JP2013110199A - Led発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 バンプ電極16a、16bを介してLED素子11を基板13上に実装し、実装したLED素子11の発光面11a上に、発光面11aの面積より小さい面積の蛍光体板12を発光面11aより飛び出さないように貼付け、LED素子11の側面並びに蛍光体板12の側面に反射性の白色樹脂14を被覆してLED発光装置10を構成する。
【選択図】 図1
Description
特に近年において、LED素子の側面を光反射性を有した白色樹脂で被覆すると共に、LED素子の発光面上に蛍光体を含有した蛍光体部材を被覆する構成のLED発光装置が提案されている。(例えば特許文献1、特許文献2)
なお、理解し易いように発明の趣旨を外さない範囲において図面を一部簡略化し、また部品名称も本願に揃えている。
特許文献2においては、色むらの軽減と光束を高めるために透光性部材202の側面に第2の白色部材205を設けているものである。
また、LED素子の発光面上に蛍光体を含有した蛍光体層あるいは透過性部材(蛍光部材)を配設し、発光面から出射するLED素子の発光した光で蛍光体を励起させて発光させ、LED素子の発光色と蛍光体の発光色とを混色させ、混色した色調により所望の色調の発光色を得るものである。
図7において、矢印Aで示した丸印(以降、丸印Aと表記する)の部分は、シート状の蛍光体層102でLED素子101の発光面101aから外側にあって、発光面101aからはみ出した部分を示している。これは、LED素子101の発光面101aの面積より大きい面積のシート状蛍光体層102を設けているためで、LED素子102の発光面101aの外側部分に、丸印Aで示したはみ出た部分のシート状蛍光体層102が現れる。
出射光L1は、LED素子101の発光した光と、LED素子101の光に励起されて発光した蛍光体層102の蛍光体の光との十分に混ざり合った光が出射する。
例えば、LED素子101にGaN系半導体を用いた青色発光のLED素子を用い、蛍光体層102に黄色発光色のYAG系蛍光体を用いた場合には、出射光L1からはLED素子101の青色発光色と蛍光体層102の黄色発光色が十分に混色しての白色発光色が得られる。
以下、本発明を実施するための実施形態を図を用いながら説明する。最初に、第1実施形態に係るLED発光装置を図1〜3を用いて説明する。なお、図1は第1実施形態に係るLED発光装置の平面図、図2は図1におけるとX−X断面の断面図を表している。また、図3は図2に示されるLED発光装置の製造工程を示す工程図で、図3(a)はLED素子を基板にフリップチップ実装した状態の断面図と平面図、図3(b)はLED素子の発光面上に蛍光体板を貼付けた状態の断面図と平面図、図3(c)は白色樹脂を被覆して完成状態になったLED発光装置の断面図と平面図を示している。
図1において、10は第1実施形態のLED発光装置を表している。第1実施形態のLED発光装置10は、図2に示すように、一対の配線電極15を設けた基板13と、バンプ電極16a、16bを有するLED素子11と、LED素子11の発光面11a上に貼付けられる蛍光体板12と、LED素子11の側面並びに蛍光体板12の側面に被覆した白色樹脂14と、から構成している。
図1において、中央に描かれている四角形状の鎖線はLED素子11の外形状の輪郭を示しており、その鎖線に囲まれた内側が発光面11aになっている。
しかしなから、用いる蛍光体は特にYAG系蛍光体に限るものではなく、仕様に応じて適宜に選択するのが好ましい。
なお、蛍光体板12には蛍光体の材料以外に紫外線吸収剤などを含有させることも可能である。紫外線吸収剤を入れることで蛍光体の劣化を防止する効果を得ることができる。
従って、蛍光体板12の面積の大きさは、実装装置での貼付位置精度や蛍光体板12の仕上がり寸法精度、発光面11aの仕上がり寸法精度などを加味して発光面11aからはみ出さないようにすると共に、発光した光の明るさが暗くならないように光の明るさも加味して設定する。
このようにして、蛍光体板12を発光面11aからはみ出すことなく発光面11aの中に納めることによって、従来技術で発生を見たイエローリングが発生すると言う問題は無くなる。
また、蛍光体板12は板であることから、その硬さは堅く、取扱いにおいて変形しない。そのため、組立性が容易になると言う効果を生む。
また更に、板であることから、表面を研削加工などによって平滑面に仕上げることができる。表面が平滑面であると接着剤との濡れ性が良くなり、接着強度が高められる効果も生む。
LED素子11の側面側、及びLED素子11のフリップチップ実装面の隙間に設けることで、側面や実装面(下面)から出射するLED素子11の発光した光を素子内に戻して発光面11aの方向に集光させ、もって発光面11aから出射させるようにしている。
また、蛍光体板12の側面側にも白色樹脂14を設けることで、蛍光体板12が載置されていない部分の発光面11aからの外部への光出射が無くなり、また、蛍光体板12の側面から外部に漏れる光も無くなる。
次に、上記の構成をなすLED発光装置10の製造工程の手順を図3を用いて説明する。最初に、図3(a)、基板13にLED素子11を実装する。実装機械装置を用い、基板13に設けた一対の配線電極15にバンプ電極16a、16bを介してLED素子11を固定する。平面図においては、基板13、一対の配線電極15、LED素子11の発光面11aが見える。
平面図において、蛍光体板12の四角形状の表面が露出して見え、蛍光体板12の外周廻りにあるLED素子11の露出した発光面11aは白色樹脂14が被覆して見えなくなる。
次に、上記の構成をなしたことによる効果を説明する。LED素子11の側面及びフリップチップ実装面の隙間に白色樹脂14が被覆しているので、LED素子11の側面及び下面から出射するLED素子11の光は白色樹脂14によってLED素子11内に戻され、もって発光面11a側に向かって集光するようになって発光面11aから出射する。
従って、外部に出射されるLED素子11の発光した青色光は蛍光体板12を通過して出射する。一部の青色光は蛍光体を励起させて黄色光の発光を起こさせ、残りの青色光はそのまま外部に出射する。そのため、蛍光体板12からは青色光と黄色光が混色しての白色光が出射する。
これにより、LED素子11からの発光した光の利用効率は高められて明るい白色光が得られる。また、発光色の色調ムラなどが無くなり、従来技術で発生を見たイエローリングなどの発生は起きない。
比較例として、LED素子11の発光面11aの面積の大きさと蛍光体板12の面積の大きさが同じである場合について図4を用いて説明する。図4は比較例におけるLED発光装置の模式的に示した要部断面図を示している。なお、図4に示す比較例は、発光面11aと蛍光体板12が同じ大きさで、発光面11a上に貼付けた蛍光体板12に少し位置ズレが生じた状態を表している。
多くの機械装置は少なからずの精度誤差を持っている。nは機械の精度誤差によって発生した蛍光体板12の位置ズレ量である。
LED素子11の側面、及び蛍光体板12の側面に白色樹脂14を被覆するので、発光面11aからはみ出た部分の蛍光体板12(矢印A部)の下面側には白色樹脂14が存在し、発光面11aの露出した部分(矢印B部)は白色樹脂14が被覆する。
出射光L1からは、蛍光体板12と発光面11aが重なり合っていることから、LED素子11の青色発光色と、蛍光体板12の黄色発光色が十分に混色しての白色発光色が得られる。一方、矢印A部のはみ出た蛍光体板12からの出射光L2からは、LED素子11からの青色光の透過光量は非常に少ないために青色発光色が非常に薄れて蛍光体板12の黄色発光色が目立って見えるようになる。そのため、全体的に、白色発光色と黄色発光色の所が現れて、発光色のムラが現れる。
次に、第2実施形態に係るLED発光装置について図5、図6を用いて説明する。図5は本発明の第2実施形態に係るLED発光装置の要部断面図を示しており、図6は図5におけるC部の拡大図を示している。なお、前述の第1実施形態のLED発光装置の構成部品と同じ仕様をなす構成部品は同一符号を付して説明する。
