JPH1115128A

JPH1115128A - ホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法

Info

Publication number: JPH1115128A
Application number: JP16374297A
Authority: JP
Inventors: Norio Hasegawa; 昇雄長谷川; Akira Imai; 彰今井; Katsuya Hayano; 勝也早野
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-06-20
Filing date: 1997-06-20
Publication date: 1999-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】孤立パタンと密集パタンの解像度向上を図っ
たホトマスク及びパタン形成方法を提供する。【解決手段】ホトマスクのオルタネート型位相シフト
部８をハーフトーン膜２と遮光膜３との積層膜で、ハー
フトーン型位相シフト部９をハーフトーン膜２で構成す
る。【効果】疎配置、密配置パタンが存在するマスクにお
いて、両者のパタンの解像特性およびプロセスの裕度が
向上し、素子の製造歩留りが向上した。また、パタンの
微細化が実現でき素子面積の縮小化が実現できた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
微細なパタンを形成するために照明光の位相を変える処
理を施したホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の製造においては、微細パタ
ンをウェーハ上に転写する方法として、リソグラフィ技
術が用いられる。リソグラフィ技術では、投影露光装置
が用いられる。この露光装置の解像力を向上させる従来
技術のひとつとして、マスク透過光に位相差を導入する
方法がある。例えば特公昭６２−５０８１１号では、不
透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相を
変える透明膜を形成している。この方法によれば、投影
露光装置の投影レンズを変えることなく解像度を格段に
高めることが出来る。この方法はオルタネート型位相シ
フトマスクと呼ばれている。また、特開昭６２−０６７
５４７では、単一の透過部の解像度向上手段として、上
記単一の透過部の両側に透過光の位相を反転した解像限
界以下の透過部を設けている。これは補助パタン型位相
シフトマスクと呼ばれている。また、特開平０４−１３
６８５４では、単一透明パタンの解像度向上手段とし
て、上記単一透明パタン周囲を半透明にして、すなわ
ち、従来型マスクの遮光部を半透明にし、上記半透明部
を通過するわずかな光と、透明パタンを通過する光の位
相を反転させるようにしている。すなわち、パタンを転
写するレジストの感度以下の光を半透明膜から通過さ
せ、この光と透明パタンを通過してきた光の位相が反転
するようにした。半透明膜を通過した光は、主パタンで
ある透明パタンを通過した光に対して位相が反転してい
るため、その境界部で位相が反転し、境界部での光強度
が０に近づく。これにより、相対的に透明パタンを通過
した光の強度と、パタン境界部の光強度の比は大きくな
り従来法に比べコントラストの高い光強度分布が得られ
る。これは、ハーフトーン型位相シフトマスクと呼ばれ
ている。

【０００３】また、孤立パタンと密集パタンの解像度向
上を同一マスクで達成する方法として、特開平０６−１
２３９６１ではオルタネート型位相シフトマスクとハー
フトーン型位相シフトマスクの機能を同一マスクで達成
する方法が開示されている。

【０００４】この方法では図７に示すように、オルタネ
ート型位相シフト部７９とハーフトーン型位相シフト部
８０が同一マスクに混在している。しかし、この方法で
は、双方で同じ位相シフト層７２を用いているため、オ
ルタネート型位相シフト部７９での透過光７５と７６の
位相差を１８０度に調整すると、ハーフトーン位相シフ
ト部８０の透過光７７と７８では位相差を１８０度に調
整することが困難である。

【０００５】すなわち、透過光７６および７８は同じ光
路なので位相変化は無い、透過光７５はシフタ７２を通
過するので位相差は１８０度となる。しかし、透過光７
７はシフタ７２と半透明膜７３を通過するので、半透明
膜７３での位相変化が加わり、１８０度より大きな位相
差になってしまい、十分に位相シフトの効果を得ること
が困難である。なお、符号７１はエッチング停止層であ
る。

【０００６】また、特開平０７−３０６５２２では図８
に示すように、ハーフトーン膜８４を用い、遮光膜は用
いずにオルタネート型位相シフト部を構成しているた
め、透過光８５と８６は位相が反転しているが、透過光
８９は８５に対して位相が反転しているため、透過光８
５を打ち消す傾向で作用し、透過光８６を増幅する傾向
で作用するため、透過光８５と８６に光強度差が発生し
パタンが非対称になるという問題が生じる。

