NL1032675C2 - Bestralingswerkwijze en apparaat voor onderdompelingslithografie. - Google Patents

Description

Titel: Bestralingswerkwijze en apparaat voor onderdompelingslithografie

Aangezien halfgeleider vervaardigingstechnologieën zich steeds verder ontwikkelen naar kleinere afmetingen zoals 65 nanometer en minder, gaat men over op onderdompelingslithografie werkwijzen.

Nochtans, tijdens een be stralingsproces waarbij gebruik wordt gemaakt van 5 een onderdompelingslithografiesysteem dat een systeem van de onderdompelingslithografie kan stromende water elektrostatisch lading tot stand brengen. De opgebouwde elektrostatische lading veroorzaakt deeltjes verontreiniging zoals deeltjes die aan oppervlakken van het onderdompelingssysteem kleven. De aanklevende deeltjes kunnen zich 10 verder verplaatsen naar het waferoppervlak en defecten en productiedegradatie veroorzaken.

Korte beschrijving van de figuren 15 Aspecten van de huidige beschrijving worden toegelicht aan de hand van de figuurbeschrijving in combinatie met de begeleidende figuren. Opgemerkt wordt dat in overeenstemming met de standaardpraktijk in de industrie, diverse aspecten niet op schaal zijn weergegeven. Hierbij kunnen afmetingen van verschillende eigenschappen naar keuze ter verduidelijking 20 toenemen of afnemen.

Fig. 1 toont een schematisch aanzicht van een uitvoeringsvorm van een onderdompelingslithografie systeem;

Fig. 2 toont een stroomschema van een uitvoeringsvorm van een werkwijze om te patroneren met behulp van onderdompelingsfotolithografie.

25

Figuurbeschrijving 1032675 2

Op gemerkt wordt dat de beschrijving vele verschillende uitvoeringsvormen, of voorbeelden, voor het uitvoeren van verschillende eigenschappen van diverse uitvoeringsvormen verstrekt. Specifieke voorbeelden van componenten en opstellingen worden hierna beschreven om 5 de beschrijving te vereenvoudigen.

In Fig. 1 wordt een schematische aanzicht getoond van een uitvoeringsvorm van een apparaat 100 voor onderdompelingslithografie waarbij een substraat 110 een onderdompelingslithografie ondergaat. Het substraat 110 kan een halfgeleiderwafer zijn met een elementaire 10 halfgeleider, een samengestelde halfgeleider, een legeringshalfgeleider of combinaties daarvan. De halfgeleiderwafer kan één of een meervoudig aantal materiaallagen omvatten zoals poly-silicon, metaal en/of diëlektrisch, om te worden gepatroneerd. Het substraat 110 kan voorts een daarop gevormde beeldvormende laag 120 omvatten. De beeldvormende laag kan 15 een photoresist laag zijn (resistlaag, foto gevoelige laag, patronerende laag) die gevoelig is voor een stralingsproces om patronen tot stand te brengen.

De beeldvormende laag kan een positief of het negatieve type zijn resistmateriaal zijn en kan een multi-layer structuur hebben. Een voorbeeld resist materiaal is chemische versterker (CA) resist.

20 Het apparaat 100 voor onderdompelingslithografie omvat een lenssysteem (of een beeldvormende lens systeem) 130. De halfgeleiderwafer 110 kan op een tafel 170 onder het lenssysteem 130 worden geplaatst. Het lenssysteem 130 kan verder omvatten of integraal onderdeel zijn van een verlichtingssysteem (b.v., een condensor) dat enkelvoudige lens of een 25 meervoudig aantal lenzen en/of andere lenscomponenten kan hebben. Het verlichtingssysteem kan bijvoorbeeld een reeks microlenzen, maskers en/of andere structuren omvatten. Het lenssysteem 130 kan voorts een objectief lens omvatten die een enkelvoudig lenselement of een meervoudig aantal lenselementen kan hebben. Elk lenselement kan een transparant substraat 30 omvatten en kan voorts een meervoudig aantal deklaaglagen omvatten. Het 3 transparante substraat kan een conventionele objectief lens zijn, en kan van gesmolten kiezelzuur (S1O2), calcium-fluoride (CaF2), lithiumfluoride (LiF), bariumfluoride (BaF2), of ander geschikt materiaal worden gemaakt. De materialen die zijn gebruikt voor elk lenselement kunnen worden gekozen 5 op basis van de golflengte van licht dat in het lithografieproces wordt gebruikt voor het verminderen van absorptie en verstrooiing.

