KR20070041352A - 노광 방법 및 이머션 리소그래피 장치 - Google Patents

노광 방법 및 이머션 리소그래피 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 이머션 리소그래피 방법은 코팅된 기판에 이미지층을 제공하는 단계, 기판과 리소그래피 시스템의 이미지 렌즈 사이에 도전성 이머션 유체를 분배하는 단계, 및 이미지 렌즈, 도전성 이머션 유체를 통과하고 이미지층에 제공된 복사 에너지를 사용하여 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
이머션 리소그래피, 노광 공정

Description

노광 방법 및 이머션 리소그래피 장치{Exposure method and apparatus for immersion lithography}
본 발명의 태양은 첨부된 도면들을 참조하면 다음 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 산업계에서의 표준 관행에 따라, 다양한 장치들은 정확한 축적으로 그리지 않았다. 사실, 다양한 장치들의 치수는 논의를 명확하게 하기 위해 임의적으로 증가 또는 감소될 수 있다.
도 1은 이머션 리소그래피 시스템의 한 실시예의 개요도이다.
도 2는 이머션 리소그래피 시스템의 한 실시예의 흐름도이다.
본 발명은 노광 방법 및 이머션 리소그래피 장치에 관한 것이다.
반도체 제작 기술들이 65 나노미터, 45 나노미터 및 그 이하와 같은 더 작은 크기로 계속해서 발전함에 따라, 이머션 리소그래피 방법들이 채택되고 있다.
그러나, 이머션 리소그래피 시스템을 사용하여 노광하는 동안, 유수(flowing water)가 정전기 전하를 유도할 수 있다. 축전된 정전기 전하는 이머션 리소그래피 시스템의 표면에 흡착된 입자들과 같은 입자 오염을 일으킨다. 흡착된 입자들은 웨이퍼 표면으로 더 이동할 수 있어서 결함과 수율 감소를 일으킬 수 있다.
다음 설명은 다양한 실시예들의 다른 특징들을 실시하기 위해, 많은 다른 실시예들, 예들을 제공한다. 구성요소들과 장치들의 구체적인 예는 본 발명의 설명을 간단하게 하기 위해 이하에 기술된다. 물론, 단순한 예들이 있으나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기판(110)이 이머션 리소그래피 공정을 받는 이머션 리소그래피 장치(100)의 실시예의 개요도이다. 기판(110)은 단일원소 반도체, 화합물 반도체, 합금 반도체 또는 이의 조합을 가진 반도체 웨이퍼일 수 있다. 반도체 웨이퍼는 폴리-실리콘, 금속, 및/또는 유전체와 같은 패턴화되는 하나 이상의 재료층을 포함할 수 있다. 기판(110)은 그 위에 형성된 이미지층(120)을 더 포함할 수 있다. 이미지층은 생산된 패턴에 대한 노광 공정에 반응하는 포토레지스트층(레지스트층, 감광성층, 패터닝층)일 수 있다. 이미지층은 양성 및 음성 타입 레지스트 재료일 수 있고 다층 구조를 가질 수 있다. 하나의 예시적 레지스트 재료는 화학적 증폭(CA) 레지스트이다.
이머션 리소그래피 장치(100)는 렌즈 시스템(또는 이미지 렌즈 시스템)(130)을 포함한다. 반도체 웨이퍼(110)는 렌즈 시스템(130) 밑의 스테이지(170)에 위치될 수 있다. 렌즈 시스템(130)은 단일 렌즈 또는 다중 렌즈 및/또는 다른 렌즈 구 성요소를 가질 수 있는 조명 시스템(예를 들어, 콘덴서)을 더 포함하거나 통합될 수 있다. 예를 들어, 조명 시스템은 마이크로렌즈 어레이, 새도우 마스크, 및/또는 다른 구조물을 포함할 수 있다. 렌즈 시스템(130)은 단일 렌즈 시스템 또는 복수의 렌즈 요소들을 가질 수 있는 대물 렌즈를 더 포함할 수 있다. 각 렌즈 요소는 투명 기판을 포함할 수 있고 복수의 코팅층을 더 포함할 수 있다. 투명 기판은 통상적으로 대물 렌즈일 수 있고, 융합된 실리카(SiO2), 칼슘-플루오르화물(CaF2), 리튬 플루오르화물(LiF), 바륨 플루오르화물(BaF2), 또는 다른 적절한 재료일 수 있다. 각 렌즈 요소들에 사용되는 재료들은 흡수와 산란을 최소화하기 위해서 리소그래피 공정에 사용되는 빛의 파장을 기초로 선택될 수 있다.
