で、該保護膜９は、例えばレジスト等の絶縁性材料を
基板１上に塗布することにより形成され、各配線パター
ン２とランド３の外縁側とを覆っている。また、保護膜
９には、図４に示す如く、各ランド３の中央部を露出さ
せる複数の開口部９Ａが設けられている。

【００３４】１０，１０，…は電子部品５の各電極５Ａ
とランド３との間にそれぞれ設けられた半田で、該各半
田１０は、例えばクリーム半田等の半田材料をランド３
上に塗布することにより形成されている。また、電子部
品５の実装時に余剰となった半田１０Ａは、半田逃し孔
７と半田引付ランド８とに亘って保持されている。

【００３５】本実施の形態による回路基板装置は上述の
如き構成を有するもので、次に電子部品５の実装作業に
ついて説明する。

【００３６】まず、電子部品５の実装時には、図５に示
す如く、基板１に対して配線パターン２、ランド３、半
田逃し孔７（貫通孔６）、半田引付ランド８、保護膜９
等を予め形成しておく。そして、例えばクリーム半田等
の半田材料１０′を保護膜９の各開口部９Ａからランド
３上に塗布する。

【００３７】次に、電子部品５を基板１上の所定位置に
配設し、その各電極５Ａを図６に示す如く半田材料１
０′上にそれぞれ載置した後に、例えば加熱炉等の高温
雰囲気中で基板１を加熱して半田材料１０′を溶融させ
る。これにより、各半田材料１０′は、保護膜９の開口
部９Ａ内で半田１０となり、基板１側の各ランド３と電
子部品５の電極５Ａとを接続する。このとき、半田１０
に含まれるフラックス等の成分は半田逃し孔７から基板
１の裏面１Ｂ側にも揮発するようになる。

【００３８】また、半田１０のうち余剰となった半田１
０Ａは、その自重や電子部品５の重さ等により半田逃し
孔７のランド側孔部７Ａから基板側孔部７Ｂ（貫通孔
６）内に流出する。

【００３９】このとき、半田１０Ａは、半田逃し孔７内
を流下して半田引付ランド８に接触すると、半田引付ラ
ンド８に引付けられて基板１の裏面１Ｂ側へと流動し易
くなるため、余分な半田１０Ａを半田逃し孔７内へと円
滑に逃すことができ、半田１０Ａを半田逃し孔７と半田
引付ランド８とに亘って溜めることができる。

【００４０】かくして、本実施の形態によれば、基板１
とランド３との間には、基板１の貫通孔６等により半田
逃し孔７を設け、基板１の裏面１Ｂ側には半田引付ラン
ド８を設ける構成としたので、半田１０がランド３上で
溶融したときには、余分な半田１０Ａをランド３上から
半田逃し孔７内へと確実に逃すことができる。

【００４１】このとき、半田引付ランド８は、半田逃し
孔７内を流下する半田１０Ａに対して基板１の裏面１Ｂ
側で接触でき、半田１０Ａを引付けて裏面１Ｂ側に導く
ことができる。これにより、半田１０Ａをランド３上か
ら半田逃し孔７内へと円滑に流出させることができ、例
えば半田１０Ａの余剰量が比較的多い場合でも、これら
の半田逃し孔７と半田引付ランド８とに亘って十分な量
の半田１０Ａを溜めることができる。

【００４２】従って、電子部品５の実装時には、ランド
３と電極５Ａとの間から余分な半田１０Ａが食み出して
周囲の配線パターン２、ランド３、電極５Ａ等に接触す
るのを確実に防止でき、電子部品５の各電極５Ａを所定
のランド３にそれぞれ安定的に半田付けできると共に、
短絡等の接続不良を阻止して製造時の歩留まりを高め、
信頼性を向上させることができる。

【００４３】また、半田逃し孔７を貫通孔６等により形
成したので、電子部品５の実装時には、溶融した半田１
０がランド３と電極５Ａとの間に位置して保護膜９の開
口部９Ａ内に閉込められた状態であっても、この半田１
０に含まれるフラックス等の成分を基板１の貫通孔６か
ら裏面１Ｂ側にも揮発させることができ、その揮発性を
高めて半田１０の食み出しをより確実に防止することが
できる。