Het systeem 100 omvat een onderdompelingsvloeistofhoudende module 140 voor het houden van een onderdompelingsvloeistof 150. De onderdompelingsvloeistofhoudende module 140 kan nabij het lenssysteem 10 130 (zoals eromheen) zijn geplaatst en ontworpen zijn voor andere functies, naast het houden van de onderdompelingsvloeistof. De onderdompelingsvloeistofhoudende module 140 en het lenssysteem 130 vormen (op zijn minst voor een deel) een onderdompelingskop.

De onderdompelingsvloeistofhoudende module 140 kan diverse 15 openingen (of gaatjes) omvatten voor het verstrekken van de onderdompelingsvloeistof, het verstrekken van andere vloeistoffen, het verstrekken van zuiveringslucht voor het drogen, het verwijderen van een willekeurige zuiveringsvloeistof, en/of het uitoefenen van andere geschikte functies. De module 140 kan een opening zoals inlaat 142 omvatten als een 20 inlaat voor onderdompelingsvloeistof om de onderdompelingsvloeistof 150 te verstrekken en over te brengen naar de ruimte tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110 waarop resistlaag 120 is aangebracht. De module 140 kan een opening 144 als een uitlaat voor onderdompelingsvloeistof omvatten om de gezuiverde onderdompelingsvloeistof en een andere gezuiverde 25 vloeistof te verwijderen. De onderdompelingsvloeistofhoudende module 140 kan een aardende eigenschap 146 hebben om het elektrisch te aarden.

De onderdompelingsvloeistof 150 kan water (wateroplossing of gedeïoniseerde water-DIW), hoge n-vloeistof (n is index van breking, waarbij de n-waarde hier groter is dan 1.44), of geleidende onderdompelingsvloeistof 30 zoals oplossingen van kooldioxide in water (koolzuur, kooldioxidewater, of 4 CO2 water) dat kleine hoeveelheden H2CO3 bevat, omvatten. Andere voorbeelden van een geleidende vloeistof kunnen buffer, zuur, basis, zout, en oppervlakte-actieve stof omvatten. In het bijzonder kan de geleidende onderdompelingsvloeistof, omwille van het voorbeeld, maleate, fosfaat, 5 chloroacetate, formate, benzoate, acetate, propionaat, pyridine, piperazine, Bis-tris, phospate, Tris, tricine, bicine, etbanolamine, methylamine, piperidine, fosfaat, cabonic zuur/bicabonate, carboxylic zuur, of proteïne omvatten. De capillair-actieve stof kan Ionische capillair-actieve stof en niet-ionische capillair-actieve stof omvatten. De oppervlakte-actieve stof kan 10 ook de geleidende en schoonmaak functie hebben.

Het systeem omvat verder een ontladingselement om geaccumuleerde ladingen te neutraliseren en/of vrij te geven. In een uitvoeringsvorm omvat het systeem 100 een ionensproeier 160 die is ingericht om ionen zoals H+, AR+, C>2+, O' of O3· ionen te besproeien. De 15 ionensproeier 160 kan voor geoptimaliseerde prestaties integraal met de onderdompelings vloeistofhoudende module of een ander component van het systeem 100 zijn gevormd.

Het systeem 100 omvat ook een tafel 170 om het substraat 110 vast te houden om daardoor te worden verwerkt. De tafel 170 is instelbaar om 20 het substraat 110 vast te zetten en te bewegen ten opzichte van het lenssysteem 130. De tafel 170 kan bijvoorbeeld zijn opgesteld om in staat te zijn om een translatie- en/of rotatieverplaatsing uit te voeren voor het uitlijnen, het stappen en scannen van de wafer. De tafel 170 kan diverse materiaal omvatten die geschikt zijn om een nauwkeurige beweging uit te 25 voeren. In een voorbeeld kan de tafel 170 een glasceramisch samengesteld materiaal zoals ZERODUR (handelsmerk van Schott Glass Technologies, Elmsford, New York) omvatten. Bovendien of als alternatief van de ionensproeier 160 kan het systeem 100 geleidende delen 172 omvatten die zijn gevormd en/of ingebed in de tafel 170. Het geleidende deel 172 kan 30 bijvoorbeeld een geleidende deklaag zijn die op een oppervlak van de tafel 5 170 is gevormd. De geleidende deklaag kan met verschillende geometrieën en configuraties zijn gepatroneerd zoals een rooster, stroken, evenwijdige lijnen, of andere patronen. De tafel 170 kan voorts een aardingselement 164 omvatten die is aangesloten op de tafel 170, of in het bijzonder op het 5 geleidende deel 172 van de tafel 170 is aangesloten. De geleidende deklaag kan door een proces worden gevormd met inbegrip van sputteren, plating, of chemische dampdepositie (CVD).