【０００７】また、特開平０６−１６１０９１では図９
に示すように、図８の構造の問題点を解決する方法とし
て、ハーフトーン膜９４にオーバラップするように位相
シフト膜９１を配置し透過光９５と９６の非対称性を回
避している。しかし、この方法ではシフト膜９１とハー
フトーン膜９４のパタンの位置ずれがパタンの非対称性
発生の原因になり、特に、超微細なパタンを解像する場
合は大きな問題になる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、孤立
パタンと密集パタンの解像度向上を同一マスクで達成で
きる、オルタネート型位相シフトマスクとハーフトーン
型位相シフトマスクの機能を同一マスクに持たせた、混
在型の位相シフトマスクを実用化することにあり、従来
法の問題点を解決できるホトマスクおよびそれを用いた
パタン形成方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のホトマスクは、ハーフトーン位相シフト部
を透明基板上に設けた半透明膜で構成し、オルタネート
型位相シフト部を透明基板上に順次設けた半透明膜と遮
光膜との積層膜で構成する。

【００１０】ホトマスクは以下の方法で作成できる。透
明基板上に露光光の透過光の位相が反転するような半透
明膜を形成し、その上に、遮光膜が形成された原版を用
い、レジストパタンをマスクとして遮光膜および半透明
膜の一部をエッチングし、所望のパタンに加工する。

【００１１】次に、半透明膜上の遮光膜の所望の部分を
エッチング除去し、ハーフトーン型位相シフトマスク領
域を形成する。次に、遮光膜が残存している領域内の、
透明基板が露出しているパタンが隣接している場合、そ
の一方の透明基板を所望の深さにエッチングし、隣接し
ているパタンを通過する露光光の位相が反転するように
し、オルタネート型位相シフトマスク領域を形成した。

【００１２】ハーフトーン型位相シフトマスク領域には
孤立した透明領域が配置され、主に、解像最小パタンを
配置した。

【００１３】また、オルタネート型位相シフトマスク領
域には繰り返し配置された解像最小パタンを形成した。

【００１４】また、十分解像性に余裕の有る大きなパタ
ンは、遮光膜が配置された領域内に透明パタンを配置し
た。

【００１５】また、マスク上のパタンサイズとウエーハ
上に転写するパタンのサイズの関係は以下の様に調整し
た。なお、マスクは５倍マスクなので、マスク上では５
倍のサイズになるが、ここでは、便宜上ウエーハ上のパ
タンサイズに換算して述べる。ウエーハ上に転写すべき
パタンサイズに比べてマスク上の設計パタンサイズにオ
フセットを加えることを、マスクバイアスを加えると呼
ぶ。ハーフトーン型位相シフトマスクを用いる場合、転
写すべきパタン以外に発生する光強度ピークの転写を防
止するために、マスクバイアスを加えることが必要であ
る。本発明では、ハーフトーン型位相シフトマスク領域
とオルタネート型位相シフトマスク領域のマスクパタン
でそれぞれマスクバイアスを調整した。具体的には、ハ
ーフトーン部の透過率によってバイアス量を調整した。
ハーフトーン部のバイアス量はオルタネート部のバイア
ス量より大きく調整した。これにより、ハーフトーン部
でのサブピークの転写を回避することができた。

【００１６】上記マスク構造および製造法を用いること
により、オルタネート型位相シフトマスク部とハーフト
ーン型位相シフトマスク部の光学特性は、各々単機能マ
スクとして単独で作成した場合とほぼ同じ特性が得られ
る。したがって、双方の解像特性向上効果が十分にえら
れ、単一パタンおよび密集パタンを１枚のマスクで高い
解像特性で解像することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】

