KR930011246A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불휘발성 기억소자의 기입 특성을 개선하는 동시에 미세화를 실현한 반도체장치와 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체장치와 그 제조방법은 반도체기판(1)에 형성된 홈(2)과 이홈에 형성된 매설소자분리영역(3)과 이 매설 소자분리영역의 내측에 형성된 소스확산층(4) 및 드레인확산층(5)과 이들 확산층을 가로질러서(브리지형상으로)상기 매설소자분리영역에 접속된 콘트롤 게이트(7)와 플로팅 게이트(6)와의 2층 구조로 구성되는 전극배선(8)과 상기 매선소자분리영역에 따르는 동시에 상기 소스확산층 및 드레인 확산층에 접촉하고 또한 최소한 상기 전극배선에 대응하는 위치에 형성된 측벽확산층(9)을 구비하여 구성되고 상기의 목적을 달성할 수 있다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한실시예에 관한 반도체장치를 도시하는 평면도.
제2도는 제1도의 A-A'선에 따라서 질단하여 화살표방향에서 본 단면도.
제3도는 제1도의 B-B'선에 따라서 절단하여 화살표방향에서 본 단면도.
제4도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 한 공정을 도시하는 단면도.
제5도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른 공정을 도시하는 단면도.
제6도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른공정을 도시하는 단면도.
제7도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른 공정을 도시하는 단면도.
제8도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른 공정을 도시하는 단면도.
제9도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른 공정을 도시하는 단면도.
제10도는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 다른 공정을 도시하는 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체기판(1)에 형성된 홈(2)과, 이 홈에 설치된 매설 소자분리영역(3)과, 이 매설소자분리영역(3)의 내측에 형성된 소스확산층 및 드레인확산층(5)과, 이들 확산층을 건너(브리지형상) 상기 매설소자분리영역에 접속된 콘트롤 게이트(7)와 프로팅게이트(6)와의 2층 구조로 구성되는 전극배선(8)과, 상기 매설소자분리영역에 따르는 동시에 상기 소스확산층 및 드레인 확산층에 접촉되고, 최소한 상기 전극배선에 대응하는 위치에 형성된 측벽확산층(9)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 측벽확산층은 상기 반도체기판과 동일타입의 불순물을 다른위치의 반도체기판의 불순물농도보다 높아지도록 비스듬히 이온주입함으로 상기 홈의 측벽에 도입하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소스확산층 및 드레인확산층은 상기 전극배선을 마스크로하여 자기정합적으로 상기 반도체기판과는 반대의 타입의 불순물을 도입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 반도체기판상에 홈을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판과 동일타입의 불순물을 비스듬히 이온주입을 함으로서 상기 홈의 측벽에 도입하여 측벽확산층을 형성하는 공정과, 상기 홈을 절연막으로 충진하는 공정과, 상기 반도체기판을 산화한 제1의 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1의 게이트절연막 위에 제1의 도전막을 형성하는 공정과, 상기 제1의 도전막상에 제2의 게이트절연막을형성하는 공정과, 상기 제2의 게이트절연막상에 제2의 도전막을 형성하는 공정과. 상기 제2의 도전막, 제2의 게이트절연막, 제1의 도전막을 사진식각법에 의하여가공하고, 상기 측벽확산층을 포함하는 상기 반도체기판 상에 상기 제2의 도전막으로 구성되는 콘트롤 게이트와 상기 제1의 도전막으로 구성되는 프로팅게이트와의 전극배선을 적층형성하는 공정과, 상기 전극배선을 마스크로이온주입에 의하여 자기정합적으로 상기 반도체기판표면에 그 반도체기판과는 타입이 다른 불순물을 도입하여 소스확산층 및 드레인 확산층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920022695A 1991-11-29 1992-11-28 반도체장치 및 그 제조방법 KR970005143B1 (ko)

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