NL1032126C2

NL1032126C2 - Inrichting en werkwijzen voor immersie lithografie.

Info

Publication number: NL1032126C2
Application number: NL1032126A
Authority: NL
Inventors: Ching-Yu Chang; Chin-Hsiang Lin
Original assignee: Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date: 2005-09-13
Filing date: 2006-07-06
Publication date: 2008-02-28
Also published as: DE102006062988B3; CN1932648A; NL1032126A1; DE102006062988B8; FR2891067A1; IL176590A0; FR2891067B1; JP2007081373A; TW200712784A; JP4486945B2; DE102006027846B4; DE102006027846A1; SG130991A1; US20070058263A1

Description

Inrichting en werkwijzen voor immersie lithografie Achtergrond

[0001] Immersie lithografie heeft met name betrekking op het blootstellen 5 van een gecoate fotoresistente (weerstandbiedende) laag aan een patroon door gedeïoniseerd water (DIW) dat de ruimte vult tussen een projectielens en de resistente laag voor een hogere resolutie. Een immersie lithografieproces kan verschillende bewerkingsstappen omvatten zoals het fotoresistent coaten, het voorbakken, immersie blootstelling, het na blootstelling bakken, het ontwikkelen en 10 het hard bakken. Echter de huidige immersie lithografie werkwijzen ervaren microbellen die zijn gevormd in de gevulde DIW, hetgeen resulteert in een patroon defect, een patroon verdraaiing, en een patroon verlies naast andere zaken. Beschrijving van de figuren

[0002] Aspecten van de onderhavige uitvinding worden het beste begrepen 15 uit de volgende gedetailleerde beschrijving indien deze wordt gelezen met de bijgevoegde figuren. Het wordt benadrukt dat, in overeenstemming met de standaard praktijken in de industrie, verschillende eigenschappen niet op schaal zijn getekend. In feite kunnen de dimensies van de verschillende eigenschappen willekeurig worden verhoogd of verlaagd ter verduidelijking van de discussie.

20 [0003] Figuur 1 toont een schematisch aanzicht van een uitvoeringsvorm van een immersie lithografie inrichting.

[0004] Figuur 2 toont een schematisch aanzicht van een uitvoeringsvorm van een ontgassysteem dat is geïntegreerd in de inrichting van figuur 1.

[0005] Figuur 3 toont een stroomschema van een uitvoeringsvorm van een 25 werkwijze voor het implementeren van een immersie lithografieproces volgens de aspecten van de onderhavige beschrijving met verminderde microbellen problemen. Gedetailleerde beschrijving

[0006] Het moet worden begrepen dat de volgende beschrijving vele verschillende uitvoeringsvormen verschaft, of voorbeelden voor het implementeren 30 van de verschillende eigenschappen van de verschillende uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeelden van componenten en opstellingen zijn hieronder beschreven om de onderhavige beschrijving te vereenvoudigen. Deze zijn, natuurlijk slechts voorbeelden en zijn niet beperkend bedoeld. Bovendien kan de onderhavige beschrijving verwijzingscijfers en/of letters in de verschillende voorbeelden 1032126 2 herhalen. Deze herhaling is voor de eenvoud en de duidelijkheid en geeft zelf geen relatie weer tussen de verschillende uitvoeringsvormen en/of de configuraties die hierin worden besproken.

[0007] Verwijzend naar figuur 1 die een schematisch aanzicht toont van 5 een uitvoeringsvorm van een immersie lithografie inrichting 100 waarin een substraat 110 een immersie lithografie proces ondergaat. Het substraat 110 kan een halfgeleider wafer zijn die een elementaire halfgeleider, een verbindings-halfgeleider, een legeringshalfgeleider of combinaties daarvan heeft. De halfgeleider wafer kan een of meer materiaallagen omvatten zoals poly-silicium, 10 metaal, en/of diëlectricium, die van een patroon moeten worden voorzien. Het substraat 110 kan verder een patroonlaag 120 omvatten die daarop is gevormd. De patroonlaag kan een fotoresistente (resistente) laag zijn die reageert op een blootstellingsproces voor het creëren van patronen.