Een toevoersysteem van geleidende vloeistof kan worden gekoppeld met of geïntegreerd met de module 140 om een geleidende 10 onderdompelingsvloeistof te produceren die de ruimte tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110 moet vullen. Een voorbeeld van een toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof is ontworpen om een geleidende vloeistof zoals kooldioxidewater te verstrekken. Het toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof kan één of een meervoudig aantal tanks 182 omvatten 15 om de onderdompelingsvloeistof zoals DIW te bevatten. De tanks 182 kunnen in serie zijn geschakeld door een meervoudig aantal stroomregelaars 184 worden gebruik makend van hoofdstroomre ge laars (MFC’s) of andere geschikte kleppen. Extra vloeistofregelaars 184 kunnen een aan een bron van onderdompelingsvloeistof, zoals een Di waterbron, 20 gekoppelde regelaar en een aan een inlaat 142 van onderdompelingsvloeistof gekoppelde regelaar omvatten. Het toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof omvat verder een kooldioxidebron 186 die geschikt is om kooldioxide in het DIW in de tank 182 te pompen, zo resulterend in koolzuur in DIW. Het toevoersysteem 180 25 van geleidende vloeistof kan anders zijn ontworpen om een specifieke geleidende vloeistof te verstrekken. Meer eigenschappen kunnen worden toegevoegd en sommige eigenschappen kunnen worden vermeden voor de voorgenomen functies. Het toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof kan bovendien of als alternatief diverse kleppen, vloeistoflijnen, en vloeistof 6 regelende pompen omvatten die zijn ingericht om de geleidende vloeistof te verschaffen.

Het systeem 100 voor onderdompelingslithografie kan voorts een stralingsbron omvatten. De stralingsbron kan een geschikte ultraviolet (UV) 5 of extra UV (EUV) lichtbron zijn. De stralingsbron kan bijvoorbeeld een kwiklamp zijn met een golflengte van 436 nm (G-Lijn) of van 365 nm (I-Lijn); een krypton fluoride (KrF) excimeer laser met een golflengte van 248 nm; een argon fluoride (ArF) excimeer laser met een golflengte van 193 nm; een fluoride (F2) excimeer laser met een golflengte van 157 nm of andere 10 lichtbronnen met een gewenste golflengte (bijvoorbeeld onder ongeveer 100 nm). De stralingsbron kan ook een E-bundel omvatten.

Een fotomasker (waarnaar ook als een masker of dradenkruis wordt verwezen) kan tijdens een proces van onderdompelingslithografie worden ingebracht tussen het lenssysteem 130 en de patroneerlaag 120. Het 15 masker kan een transparant substraat en gepatroneerde absorptielaag omvatten. Het transparante substraat kan zijn vervaardigd uit gesmolten kiezelzuur (S1O2) relatief vrij van defecten, zoals borosilicateglas en soda-lime glas. Het transparante substraat kan zijn vervaardigd uit calciumfluoride en/of andere geschikte materialen. De gepatroneerde 20 absorptielaag kan zijn gevormd door gebruik te maken van een meervoudig aantal processen en een meervoudig aantal materialen, zoals het neerslaan van een metaalfilm met chroom (Cr) en ijzeroxide, of een anorganische film die met MoSi, ZrSiO, SiN, en/of TiN is gemaakt. Een lichtbundel kan gedeeltelijk of volledig worden geblokkeerd wanneer een absorptiegebied 25 wordt geraakt. De absorptielaag kan worden gevormd om één of een meervoudig aantal openingen te hebben waardoorheen een lichtbundel kan passeren zonder door de absorptielaag te worden geabsorbeerd.

