JPS62189468A - ホトマスク,及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスク,及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法Info
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- JPS62189468A JPS62189468A JP61030833A JP3083386A JPS62189468A JP S62189468 A JPS62189468 A JP S62189468A JP 61030833 A JP61030833 A JP 61030833A JP 3083386 A JP3083386 A JP 3083386A JP S62189468 A JPS62189468 A JP S62189468A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、投影露光装置の原画であるホトマスク(また
はレティクル)に係り、特に微細パターンを転写するの
に好適なホトマスクに関する。
はレティクル)に係り、特に微細パターンを転写するの
に好適なホトマスクに関する。
原画パターンの描かれたマスク(以下レティクルとする
)を照明系で照明しレティクル上のパターンをウェーハ
上に転写する投影露光装置には、転写できるパターンの
微細化が要求されている。
)を照明系で照明しレティクル上のパターンをウェーハ
上に転写する投影露光装置には、転写できるパターンの
微細化が要求されている。
投影露光装置がどの程度微細なパターンまで転写できる
かを表わす解像力は、レティクル上のパターンがウェー
ハ上に転写された時、隣接する2ケ所の明部が分離でき
るかどうかで評価される。この解像力を向上させる一手
法として、レティクル上の隣接する2ケ所の透過部分の
露光光に位相差を与えればよいことが知られている。従
来、露光光に位相差を与えるレティクルパターンについ
ては、例えば特開昭58−173744が挙げられる。
かを表わす解像力は、レティクル上のパターンがウェー
ハ上に転写された時、隣接する2ケ所の明部が分離でき
るかどうかで評価される。この解像力を向上させる一手
法として、レティクル上の隣接する2ケ所の透過部分の
露光光に位相差を与えればよいことが知られている。従
来、露光光に位相差を与えるレティクルパターンについ
ては、例えば特開昭58−173744が挙げられる。
この従来例で提案されているレティクルは、第4図に示
すごとくレティクル基板1上にパターンの原画となる遮
光部2を設け、更にその上にパターンの原画となる遮光
部2を設け、更に、その上ら露光光の位相を変化させる
層6(以下位相シフト層とする)を設けている。
すごとくレティクル基板1上にパターンの原画となる遮
光部2を設け、更にその上にパターンの原画となる遮光
部2を設け、更に、その上ら露光光の位相を変化させる
層6(以下位相シフト層とする)を設けている。
上記の従来例ではレティクル製作に当っては、まず遮光
パターン形成のための露光、エツチングを必要とし5次
に位相シフト層のパターンを遮光パターンに正しく合せ
て露光する工程が必要である。このためレティクル製作
に必要な霧光工程が2工程必要であり、工程が複雑であ
ることおよび位相シフト層のパターン露光時に位置合せ
誤差が生じた場合は露光光の位相を変える機能が劣化す
ること等の難点がある。
パターン形成のための露光、エツチングを必要とし5次
に位相シフト層のパターンを遮光パターンに正しく合せ
て露光する工程が必要である。このためレティクル製作
に必要な霧光工程が2工程必要であり、工程が複雑であ
ることおよび位相シフト層のパターン露光時に位置合せ
誤差が生じた場合は露光光の位相を変える機能が劣化す
ること等の難点がある。
本発明の目的は、上記難点を解消し1回の露光工程で遮
光パターンの露光光の位相を変えうる構造のレティクル
を作成する技術を提供することにある。
光パターンの露光光の位相を変えうる構造のレティクル
を作成する技術を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では露光光に位相差
を生じさせるたるにレティクル基板であるガラスの厚さ
を部分的に異なるような構造とした。レティクル製造に
当っては、遮光膜上にホトレジストを塗布した後、部分
的に露光エネルギの異なる露光を行って、位相差を生じ
させるためにガラス基板の厚さを薄くする開口部分と、
ガラス基板の厚さを変化させない開口部分とで異なる厚
さのレジストパターンを形成するようにした。そして、
遮光膜とガラス基板のエツチング、レジストのドライエ
ツチング、遮光膜のエツチングの順にエツチングを行う
ことにより、所望のレティクルを提供できるようにした
。
を生じさせるたるにレティクル基板であるガラスの厚さ
を部分的に異なるような構造とした。レティクル製造に
当っては、遮光膜上にホトレジストを塗布した後、部分
的に露光エネルギの異なる露光を行って、位相差を生じ
させるためにガラス基板の厚さを薄くする開口部分と、
ガラス基板の厚さを変化させない開口部分とで異なる厚
さのレジストパターンを形成するようにした。そして、
遮光膜とガラス基板のエツチング、レジストのドライエ
ツチング、遮光膜のエツチングの順にエツチングを行う
ことにより、所望のレティクルを提供できるようにした
。
上述の如き本発明の構成によれば、レティクル基板その
ものの透光部の厚さに差が形成され、上記の差にもとづ
いて透過光の位相を異ならしめることができ、しかも上
記の厚さの差は1回の露光光工程によって形成できる。
ものの透光部の厚さに差が形成され、上記の差にもとづ
いて透過光の位相を異ならしめることができ、しかも上
記の厚さの差は1回の露光光工程によって形成できる。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第1図は、本
発明を適用したレティクルの断面を示す図である。ここ
では、Crから成る遮光膜2ケ5ケ所の開口部3−1.
3−2.3−3.3−4゜3−5からなる5本の線パタ
ーンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手
方向に対して垂直方向の断面を示している0図示したレ
ティクルは、開口部においてガラス基板1の厚さに差t
を与えであることを特徴としている。
発明を適用したレティクルの断面を示す図である。ここ
では、Crから成る遮光膜2ケ5ケ所の開口部3−1.