[0008] De immersie lithografie inrichting 100 omvat een lenssysteem (of 15 een afbeeldingslenssysteem) 130. De halfgeleider wafer kan worden gepositioneerd op een platform 160 onder het lenssysteem 130. Het lenssysteem 130 kan verder een verlichtingssysteem (bijvoorbeeld de condensor) omvatten of dit systeem kan daarmee zijn geïntegreerd, welk systeem een enkele lens of verschillende lenzen en/of andere lenscomponenten heeft. Bijvoorbeeld kan het verlichtingssysteem 20 microlens opstellingen, schaduwmaskers, en/of andere structuren omvatten. Het lenssysteem 130 kan verder een objectief lens omvatten die een enkel lenselement heeft of een aantal lenselementen. Elk lenselement kan een transparant substraat omvatten en kan verder een aantal coatingslagen omvatten. Het transparante substraat kan een conventionele objectief lens zijn, en kan zijn vervaardigd uit 25 samengesteld silicium (Si02), calciumfluoride (CaFz), lithium fluoride (LiF), barium fluoride (BaF2), of een ander geschikt materiaal. De materialen die worden gebruikt voor elk lenselement kunnen worden gekozen gebaseerd op de golflengte van het licht dat is gebruikt in het lithografie proces om absorptie en verspreiding te minimaliseren.

30 [0009] Het systeem 100 kan een immersie fluïdum vasthoudmodule 140 omvatten voor het vasthouden van een immersie fluïdum 150 zoals water (wateroplossing of gedeïoniseerd water) of een hoog n fluïdum (waarbij n de brekingsindex is, waarbij de n waarde hier groter is dan 1,44). De immersie fluïdum vasthoudmodule 140 kan dichtbij (zoals rond) het lenssysteem 130 zijn 3 gepositioneerd en zijn ontworpen voor andere functies, naast het vasthouden van het immersie fluïdum. De immersie fluïdum vasthoudmodule 140 en het lenssysteem 130 vormen een immersiekop.

[0010] De immersie fluïdum vasthoudmodule 140 kan verschillende 5 openingen (of mondstukken) hebben voor het verschaffen van het immersie fluïdum, voor het verschaffen van andere fluïda, voor het verschaffen van gereinigde lucht voor het drogen, voor het verwijderen van gereinigd fluïdum, en/of voor het uitvoeren van andere geschikte functies.

[0011] De module 140 kan een opening omvatten zoals een invoer 141 10 zoals een immersie fluïdum invoer om het immersie fluïdum 150 te verschaffen en over te brengen tot in de ruimte tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110 dat de resistente laag 120 daarop heeft gecoat. De module 140 kan voor een opening 142 een immersie fluïdum uitgang omvatten om het gereinigde immersie fluïdum en elk ander gereinigd fluïdum te verwijderen. Een ontgassysteem kan 15 worden gekoppeld of integraal zijn verbonden met de module 140 en kan functioneren om het immersie fluïdum te ontgassen voor het vullen van de ruimte tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110. Een voorbeeld ontgassysteem 200 is in een schematisch aanzicht getoond in figuur 2. Het ontgassysteem 200 kan een of meer tanks 210a-c omvatten waarin het immersie fluïdum 20 zit. De tanks 210 kunnen in serie zijn geconfigureerd door een aantal stroomregelaars 220a-d door het gebruiken van hoofdstroomregelaars (MFCs) of ander geschikte kleppen. Het ontgassysteem 200 kan verder een stroom-regelaar 220d omvatten die is gekoppeld met de immersie fluïdumbron zoals een Dl waterbron en de andere stroomregelaar is gekoppeld met de immersie fluïdum 25 invoer 141. Elke tank kan verder respectievelijk worden gekoppeld met een vacuümpomp 230a-c, die in staat is om een druk in de tank aan te brengen die lager is dan een atmosfeer.

[0012] In een voorbeeld kan de module 140 een of meer chemische sproeiopeningen hebben zoals openingen 143 en 144. Elke opening 143 en 144 is 30 gekoppeld met een chemische bron en is werkzaam om de bijbehorende chemische stof te sproeien onder de regeling van een stroomregelaar. De chemische bron kan chemische stoffen omvatten zoals isopropylalcohol, een surfactans, en/of bijvoorbeeld een polymeer. Elke chemische sproeiopening kan de bijbehorende chemische stof afleveren aan de resistente laag 120 van het substraat 110 dat is 4 gepositioneerd op het platform 160, een ander oppervlak, en/of de ruimte tussen de afbeeldingstent 130 en het substraat 110. Het systeem 100 kan elke chemische sproeiopening zo regelen dat de bijbehorende chemische stof alleen, met het immersie fluïdum, met een andere chemische stof, of in een combinatie wordt 5 afgegeven. De afgifte snelheid en andere parameters kunnen ook regelbaar zijn volgens de bewerkingsvoorschrifen.

[0013] De module 140 kan een of meer gasopeningen omvatten die elk zijn gekoppeld met een gasbron en die zijn geconfigureerd om het bijbehorende gas zoals lucht, stikstof, zuurstof, argon, of elk ander geschikt gas af te geven voor het 10 reinigen, drogen, zuiveren, sproeien, voorbehandelen en/of andere geschikte functies. In een voorbeeld kan de module twee openingen 145 en 146 omvatten om lucht en respectievelijk zuurstof af te geven. De openingen zijn correct geconfigureerd voor geoptimaliseerde prestatie en kunnen anders zijn geconfigureerd dan het getoonde in figuur 1. Bijvoorbeeld kan de opening 143 dichter bij de lens zijn 15 gepositioneerd dan bij de opening 145 of vice versa. Het systeem 100 kan elke gasopening regelen om het bijbehorende gas alleen af te geven, met het immersie fluïdum, met chemicaliën, of andere gas/gassen, of een combinatie daarvan. De afgifte snelheid en andere parameters kunnen ook regelbaar zijn volgens de bewerkingsvoorschriften. De verschillende openingen van de module 140 zoals de 20 invoeropening, de afvoeropening, de chemische opening, en de gasopening kunnen op een geschikte wijze worden geconfigureerd voor een optimale functie volgens toepassing en gebruik. In een ander voorbeeld kunnen de verschillende openingen gedeeltelijk of volledig zijn geconfigureerd om integraal te zijn verbonden met het substraat platform 160. Als een alternatief kan de immersie fluïdum vasthoud-25 module 140 met verschillende openingen zijn geïntegreerd met het substraat-plaftorm 160.

[0014] Het substraatplatform (platform) 160 van het systeem 100 is werkzaam om het substraat te bevestigen en te verplaatsten ten opzichte van het lenssysteem 130. Bijvoorbeeld kan het platform 160 zijn ontworpen voor translatie 30 en/of rotatie verplaatsing voor wafer uitlijning, verplaatsing en het scannen. Het systeem 100 kan werkzaam zijn om aanvullende functies en/of verbeterde bloot-stellingskwaliteit uit te voeren zoals chemische reiniging, het sproeien van een fluïdum laag voor de uitgifte van het immersie fluïdum, en/of het ontgassen van het immersie fluïdum.

5

[0015] Het immersie lithografiesysteem 100 kan verder een stralingsbron (niet getoond) omvatten. De stralingsbron kan een geschikte ultraviolet (UV) lichtbron zijn. Bijvoorbeeld kan de stralingsbron een kwiklamp zijn die een golflengte heeft van 436 mm (G-lijn) of 365 mm (l-lijn), of een krypton fluoride (KrF), of een 5 excimeer laser met een golflengte van 248 mm; of een argon fluoride (ArF) excimeer laser met een golflengte van 193 mm; of een fluoride (F2) excimeer laser met een golflengte van 157 mm; of andere lichtbronnen die een gewenste golflengte hebben (bijvoorbeeld onder bij nadering 100 mm).

[0016] Een fotomasker (waarna ook wordt verwezen als een masker of een 10 reticule) kan worden ingebracht tussen het lenssysteem 130 en de patroonlaag 120 tijdens een immersie lithografie proces. Het masker kan een transparant substraat en een van een patroon voorziene absorptielaag omvatten. Het transparante substraat kan samengesteld silicium gebruiken (Si02) dat relatief weinig defecten heeft, zoals borium silicaat glas en natronkalkglas. Het transparante substraat kan 15 calcium-fluoride en/of andere geschikte materialen gebruiken. De van een patroon voorziene absorptielaag kan worden gevormd door het gebruiken van een aantal processen en door het gebruiken van een aantal materialen, zoals het afzetten van een metaalfilm die is vervaardigd uit chroom (Cr) en een ijzeroxide, of een anorganische film die is vervaardigd van MoSi, ZrSiO, SiN, en/of TiN. Een 20 lichtbundel kan gedeeltelijk of volledig zijn geblokkeerd bij het verwarmen van een absorptiegebied. De absorptie-laag kan van een patroon zijn voorzien waardoor deze een of meer openingen heeft waardoor een lichtbundel zich kan verplaatsen zonder te worden geabsorbeerd door de absorptielaag.

[0017] Figuur 3 toont een stroomschema van een uitvoeringsvorm van een 25 immersie lithografie proces 300 om microbellen en defecten die daardoor worden veroorzaakt te verminderen. Het proces 300 kan het immersie lithografie systeem 100 en het ontgassysteem 200 dat is geïntegreerd of gekoppeld daarmee gebruiken. Het proces 300 is hieronder beschreven met verwijzing naar de figuren 1-3.

30 [0018] Het proces 300 kan beginnen bij stap 310 door het vormen van een resistente laag op een halfgeleider wafer of een ander geschikt substraat. De resistente laag kan zijn gevormd door een normaal coatingsproces zoals spin-on coating en/of door andere geschikte processen zoals chemische opdampafzetting. De resistente laag kan een geschikt resistent materiaal omvatten zoals een 6 chemische versterker (CA) resistent materiaal. Andere geschikte processen, zoals zacht bakken, kunnen worden geïmplementeerd voor of na het resistent coaten.

[0019] Bij stap 320 kan het proces 300 een voorbehandelingsproces implementeren om microbellen en/of andere bijbehorende effecten te verminderen 5 tijdens een immersie blootstelling. In een voorbeeld kan de voorbehandelings-stap 320 een proces omvatten om een fluïdum laag op de resistente laag te vormen die wordt gecoat op het substraat. De fluïdum laag kan zijn gevormd door het immersie lithografie systeem 100 en dit systeem kan een geschikte opening gebruiken om het fluïdum op de resistente laag te sproeien. Het fluïdum materiaal 10 kan bijvoorbeeld Dl water, een surfactans, een polymeer, isopropylalcohol, een basis fluïdum, een zuur fluïdum, een oplosmiddel of combinaties daarvan omvatten.

[0020] In een ander voorbeeld kan de voorbehandelingsstap 320 een ontgasproces 324 omvatten om het immersie fluïdum (bijvoorbeeld Dl water) te ontgassen voor het uitgeven van het immersie fluïdum. Het ontgassen kan worden 15 uitgevoerd door het ontgassysteem 200 dat is gekoppeld of geïntegreerd met het immersie lithografie systeem 100. Het ontgassysteem 200 kan een of meer pompen omvatten die in serie zijn gekoppeld, waarbij elke pomp een druk verschaft die kleiner is dan ongeveer 1 atmosfeer aan een bijbehorende tank en die zodanig is geconfigureerd dat het opgeloste gas in het immersie fluïdum effectief kan worden 20 verwijderd. Verschillende pompen zoals getoond in figuur 2 kunnen worden gebruikt om het immersie fluïdum te verschaffen dat in hoofdzaak is ontgast. Het ontgassen kan worden gecombineerd met de daarop volgende stap om de ruimte tussen het lenssysteem en het substraat te vullen met het ontgaste immersie fluïdum.

[0021] In een ander voorbeeld kan de voorbehandelingsstap 320 een 25 resistent voorproces 326 omvatten. Het resistente voorproces kan een Dl water zuivering gebruiken die is gecombineerd met een gedeeltelijke blootstelling of surfactans. In een optie kan de resistente laag gedeeltelijk zijn blootgesteld en dan worden gezuiverd met Dl water voor een vooraf bepaalde duur. Bij een andere optie kan de resistente laag worden gezuiverd door een oplossing van Dl water en een 30 surfactans die worden gemengd in een vooraf bepaalde verhouding. De surfactans kan worden gemengd met Dl-water in een surfactans bron volgens een bewerkingsrecept en wordt dan gesproeid op de resistente laag van het substraat door een chemische opening zoals de opening 143. De surfactans is een materiaal dat sterk de oppervlakte spanning kan verminderen indien deze wordt gebruikt in 7 een lage concentratie. De surfactans omvat verschillende typen zoals niet ionisch, anionisch, cationisch, of amfoteer. Een geschikte surfactans is compatibel met het resistente materiaal en kan effectief de oppervlaktespanning van de resistente laag verminderen. Een type surfactans kan worden gebruikt of verschillende typen 5 surfactans kunnen worden gecombineerd voor het reinigen om een geoptimaliseerd effect te bereiken bij het verminderen van de oppervlaktespanning van de resistente laag. De twee opties kunnen als een alternatief worden gebruikt of worden geïntegreerd in de verschillende uitvoeringsvormen.

[0022] De voorbehandelingsstap 320 is ontworpen om de formatie van 10 microbellen tijdens het vullen van het immersie fluïdum voor de daarop volgende stap te verminderen. Het voorbehandelingsproces 322, 324, 326 kan alleen of gecombineerd worden gebruikt voor een optimaal resultaat. Bijvoorbeeld kan de resistente laag met een surfactans/DIW gereinigd worden en dan worden gevuld met ontgast Dl water. In een ander voorbeeld kan een fluïdum laag worden gevormd 15 op de resistente laag en daarna wordt het ontgaste Dl water gevuld in de ruimte tussen het lenssysteem en het substraat. Na een voorbehandelingsproces kan de contacthoek tussen de DIW en de resistente laag worden verkleind tot minder dan ongeveer 100 graden. De processen 322 en 326 kunnen worden uitgevoerd in een andere kamer en kunnen andere afgiftestructuren gebruiken.

20 [0023] Bij stap 330 kan het proces 300 met het immersie fluïdum de ruimte vullen tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110. Het immersie fluïdum kan Dl water zijn en kan worden voorzien via de invoer 141. Het immersie fluïdum kan slechts gedeeltelijk de ruimte vullen tussen het lenssysteem 130 en het substraat 110. Bijvoorbeeld kan de ruimte onder een verlichtingsbron worden gevuld 25 en kan het gevulde immersie fluïdum zich verplaatsen samen met de verlichtingsbron. Het immersie fluïdum kan worden ontgast door het ontgasproces 324. Het bovenste oppervlak van de resistente laag 120 kan worden gereinigd met DIW, surfactans/DIW, of gedeeltelijk worden blootgelegd/DIW gereinigd, en daarna worden gevuld met het immersie fluïdum.

30 [0024] Het proces 300 kan verder gaan met stap 340 door het blootleggen van de resistente laag 120. De resistente laag 120 wordt verlicht met de stralingsenergie van de stralingsbron door het lenssysteem, een van een patroon voorzien masker, en het immersie fluïdum dat is gevuld in de ruimte tussen het lenssysteem het substraat. De stralingsbron kan een ultraviolette lichtbron zijn, 8 bijvoorbeeld een kryptonfluoride (KrF, 248 mm), of een argonfluoride (ArF, 193 mm), of een F2 (157 mm) excimeer laser. De wafer wordt blootgelegd aan de straling voor een vooraf bepaalde tijdsduur in relatie tot de blootstellingsdosis en de intensiteit van de stralingsbron.

5 [0025] Andere bewerkingsstappen kunnen worden geïntegreerd in het proces 300. Bijvoorbeeld kan een ontwikkelproces worden geïmplementeerd na stap 340 om de blootgelegde (of afgeschermde) resistente gebieden te verwijderen om een van het patroon voorziene resistente laag te vormen. De resistente laag kan thermisch worden bewerkt door verschillende bakstappen zoals een na bloot-10 leggingsbakstap (PEB) tussen het blootleggen en het ontwikkelen, en een hard bakken na het ontwikkelen.