시스템(100)은 이머션 유체(150)를 보유하기 위한 이머션 유체 함유 모듈(140)을 포함한다. 이머션 유체 함유 모듈(140)은 렌즈 시스템(130)에 아주 가깝게(예를 들어, 근처) 위치될 수 있고 이머션 유체를 보유하는 것 이외에, 다른 기능을 위해 설계될 수 있다. 이머션 유체 함유 모듈(140)과 렌즈 시스템(130)은 이머션 헤드를 (적어도 부분적으로) 구성한다.
이머션 유체 함유 모듈(140)은 이머션 유체를 제공하고, 다른 유체들을 제공하고, 건조를 위해 정화 공기를 제공하고, 임의의 정화된 유체를 제거하고, 및/또는 다른 적절한 기능들을 수행하기 위한 다양한 구멍(또는 노즐)을 포함할 수 있다. 모듈(140)은 이머션 유체(150)를 렌즈 시스템(130)과 그 위에 코팅된 레지스트층(120)을 가진 기판(110) 사이의 공간 속에 제공하고 전달하기 위한 이머션 유체 입구로서 입구(142)와 같은 구멍을 포함할 수 있다. 모듈(140)은 정제된 이머션 유체와 임의의 다른 정제된 유체를 제거하기 위한 이머션 유체 출구로서 구멍(144)을 포함할 수 있다. 이머션 유체 함유 모듈(140)은 이를 전기적으로 접지하기 위해 접지 장치(146)를 포함할 수 있다.
이머션 유체(150)는 물(수용액 또는 탈이온수(DIW), 높은 n 유체(n은 굴절률이고, n 값은 1.44 이상이다) 또는 소량의 H2CO3을 함유하는 물(탄산, 이산화탄소 수(carbon dioxde water) 또는 CO2 수)속의 이산화 탄소의 용액과 같은 도전성 이머션 유체를 포함할 수 있다. 도전성 유체의 다른 예들은 버퍼, 산, 염기, 염 및 계면활성제를 포함할 수 있다. 특히, 도전성 이머션 유체는, 예를 들어, 말레산염, 인산염, 염화아세트산염, 포름산염, 벤조산염, 아세트산염, 프로피온산염, 파이리딘, 파이퍼라진, 비스-트리스, 인산염, 트리스, 트리신, 비신, 에탄올아민, 메틸아민, 파이퍼리딘, 인산염, 탄산/이탄산염, 카복실산 또는 단백질을 포함할 수 있다. 계면활성제는 이온성 계면활성제 및 비이온성 계면활성제를 포함할 수 있다. 또한 계면활성제는 도전성 기능과 세정 기능을 가질 수 있다.
시스템은 축적된 전하들을 중화 및/또는 배출하기 위해 방전 원소를 더 포함한다. 한 실시예에서, 시스템(100)은 H+, Ar+. O2 +, O- 또는 O3 - 이온과 같은 이온을 조사하도록 구성된 이온 샤워기(160)를 포함한다. 이온 샤워기(160)는 최적의 성능을 위해서 이머션 유체 함유 모듈 또는 시스템(100)의 다른 구성요소에 통합될 수 있다.
