DE4328474C2 - Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Eine derartige Mehrschichtverbindungsstruktur ist bereits aus der DE 29 30 630 A1 bekannt. Sie enthäölt eine untere Verbindungsschicht, die eine konstante Breite aufweist, eine Isolationsschicht auf der unteren Verbindungsschicht, wobei die Isolationsschicht eine Kontaktöffnung oberhalb der unteren Verbindungsschicht aufweist, und eine obere Verbindungsschicht auf der Isolationsschicht, wobei die obere Verbindungsschicht mit der unteren Verbindungsschicht durch die Kontaktöffnung hindurch verbunden ist.

Die Erfindung betrifft auch eine Mehrschichtverbindungs­ struktur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 5. Eine derartige Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung ist ebenfalls aus der DE 29 30 630 A1 bekannt, mit einer unteren Verbin­ dungsschicht, die eine vorbestimmte, konstante Breite aufweist, einer Isolations­ schicht an einem Endbereich der unteren Verbindungsschicht, wobei die Isolationsschicht eine Kontaktöffnung aufweist, die eine obere Fläche und eine Endfläche bzw. Stirnfläche der unteren Verbindungsschicht freilegt, und einer oberen Verbindungsschicht, die auf der Isolationsschicht liegt und mit der unteren Verbindungsschicht über die Kontaktöffnung verbunden ist.

Darüber hinaus ist auch aus der EP 0 469 214 A1 eine Mehrschichtverbin­ dungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung bekannt, bei der eine obere Verbindungsschicht über ein Kontaktloch, das die Oberseite und Stirnseite einer unteren Verbindungsschicht freilegt, mit der unteren Verbindungsschicht verbunden ist.

Im nachfolgenden wird die Technik zur Herstellung bekannter Mehr­ schichtverbindungsstrukturen mit Kontaktöffnung unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 näher beschrieben.

Dabei zeigen die Fig. 1 eine Draufsicht auf eine bekannte Mehrschicht­ verbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung und die Fig. 2a und 2b Querschnitte entlang der Linien A-A′ und B-B′ in Fig. 1.

Wie diese Figuren erkennen lassen, enthält die bekannte Mehrschichtver­ bindungsstruktur eine untere Verbindungsschicht 2 und eine obere Ver­ bindungsschicht 4, die sich einander kreuzen. An der Kreuzungsstelle der Schichten 2 und 4 befindet sich innerhalb der Halbleiterstruktur eine Kontaktöffnung 5, über die der Kontakt zwischen der oberen Schicht 4 und der unteren Schicht 2 hergestellt wird. Jede der Verbindungsschichten 2 und 4 ist mit einem vergrößerten Bereich versehen, um an der Kreuzungs­ stelle eine gewünschte, größere Kontaktfläche zu erzielen. Mit anderen Worten ist die Breite des vergrößerten Bereichs im Bereich der Kreuzungs­ stelle größer als die Breite der Verbindungsschichten 2 und 4 außerhalb des Bereichs der Kreuzungsstelle.

Um die Kontaktöffnung 5 zu erhalten, wird zunächst eine untere Isola­ tionsschicht 1 auf ein Halbleitersubstrat aufgebracht. Anschließend wird auf der unteren Isolationsschicht 1 die untere Verbindungsschicht 2 auf­ gebracht, und zwar durch einen geeigneten Strukturierungsprozeß.

Danach wird die untere Verbindungsschicht 2 vollständig mit einer oberen Isolationsschicht 3 abgedeckt, so daß sie gegenüber der äußeren Umge­ bung vollständig isoliert ist. Ein Teil der oberen Isolationsschicht 3 wird in einem weiteren Verfahrensschritt entfernt, um einen Teil der unteren Verbindungsschicht 2 freizulegen. Dabei bildet sich gleichzeitig die Kon­ taktöffnung 5 heraus. Nachdem die Kontaktöffnung 5 durch Freilegen der unteren Verbindungsschicht 2 erhalten worden ist, wird die obere Verbin­ dungsschicht 4 auf die Kontaktöffnung 5 gelegt, derart, daß die obere Ver­ bindungsschicht 4 über die Kontaktöffnung 5 hinwegläuft, die untere Ver­ bindungsschicht 2 schneidet und diese gleichzeitig kontaktiert.

Die Fig. 3, 4a und 4b zeigen ein anderes Ausführungsbeispiel für eine bekannte Mehrschichtverbindungsstruktur von Halbleitereinrichtungen. Diese Struktur geht aus der US-PS 4.587.549 bereits als bekannt hervor. Dabei zeigt die Fig. 3 eine Draufsicht auf die Mehrschichtverbindungs­ struktur nach diesem US-Patent, während die Fig. 4a und 4b jeweils Querschnitte entlang der Linien C-C′ und D-D′ von Fig. 3 zeigen.