Het hierboven beschreven systeem 100 kan gebruikt worden om elektrostatische lading die is geaccumuleerd tijdens een 30 onderdompelingslithografie patroneringsproces, te elimineren. Verscheidene 7 eigenschappen kunnen collectief of afzonderlijk worden gebruikt. Het toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof kan bijvoorbeeld worden gebruikt om een geleidende vloeistof te verstrekken als onderdompelingsvloeistof tijdens een onderdompelingslithografie proces en 5 om elektrostatische daarin geïntroduceerde lading te neutraliseren. Als alternatief kan tenminste de ionensproeier 160, het geleidende deel 172, of de aardingselementen 146 en 164 worden gebruikt om de elektrostatische lading te neutraliseren. De combinatie van de ionensproeier 160 en het geleidende deel 172 kan de effectiviteit in het verwijderen van 10 elektrostatische lading verbeteren, vooral elektrostatische lading die op oppervlakken van de tafel 170 is geaccumuleerd.

Fig. 2 verstrekt een stroomschema van een voorbeeld werkwijze van patronering met behulp van onderdompelingsfotolithografie, die in het systeem 100 van de onderdompelingslithografie kan worden uitgevoerd. De 15 werkwijze 200 kan bij stap 202 beginnen door een substraat te verstrekken dat een beeldvormende laag heeft op één te patroneren oppervlak. Het substraat en de beeldvormende laag kunnen wezenlijk gelijksoortig zijn aan het substraat 110 en de beeldvormende laag 120 van Fig. 1. De beeldvormende laag kan op het substraat door een werkwijze zoals spin-on 20 coating worden gevormd. De beeldvormende laag kan verder worden gebakken. Dan kan het substraat op een tafel van een systeem voor onderdompelingslithografie worden geplaatst dusdanig dat de beeldvormende laag boven is.

De werkwijze gaan verder met stap 204 om een geleidende 25 onderdompelingsvloeistof tussen het substraat en een beeldvormende lens van het onderdompelingslithografie systeem aan te brengen. De geleidende onderdompelingsvloeistof bevat ionen voor elektrische geleiding. De geleidende onderdompelingsvloeistof kan een geleidingsvermogen hebben groter dan 105 S/m. In een voorbeeld omvat de geleidende 30 onderdompelingsvloeistof een oplossing van kooldioxide in water. De 8 oplossing van kooldioxide in water kan worden geproduceerd door belletjes met kooldioxide gas in een gedeïoniseerd water te leiden, gebruik makend van een opstelling zoals het toevoersysteem 180 van geleidende vloeistof van Fig. 1. De beschreven werkwijze en het mechanisme kunnen een geleidende 5 onderdompelingsvloeistof verstrekken die minder verontreiniging heeft, lage kosten heeft, en gemakkelijk is uit te voeren. De geleidende onderdompelingsvloeistof kan buffer, zuur, basis, zout, of oppervlakte-actieve stof omvatten. Meer in het bijzonder, kan de geleidende onderdompelingsvloeistof, omwille van het voorbeeld, maleate, fosfaat, 10 chloroacetate, formate, benzoate, acetate, propionaat, pyridine, piperazine, Bis-Tris, phospate, Tris, tricine, bicine, ethanolamine, methylamine, piperidine, fosfaat, cabonic zuur/bicabonate, carboxylic zuur of proteïne omvatten.

De geleidende onderdompelingsvloeistof kan een vooraf bepaalde 15 zuurgraad hebben die in een bereik zoals tussen ongeveer 1 en 8.5. De geleidende onderdompelingsvloeistof kan tijdens het stralingsproces een pH variatie hebben zoals een variatie van ongeveer +/- 1 rond de vooraf bepaalde zuurgraad. De zuurgraad kan in een waarde van ongeveer 7 worden ingesteld met een verwacht geleidingsvermogen zoals een 20 geleidingsvermogen hoger dan ongeveer 10 5 S/m. Bijvoorbeeld, om een 1000 ml buffer van 0,01 M PIPES (pKa=7.1) te maken met een pH van 7 en een ionische sterkte van ongeveer 0,021 M, wordt ongeveer 0.0044 mol zure component en 0.0055 mol basiscomponent opgelost en dan aangemaakt tot een 1000 ml oplossing met zuiver water. De bovengenoemde bereiding kan 25 bij ongeveer 25 °C wordt uitgevoerd. Op alternatieve wijze kan ongeveer 3.024 g PIPES vrij zeer (Mr=302.4) worden opgelost in ongeveer 900 ml zuiver water en dan getitreerd to een pH van 7 bij een temperatuur van ongeveer 25 °C. Maak de oplossing dan aan tot 1000 ml met zuiver water. Aldus zal de voorbereide bufferoplossing een zuurgraad van ongeveer 7 30 hebben bij een temperatuur van 25 °C.

