KR970002487A - 반투명 보조패턴으로 보조된 주패턴을 정확히 전사하기 위하여 노광장치에 사용된 포토마스크와 그 제조방법 - Google Patents

반투명 보조패턴으로 보조된 주패턴을 정확히 전사하기 위하여 노광장치에 사용된 포토마스크와 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

포토마스크는 차광 스트립(11a/11b)으로 구성된 주패턴(11)과 반투명 스트립(12a∼12f)으로 구성된 보조패턴(12)을 가지며, 보조패턴의 효과를 저하시키지 않으면서 차광 스트립을 해상도 한계에 근접시키기 위하여 차광 스트립의 폭은 반투명 스트립의 폭과 같게한다.

Description

반투명 보조패턴으로 보조된 주패턴을 정확히 전사하기 위하여 노광장치에 사용된 포토마스크와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 포토마스크의 일부분의 레이아웃 평면도, 제5도는 본 발명에 따른 또다른 포토마스크의 평면도, 제6도는 본 발명에 따른 또다른 포토마스크의 단면도, 제8도는 본 발명에 따른 또다른 포토마스크의 평면도, 제11도는 본 발명에 따른 또다른 포토마스크의 평면도, 제12도는 본 발명에 따른 또 다른 포토마스크의 단면도, 제13A∼13F도는 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법의 순서를 나타내는 단면도.

Claims (14)

  1. 광감층으로의 패턴 전사시 사용되는 포토마스크에 있어서, 제1투과율을 갖는 기판(10;20;31;41;51;61)과, 상기 기판의 제1영역에 형성되며, 제2투과율을 갖는 차광 패턴(11;21;32;46;53;62)과, 상기 광감층으로 주패턴을 정확히 전사하기위한 광 조사를 초래하는 보조패턴을 구비하며, 상기 제2투과율보다 크고 상기 제1투과율보다 작은제3투과율을 갖는 반투명 패턴(12;22;34;47;54;63)이 상기 제1영역 부근의 상기 기판의 제2영역에 형성되며, 상기차광 패턴과, 상기 기판 및 반투명 패턴중의 하나는 광조사에 의하여 상기 광감층에 전사되는 상기 주패턴을 형성하며,상기 반투명 패턴과, 상기 기판 및 상기 차광 패턴중의 하나는 상기 보조패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반투명 패턴(12)과 상기 차광 패턴(11) 각각은 상기 기판상에 형성된 복수개의 반투명 스트립(12a∼12f)과 상기 기판상에 형성된 하나 이상의 불투명 스트립(11)을 포함하며, 상기 복수개의 반투명 스트립각각의 크기는 상기 하나 이상의 불투명 스트립과 동일한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수개의 반투명 스트립(12a∼12f)은 상기 하나 이상의 불투명 스트립의 한 측부에 부분적으로 제공되고 상기 하나 이상의 불투명 스트립의 다른 측부에 부분적으로 제공되며, 상기 복수개의 반투명 스트립과 상기 불투명 스트립은 일정한 피치로 배열되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서, 인접한 2개의 상기 복수개의 반투명 스트립(12a∼12f)간의 갭 및 상기 하나 이상의 불투명스트립(11)의 폭은 각각의 상기 복수개의 반투명 스트립과 상기 불투명 스트립의 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제2항에 있어서, 상기 차광 패턴(21;32;62)은 상기 하나 이상의 불투명 스트립(211;32a;62a)의 크기와동일한 크기를 갖는 불투명 스트립(212∼21n;32b∼32d;62b∼62e)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하나 이상의 불투명 스트립(211;32a)과 상기 불투명 스트립(212∼21n;32b∼32d)은상기 복수개의 반투명 스트립중에서 선택된 스트립(22a∼22c;34d∼34g)과 상기 복수개의 반투명 스트립중의 나머지에서 선택된 스트립(22d∼22f, 34h∼34j) 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 제5항에 있어서, 상기 복수개의 반투명 스트립(63a∼63f)은 상기 하나 이상의 불투명 스트립(62a) 및 상기불투명 스트립(62b-62e)과 교대로 배열되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반투명 패턴(47)은 상기 기판상에서 상호 간격을 두고 형성된 복수개의 반투명판(42/43)을 포함하며, 상기 차광 패턴(46)은 상기 복수개의 반투명판상에서 소정 간격으로 형성된 복수개의 불투명 스트립(44a∼44h)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 복수개의 불투명 스트립의 폭 각각은 상기 복수개의 불투명 스트립사이의 갭에 노출된 상기 반투명판의 반투명 부분 각각의 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반투명 패턴은 반투명판(52)을 포함하며, 상기 차광 패턴(53)은 상기 반투명판상에소정 간격으로 형성된 복수개의 불투명 스트립(53a∼53e)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  11. 제10항에 있어서, 상기 복수개의 불투명 스트립 각각은 상기 복수개의 불투명 스트립사이의 갭에 노출된각각의 반투명 부분보다 더 협소한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  12. 제1항에 있어서, 상기 반투명 패턴과 차광 패턴은 각각 몰리브덴 실리사이드와크롬으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  13. 제1항에 있어서, n이 자연수인 경우에, 상기 기판을 통과하는 광선과 상기 반투명 패턴을 통과하는 광선간의 위상차 범위가 포토레지스트층상에서 (360×n+10)도 사이가 되도록 상기 반투명 패턴의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  14. 포토마스크 제조방법에 있어서, (a) 제1투과율을 갖는 기판(71)을 준비하는 단계와, (b) 상기 제1투과율보다 작은 제2투과율을 갖는 반투명층(72)과, 상기 기판상에 상기 제2투과율보다 작은 제3투과율을 갖는 에칭 스톱퍼층(73) 및 상기 차광층용 에칭제에 영향을 받지않는 차광층(74)을 적층하여 상기 기판상에 제1다중레벨 구조부를 형성단계와, (c) 상기 제1다중레벨 구조부상에 제1에칭 마스크(75b)를 제공하는 단계와, (d) 상기 제1다중레벨 구조부를 선택적으로 에칭하여 상기 제1다중레벨 구조부로부터 제2다중레벨 구조부를 형성하여 상기 기판의 일부분을 상기 제2다중레벨 구조부에 형성된 중공 공간에 노출시키는 단계와, (e) 상기 제2다중레벨 구조부로부터 상기 제1에칭 마스크를 제거하는 단계와, (f) 상기 제2다중레벨 구조부상에 제2에칭 마스크(77b)를 제공하는 단계와, (g) 상기 제2다중레벨 구조부내에 하나이상의 리세스를 형성하기 위하여 상기 제2다중레벨 구조부의 상기 차광층을 선택적으로 에칭하여, 상기 에칭 스톱퍼층의 일부분을 하나 이상의 리세스에 노출시키는 단계와, (h) 상기 제2에칭 마스크를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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