【００４４】次に、図７は本発明による第２の実施の形
態を示し、本実施の形態の特徴は、基板とランドとの間
にスルーホールを経由した半田逃し孔を設ける構成とし
たことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。

【００４５】１１は例えば絶縁性の樹脂材料等により形
成された基板で、該基板１１には、第１の実施の形態と
ほぼ同様に、その表面１１Ａ側に配線パターン２、ラン
ド３、電子部品５、保護膜９等が設けられている。しか
し、基板１１には、その表面１１Ａと裏面１１Ｂとの間
に位置して後述の貫通孔１２にスルーホール１３等が形
成されている。

【００４６】１２，１２，…は各ランド３に対応する位
置で基板１１に貫通して形成された複数の貫通孔（１個
のみ図示）で、該各貫通孔１２は基板１１の表面１１Ａ
と裏面１１Ｂとに開口している。

【００４７】１３，１３，…は各貫通孔１２の内壁に金
属材料が設けられた複数のスルーホールで、該各スルー
ホール１３は、各貫通孔１２の内壁を覆う円筒状の薄膜
からなり、ランド３を構成する金属材料と同一の金属材
料を用いて一緒に（一体に）形成されている。

【００４８】１４，１４，…は基板１１と各ランド３と
の間に設けられた複数の半田逃し孔で、該各半田逃し孔
１４は、保護膜９の開口部９Ａ内でランド３に貫通して
形成されたランド側孔部１４Ａと、該ランド側孔部１４
Ａと連通し、スルーホール１３の内側に形成された基板
側孔部１４Ｂとによって構成されている。また、半田逃
し孔１４は、スルーホール１３を経由してランド３の表
面側と基板１１の裏面１１Ｂ側とに開口している。

【００４９】そして、電子部品５の実装時には、第１の
実施の形態とほぼ同様に、ランド３と電子部品５の電極
５Ａとの間で溶融した半田１０のうち、余分な半田１０
Ａが半田逃し孔１４のランド側孔部１４Ａから基板側孔
部１４Ｂ内に流出する。このとき、半田逃し孔１４の内
壁は金属材料からなるスルーホール１３により形成され
ているため、半田１０Ａはスルーホール１３に沿って下
方へと円滑に流動し、例えば後述の絶縁膜１５と接触す
る位置まで流下するようになる。これにより、半田逃し
孔１４は余分な半田１０Ａを収容してランド３上から逃
し、この半田１０Ａがランド３の外側に食み出すのを防
止するものである。

【００５０】１５は基板１１の裏面１１Ｂ側に設けられ
た閉塞部材としての絶縁膜で、該絶縁膜１５は、例えば
レジスト等の絶縁性材料により形成され、半田逃し孔１
４（スルーホール１３）を基板１１の裏面１１Ｂ側で閉
塞している。そして、絶縁膜１５は、半田逃し孔１４内
を流下する半田１０Ａが基板１１の裏面１１Ｂから突出
するのを防止している。

【００５１】かくして、このように構成される本実施の
形態でも、前記第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果
を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、
スルーホール１３を経由した半田逃し孔１４を設ける構
成としたので、半田１０がランド３上で溶融したときに
は、余分な半田１０Ａを半田逃し孔１４内でスルーホー
ル１３に沿って円滑に流下させることができ、半田１０
Ａを半田逃し孔１４内に効率よく逃すことができる。

【００５２】また、半田逃し孔１４を絶縁膜１５により
基板１１の裏面１１Ｂ側で閉塞するようにしたので、半
田逃し孔１４内に流出した半田１０Ａが基板１１の裏面
１１Ｂ側から突出するのを防止することができる。これ
により、基板１１の裏面１１Ｂ側で各スルーホール１３
が誤って短絡されるのを防止できると共に、例えば半田
１０Ａ等を含めて基板１１全体の厚さ寸法を小さく抑え
た構成とすることもできる。

【００５３】また、スルーホール１３を、ランド３と同
一の金属材料を用いて一体に形成したので、これらのラ
ンド３、スルーホール１３と一緒に、かつ同時に半田逃
し孔１４を効率よく形成することができる。

【００５４】次に、図８は本発明による第３の実施の形
態を示し、本実施の形態の特徴は、スルーホールを経由
した半田逃し孔と半田引付ランドとを一緒に設ける構成
としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１
の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、そ
の説明を省略するものとする。

【００５５】２１は例えば絶縁性の樹脂材料等により形
成された基板で、該基板２１には、前記第２の実施の形
態とほぼ同様に、その表面２１Ａ側に配線パターン２、
ランド３、電子部品５、保護膜９等が設けられ、表面２
１Ａと裏面２１Ｂとの間には、貫通孔２２、スルーホー
ル２３等が形成されている。そして、基板２１とランド
３との間には、ランド側孔部２４Ａと基板側孔部２４Ｂ
とからなる半田逃し孔２４がスルーホール２３を経由し
て設けられている。

【００５６】２５，２５，…は各半田逃し孔２４に対応
して基板２１の裏面２１Ｂ側に設けられた複数の半田引
付ランド（１個のみ図示）で、該各半田引付ランド２５
は、前記第１の実施の形態とほぼ同様に、例えば基板２
１の裏面２１Ｂで半田逃し孔２４の開口部位を取囲む環
状の金属膜からなり、ランド３とスルーホール２３と同
一の金属材料によって一体的に形成されている。

【００５７】そして、電子部品５の実装時には、ランド
３と電子部品５の電極５Ａとの間で溶融した半田１０の
うち、余分な半田１０Ａが半田逃し孔２４のランド側孔
部２４Ａから基板側孔部２４Ｂ内に流出し、この半田１
０Ａはスルーホール２３に沿って円滑に流下する。さら
に、この半田１０Ａは半田引付ランド２５に接触するこ
とにより、半田逃し孔２４から半田引付ランド２５に向
けて引付けられ、半田逃し孔２４と半田引付ランド２５
とに亘って溜る構成となっている。

【００５８】かくして、このように構成される本実施の
形態でも、前記第１，第２の実施の形態とほぼ同様の作
用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態
では、基板２１の裏面２１Ｂ側に各半田逃し孔２４を取
囲む半田引付ランド２５を設ける構成としたので、半田
逃し孔２４と半田引付ランド２５とによりランド３上の
余分な半田１０Ａを効率よく逃すことができ、これらの
部位に十分な量の半田１０Ａを溜めることができる。

【００５９】なお、前記第２の実施の形態では、絶縁膜
１５により半田逃し孔１４を基板１１の裏面１１Ｂ側で
閉塞する構成としたが、本発明はこれに限らず、絶縁膜
１５に代えて他の閉塞部材を用いる構成としてもよく、
また閉塞部材を省略する構成としてもよい。

【００６０】また、各実施の形態では、半導体ＩＣ、ト
ランジスタ等からなる電子部品５を基板１，１１，２１
上に実装する構成としたが、本発明はこれに限らず、例
えば抵抗、コンデンサ等を含めた各種の電子部品に適用
する構成としてもよい。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述した通り、請求項１の発明によ
れば、基板とランドとの間には、基板の貫通孔による半
田逃し孔を設け、基板の裏面側には半田引付ランドを設
ける構成としたので、半田がランド上で溶融したときに
は、余分な半田を半田逃し孔内に確実に逃すことがで
き、このとき半田を半田引付ランドにより引付けて各半
田逃し孔内へと円滑に導くことができると共に、これら
の半田逃し孔と半田引付ランドとに亘って十分な量の半
田を溜めることができる。従って、電子部品の実装時に
は、余分な半田がランドから食み出して周囲の導体等に
接触するのを防止でき、電子部品をランドに安定的に半
田付けできると共に、短絡等の接続不良を防止して製造
時の歩留まりを高め、信頼性を向上させることができ
る。また、半田中のフラックス等を半田逃し孔から基板
の裏面側にも揮発させることができ、その揮発性を高め
て半田の食み出しをより確実に防止することができる。