또한, 시스템(100)은 처리되는 기판(110)을 유지하기 위기 위한 스테이지(170)를 포함한다. 스테이지(170)는 기판(110)을 렌즈 시스템(130)에 대해 고정하고 이동하도록 작동한다. 예를 들어, 스테이지(170)는 웨이퍼 배열, 스태핑, 및 스캐닝을 위해 병진 이동 및/또는 회전 이동될 수 있도록 설계될 수 있다. 한 예에서, 스테이지(170)는 ZERODUR(뉴욕, 엘엠스포트, 스콧 글래스 테크놀러지의 상표)와 같은 유리-세라믹 복합 재료를 포함할 수 있다. 이온 샤워기(160) 이외에 또는 대체하여, 시스템(100)은 스테이지(170) 상에 형성 및/또는 스테이지(170)에 삽입된 도전성 장치(172)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전성 장치(172)는 스테이지(170)의 다양한 표면상에 형성된 도전성 코팅층일 수 있다. 도전성 코팅층은 격자, 긴 조각, 평행선 또는 다른 패턴과 같은 다양한 형태와 구성으로 패턴화될 수 있다. 스테이지(170)는 스테이지(170) 또는 특히, 스테이지(170)의 도전성 장치(172)와 연결된 접지 장치(164)를 더 포함할 수 있다. 도전성 코팅층은 스퍼터링, 도금 또는, 화학기상증착(DVD)을 포함하는 방법에 의해 형성될 수 있다.
도전성 유체 공급 시스템은 렌즈 시스템(130)과 기판(110) 사이의 공간에 채워질 도전성 이머션 유체를 발생시키기 위해 모듈(140)과 결합 또는 통합될 수 있다. 예시적 도전성 유체 공급 시스템(180)은 이산화탄소 수와 같은 도전성 유체를 제공하도록 설계된다. 도전성 유체 공급 시스템(180)은 DIW와 같은 이머션 유체를 함유하기 위해 하나 이상의 탱크(182)를 포함할 수 있다. 탱크(182)는 매스터 흐름 제어기(MFCs) 또는 다른 적절한 밸브를 사용하는 복수의 흐름 제어기(184)를 통해 연속적으로 구성될 수 있다. 다른 유체 제어기(184)는 DIW 소스와 같은 이머션 유 체 소스와 결합된 하나 및 이머션 유체 입구(142)와 결합된 다른 하나를 포함할 수 있다. 도전성 유체 공급 시스템(180)은 일산화탄소를 탱크 속의 DIW에 보내도록 작동되어, DIW 속에 탄산을 얻게 하는 일산화탄소 소스(186)를 더 포함한다. 도전성 유체 공급 시스템(180)은 특정한 도전성 유체를 제공하도록 다르게 설계될 수 있다. 다른 장치들이 추가될 수 있고 일부 장치들은 의도한 기능을 위해 제거될 수 있다. 도전성 유체 공급 시스템(180)은 도전성 유체를 제공하도록 구성된 다양한 밸브, 유체 라인, 및 유체 제어 펌프를 추가적으로 또는 선택적으로 포함할 수 있다.
이머션 리소그래피 시스템(100)은 복사 소스를 더 포함할 수 있다. 복사 소스는 적절한 자외선(UV) 또는 초 자외선(EUV) 소스를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 복사 소스는 436nm(G-라인) 또는 365 nm(I-라인)의 파장을 가진 수은 램프; 248nm 파장의 크립톤 플루오르화물(KrF) 엑스머 레이저; 193nm 파장의 아르곤 플루오르화물(ArF) 엑시머 레이저; 157nm 파장의 플루오르화물(F2) 엑시머 레이저; 또는 원하는 파장(예를 들어, 대략 100nm 이하)을 가진 다른 광원일 수 있다. 복사 소스는 E-빔을 포함할 수 있다.