[0026] Dus, de onderhavige beschrijving verschaft een immersie lithografie systeem. Het systeem omvat een afbeeldingslens die is voorzien van een voorste oppervlak, een substraatplatform dat is gepositioneerd onder het voorste oppervlak 15 van de afbeeldingslens, en een fluïdum vasthoudstructuur die is geconfigureerd om een fluïdum vast te houden dat ten minste gedeeltelijk een ruimte vult tussen het voorste oppervlak en het substraat op het substraatplatform. De fluïdum vasthoudende structuur omvat verder een eerste invoer en/of een tweede invoer. De eerste invoer is dichtbij de afbeeldingslens gepositioneerd en is gekoppeld met een 20 vacuümpompsysteem, waarbij de eerste invoer werkzaam is om het eerste fluïdum aan de ruimte te verschaffen. De tweede invoer is dichtbij de afbeeldingslens gepositioneerd en werkzaam om een tweede fluïdum op het substraat te verschaffen. In het systeem kan het tweede fluïdum worden geselecteerd uit de groep omvattende lucht, stikstof, zuurstof, gedeïoniseerd water, alcohol, surfactans, 25 en combinaties daarvan. De fluïdum vasthoud module kan worden geconfigureerd rond de afbeeldingslens. Het vacuümpompsysteem kan werkzaam zijn om het eerste fluïdum te ontgassen en de eerste invoer is geconfigureerd om het eerste fluïdum over te brengen nadat dit is ontgast.

[0027] De onderhavige beschrijving verschaft ook een immersie lithografie 30 inrichting. De inrichting omvat een afbeeldingslens die is voorzien van een voorste oppervlak, een substraatplatform dat is gepositioneerd onder het voorste oppervlak van de afbeeldingslens, een fluïdum vasthoudmodule die is gepositioneerd dichtbij de afbeeldingslens en die is geconfigureerd om het fluïdum vast te houden dat ten minste gedeeltelijk een ruimte vult tussen het voorste oppervlak en het substraat op 9 het substraatplatform, en een fluïdum ingangsysteem dat is geconfigureerd om te ontgassen en om het fluïdum over te brengen naar de ruimte tussen een voorste oppervlak en het substraat op het substraatplatform. In deze inrichting kan het fluïdum invoersysteem ten minste een pomp omvatten die is geconfigureerd om het 5 eerste fluïdum te ontgassen. De pomp kan het fluïdum inbrengen met een druk die lager is dan een atmosfeer. Het fluïdum invoersysteem omvat ten minste twee invoeren die elk werkzaam zijn om het fluïdum af te geven aan de ruimte.

[0028] De onderhavige beschrijving verschaft ook een immersie fotolithografie proces. Het proces omvat het vormen van een resistente laag op een 10 substraat, het vormen van een eerste fluïdum laag op de resistente laag, het uitgeven van een tweede fluïdum om een ruimte te vullen tussen een afbeeldingslens en een resistent laag, en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische blootstelling op de resistente laag uit te voeren. In het proces kan de eerste fluïdum laag een fluïdum materiaal omvatten dat is geselecteerd uit de 15 groep omvattende gedeïoniseerd water, een surfactans, een polymeer, een isopropylalcohol, een zuur fluïdum, een basis fluïdum, een oplosmiddel en/of combinaties daarvan. De eerste fluïdum laag kan zijn gevormd op de resistente laag via een mondstuk. Het mondstuk kan zijn geïntegreerd in een immersie kop. De eerste fluïdum laag kan als een alternatief zijn gevormd op het substraat voor het 20 resistent coaten. Het tweede fluïdum kan het gedeïoniseerde water omvatten, het ontgaste hoge n fluïdum (bijvoorbeeld, een H3P04 oplossing), of het ontgaste gedeïoniseerde water. De resistente laag kan een contacthoek hebben met het tweede fluïdum die kleiner is dan 100 graden na het vormen van de eerste fluïdum laag op de resistente laag.

25 [0029] De onderhavige beschrijving verschaft ook een immersie fotolitho grafie proces. Het proces omvat, het vormen van een resistente laag op een substraat, het voorbehandelen om defecten te verminderen behorende bij een eerste fluïdum tijdens verlichting, het uitgeven van het eerste fluïdum om een ruimte te vullen tussen een afbeeldingslens en de resistente laag die is gevormd op het 30 substraat die is gepositioneerd op een substraatplaftorm, na de voorbehandeling en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische blootstelling op de resistente laag op het substraat uit te voeren. De voorbehandeling omvat ten minste: het ontgassen van het eerste fluïdum; 10 het vormen van een tweede fluïdumlaag op de resistente laag; het gedeeltelijk blootleggen van de resistente laag en het gedeïoni-seerde water dat de resistente laag zuivert; en het zuiveren van de resistente laag met een surfactans, een zuur 5 oplossing, een basis oplossing, een oplosmiddel, gedeïoniseerd water of combinaties daarvan.

[0030] In dit proces, kan het eerste fluïdum gedeïoniseerd water omvatten. De tweede fluïdumlaag kan een fluïdum materiaal omvatten dat is geselecteerd uit de groep omvattende gedeïoniseerd water, een surfactans, een polymeer, een 10 isopropylalcohol, of combinaties daarvan. Het ontgassen van het eerste fluïdum kan het gebruiken van ten minste een vacuümpomp omvatten. Een resistente laag kan een contacthoek hebben die kleiner is dan 100 graden na de voorbehandeling.

[0031] De onderhavige beschrijving verschaft ook een immersie foto-lithografieproces. Het proces omvat: het vormen van een resistente laag op het 15 substraat, het ontgassen en het verspreiden van het gedeïoniseerde water of hoge n fluïdum om een ruimte te vullen tussen een afbeeldingslens en de resistente laag die is gevormd op het substraat dat is gepositioneerd onder de afbeeldingslens, en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische blootstelling op de resistente laag uit te voeren.

20 [0032] Alhoewel uitvoeringsvormen van de onderhavige beschrijving in detail zijn beschreven, zullen diegene bekwaam in de techniek begrijpen dat zij verschillende veranderingen, substituties en wijzigingen kunnen uitvoeren zonder de beschermingsomvang van de onderhavige beschrijving te verlaten.

1 0 32 1 26 ;

Claims

1. Immersie lithografie systeem, omvattende: een afbeeldingslens die een voorste oppervlak heeft; 5 een substraatplatform dat is gepositioneerd onder het voorste oppervlak van de afbeeldingslens; en een immersie fluïdum vasthoudstructuur die is geconfigureerd om een eerste fluïdum vast te houden dat ten minste gedeeltelijk een ruimte vult tussen het voorste oppervlak en het substraat op het substraatplatform, en de immersie 10 fluïdum vasthoudende structuur is verder voorzien van; een eerste invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd en die is gekoppeld met een vacuümpompsysteem, waarbij de eerste invoer werkzaam is om het eerste fluïdum te verschaffen aan de ruimte tussen het voorste oppervlak en het substraat; 15 een tweede invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd en die werkzaam is om een tweede fluïdum op het substraat te verschaffen; waarbij het tweede fluïdum is geselecteerd uit de groep omvattende gedeïoniseerd water, alcohol, surfactans, hetzelfde en combinaties daarvan; en een derde invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd 20 en die werkzaam is om een tweede fluïdum op het substraat te verschaffen, waarbij het tweede fluïdum is geselecteerd uit de groep omvattende lucht, stikstof, zuurstof, hetzelfde en combinaties daarvan.

2. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de immersie fluïdum vasthoudende structuur is geconfigureerd rond de afbeeldingslens.

3. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het vacuümpompsysteem werkzaam is om het eerste fluïdum te ontgassen en de eerste invoer is geconfigureerd om het eerste fluïdum over te brengen naar de ruimte nadat dit is ontgast.

4. Immersie lithografie inrichting, omvattende: 30 een afbeeldingslens die een voorste oppervlak heeft; een substraat platform dat is gepositioneerd onder het voorste oppervlak van de afbeeldingslens; een fluïdum vasthoudmodule die is gepositioneerd dichtbij de afbeeldingslens en die is geconfigureerd om een fluïdum vast te houden daarbij ten 1032126 minste gedeeltelijk een ruimte vullend tussen het voorste oppervlak en het substraat op het substraat platform; en een fluïdum invoer systeem dat is geconfigureerd om het fluïdum te ontgassen en over te brengen naar de ruimte, waarbij het fluïdum invoersysteem is 5 voorzien van: een eerste invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd; waarbij de eerste invoer werkzaam is om het eerste fluïdum te verschaffen aan de ruimte tussen het voorste oppervlak en het substraat; een tweede invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd 10 en die werkzaam is om een tweede fluïdum op het substraat te verschaffen; waarbij het tweede fluïdum is geselecteerd uit de groep omvattende gedeïoniseerd water, alcohol, surfactans, hetzelfde en combinaties daarvan; en een derde invoer die dichtbij de afbeeldingslens is gepositioneerd en die werkzaam is om een tweede fluïdum op het substraat te verschaffen, waarbij 15 het tweede fluïdum is geselecteerd uit de groep omvattende lucht, stikstof, zuurstof, hetzelfde en combinaties daarvan.

