KR970013425A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

2종류 이상의 전원계를 한 장치내에 갖는 반도체 장치의 개선에 관한 것이다. 제1저전위측/고전위측 전원선(Vss1, Vdd1)과 제2저전위측/고전위측 전원선(Vss2, Vdd2) 사이에 제1저전위측/고전위측 전원선(Vss1, Vdd1)과 제2저전위측/고전위측 전원선(Vss2, Vdd2)의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 제1저전위측/고전위측 전원선(Vss1, Vdd1)과 제2저전위측/고전위측 전원선(Vss2, Vdd2)을 도통시키는 보호 회로(HK1)가 설치되어 이루어진 것이다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 제1실시 형태에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 제1도.

Claims (12)

  1. 제1저전위측 전원선과 제1고전위측 전원선으로부터 공급되는 제1전원 전압에 의해 동작하는 제1회로; 제2저전위측 전원선과 제2고전위측 전원선으로부터 공급되는 제2전원 전압에 의해 동작하는 제2회로; 및 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에 접속되고, 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에서 신호를 전달하는 신호선을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 상기 제1저전위측/고전위측 전원선과 상기 제2저전위측/고전위측 전원선 사이에, 상기 제1저전위측/고전위측 전원선과 상기 제2저전위측/고전위측 전원선의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 제1저전위측/고전위측 전원선과 상기 제2저전위측/고전위측 전원선을 도통시키는 보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1고전위측 전원선과 상기 제2고전위측 전원선 사이에, 상기 제1고전위측 전원선과상기 제2고전위측 전원선의 전위차가 소정의 값을 초과했을때 상기 제1고전위측 전원선과 상기 제2고전위측 전원선을 도통시키는 제1보호 회로가 설치되고, 또 상기 제1저전위측 전원선과 상기 제2저전위측 전원선 사이에.상기 제1저전위측 전원선과 상기 제2저전위측 전원선의 전위차가 소정의 값을 초과했을때, 상기 제1저전위측 전원선과 상기 제2저전위측 전원선을 도통시키는 제2보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 저전위측 전원선과 고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제1회로; 상기 저전위측 전원선과 상기 고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제2회로; 및 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에 접속되고, 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에서 신호를 전달하는 신호선을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 필요 이상으로 긴 상기 저전위측/고전위측 전원선의, 상기 제1회로 근방에서의 전위와 상기 제2회로 근방에서의 전위와의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 제1회로 근반의 상기 저전위측/고전위측 전원선과 상기 제2회로 근반의 상기 저전위측/고전위측 전원선을 단락시키는 보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1저전위측 전원선과 제1고전위측 전원선으로부터 공급되는 제1전원 전압에 의해 동작하는 제1회로; 제2저전위측 전원선과 제2고전위측 전원선으로부터 공급되는 제2전원 전압에 의해 동작하는 제2회로; 및 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에 접속되고, 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에서 신호를 전달하는 신호선을 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2저전위측/고전위측 전원선과 상기 신호선 사이에, 상기 제2저전위측/고전위측 전원선과 상기 신호선과의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 제2저전위측/고전위측 전원선과 상기 신호선을 도통시키는 보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2고전위측 전원선과 상기 신호선 사이에, 상기 제2고전위측 전원선과 상기 신호선과의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 제2고전위측 전원선과 상기 신호선을 도통시키는 제1보호 회로가 설치되고, 또 상기 제2저전위측 전원선과 상기 신호선 사이에, 상기 제2저전위측 전원선과 상기 신호선과의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 제2저전위측 전원선과 상기 신호선의 전원선을 도통시키는 제2보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 저전위측 전원선과 고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제1회로; 상기 저전위측 전원선과 상기 고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제2회로; 및 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에 접속되고, 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에서 신호를 전달하는 신호선을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 상기 신호선의 전위와, 필요 이상으로 긴 상기 저전위측/고전위측 전원선의 상기 제2회로 근방에서의 전위의 전위차가 소정의 값을 초과했을 때, 상기 신호선과, 상기 제2회로 근방의 상기 저전위측/고전위측 전원선을 단락시키는 보호 회로가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신호선에는, 상기 제2회로의 입출력 회로를 구성하는 MOS형 트랜지스터의 게이트가 접속되고, 상기 제2저전위/고전위측 전원선 혹은 상기 제2회로에 접속하는 저전위측/고전위측 전원선에는 상기 MOS형 트랜지스터의 소오스/드레인이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 회로는 MOS형 트랜지스터, 다이오드, 바이폴라 트랜지스터 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제1저전위측 전원선과 제1고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제1회로; 제2저전위측 전원선과 제2고전위측 전원선으로부터 공급되는 전원 전압에 의해 동작하는 제2회로; 및 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에 접속되고, 상기 제1회로와 상기 제2회로 사이에서 신호를 전달하는 신호선을 갖는 반도체 장치에 있어서, 통상 동작에 비해 과대한 전류가 상기 신호선에 유입되는 이상 동작시에 도통하여 상기 신호선에 유입되는 과대한 전류를 분기시키는 보호 회로가, 상기 제1저전위측/고전위측 전원선과 상기 제2저전위측/고전위측 전원선 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호 회로는, 제1고전위측의 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 드레인 /소오스가 도통하고 있는 p채널형의 제1MOS트랜지스터; 제1저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되고, 제2고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되며, 게이트와 상기 드레인/소오스가 도통하고 있는 p채널형 제2MOS트랜지스터; 제1고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제1저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 드레인/소오스가 도통하고 있는 p채널형의 제3MOS트랜지스터; 및 상기 제2고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 드레인/소오스가 도통하고 있는 p채널형 제4MOS트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 보호 회로는, 제1고전위측의 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 소오스/드레인이 도통하고 있는 n채널형의 제1MOS트랜지스터; 제1저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되고, 제2고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되며, 게이트와 상기 소오스/드레인이 도통하고 있는 n채널형 제2MOS트랜지스터; 제1고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제1저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 소오스/드레인이 도통하고 있는 n채널형의 제3MOS트랜지스터; 및 제2고전위측 전원선에 그 드레인/소오스가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 소오스/드레인이 접속되며, 게이트와 상기 소오스/드레인이 도통하고 있는 n채널형 제4MOS트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 보호 회로는, 제1고전위측의 전원선에 그 캐소드가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 애노드가 접속된 제1다이오드; 제1저전위측 전원선에 그 애노드가 접속되고, 제2고전위측 전원선에 그 캐소드가 접속된 제2다이오드, 제1고전위측 전원선에 그 캐소드가 접속되고, 제1저전위측 전원선에 그 애노드가 접속된 제3다이오드, 및 제2고전위측 전원선에 그 캐소드가 접속되고, 제2저전위측 전원선에 그 애노드가 접속된 제4다이오드를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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