포토마스크(마스크 또는 레티클로 불림)는 이머션 리소그래피 공정 동안 렌즈 시스템(130)과 패터닝층(120) 사이에 주입될 수 있다. 마스크는 투명 기판과 패턴화된 흡수층을 포함할 수 있다. 투명 기판은 규산염 붕산 유리 및 소다 석회 유리와 같은 결함들이 비교적 없는 융합 실리카(SiO2)를 사용할 수 있다. 투명 기판은 칼슘 플루오르화물 및/또는 다른 적절한 재료를 사용할 수 있다. 패턴화된 흡수층은 크롬과 산화철로 제조된 금속막 또는 MoSi, ZrSiO, SiN 및/또는 TiN으로 제조된 무기 막의 증착과 같은 복수의 공정과 복수의 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 광선은 흡수 지역을 때릴 때 부분적으로 또는 완전히 막힐 수 있다. 흡수층은 광선이 흡수층에 의해 흡수되지 않고 이동할 수 있는 하나 이상의 구멍을 갖도록 패턴화될 수 있다.
상기 시스템(100)은 이머션 리소그래피 패터닝 공정 동안 축적된 정전기 전하를 제거하기 위해 사용될 수 있다. 여러 장치가 전체적으로 또는 독립적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 도전성 유체 공급 시스템(180)은 이머션 리소그래피 공정 동안 이머션 유체로서 도전성 유체를 제공하도록 사용될 수 있고 그 안에 주입된 정전기 전하를 중성화하는데 사용될 수 있다. 선택적으로, 이온 샤워기(160), 도전성 장치(172) 및 접지 장치(146 및 164)의 적어도 하나는 정전기 전하를 중성화하기 위해 사용될 수 있다. 이온 샤워기(160)와 도전성 장치(172)의 조합은 정전기 전하, 특히 스테이지(170)의 표면상에 축적된 정전기 전하를 제거하는 효율을 향상시킬 수 있다.
도 2는 이머션 리소그래피 시스템(100)에서 수행될 수 있는 이머션 리소그래피 패터닝의 한 예시적 방법의 흐름도를 제공한다. 방법(200)은 패턴화되는 한 표면상에 코팅된 이미지층을 가진 기판을 제공하여 단계(202)에서 시작할 수 있다. 기판과 이미지층은 각각 도 1의 기판(110) 및 이미지층(120)과 실질적으로 유사할 수 있다. 이미지층은 스핀온 코팅과 같은 방법에 의해 기판상에 형성될 수 있다. 이미지층은 더 베이킹될 수 있다. 그런 후에 기판은 이미지층이 마무리되도록 이머션 리소그래피 시스템의 스테이지 상에 위치될 수 있다.
상기 방법은 기판과 이머션 리소그래피 시스템의 이미지 렌즈 사이에 도전성 이머션 유체를 제공하는 단계(204)로 진행된다. 도전성 이머션 유체는 전기 전도도를 위해 이온들을 함유한다. 도전성 이머션 유체는 10-5 S/m이상의 전도도를 가질 수 있다. 한 실시예에서, 도전성 이머션 유체는 이산화 탄소 수용액을 포함한다. 일산화탄소 수용액은 도 1의 도전성 유체 공급 시스템(180)과 같은 기구를 사용하여 일산화탄소 기체를 탈이온수 속에 비등시켜 발생될 수 있다. 상기한 방법과 장치는 덜 오염되고, 저렴하며 사용하기 쉬운 도전성 이머션 유체를 제공할 수 있다. 도전성 이머션 유체는 버퍼, 산, 염기, 염 또는 계면활성제를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 도전성 이머션 유체는 말레산염, 인산염, 염화아세트산염, 포름산염, 벤조산염, 아세트산염, 프로피온산염, 파이리딘, 파이퍼라진, 비스-트리스, 인산염, 트리스, 트리신, 비신, 에탄올아민, 메틸아민, 파이퍼리딘, 인산염, 탄산/이탄산염, 카복실산 또는 단백질을 포함할 수 있다.
