KR970051189A - 메모리의 데이타 읽기회로 - Google Patents

메모리의 데이타 읽기회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970051189A
KR970051189A KR1019950046858A KR19950046858A KR970051189A KR 970051189 A KR970051189 A KR 970051189A KR 1019950046858 A KR1019950046858 A KR 1019950046858A KR 19950046858 A KR19950046858 A KR 19950046858A KR 970051189 A KR970051189 A KR 970051189A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
amplifier
inverter
terminal
data
Prior art date
Application number
KR1019950046858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0161881B1 (ko
Inventor
이상현
성하민
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950046858A priority Critical patent/KR0161881B1/ko
Priority to US08/724,886 priority patent/US5708607A/en
Priority to JP8333129A priority patent/JP2775428B2/ja
Publication of KR970051189A publication Critical patent/KR970051189A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0161881B1 publication Critical patent/KR0161881B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 메모리의 어드레싱(Addressing)된 데이터를 읽어낼 때의 읽기회로에 관한 것으로, 특히 메모리의 고집적화 추세와 그에 따른 저항성분 및 콘덴서 성분의 증가로 인한 메모리의 읽기동작 모드에서의 지연효과를 줄여 그로인한 어드레싱된 해당데이타의 출력시의 스피드 개선에 관한 메모리의 데이터 읽기회로에 관한 것이다.
센스엠프로부터 출력된 데이터를 입력받아 제어단자의 제어를 받아 반전출력하는 인버터부와, 상기 인버터부의 출력을 입력받고 제어단자의 제어를 받아 데이터버스 라인(DOUTB)을 전원전압(VCC)의 1/2로 미리 프리차지(Precharge)시키는 프리차지부와, 상기 프리차지부로 부터 발생된 데이터를 입력받아 증폭시키는 제1증폭부와, 입력단자가 상기 제1증폭부의 입력단자와 공통접속되어 상기 인버터부에서 발생된 신호를 입력받아 증폭시키는 제2증폭부와, 상기 제1증폭부와 제2증폭부에서 발생한 신호를 입력받아 증폭, 출력하는 출력버퍼부로 구성한다.

Description

메모리의 데이터 읽기회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 데이터 읽기회로의 일 실시예를 나타낸 회로도.

Claims (7)