3−2.3−3.3−4゜3−5からなる5本の線パタ
ーンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手
方向に対して垂直方向の断面を示している0図示したレ
ティクルは、開口部においてガラス基板1の厚さに差t
を与えであることを特徴としている。
位相を変えるための層の厚さtは、その屈折率を。
hS、露光光の波長をλとするとき
で与えられる1例えば1層の材料として石英ガラスを用
いればn=1.46であるので、λ= 0.365μm
の時+ t =0.397μmとなる。第1図に示すよ
うに、5ケ所の開口部のうち1ケ所おきの開口部3−2
.3−4は、ガラス基板が0.397μmだけ除去され
ている。このため、このレティクルを上面からコヒーレ
ンス度の高い照明すると、レティクル透過光(露光光)
の振幅分布は第2図に示すごとく、ガラス基板の厚さが
tだけ薄い開口部に対して厚さが厚い開口部で符号が反
転し、その結果従来の露光光の位相を変えるレティクル
と全く同等の効果が現われる。
いればn=1.46であるので、λ= 0.365μm
の時+ t =0.397μmとなる。第1図に示すよ
うに、5ケ所の開口部のうち1ケ所おきの開口部3−2
.3−4は、ガラス基板が0.397μmだけ除去され
ている。このため、このレティクルを上面からコヒーレ
ンス度の高い照明すると、レティクル透過光(露光光)
の振幅分布は第2図に示すごとく、ガラス基板の厚さが
tだけ薄い開口部に対して厚さが厚い開口部で符号が反
転し、その結果従来の露光光の位相を変えるレティクル
と全く同等の効果が現われる。
次に、本発明のレティクルの製造手順を第3図を用いて
説明する。まず、(A)に示すごとくガラス基板1上に
遮光膜2であるCrを800人蒸着する。更にその上に
ホトレジスト5を塗布する6次に、開口部のパターンを
露光する。このとき、パターンごとに露光強度を変えで
あるので現像処理後のレジストパターンは、(B)に示
すようにパターン部3−2.3−4は完全に除去されて
いるが、パターン部3−1.3−3.3−5はレジスト
膜厚が約172に減少しているだけである。
説明する。まず、(A)に示すごとくガラス基板1上に
遮光膜2であるCrを800人蒸着する。更にその上に
ホトレジスト5を塗布する6次に、開口部のパターンを
露光する。このとき、パターンごとに露光強度を変えで
あるので現像処理後のレジストパターンは、(B)に示
すようにパターン部3−2.3−4は完全に除去されて
いるが、パターン部3−1.3−3.3−5はレジスト
膜厚が約172に減少しているだけである。
ここで硝酸でCrをエツチングし、さらに稀釈したフッ
酸でガラス基板をエツチングすると、(D)に示すよう
に開口部3−2.3−4が形成される。
酸でガラス基板をエツチングすると、(D)に示すよう
に開口部3−2.3−4が形成される。
次に残っているレジストを垂直方向にドライエツチング
して膜厚を減少させていき、パターン部3−1.3−3
.3−5のレジストを除去する(第3図(E))。再度
硝酸でCrをエツチングすると(F)に示すように5ケ
所の開口部が形成される。最後に残っているレジストを
すべて除去することにより第1図に示す本発明のレティ
クルが完成する。
して膜厚を減少させていき、パターン部3−1.3−3
.3−5のレジストを除去する(第3図(E))。再度
硝酸でCrをエツチングすると(F)に示すように5ケ
所の開口部が形成される。最後に残っているレジストを
すべて除去することにより第1図に示す本発明のレティ
クルが完成する。
本発明によれば、露光光に位相差を生じさせるために新
たに位相差を生じさせる層を作る必要がないため、パタ
ーンを1回の露光工程でホトレジスト上に同時に形成す
ることができる。すなわち、従来のように遮光パターン
に合せて新たに位相シフト層を露光する工程がなく、合
せ誤差に起因するパターンの劣化も生じない。このため
、レティクル製造工程の簡素化、パターンの信頼性向上
の効果がある。
たに位相差を生じさせる層を作る必要がないため、パタ
ーンを1回の露光工程でホトレジスト上に同時に形成す
ることができる。すなわち、従来のように遮光パターン
に合せて新たに位相シフト層を露光する工程がなく、合
せ誤差に起因するパターンの劣化も生じない。このため
、レティクル製造工程の簡素化、パターンの信頼性向上
の効果がある。
第1図は本発明のレティクルの断面を示す図、第2図は
本発明のレティクル透過後の露光光の振1・・・ガラス
基板、2・・・遮光膜、3−1.3−5・・・開口部、
4・・・レティクル透過後の振幅分布、5・・・第 l
日
本発明のレティクル透過後の露光光の振1・・・ガラス
基板、2・・・遮光膜、3−1.3−5・・・開口部、
4・・・レティクル透過後の振幅分布、5・・・第 l
日
Claims (1)
- 光学的に透明な基板上に回路パターンの原画を遮光膜
により形成し、露光装置に使用するホトマスクにおいて
、特定な開口部を透過する露光光に位相差を与えるため
に、当該開口部の基板の厚さを所定量だけ薄く形成した
ことを特徴とするホトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3083386A JPH0690507B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ホトマスク,及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3083386A JPH0690507B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ホトマスク,及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14279898A Division JP2878274B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ホトマスクの製造方法 |
JP687099A Division JP3027370B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62189468A true JPS62189468A (ja) | 1987-08-19 |
JPH0690507B2 JPH0690507B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12314700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3083386A Expired - Lifetime JPH0690507B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ホトマスク,及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0690507B2 (ja) |
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- 1986-02-17 JP JP3083386A patent/JPH0690507B2/ja not_active Expired - Lifetime
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