5 Resist coating Resistente coating Fluid Layer Fluïdum laag Degas DIW Ontgast DIW Resist Preprocess Resistent voorproces Fill DIW Vul DIW

5. Inrichting volgens conclusie 4, waarbij het fluïdum invoersysteem ten minste een pomp omvat die is geconfigureerd om het fluïdum te ontgassen.

6. Inrichting volgens conclusie 5, waarbij de pomp het fluïdum inbrengt 20 met een druk die lager is dan een atmosfeer.

7. Immersie fotolithografisch proces omvattende: het vormen van een resistente laag op een substraat; het vormen van een eerste fluïdumlaag op de resistente laag; het uitgeven van een tweede fluïdum om een ruimte te vullen tussen 25 een afbeeldingslens en de resistente laag; het gedeeltelijk blootleggen van de resistente laag door het gebruiken van een stralingsbron; en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische blootstelling op de resistente laag uit te voeren.

8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de eerste fluïdum laag is voorzien van een fluïdum die is geselecteerd uit de groep omvattende gedeïoniseerd water, een surfactans, een zuur oplossing, een basis oplossing, een oplosmiddel, een polymeer, isopropylalcohol, en combinaties daarvan.

9. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de eerste fluïdumlaag is gevormd op de resistente laag via een mondstuk.

10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij het mondstuk is geïntegreerd in een immersiekop.

11. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij het tweede fluïdum is 5 voorzien van gedeïoniseerd water.

12. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij het tweede fluïdum is voorzien van een ontgast gedeïoniseerd water.

13. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij het tweede fluïdum een contacthoek heeft, met de resistente laag die kleiner is dan 100 graden na het 10 vormen van de eerste fluïdumlaag op de resistente laag.

14. Immersie fotolithografieproces omvattende: het vormen van een resistente laag op een substraat; het voorbehandelen om defecten te verminderen behorende bij de immersie fotolithografie werkwijze, waarbij de voorbehandeling is voorzien van: 15 het gedeeltelijk blootleggen van de resistente laag door het gebruiken van een stralingsbron en het reinigen van de resistente laag met gedeïoniseerd water (DIW); het uitgeven van een eerste fluïdum om een ruimte te vullen tussen een afbeeldingslens en de resistente laag die is gevormd op het substraat die is 20 gepositioneerd op een substraatplatform, na de voorbehandeling; en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische blootstelling op de resistente laag uit te voeren.

15. Werkwijze volgens conclusie 14, waarbij de voorbehandeling is voorzien van ten minste: 25 het ontgassen van het eerste fluïdum; het vormen van een tweede fluïdumlaag op de resistente laag; en het reinigen van de resistente laag met een surfactans, een zuur oplossing, een basis oplossing, een oplosmiddel, DIW, of een combinatie daarvan.

16. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij het eerste fluïdum is voor 30 zien van gedeïoniseerd water.

17. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij de tweede fluïdumlaag is voorzien van het fluïdum materiaal dat is geselecteerd uit de groep omvattende gedeïoniseerd water, een surfactans, een polymeer, een isopropylalcohol, en combinaties daarvan.

18. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij het ontgassen van het eerste fluïdum het gebruiken van ten minste een vacuümpomp omvat.

19. Werkwijze volgens conclusie 15, waarbij de resistente laag een contacthoek ten opzichte van het eerste fluïdum heeft die kleiner dan 100 graden is 5 na de voorbehandeling.

20. Immersie fotolithografie werkwijze omvattende: het vormen van een resistente laag op een substraat; het gedeeltelijk blootleggen van de resistente laag door het gebruiken van een stralingsbron en het reinigen van de resistente laag met 10 gedeïoniseerd water (DIW); het ontgassen en het verspreiden van het gedeïoniseerde water om een ruimte te vullen tussen een afbeeldingslens en de resistente laag die is gevormd op het substraat dat is gepositioneerd onder de afbeeldingslens; en het verlichten van de afbeeldingslens om een lithografische bloot-15 stelling op de resistente laag uit te voeren. Lijst met verwijzingen Figuur 3

10 Resist Exposure Resistente blootstelling 1032126