（参考例１）参考例を第２図で説明する。第２図（ａ）
は従来法のマスクの断面図、１はガラス基板、２は半透
明膜位相シフト膜である。半透明位相シフト膜２にはＭ
ｏＳｉＯ膜を用いた。半透明膜位相シフト膜２の膜厚ｔ
は、ｔ＝λ／（ｎ−１）×｛（１／ａ）＋ｍ｝の関係と
なるよう（但し、λは波長、ｎは半透明位相シフト膜２
の屈折率、１．３≦ａ≦４，ｍは整数）にした。また、
この時の露光光の透過率は６％とした。透明パタン５お
よび５´を配置した。透明パタン５および５´の寸法は
０．３μｍ角とし、パタン間隔は０．２μｍとした。
（マスク上のパタン寸法はすべてウェーハ上の寸法に換
算して示す。）すなわち、ホールパタンを極めて近接し
て配置した。又、用いた縮小投影露光装置の投影光学系
の特性は、縮小率１／５、レンズのＮＡが０．５５、露
光波長は２４８ｎｍ、光源のコヒーレンシσは０．３と
した。光学系の条件はこれに限らない。マスクを透過し
た光の振幅分布を第２図（ｂ）に示す。透明パタン５お
よび５´を通過した光が正の符号であるのに対し、半透
明膜位相シフト膜２を通過した光の位相は反転し、負の
符号となる。この光をレンズを通しウエハ上に投影する
と、第２図（ｃ）に示すように透明パタン５および５´
の間の光強度が大きくなり、２つのホールに分離解像す
ることが困難になる。ウェーハ上に通常の方法で形成し
たポジ型レジストに通常の方法でホールパタンを転写し
た結果、２つのホールパタン間で膜厚減少がおこり正常
なパタンは形成できなかった。上記、従来型の半透明膜
位相シフトマスクは孤立のパタンの解像特性は優れてい
るが、パタンが近接した場合は、従来のＣｒマスク同様
に分離解像が困難である。これに対し、本発明のマスク
では孤立パタンの解像性と共に、近接パタンの分離解像
特性も優れている。

【００１８】（実施例１）本発明の第１の実施例を第１
図で説明する。第１図（ａ）は本発明のマスクの断面
図。１はガラス基板、２は半透明位相シフト膜、３は遮
光膜である。半透明膜２の材料、膜厚、透過率などの条
件は前記従来法と同じである。遮光膜３はＣｒ膜を用い
たがこれに限らない。領域５がオルタネート位相シフト
部、領域９がハーフトーン位相シフト部である。オルタ
ネート位相シフト部８内の透明部を通過した露光光４お
よび５は図１（ｂ）に示すように互いに位相が反転して
いる。したがって、図１（ｃ）に示すように、急俊な光
強度分布となり、互いに良好な分離解像特性を示す。ま
た、図１（ｂ）に示すように、ハーフトーン位相シフト
部９内の半透明膜２を通過した露光光６は、透明部を通
過した露光光７と位相が反転しているため、図１（ｃ）
に示すように、透明部を通過した露光光７の光強度分布
の裾の広がりを抑えるように作用し、急俊な光強度分布
を得ることができる。

【００１９】図３に本マスクの製造工程を示す。図３
（ａ）に示すように、透明基板３１上に半透明位相シフ
ト膜３２が形成され、更にその上に、遮光膜３３が形成
されたマスクブランクを用意する。ここで、透明基板３
１には石英を、半透明位相シフト膜３２にはＭｏＳｉＯ
膜を用い、透過率は６％とし、遮光膜３３にはＣｒ膜を
用いたがこれに限らない。半透明位相シフト膜３２は透
過光の位相差を反転し、所望の透過率が実現できる光学
特性を持てば良い。単層膜でも複数層膜でも適用可能で
有る。

【００２０】次に、図３（ｂ）に示すように、所望の開
孔部３４、３５、３６をレジストパタンをマスクとして
加工する。次に、図３（Ｃ）に示すように、ハーフトー
ン位相シフト領域３９を形成するために、レジスト膜３
７をマスクとして遮光膜３３を除去し、次にレジスト膜
３７を除去した。これにより、図３（ｄ）に示すよう
に、ハーフトーン位相シフト領域３９と、オルタネート
位相シフト領域４０が形成できた。

【００２１】次に、図３（ｅ）に示すように、オルタネ
ート位相シフト領域４０に形成された開孔部３４、３５
の一方（ここでは開孔部３４）が露出するようにレジス
トに開孔部を形成する。

【００２２】次に、図３（ｆ）に示すように、レジスト
をマスクとして石英基板３１をエッチングし、開孔部３
４’を形成した。石英基板３１のエッチング深さは開孔
部３５と３４’を通過する露光光の位相が反転するよう
に調整した。具体的なエッチング深さＺは、Ｚ＝λ／
（ｎ−１）×｛（１／ａ）＋ｍ｝の関係となるよう（但
し、λは露光光波長、ｎは石英基板のの屈折率、１．３
≦ａ≦４，ｍは整数）にした。以上の工程により、オル
タネート位相シフト領域４０と、ハーフトーン位相シフ
ト領域３９の混在した複合型マスクを作成することがで
きた。