9

Op alternatieve wijze kan een zure buffer met een vooraf bepaalde zuurgraad worden aangewend. Voor het maken van een 1000 ml buffer van 0.01 M PIPES (pKa=7.1) met een pH van ongeveer 7 en een ionische sterkte van ongeveer 0.015 M, worden ongeveer 0.0073 mol van een zure component 5 en 0.0026 mol van een basiscomponent opgelost en dan aangemaakt tot een 1000 ml oplossing met zuiver water. De bovengenoemde bereiding kan bij ongeveer 25 °C worden uitgevoerd. Op alternatieve wijze kan ongeveer 3.024 g PIPES vrij zuur (Mr=302.4) in ongeveer 900 ml zuiver water worden opgelost en dan getitreerd tot een pH van 6,49 bij een temperatuur van 10 ongeveer 25 °C. Maak dan de oplossing aan tot 1000 ml met zuiver water. Aldus bereid, zal een bufferoplossing een pH van ongeveer 6,5 hebben bij een temperatuur van ongeveer 25 °C. De hierboven beschreven werkwijzen om een buffer met een vooraf bepaalde zuurgraad te bereiden dienen slechts als voorbeelden. De zure buffer kan diverse voordelen realiseren zoals het 15 regelen van het resistprofiel, en het verminderen van verontreiniging uit waterresiduen. In een ander voorbeeld kan de zure buffer een chemische versterking veroorzaken bij een dunne toplaag van de beeldvormende laag, en een afwijkend resistprofiel in de dunne toplaag verwijderen.

De werkwijze 200 gaat verder met stap 206 om een stralingsproces 20 uit te voeren op de beeldvormende laag die is aangebracht op het substraat. Tijdens het stralingproces kan stralingenergie zoals ultraviolet (UV) of extra ultraviolet (EUV) worden gebruikt en gericht door een beeldvormende lens systeem en een masker met een vooraf bepaald patroon. De stralingsenergie wordt verder gericht door de geleidende onderdompelingsvloeistof die tussen 25 het substraat en de beeldvormende lens is aangebracht. De stralingsenergie wordt dan op de beeldvormende laag gericht die op het substraat is aangebracht. In een andere uitvoeringsvorm kan de stralingsenergie ook door een Dl fluid worden gericht die is aangebracht tussen het substraat en de beeldvormende lens. In deze uitvoeringsvorm kan de geleidende vloeistof 10 vóór het stralingsproces door een Dl onderdompelingsvloeistof worden vervangen.

De werkwijze 200 kan verder gaan met stap 208 om de beeldvormende laag na het stralingsproces te bakken (ook wel 5 postbestralings bakken of PEB benoemd). Het PEB kan bij een vooraf bepaalde temperatuur en duur worden uitgevoerd. Het PEB kan bijvoorbeeld gebruik maken van een temperatuur tussen ongeveer 85 °C en 150 °C.

De werkwijze 200 kan verder gaan met stap 210 om de 10 beeldvormende laag in een ontwikkelende oplossing te ontwikkelen. De blootgestelde gebieden van de beeldvormende laag worden opgelost in de ontwikkelende oplossing als de beeldvormende laag een positief-type is, of de onbelichte gebieden worden opgelost als de beeldvormende laag een negatief-type is. Andere verwerkingsstappen kunnen alternatief of extra 15 worden opgenomen in de werkwijze 200 overeenkomstig het resistmateriaal en het systeem voor onderdompelingslithografie in een bepaalde toepassing.