도전성 이머션 유체는 약 1 내지 8.5와 같은 범위에서 정해진 pH 값을 가질 수 있다. 도전성 이머션 유체는 노광 공정 동안 대략 소정의 pH 값의 +/- 1 변화와 같은 pH 변화를 가질 수 있다. pH 값은 약 10-5 S/m이상의 전도도와 같은 예상된 전도도를 가진 약 7로 조절될 수 있다. 예를 들어, pH 값이 7이고, 이온 강도가 약 0.021M인 0.01M PIPES(pKa = 7.1) 버퍼의 1000ml를 제조하기 위해서, 약 0.0044 mol의 산 성분과 0.0055 mol의 염기 성분을 용해하고 순수한 물로 1000ml 용액이 될 때까지 채웠다. 상기 제조법은 약 25℃에서 수행될 수 있다. 선택적으로, 약 3.024g의 PIPES 자유 산(Mr=302.4)을 대략 900ml의 순수한 물에 용해시키고 약 25℃에서 pH 7까지 적정한다. 그런 후에 순수한 물로 1000ml까지 용액을 채운다. 이렇게 제조된 버퍼 용액은 약 25℃에서 약 pH 7을 갖게 될 것이다.
선택적으로, 산 버퍼는 소정의 pH 값으로 사용될 수 있다. 예를 들어, pH 값이 7이고, 이온 강도가 약 0.015M인 0.01M PIPES(pKa = 7.1) 버퍼의 1000ml를 제조하기 위해서, 약 0.0073 mol의 산 성분과 0.0026 mol의 염기 성분을 용해하고 순수한 물로 1000ml 용액이 될 때까지 채웠다. 상기 제조법은 약 25℃에서 수행될 수 있다. 선택적으로, 약 3.024g의 PIPES 자유 산(Mr=302.4)을 대략 900ml의 순수한 물에 용해시키고 약 25℃에서 pH 6.49까지 적정한다. 그런 후에 순수한 물로 1000ml까지 용액을 채운다. 이렇게 제조된 버퍼 용액은 약 25℃에서 약 pH 6.5를 갖게 될 것이다. 소정의 pH 값을 가진 버퍼를 제조하기 위한 상기 방법들은 단지 예시적이다. 산 버퍼는 레지스트 프로파일을 제어하고 물 잔류물에 의한 오염을 감소하는 것과 같은 다양한 장점들을 실현할 수 있다. 다른 실시예에서, 산 버퍼는 이미지층의 얇은 상부층에 화학적 증폭을 유도하고, 얇은 상부층의 블랭킷을 제거하며 얇은 상부층에 임의의 벗어난 레지스트 프로파일을 제거할 수 있다.
상기 방법(200)은 기판상에 코팅된 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계(206)로 진행된다. 노광 공정 동안, 자외선(UV), 또는 초 자외선(EUV)과 같은 복사 에너지가 사용될 수 있고 이미지 렌즈 시스템과 소정의 패턴을 가진 마스크를 통해 방향이 정해진다. 복사 에너지는 기판과 이미지 렌즈 사이에 제공된 도전성 이머션 유체를 통해 방향이 정해진다. 그런 후에 복사 에너지는 기판상에 코팅된 이미지층으로 향하게 된다. 다른 실시예에서, 복사 에너지는 또한 기판과 이미지 렌즈 사이에 제공된 DIW를 통해 방향이 정해질 수 있다. 이 실시예에서, 도전성 유체는 노광 공정 전에 DI 이머션 유체에 의해 교체될 수 있다.
상기 방법(200)은 노광 공정 후에 이미지층을 베이킹하는 단계(208)(노광후 베이킹 또는 PEB)로 진행할 수 있다. PEB는 소정의 온도와 기간에서 수행될 수 있다. 예를 들어, PEB는 약 85℃ 내지 150℃ 범위의 온도를 사용할 수 있다.
상기 방법(200)은 현상액에서 이미지층을 현상하는 단계(210)으로 진행할 수 있다. 이미지층이 양성 타입이면 이미지층의 노광된 지역이 현상액에 용해되고 또는 이미지층이 음성 타입이면 노광되지 않은 지역이 용해된다. 다른 공정 단계들은 레지스트 재료 및 특정한 용도에서 이머션 리소그래피 시스템에 따라 방법(200) 속에 선택적으로 또는 추가적으로 포함될 수 있다.
상기 방법(200)은 도 1의 이머션 리소그래피 시스템(100) 또는 도전성 이머션 유체와 작동되며 공급할 수 있는 보다 통상적인 이머션 리소그래피 시스템에서 수행될 수 있다. 도전성 유체는 이머션 유체로 사용되기 때문에, 노광 공정 동안 축적된 정전기 전하는 제거될 수 있고 따라서 정전기 전하에 의해 발생된 입자 및 패턴 결함들은 감소 또는 제거된다.
따라서, 본 발명은 이머션 리소그래피 방법을 제공한다. 한 실시예에서, 방법은 코팅된 기판을 이미지층에 제공하는 단계; 기판과 리소그래피 시스템의 이미 지 렌즈 사이에 도전성 이머션 유체를 분배하는 단계; 및 도전성 이머션 유체를 통해 복사 에너지를 사용하는 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 상기 방법은 이미지층을 베이킹하는 단계 및 현상액에서 이미지층을 현상하는 단계를 포함한다. 도전성 이머션 유체를 제공하는 단계는 약 10-5 S/m이상의 전도도를 가진 도전성 이머션 유체를 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 도전성 이머션 유체를 분배하는 단계는 탄산을 가진 탈이온수를 분해하는 단계를 포함할 수 있다. 도전성 이머션 유체의 분배 단계는 탈이온수를 이산화탄소로 비등하는 단계를 포함할 수 있다. 도전성 이머션 유체는 버파, 산, 염기, 염 및 계면활성제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 유체를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 도전성 이머션 유체는 말레산염, 인산염, 염화아세트산염, 포름산염, 벤조산염, 아세트산염, 프로피온산염, 파이리딘, 파이퍼라진, 비스-트리스, 인산염, 트리스, 트리신, 비신, 에탄올아민, 메틸아민, 파이퍼리딘, 인산염, 탄산/이탄산염, 카복실산 및 단백질을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 이머션 리소그래피를 위한 방법은 이미지 렌즈 모듈과 스테이지를 가진 리소그래피 시스템을 제공하는 단계; 스테이지 상에 위치된 이미지층으로 코팅된 기판을 제공하는 단계; 기판과 이미지 렌즈 모듈 사이에 이머션 유체를 분배하는 단계; 및 감소된 정전기 방전을 가진 이머션 유체를 통과하는 복사 에너지를 사용하여 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 이머션 유체의 분배 단계는 도전성 유체를 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 도전성 유체는 10-5 S/m 이상의 향상된 전도도를 가질 수 있다. 노광 공정의 수행 단계는 샤워링을 위해 이온들을 주입하는 단계를 포함할 수 있다. 리소그래피 시스템의 제공 단계는 스테이지에 그 안에 통합된 도전성 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 도전성 장치는 스테이지 상에 형성된 패턴화된 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 이머션 리소그래피 장치를 제공한다. 한 실시예에서, 상기 장치는 전면을 가진 이미지 렌즈 모듈; 이미지 렌즈의 전면 아래에 구성된 스테이지; 전면과 기판 스테이지 상의 기판 사이의 공간에 적어도 부분적으로 채워진 유체를 보유하도록 구성된 유체 유지 모듈; 및 정전기 방전을 감소하도록 구성된 방전 요소를 포함한다. 방전 요소는 이온 샤워기를 포함할 수 있다. 이온 샤워기는 이온들을 방출하도록 설계된다. 방전 요소는 스테이지에 통합된 도전성 장치를 포함할 수 있다. 방전 요소는 스테이지와 유체 유지 모듈의 적어도 하나에 통합된 접지 장치를 포함할 수 있다. 상기 장치는 이산화탄소 수 발생기를 더 포함할 수 있다. 이산화탄소 수는 이산화탄소를 탈이온수 속에 주입하는 장치를 더 포함할 수 있다.