【００２３】このマスクを用い、投影露光装置によりパ
タンを転写した。投影露光装置は縮小率１／５、露光波
長λが２４８ｎｍ、投影レンズのＮＡが０．５５、照明
系のコヒーレンシσは０．３を用いた。ウエーハ上には
直径が０．２４μｍのホールを形成するようにマスクの
パタンサイズを調整した。

【００２４】マスクの平面図を図４に示す。マスク上の
透明部から成るパタン４３、４４、４５は四角形パタン
で、マスクバイアス量は＋０．０４μｍとし、０．２８
μｍ□（マスク上では５倍の寸法となる）とした。オル
タネート位相シフト領域４２に配置された四角形パタン
４４、４５のマスクバイアスは＋０．０１μｍとし、
０．２５μｍ□とした。パタンは密に配置されており、
Ｘ、Ｙ方向とも０．４８μｍピッチで配置されている。
ハーフトーン位相シフト領域４１に配置されたパタン４
３はいわゆる孤立パタンであり、最小のパタンピッチは
０．７μｍである。また、比較の為に同一パタンを配置
した全面がハーフトーン型位相シフトマスクと、全面が
オルタネート型位相シフトマスクを準備した。オルタネ
ート型の場合、孤立パタンは特に補助パタンは用いなか
った。全面がハーフトーン型位相シフトマスクを用いパ
タン転写した結果、孤立パタンは良好な解像特性を示
し、転写プロセス余裕を示す焦点裕度も１μｍを確保で
きた。しかし、密に繰り返し配置されたパタンは互いに
変形し、時には繋がってしまう現象が発生し良好なパタ
ンが形成できなかった。また、全面がオルタネート型位
相シフトマスクの場合、密配置パタンは良好に形成でき
たものの、孤立パタンの焦点深度が小さく、実用化する
には困難であった。

【００２５】これに対し、本発明の複合型マスクを用い
パタンを形成した結果、ハーフトーン位相シフト領域に
配置された孤立パタンは良好な解像特性を示し、転写プ
ロセス余裕を示す焦点裕度も１μｍを確保できた。

【００２６】また、オルタネート位相シフト領域に配置
された密配置パタンも良好に形成でき、焦点裕度も１．
２μｍを確保できた。以上のように、１枚のマスクで孤
立パタンと密配置パタンを良好な解像特性で形成するこ
とができた。

【００２７】（実施例２）本発明の第２の実施例を第５
図および第６図で説明する。ここでは、半導体記憶素子
の製造行程における配線接続孔（コンタクト孔）の形成
に適用した例を示す。第５図の主要行程のパタンの配置
を示す図である。５６が活性領域、５３がゲート電極、
５１がゲート電極引き出し孔、５２、５４、５５がソー
ス・ドレイン電極引き出し孔である。領域Ａはコンタク
ト孔が疎に配置されている領域、領域Ｂがコンタクト層
が密に配置されている領域である。領域Ｂはコンタクト
孔が縦方向に密に配置されており、できるだけ、同じ領
域に多くのホールを配置することにより、電気的な接触
抵抗を低減することができ、動作速度の高速化が実現で
きる。したがって、できるだけ、パタンの配置ピッチを
小さくすることが有効である。ここでは、この部分にオ
ルタネート型位相シフト構造を適用した。また、領域Ｂ
にハーフトーン型位相シフト構造を適用した。

【００２８】図６に用いたマスクの平面図を模式的に示
す。６２が遮光領域、６１がハーフトーン位相シフト領
域、６３、６４、６５が透明領域で、６４と６５を通過
する露光光の位相が反転するように、６５は基板を所望
の深さに掘込んだ。掘込みの深さは実施例１に示した条
件と同じである。

【００２９】また、Ｃｒ膜の端部よりエッチングが横方
向に進行するように、所謂サイドエッチングを行い、Ｃ
ｒエッジ部と基板掘込み溝のエッジ部が重なることによ
る、透過光の散乱による透過光量の減小を防止した。

【００３０】また、ハーフトーン部６１を通過する露光
光と、透明部６３を通過する露光光の位相が反転するよ
うに調整されており、ハーフトーン位相シフトの効果が
得られるようになっている。

【００３１】また、ハーフトーン領域と遮光部の境界
は、以下のように設定した。ハーフトーン領域内の透明
パタンとハーフトーン境界部の距離６６をＤ１とした
時、Ｄ１＝ｋ１・λ／ＮＡ（但し、ＮＡは投影レンズの
開孔数、λは露光波長、ｋ１≧１．５）とした。

【００３２】また、ハーフトーン境界部からのオルタネ
ート型位相シフト領域内の透明パタンの距離も、同様に
Ｄ１とした。本工程においてこのマスクを用いた結果、
パタン配置の粗密に関係なく良好なパタンが形成でき、
リソグラフィプロセスの裕度をしめす焦点裕度、および
露光裕度の向上が実現でき、素子の製造歩留りが向上し
た。さらに、密にパタン配置ができるようになったた
め、機能素子そのものの占有面積を小さくすることがで
き、素子面積の縮小化も実現できた。

【００３３】また、さらに孤立パタンの解像度を向上さ
せるために、ハーフトーン領域の透明孤立主パタンの周
辺に、解像度以下の寸法の透明補助パタンを配置した。

【００３４】パタン配置の例を図１０に示す。孤立主パ
タン１０３と補助パタン１０６の中心間距離１０９は、
中心間距離１０９をＤ２とした時Ｄ２＝ｋ２・λ／ＮＡ
（但し、ＮＡは投影レンズの開孔数、λは露光波長、
１．３５＜ｋ２≦１．９）とした。また、補助パタン１
０６の幅Ｗ１は、Ｗ１＝ｋ・λ／ＮＡ（但し、ＮＡは投
影レンズの開孔数、λは露光波長、０．０７≦ｋ≦０．
２５）とした。

【００３５】このマスクを用いた結果、補助パタンがな
いときに比べてさらに解像度および焦点深度が向上し、
オルタネート領域の密配置のホールで得られる焦点深度
とほぼ同等の焦点深度を孤立パタンでも得ることができ
た。

【００３６】また、オルタネート領域の密パタン配置の
最外周のパタン寸法が小さく解像される現象が発生した
が、図１０に示すような補助パタン１０７、１０８を配
置した結果、解像寸法の縮小を改良することができた。
例えば、シフタの配置された透明主パタン１０４の密配
置外周側に透明補助パタン１０７を配置した。シフタを
配置していない透明主パタン１０５の密配置外周側には
シフタを配置した透明補助パタン１０８を配置した。主
パタンと補助パタンの中心間距離１１０をＤ３とした時
Ｄ３＝ｋ３・λ／ＮＡ（但し、ＮＡは投影レンズの開孔
数、λは露光波長、０．７＜ｋ３≦０．９）とした。こ
れにより、密配置の外周部のパタン崩れを防止できた。

【００３７】また、実際の素子においては、上記のよう
な補助パタンを配置する変わりに、最外周パタンを素子
の動作に関与しないダミーパタンを配置することも有効
である。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、ハーフトーン型位相シ
フト領域とオルタネート型位相シフト領域が混在したマ
スクが実現でき、パタンの配置が密な部分と疎な部分が
存在するマスクにおいて、両者のパタンの解像特性を向
上することが可能となった。本発明のマスクを用い、ホ
トレジスト膜を塗布した半導体基板にこのマスクのパタ
ーンを縮小投影露光装置を用いて転写し、半導体素子を
作成した結果、リソグラフィプロセスの裕度をしめす焦
点裕度、および露光裕度の向上が実現でき、素子の製造
歩留りが向上した。また、解像度向上効果を有効に使う
ことができ従来型のマスクに比べパタンの微細化が実現
でき素子面積の縮小化が実現できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る（ａ）ホトマスク断面図、（ｂ）
透過光の振幅分布図、（ｃ）投影像の光強度分布図であ
る。

【図２】従来例のハーフトーン位相マスクの（ａ）断面
図、（ｂ）透過光の振幅分布図、（ｃ）投影像の光強度
分布図である。

【図３】本発明に係るホトマスクの製造工程を示すため
のホトマスクの断面図である。

【図４】本発明に係るホトマスクの平面図である。

【図５】配線接続孔を含む半導体素子の要部平面図であ
る。

【図６】本発明に係る配線接続孔用ホトマスクの平面図
である。

【図７】従来のホトマスクの断面図を示す。

【図８】従来のホトマスクの断面図を示す。

【図９】従来のホトマスクの断面図を示す。

【図１０】本発明に係るホトマスクの平面図を示す。

【符号の説明】

１、３１、７０‥‥ガラス基板、２、３２、７１、８
４、９４半透明膜、９１、７１‥‥位相シフタ、３、３
３、７４‥‥遮光膜、４、５、６、７、７５、７６、７
７、７８、８５、８６、８７、８８、８９、９５、９
６、９７、９８‥‥透過光、９、３９、４１、８０‥‥
ハーフトーン型位相シフト領域、８、４０、４２、７
９、‥‥オルタネート型位相シフト領域、６２‥‥遮光
領域、５６‥‥活性領域、５３‥‥ゲート電極、５１‥
‥ゲート電極引き出し孔、５２、５４、５５‥‥ソース
・ドレイン電極引き出し孔。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光光に対して透明な基板と、前記基板に設けられ、その有無により前記露光光の位相
が反転するような溝と、前記基板上であって、前記溝の周辺の所定の領域に設け
られ、前記露光光に対して前記基板よりも透過率が低く
く、その有無により前記露光光の位相が反転するような
半透明膜と、前記基板が露出するように前記半透明膜の第１の領域に
設けられた第１の開口部と、前記半透明膜の第２の領域上に設けられ、前記露光光に
対して前記半透明膜よりも透過率が低い遮光膜と、前記基板が露出するように前記遮光膜及び前記半透明膜
に設けられた第２の開口部とを有することを特徴とする
ホトマスク。
【請求項２】前記第１の開口部と前記第２の開口部はそ
れぞれ複数設けられ、複数設けられた前記第１の開口部
の密度と前記第２の開口部の密度とは互いに異なること
を特徴とする請求項１記載のホトマスク。
【請求項３】マスク透明基板上に露光光の透過光の位相
が反転するような半透明膜が形成され、その上に、遮光
膜が形成された原版を準備する工程と、前記遮光膜およ
び前記半透明膜の一部をエッチングし、所望のパタンに
加工する工程と、前記半透明膜上の前記遮光膜の一部を
エッチングし、前記遮光膜を所望のパタンに加工する工
程と、露出した前記透明基板を通過する露光光の位相が
反転する深さに前記透明基板の一部をエッチングする工
程を含むことを特徴とするホトマスクの形成方法。
【請求項４】透明基板上に形成された半透明膜が、該半
透明膜の有無により透過光の位相が反転するような膜で
あり、前記半透明膜が露出した第１の領域内に前記透明
基板が露出する第２の領域を有し、前記透明基板上に前
記半透明膜が形成され更にその上に遮光膜が形成された
第３の領域内に、前記透明基板が露出する第４の領域
と、前記第４の領域を通過する露光光に対し位相が反転
するように、前記透明基板を所望の深さにエッチングし
た領域を含むホトマスクを用いてウエーハにパタンを転
写することを特徴とするパタン形成方法。
【請求項５】前記第１の領域の端部と前記第２の領域の
端部の距離Ｄが、Ｄ＝ｋ・λ／ＮＡ（但し、ＮＡは投影
レンズの開孔数、λは露光波長、ｋ≧１．５）であるこ
とを特徴とする請求項４記載のパタン形成方法。
【請求項６】前記第３の領域の端部と前記第４の領域の
端部の距離Ｄが、Ｄ＝ｋ・λ／ＮＡ（但し、ＮＡは投影
レンズの開孔数、λは露光波長、ｋ≧１．５）であるこ
とを特徴とする請求項４記載のパタン形成方法。
【請求項７】前記ウエーハに転写されるパタンサイズに
対して、前記ホトマスク上のパタンの設計寸法に対して
オフッセトとして持たせたマスクバイアス量が、前記第
１の領域内の前記第２の領域からなるパタンと、前記第
３の領域内の前記第４の領域および前記エッチングした
領域からなるパタンとで異なることを特徴とする請求項
４記載のパタン形成方法。
【請求項８】前記ウエーハに転写されるパタンサイズに
対して、マスク上の設計寸法に対してオフッセトとして
持たせるマスクバイアス量が、前記第１の領域内の前記
第２の領域からなるパタンの方が、前記第３の領域内の
前記第４の領域および前記エッチングした領域からなる
パタンよりも大きいことを特徴とする請求項４記載のパ
タン形成方法。