De werkwijze 200 kan in een systeem 100 voor onderdompelingslithografie van Fig. 1 of in een conventioneler systeem voor onderdompelingslithografie worden uitgevoerd die is ingericht om te werken 20 met een geleidende onderdompelingsvloeistof en geschikt en in staat is die te verschaffen. Aangezien de geleidende vloeistof als onderdompelingsvloeistof wordt gebruikt, kan de elektrostatische last die wordt geaccumuleerd tijdens het stralingsproces worden geëlimineerd en daarom worden de deeltjes en patroon defecten die daardoor worden 25 veroorzaakt eveneens verminderd of geëlimineerd.

Aldus verstrekt de huidige uitvinding een werkwijze voor onderdompelingslithografie. In een uitvoeringsvorm omvat de werkwijze het verschaffen van een substraat dat met een beeldvormende laag is bedekt; het aanbrengen van een geleidende vloeistof tussen het substraat en een 30 beeldvormende lens van een lithografiesysteem; en het uitvoeren van een 11 stralingsproces op de beeldvormende laag gebruik makend van stralingsenergie door de geleidende onderdompelingsvloeistof.

In een andere uitvoeringsvorm omvat de werkwijze het bakken van de beeldvormende laag; en het ontwikkelen van de beeldvormende laag in 5 een ontwikkeloplossing. Het verstrekken van de geleidende onderdompelingsvloeistof kan het verschaffen omvatten van een geleidende onderdompelingsvloeistof met een geleidingsvermogen groter dan ongeveer 10'5 S/m. Het aanbrengen van de geleidende onderdompelingsvloeistof kan het aanbrengen van gedeïoniseerd water met koolzuur omvatten. Het 10 aanbrengen van de geleidende onderdompelingsvloeistof kan het inbrengen van belletjes kooldioxide in gedeïoniseerd water omvatten. De geleidende onderdompelingsvloeistof kan een vloeistof omvatten die uit de groep wordt geselecteerd bestaande uit buffer, zuur, basis, zout, en oppervlakte-actieve stof. Meer in het bijzonder kan de geleidende onderdompelingsvloeistof een 15 materiaal omvatten dat uit de groep wordt geselecteerd bestaande uit maleate, fosfaat, chloroacetate, formate, benzoate, acetate, propionaat, pyridine, piperazine, BIB-Tris, phospate, Tris, tricine, bicine, ethanolamine, methylamine, piperidine, fosfaat, cabonic zuur/bicabonate, carboxylic zuur en proteïne.

20 In een andere uitvoeringsvorm omvat een werkwijze voor onderdompelingslithografie het verstrekken van een lithografiesysteem dat een beeldvormende lens module en een tafel heeft; het verstrekken van een substraat dat met een beeldvormende laag is bedekt, welk substraat op de tafel is geplaatst; het aanbrengen van een onderdompelingsvloeistof tussen 25 het substraat en de beeldvormende lens module; en het uitvoeren van een stralingsproces op de beeldvormende laag door gebruik te maken van stralingsenergie door de onderdompelingsvloeistof met een verminderde elektrostatische ontlading. Het aanbrengen van de onderdompelingsvloeistof kan het aanbrengen van een geleidende vloeistof 30 omvatten. De geleidende vloeistof kan een verbeterd geleidingsvermogen 12 hebben groter dan 10 5 S/m. Het uitvoeren van het stralingsproces kan het inbrengen van ionen omvatten om ionen sproeien. Het verstrekken van het lithografiesysteem omvat het voorzien van een tafel met een geleidend deel dat daarmee is geïntegreerd. Het geleidende deel kan een gepatroneerd 5 geleidende deklaaglaag omvatten die op de tafel is gevormd.

De huidige uitvinding verstrekt ook een apparaat voor onderdompelingslithografïe. In een uitvoeringsvorm omvat het apparaat een beeldvormende lens module die een frontoppervlak heeft; een tafel die is ingericht voor het ondersteunen van het frontoppervlak van de 10 beeldvormende lens; een vloeistofhoudende module die is ingericht voor het houden van een vloeistof die minstens gedeeltelijk een ruimte tussen het frontoppervlak en een substraat op de substraattafel vult; en een ontladingselement welke is ingericht voor het verminderen van elektrostatische ontlading. Het ontladingselement kan een ionensproeier 15 omvatten. De ionensproeier is ontworpen om ionen te sproeien. Het ontladingselement kan een geleidend deel omvatten dat met de tafel is geïntegreerd. Het ontladingselement kan een aan aarde aangesloten aardingselement omvatten dat met de tafel en/of de vloeistofhoudende module is geïntegreerd. Het apparaat kan verder een generator van 20 kooldioxidewater omvatten. De generator van kooldioxidewater kan een mechanisme omvatten om kooldioxide in gedeïoniseerd water te injecteren.