【００６２】また、請求項２の発明によれば、半田逃し
孔をスルーホール構造としたので、半田がランド上で溶
融したときには、余分な半田を、スルーホールを形成す
る金属材料に沿って半田逃し孔内へと円滑に逃すことが
できる。従って、電子部品の実装時には、余分な半田が
ランドから食み出して周囲の導体等に接触するのを確実
に防止でき、製造時の歩留まりを高め、信頼性を向上さ
せることができる。

【００６３】また、請求項３の発明によれば、ランドと
スルーホール内壁とを同一の金属材料を用いて形成する
構成としたので、これらのランド、スルーホールと一緒
に、かつ同時に半田逃し孔を効率よく形成することがで
きる。

【００６４】さらに、請求項４の発明によれば、基板の
裏面側には、半田逃し孔を閉塞する閉塞部材を設ける構
成としたので、閉塞部材は、半田逃し孔内に収容された
余分な半田が基板の裏面側から突出するのを防止でき、
基板の裏面側で各スルーホールが誤って短絡されるのを
防止できると共に、例えば基板全体の厚さ寸法を小さく
抑えた構成とすることができる。

【００６５】また、請求項５の発明によれば、基板の裏
面側には、半田逃し孔を取囲む半田引付ランドを設ける
構成としたので、半田引付ランドは、半田逃し孔内を流
下する半田と接触することにより、余分な半田を引付け
て半田逃し孔内に円滑に導くことができ、この半田を半
田逃し孔と半田引付ランドとに亘って安定的に溜めるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による回路基板装置
を示す斜視図である。

【図２】図１中の矢示II−II方向からみた基板、電子部
品等の拡大断面図である。

【図３】ランドと電子部品との接続部位を示す図２中の
要部拡大断面図である。

【図４】ランドと電子部品との接続部位を図３中の矢示
IV-IV方向からみた横断面図である。

【図５】基板上に電子部品を実装する前の状態を示す拡
大断面図である。

【図６】電子部品をランド上に実装するときに余分な半
田がランド上から半田逃し孔に流出する状態を示す図２
中の要部拡大断面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態による回路基板装置
の一部を示す図６と同様位置の要部拡大断面図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態による回路基板装置
の一部を示す図６と同様位置の要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１，１１，２１ 基板 １Ａ，１１Ａ，２１Ａ 表面 １Ｂ，１１Ｂ，２１Ｂ 裏面 ２ 配線パターン（配線部） ３ ランド ４ 電子回路 ５ 電子部品 ５Ａ 電極 ６，１２，２２ 貫通孔 ７，１４，２４ 半田逃し孔 ７Ａ，１４Ａ，２４Ａ ランド側孔部 ７Ｂ，１４Ｂ，２４Ｂ 基板側孔部 ８，２５ 半田引付ランド ９ 保護膜 ９Ａ 開口部 １０，１０Ａ 半田 １３，２３ スルーホール １５ 絶縁膜（閉塞部材）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路を形成するための配線部が設け
   られた基板と、該基板の表面側に設けられ前記配線部に
   接続された金属材料からなるランドと、前記基板の表面
   側に実装され半田により該ランドと接続される電子部品
   とからなる回路基板装置において、 前記基板には、前記基板の表面側と裏面側との間を貫通
   して貫通孔を設け、 前記基板のランドの表面側と前記基板の裏面側との間に
   は、該貫通孔による半田逃し孔を設け、 前記基板の裏面側には、金属材料を用いて前記半田逃し
   孔を取囲んで形成され該半田逃し孔に流出した半田を引
   付ける半田引付ランドを設ける構成としたことを特徴と
   する回路基板装置。
2. 【請求項２】 前記半田逃し孔は、内壁に金属材料を付
   着させたスルーホール構造としてなる請求項１に記載の
   回路基板装置。
3. 【請求項３】 前記ランドとスルーホール内壁とは同一
   の金属材料を用いて形成してなる請求項２に記載の回路
   基板装置。
4. 【請求項４】 前記基板の裏面側には、前記半田逃し孔
   を閉塞する閉塞部材を設けてなる請求項２または３に記
   載の回路基板装置。
5. 【請求項５】 前記基板の裏面側には、金属材料を用い
   て前記半田逃し孔を取囲んで形成され該半田逃し孔に流
   出した半田を引付ける半田引付ランドを設けてなる請求
   項２または３に記載の回路基板装置。