以下、第2実施形態のLED発光装置20の説明は、構成の異なる透光性接着剤27の説明のみに留め、共通する構成部品の説明は省略する。
また、末広がりの傾斜面27aを持った形状に形成するために、LED素子11の発光面11a、並びに蛍光体板12の外表面と、透光性接着剤27との濡れ性を良くすると共に、接着剤の表面張力を低く押さえている。
また、接着剤の塗布量も少な過ぎることなく、また、多過ぎて発光面11aから外側にはみ出すことがなく、好適な量を設定して、塗布を行っている。
図6において、L11で示した矢印の線は、LED素子11の発光した光で、蛍光体板12から外れた位置の発光面11aからの出射光で、透光性接着剤27の傾斜面27aに入射し、その傾斜面27aから反射されて蛍光体板12を通過して外部に出射する出射光を表している。
傾斜面27aをなした透過性接着剤27の側面には白色樹脂14が被覆している。そのため、透過性接着剤27を透過して傾斜面27aに入射した光L11は、傾斜面27a上に被覆した白色樹脂14によって反射され、再び、透過性接着剤27を透過して蛍光体板12に入射する。
従って、蛍光体板12の側面に設けた透過性接着剤27に入射する光は、傾斜面27aで反射されて蛍光体板12に入射し、蛍光体板12を通過して外部に出射する。
11 LED素子
11a 発光面
12 蛍光体板
13 基板
14 白色樹脂
15 配線電極
16a、16b バンプ電極
27 透光性接着剤
27a 傾斜面
Claims (3)
- バンプ電極を有するLED素子を基板上に実装し、該LED素子の発光面に蛍光体板を貼付け、該LED素子の側面を反射性の白色樹脂で被覆したLED発光装置において、前記蛍光体板の面積が、前記LED素子の発光面の面積より小さいことを特徴とするLED発光装置。
- 前記反射性の白色樹脂は前記蛍光体板の側面まで被覆したことを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記LED素子の発光面に対する蛍光体板の貼付けを透光性接着剤で行い、前記LED素子の発光面の周囲に前記透光性接着剤による傾斜面を形成したことを特徴とする請求項1または2に記載のLED発光装置。
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Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015070132A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2015079805A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2015130476A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-07-16 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 |
JP2015133403A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US9202992B2 (en) | 2014-03-11 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device having a fluorescent substance layer |
JP2016001724A (ja) * | 2014-05-21 | 2016-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016146480A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-12 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | Ledパッケージング構造及びその製造方法 |
JP2017041477A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20170054803A (ko) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
US9703183B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-07-11 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector |
JP2017201652A (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
JP2017534176A (ja) * | 2014-11-04 | 2017-11-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 材料を表面に被着する方法 |
WO2017198548A1 (de) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauelement |
JP2018022723A (ja) * | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018067703A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018085471A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2018514950A (ja) * | 2015-05-13 | 2018-06-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品を作成する方法、および表面実装可能な光電子部品 |
US10121945B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
EP3447810A1 (en) | 2017-08-22 | 2019-02-27 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10330852B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-06-25 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2020088083A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10770630B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-08 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2021101243A (ja) * | 2015-12-01 | 2021-07-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子、及び製造方法 |
JP2021166315A (ja) * | 2014-05-21 | 2021-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2022078308A (ja) * | 2020-12-03 | 2022-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7469641B2 (ja) | 2020-05-20 | 2024-04-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の検査方法及び検査用治具 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007148829A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Ube Industries, Ltd. | 光変換用複合体、それを用いた発光装置および色調制御方法 |