Het voorgaande heeft aspecten van uitvoeringsvormen beschreven zodat de vakman de daarna volgende fïguurbeschrijving beter kan volgen. De vakman zal erkennen dat de huidige beschrijving gemakkelijk als basis 25 gebruikt kan worden om andere processen en structuren te ontwerpen of te wijzigen voor het uitvoeren van dezelfde doeleinden en/of het bereiken van dezelfde voordelen als de hierin geïntroduceerde uitvoeringsvormen. De vakman zal zich ook realiseren dat dergelijke equivalente constructies niet afwijken van de geest en beschermingsomvang van de huidige uitvinding, 30 en dat men verschillende veranderingen, substituties en wijzigingen hierin 13 kan maken zonder afstand te nemen van het wezen en de beschermingsomvang van de huidige uitvinding.

1032675

Claims (14)

1. Werkwijze voor onderdompelingslithografie, omvattende: het verschaffen van een substraat dat met een beeldvormende laag is bedekt; het aanbrengen van een geleidende vloeistof tussen het substraat 5 en een beeldvormende lens van een lithografiesysteem; en het uitvoeren van een stralingsproces op de beeldvormende laag gebruik makend van stralingsenergie die door de beeldvormende lens invalt, door een onderdompelingsvloeistof, op de beeldvormende laag.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de onderdompelingsvloeistof niet geleidend is.

3. Werkwijze volgens conclusie 1, voorts omvattende: het bakken van de beeldvormende laag; en 15 het ontwikkelen van de beeldvormende laag in een ontwikkeloplossing.

4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de geleidende vloeistof een geleidingsvermogen groter dan 10 5 S/m heeft. 20

5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de geleidende vloeistof een vloeistof omvat die is geselecteerd uit een groep bestaande uit een buffer, zuur, basis, zout, en oppervlakte-actieve stof.

6. Werkwijze voor onderdompelingslithografie volgens conclusie 1, 1032675 waarbij de stap van het verstrekken van een substraat dat met een beeldvormende laag is bedekt het plaatsen omvat van het substraat dat met een beeldvormende laag is bedekt op een tafel van een lithografïesysteem, waarbij de geleidende vloeistof en de onderdompelingsvloeistof 5 dezelfde vloeistof zijn, voorts omvattende de stap van het verbeteren van de geleidende eigenschap van de onderdompelingsvloeistof, door het introduceren van ionen voor het sproeien van ionen tijdens het stralingsproces teneinde tegen te gaan dat elektrostatische lading zich opbouwt in de onderdompelingsvloeistof. 10

7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij tijdens het aanbrengen van de onderdompelingsvloeistof deze elektrisch op een elektrische spanning wordt aangesloten.

8. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij de geleidende vloeistof een verbeterd geleidingsvermogen groter dan 10 5 S/m heeft.

9. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij de tafel een geleidend deel omvat dat daarmee is geïntegreerd. 20

10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij het geleidende deel een gepatroneerde geleidende bedekkingslaag omvat die op de tafel is gevormd.

11. Apparaat voor onderdompelingslithografïe, omvattende: 25 een beeldvormende lens module die een frontoppervlak heeft; een tafel die is ingericht voor het ondersteunen van het frontoppervlak van de beeldvormende lens; een vloeistofhoudende module die is ingericht voor het houden van een vloeistof die minstens gedeeltelijk een ruimte tussen het frontoppervlak 30 en een substraat op de substraattafel vult; en m een ontladingselement welke is ingericht voor het verminderen van elektrostatische lading die zich heeft opgebouwd in de vloeistof, waarbij het ontladingselement eenionensproeier omvat voor het sproeien van ionen.

12. Apparaat volgens conclusie 11, waarbij het ontladingselement een geleidend deel omvat dat aan met de tafel is geïntegreerd.

13. Apparaat volgens conclusie 11, voorts omvattende een generator van water met kooldioxide. 10

14. Apparaat volgens conclusie 13, waarbij de generator van water met kooldioxide een mechanisme omvat voor het injecteren van kooldioxide in gedeïoniseerd water. 1 0 32 6 7 5