상기 설명은 당업자가 본 발명을 더욱 잘 이해하도록 여러 실시예들의 특징들을 약술하였다. 당업자는 일부 목적을 수행 및/또는 본 발명에 제공된 실시예들의 동일한 장점을 성취하기 위해 다른 공정과 구조를 설계 또는 변형하기 위한 기초로서 본 발명을 쉽게 사용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 또한 당업자는 이런 동일한 구성들은 본 발명의 취지와 범위를 벗어나지 않으며 본 발명의 취지와 범위 를 벗어나지 않고 다양한 변화, 치환 및 변형을 가할 수 있다는 것을 알아야 한다.
본 발명은 이머션 리소그래피 시스템을 사용하여 노광하는 동안 축전된 정전기 전하에 의해 발생된 입자 및 패턴 결합을 제거 또는 감소시키는 효과를 제공한다.

Claims (15)

  1. 코팅된 기판에 이미지층을 제공하는 단계;
    기판과 리소그래피 시스템의 이미지 렌즈 사이에 도전성 이머션 유체를 분배하는 단계; 및
    이미지 렌즈, 도전성 이머션 유체를 통과하고 이미지층에 제공된 복사 에너지를 사용하여 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계를 포함하는 이머션 리소그래피 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    이미지층을 베이킹하는 단계; 및
    현상액에 이미지층을 현상하는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    도전성 이머션 유체는 10-5 S/m 이상의 전도도를 갖는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    도전성 이머션 유체를 분배하는 단계는 탈이온수를 이산화탄소로 비등하는 단계를 포함하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    도전성 이머션 유체는 버퍼, 산, 염기, 염 및 계면활성제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 유체를 포함하는 방법.
  6. 이미지층으로 코팅된 기판을 리소그래피 시스템의 스테이지 상에 위치시키는 단계;
    기판과 이미지 렌즈 모듈 사이에 이머션 유체를 분배하는 단계;
    이머션 유체의 전도도를 향상시키는 단계;
    이머션 유체의 향상된 전도도 때문에 감소된 정전기 방전으로 이머션 유체를 통과하는 복사 에너지를 사용하여 이미지층에 노광 공정을 수행하는 단계를 포함하는 이머션 리소그래피 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    이머션 유체를 분배하는 단계는 전압 포텐셜과 전기적으로 연결되는 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    도전성 유체는 10-5 S/m 이상의 전도도를 갖는 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    전도도의 향상 단계는 노광 공정 동안 이온 샤워링을 위해 이온들을 주입하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    스테이지는 스테이지와 통합된 도전성 장치를 포함하여, 도전성 장치는 스테이지 상에 형성된 패턴화된 도전성 코팅층을 포함하는 방법.
  11. 전면을 갖는 이미지 렌즈 모듈;
    이미지 렌즈의 전면 아래에 구성된 스테이지;
    전면과 기판 스테이지 상의 기판 사이의 공간에 적어도 부분적으로 채우는 유체를 보유하도록 구성된 유체 유지 모듈; 및
    정전기 방전을 감소시키도록 구성된 방전 요소를 포함하는 이머션 리소그래피 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    방전 요소는 이온들을 방출하는 이온 샤워기를 포함하는 이머션 리소그래피 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    방전 요소는 스테이지에 통합된 도전성 장치를 포함하는 이머션 리소그래피 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    방전 요소는 스테이지 및 유체 유지 모듈의 적어도 하나와 통합된 접지 장치를 포함하는 이머션 리소그래피 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    이산화탄소를 탈이온수에 주입하는 장치를 포함하는 이산화탄소수 발생기를 더 포함하는 이머션 리소그래피 장치.
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