JP2008519444A (ja) * | 2004-11-03 | 2008-06-05 | トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 色変換材料を有する発光ダイオード装置 |
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010283281A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011108588A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012169442A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012199411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
-
2011
- 2011-11-18 JP JP2011252544A patent/JP2013110199A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008519444A (ja) * | 2004-11-03 | 2008-06-05 | トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 色変換材料を有する発光ダイオード装置 |
WO2007148829A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Ube Industries, Ltd. | 光変換用複合体、それを用いた発光装置および色調制御方法 |
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010283281A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011108588A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012169442A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012199411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015070132A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2015079805A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2015130476A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-07-16 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 |
JP2015133403A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US9202992B2 (en) | 2014-03-11 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device having a fluorescent substance layer |
US10333043B2 (en) | 2014-05-21 | 2019-06-25 | Nichia Corporation | Light emitting device having element connection sections with convex shapes |
US10193045B2 (en) | 2014-05-21 | 2019-01-29 | Nichia Corporation | Light emitting device having heat disipation terminal arranged on substrate |
US9406852B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-08-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3591721A1 (en) * | 2014-05-21 | 2020-01-08 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10559735B2 (en) | 2014-05-21 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device having a pair of vias passing through a center of the concave component |
JP2016001724A (ja) * | 2014-05-21 | 2016-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9680071B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-06-13 | Nichia Corporation | Light emitting device having substrate including heat dissipation terminals |
JP2021166315A (ja) * | 2014-05-21 | 2021-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9793459B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-10-17 | Nichia Corporation | Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate |
US10734563B2 (en) | 2014-05-21 | 2020-08-04 | Nichia Corporation | Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate |
US9978923B2 (en) | 2014-05-21 | 2018-05-22 | Nichia Corporation | Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate |
US10892393B2 (en) | 2014-05-21 | 2021-01-12 | Nichia Corporation | Light emitting device having external connection with different width |
JP7148826B2 (ja) | 2014-05-21 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP2947704A3 (en) * | 2014-05-21 | 2016-01-20 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9703183B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-07-11 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector |
JP2017534176A (ja) * | 2014-11-04 | 2017-11-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 材料を表面に被着する方法 |
JP2018186288A (ja) * | 2014-11-04 | 2018-11-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 材料を表面に被着する方法 |
JP2016146480A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-12 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | Ledパッケージング構造及びその製造方法 |
JP2018514950A (ja) * | 2015-05-13 | 2018-06-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品を作成する方法、および表面実装可能な光電子部品 |
JP2017041477A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN108369978A (zh) * | 2015-11-10 | 2018-08-03 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光元件和具有该发光元件的照明装置 |
CN108369978B (zh) * | 2015-11-10 | 2021-05-25 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光器件 |
KR102487685B1 (ko) | 2015-11-10 | 2023-01-16 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR20170054803A (ko) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2021101243A (ja) * | 2015-12-01 | 2021-07-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子、及び製造方法 |
JP7104822B2 (ja) | 2015-12-01 | 2022-07-21 | シャープ株式会社 | 画像形成素子、及び製造方法 |
JP2017201652A (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
CN109155348A (zh) * | 2016-05-20 | 2019-01-04 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 辐射发射组件 |
US10727386B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-07-28 | Osram Oled Gmbh | Radiation-emitting component |
WO2017198548A1 (de) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauelement |
JP2018022723A (ja) * | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10279728B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-05-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2018067703A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10330852B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-06-25 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US10495806B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-12-03 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2018085471A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US10121945B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US10546982B2 (en) | 2017-08-22 | 2020-01-28 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3447810A1 (en) | 2017-08-22 | 2019-02-27 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR20190021173A (ko) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치 |
US10644208B2 (en) | 2017-08-22 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US11195979B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-12-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US10770630B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-08 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US11870017B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-01-09 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US11056623B2 (en) | 2018-11-21 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
JP2020088083A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7227458B2 (ja) | 2018-11-21 | 2023-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7469641B2 (ja) | 2020-05-20 | 2024-04-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の検査方法及び検査用治具 |
JP2022078308A (ja) * | 2020-12-03 | 2022-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7248935B2 (ja) | 2020-12-03 | 2023-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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