  1. 센스엠프로부터 출력된 데이터를 입력받아 반전출력하는 인버터부와, 상기 인버터부의 출력단자인 데이터버스라인(DOUTB)를 Vcc/2로 프리차지시키는 프리차지부와, 상기 인버터부에서 출력된 신호를 입력받아 증폭하는 제1증폭부와, 상기 제1증폭부의 입력단자와 공통 접속되어 상기 인버터부에서 출력된 신호를 입력받아 증폭하는 제2증폭부와, 상기 제1 및 제2증폭부에서 증폭된 신호를 입력받아 반전증폭후 출력하는 출력버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리의 데이터읽기 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1증폭부는 상기 인버터부에서 출력된 1비트 데이터를 인가받아 증폭출력하는 제1차동 증폭부와, 상기 제1차동 증폭부에서 출력된 신호를 보다 더 빠르게 H레벨로 변환시키는 제1하이레벨 차지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리의 데이터읽기 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1차동 증폭부는 다수개의 피모스트랜지스터와 엔모스 트랜지스터의 조합으로 구성된 커런트 미러형 미분증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리의 데이터 읽기 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1하이레벨 차지부는 소오스전극이 전원전압에 접속되고 게이트전극이 제어단자 P3와 후술하는 전송게이트의 L측제어단자에 공통접속되고 드레인전극이 상기 제1차동증폭부의 피모스게이트의 드레인전극과 출력버퍼부의 인버터의 입력단자(DSB)에 공통접속되는 피모스트랜지스터와, 일측이 노드 X에 접속되고 타측이 상기 프리차지부의 출력단자(DOUTB)에 접속되며 L측제어단자는 상기 제1차동증폭부의 엔모스트랜지스터의 게이트전극에 접속되며 H측 제어단자는 제2증폭부의 인버터의 출력단자에 접속되는 전송게이트와, 일측이 노드 X에 접속되고 타측이 공통전위에 접속되는 콘덴서를 포함함을 특징으로 하는 메모리의 데이터 읽기 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2증폭부는 상기 인버터부에서 발생된 신호를 인가받아 기준 전압단자에 인가된 기준전압(VREF)과의 차를 증폭하여 출력하는 제2차동 증폭부와, 상기 제2차동 증폭부에서 발생된 신호를 보다 빠르게 감지하여 출력버퍼부로 전달하는 제2항이레벨 차지부를 포함함을 특징으로 하는 매모리의 데이터 읽기회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2차동증폭부는 다수개의 피모스트랜지스터와 엔모스트랜지스터의 조합으로 구성된 커런 트 미러형 미분증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리의 데이터 읽기 회로.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2하이레벨 차지부는 소오스전극이 전원전압에 접속되고 게이트전극이 제어단자 P3와 상기 엔모스트랜지스터의 게이트전극 및 상기 인버터의 입력단자에 공통접속되고 드레인전극이 상기 피모스트랜지스터의 드레인전극(DS단자) 및 상기 출력버퍼부의 인버터의 입력단자에 공통접속되는 피모스트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 메모리의 데이터 읽기회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950046858A 1995-12-05 1995-12-05 메모리의 데이타 읽기회로 KR0161881B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950046858A KR0161881B1 (ko) 1995-12-05 1995-12-05 메모리의 데이타 읽기회로
US08/724,886 US5708607A (en) 1995-12-05 1996-10-03 Data read circuit of a memory
JP8333129A JP2775428B2 (ja) 1995-12-05 1996-11-29 メモリのデータ読み出し回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950046858A KR0161881B1 (ko) 1995-12-05 1995-12-05 메모리의 데이타 읽기회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970051189A true KR970051189A (ko) 1997-07-29
KR0161881B1 KR0161881B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19437906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950046858A KR0161881B1 (ko) 1995-12-05 1995-12-05 메모리의 데이타 읽기회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5708607A (ko)
JP (1) JP2775428B2 (ko)
KR (1) KR0161881B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513391B1 (ko) * 1998-05-06 2005-11-28 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3169835B2 (ja) * 1996-07-31 2001-05-28 日本電気株式会社 半導体装置
KR100259338B1 (ko) * 1997-05-21 2000-06-15 김영환 반도체소자의 읽기회로
US6032274A (en) * 1997-06-20 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for compressed data testing of more than one memory array
US5935263A (en) * 1997-07-01 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for memory array compressed data testing
US5959921A (en) * 1997-07-24 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Sense amplifier for complement or no-complementary data signals
US5809038A (en) * 1997-07-24 1998-09-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reading compressed test data from memory devices
JPH11203881A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp データ読み出し回路
US6295618B1 (en) * 1998-08-25 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for data compression in memory devices
KR100465599B1 (ko) * 2001-12-07 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 데이타 출력 버퍼
US9068003B2 (en) 2007-01-10 2015-06-30 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Dept. Of Health And Human Services Antibodies that bind to TL1A and methods of treating inflammatory or autoimmune disease comprising administering such antibodies
US9896511B2 (en) 2007-01-10 2018-02-20 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Dept. Of Health And Human Services Antibodies that bind to TL1A and methods of treating inflammatory or autoimmune disease comprising administering such antibodies
CN104793685B (zh) * 2015-04-17 2016-06-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 基准电压产生电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126974A (en) * 1989-01-20 1992-06-30 Hitachi, Ltd. Sense amplifier for a memory device
GB2286072B (en) * 1994-01-31 1998-02-25 Advanced Risc Mach Ltd Sense amplification in data memories

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513391B1 (ko) * 1998-05-06 2005-11-28 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09180462A (ja) 1997-07-11
US5708607A (en) 1998-01-13
JP2775428B2 (ja) 1998-07-16
KR0161881B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980004950A (ko) 반도체 메모리장치의 감지증폭기
KR930014605A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR970051189A (ko) 메모리의 데이타 읽기회로
US5537066A (en) Flip-flop type amplifier circuit
KR950009718A (ko) 고속 감지 증폭기
KR920017116A (ko) 전류 감지 증폭회로
KR970707552A (ko) 비트라인 레벨 둔감형 센스 증폭기(bitline level insensitive sense amplifier)
KR960030248A (ko) 센스 증폭기
US5519662A (en) Semiconductor memory device
EP0420189B1 (en) Sense amplifier circuit
US6327190B1 (en) Complementary differential input buffer for a semiconductor memory device
JP2756797B2 (ja) Fetセンス・アンプ
US5724299A (en) Multiport register file memory using small voltage swing for write operation
US4606012A (en) Sense amplifier
KR970031240A (ko) 출력하한값에 대한 리미트기능을 갖는 증폭회로 및 상보형 증폭회로(amplifier circuit and complementary amplifier circuit with limiting function for output lower limit)
KR0134025B1 (ko) 자동증폭회로
JP2680939B2 (ja) 半導体記憶装置
KR930008848A (ko) 반도체 집적회로
US6114881A (en) Current mirror type sense amplifier
KR100567052B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 센스 앰프
KR100357041B1 (ko) 저전압용전류감지증폭기
KR970023402A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
JP2690212B2 (ja) 半導体メモリ装置用電流検出型データバス増幅器
KR20030002504A (ko) 높은 동작 주파수에서도 안정적으로 동작하는 반도체메모리 장치의 입출력 라인 감지 증폭 회로
KR960035636A (ko) 전류증폭형 센스 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110726

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120720

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee