KR960042968A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다층배선을 갖는 반도체장치에 관한 것으로서, 상층메탈배선과 하지소자 또는 하층메탈배선은 컨택트홀 또는 쓰로우홀내의 매입금속을 통해 전기적으로 접속된다. 매입금속의 직경은 상층메탈배선, 하지소자 및/ 또는 하층메탈배선의 폭보다 크게 설정된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체장치를 나타내는 단면도.
Claims (16)
- 상층메탈배선과 하층메탈배선 사이의 층간절연막에 형성된 컨택트홀 또는 쓰루홀을 통해 상층메탈배선과 하층메탈배선을 전기적으로 연결하는 다층배선구조를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀의 각 직경이 상기 상층메탈배선의 폭보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 인접한 상층메탈배선 아래에 형성된 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀은 상호 대향되게 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 인접한 상층메탈배선 아래에 형성된 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀은 상호 교호적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀내에 형성되는 각 매입금속은 Al, Al합금, Ti, Co, Ni 및 Pd를 포함한 내화금속의 실리사이드, 및 W, Ti, TiN 및 Co를 포함한 내화금속으로부터 선택된 적어도 하나의 금속으로 만들어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 상층메탈배선과 하층메탈배선 사이의 층간절연막에 형성된 컨택트홀 또는 쓰루홀을 통해 상층메탈배선과 하층메탈배선을 전기적으로 연결하는 다층배선구조를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰류홀의 각 직경이 상기 하층메탈배선의 폭보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 상층메탈배선과 하층메탈배선 사이의 층간절연막에 형성된 컨택트홀 또는 쓰루홀을 통해 상층메탈배선과 하층메탈배선을 전기적으로 연결하는 다층배선구조를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀의 각 직경이 상기 하부도전층내에 포함된 소자의 각 단자의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 상층메탈배선과 하층메탈배선 사이의 층간절연막에 형성된 컨택트홀 또는 쓰루홀을 통해 상층메탈배선과 하층메탈배선을 전기적으로 연결하는 다층배선구조를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 연결되는 상기 상층메탈배선과 상기 하층메탈배선중 적어도 어느 하나의 접촉부분이, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀의 직경보다 크지 않고 상기 상층메탈배선과 상기 하층메탈배선중 상기 적어도 어느 하나의 다른 부분의 폭보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 상층메탈배선과 하층메탈배선 사이의 층간절연막에 형성된 컨택트홀 또는 쓰루홀을 통해 상층메탈배선과 하층메탈배선을 전기적으로 연결하는 다층배선구조를 복수개 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀의 각 직경이 상기 각 다층배선구조내의 상층메탈배선의 폭과 하층메탈배선의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 상층메탈배선과 하층메탈배선중 적어도 하나는 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 접속되는 접촉부분들을 가지고, 상기 각 접촉부분이, 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀의 직경보다 크지 않고 상기 상층 메탈배선과 상기 하층메탈배선중 상기 적어도 어느 하나의 다른 부분의 폭보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 다층배선구조는 적어도 부분적으로, 하부의 컨택트홀 또는 쓰루홀상에 컨택트홀 또는 쓰루홀이 반복적으로 배치되는 적층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 상기 하지소자 또는 하층메탈배선에 연통하는 비교적 큰 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 금속을 매입하는 단계와, (e) 상기 매입금속의 직경보다 작은 폭을 갖는 상층메탈배선을 상기 매입금속에 접속되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 상기 하지소자 또는 하층메탈배선에 연통하는 비교적 큰 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 금속을 매입하는 단계와, (e) 상기 매입금속의 직경보다 작은 폭을 갖는 상층메탈배선을 상기 매입금속에 접속되도록 형성하는 단계와, (f) 상기 상층메탈배선상에 상기 단계(b) 내지 (e)를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 상기 하지소자의 각 단자의 폭 또는 상기 하층 메탈배선의 폭보다 큰 직경을 갖는 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 금속을 매입하는 단계와, (e) 상층메탈배선을 상기 매입금속에 접속되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 상기 하지소자의 각 단자의 폭 또는 상기 하층 메탈배선의 폭보다 큰 직경을 갖는 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀에 금속을 매입하는 단계와, (e) 상층메탈배선을 상기 매입금속에 접속되도록 형성하는 단계와, (f) 상기 상층 메탈배선상에 상기 단계(b) 내지 (e)를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 컨택트홀 또는 쓰루홀내에 배치되는 매입금속과 접촉부분만에서만 폭을 증대시킨 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀내에 매입금속을 배치하는 단계와, (e) 상기 매입금속과의 접촉부분에서만 폭이 증대된 상층메탈배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 다층배선을 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, (a) 컨택트홀 또는 쓰루홀내에 배치도는 매입금속과 접촉부분만에서만 폭을 증대시킨 하지소자 또는 하층메탈배선을 형성하는 단계와, (b) 층간절연막을 형성하는 단계와, (c) 상기 층간절연막에 컨택트홀 또는 쓰루홀을 형성하는 단계와, (d) 상기 컨택트홀 또는 쓰루홀내에 매입금속을 배치하는 단계와, (e) 상기 매입금속과의 접촉부분에서만 폭이 증대된 상층메탈배선을 형성하는 단계와, (f) 상기 상층메탈배선상에 상기 단계 (b) 내지 (e)를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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