Bei der Mehrschichtverbindungsstruktur gemäß Fig. 3 bis 4b wird eine erste Isolationsschicht auf die Oberfläche eines Halbleitersubstrats 5 aufge­ bracht. Anschließend wird eine untere Verbindungsschicht 6 auf die Ober­ fläche der ersten Isolationsschicht aufgebracht, um mit dem Halbleiter­ substrat 5 über eine Vielzahl von Kontaktöffnungen 8a, 8b, 8c und 8d ver­ bunden zu werden. Danach erfolgt die Bildung einer zweiten Isolations­ schicht auf der ersten Isolationsschicht und der unteren Verbindungs­ schicht 6. Die Verbindungsstruktur weist darüber hinaus eine obere Ver­ bindungsschicht 7 auf, die auf der zweiten Isolationsschicht liegt und die untere Verbindungsschicht 6 kreuzt. Die obe­ re Verbindungsschicht 7 ist in einem stufenförmigen Bereich, dargestellt in Fig. 4a, partiell dünner, wobei dieser stufenförmige Bereich durch die Kontaktöffnungen hervorgerufen wird. Somit tritt bei der oberen Schicht der Nachteil auf, daß sich ihr Wi­ derstand in diesem dünneren Bereich erhöht, so daß sich ihre Zu­ verlässigkeit und Betriebssicherheit dort verringert. Dieser Nachteil wird durch die Bereiche zwischen den Kontaktlöchern, dargestellt in Fig. 4b, die nicht mehr durch das Profil der Kontaktöffnung beeinflußt werden, ausgeglichen.

Ein noch weiteres Ausführungsbeispiel einer Mehrschichtverbindungs­ struktur für eine Halbleitereinrichtung gemäß dem Stand der Technik ist in Fig. 5 dargestellt. Diese Struktur geht aus der US-PS 4,656,732 als be­ kannt hervor.

Bei der aus der zuletzt genannten Patentschrift bekannten integrierten Schaltung wird die Breite der Kontaktöffnungen durch Seitenwandoxid (SWO) verringert, das z. B. durch ein LPCVD-Verfahren gebildet wird. Die metallische Verbindungsschicht kann daher überall minimale Abmessun­ gen aufweisen und braucht insbesondere dort nicht erweitert zu sein, wo sie über eine Kontaktöffnung hinwegläuft.

Die zuvor erwähnten Beispiele von bekannten Mehrschichtverbindungsstrukturen weisen jedoch die folgenden Nachteile auf.

Bei der bekannten Mehrschichtverbindungsstruktur nach Fig. 1 muß ein vergrößerter Bereich an der Kreuzungsstelle vorhanden sein, also dort, wo die obere Verbindungsschicht 7 die untere Verbindungsschicht 6 kreuzt, um Kontaktfehlanpassungen ausgleichen zu können. Es gibt bei dieser Struktur somit eine Grenze für die Minimierung des Intervalls zwi­ schen den Verbindungsschichten 6 und 7, was zur Folge hat, daß kein so großer Integrationsgrad erzielt werden kann.

Bei der aus der US-PS 4,587,549 bekannten Struktur kreuzen sich zwar auch die oberen und unteren Verbindungsleitungen oberhalb von Kontaktöffnungen. Jedoch führt diese Struktur zu einer unerwünschten Erhöhung des Kontaktwiderstands in den Kontakt­ öffnungen.

Auch bei der Mehrschichtverbindungsstruktur gemäß der US-PS 4,656,732 wird gegenüber dem zuerst genannten Beispiel ein etwas ver­ besserter Integrationsgrad der Schaltung erzielt, da die Breite der Kon­ taktöffnungen durch das Seitenwandoxid verringert ist. Jedoch tritt auch hier der im Zusammenhang mit der Reduktion der Kontaktöffnungsgröße verbundene Nachteil auf. Die Kontaktöffnungsgröße der Struktur wird umso kleiner, je höher der Integrationsgrad wird, so daß der Kontaktwi­ derstand sehr schnell ansteigt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung anzugeben bei der bei stei­ gendem Integrationsgrad der Halbleitereinrichtung und kleiner werden­ dem Abstand zwischen den Verbindungsschichten zur selben Zeit keine Kontaktwiderstandsverringerung auftritt.

Lösungen der gestellten Aufgabe sind in den nebenge­ ordneten Patentansprüchen 1 und 5 angegeben.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unter­ ansprüchen zu entnehmen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden neben dem Stand der Technik anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine bekannte Mehrschichtverbindungsstruk­ tur für eine Halbleitereinrichtung,

Fig. 2a einen Querschnitt entlang der Linie A-A′ in Fig. 1,

Fig. 2b einen Querschnitt entlang der Linie B-B′ In Fig. 1,

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine andere bekannte Mehrschichtverbin­ dungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung,

Fig. 4a einen Querschnitt entlang der Linie C-C′ in Fig. 3, insbesonde­ re in einem nachteilig ausgebildeten Bereich, der verbesserungsbedürftig ist,

Fig. 4b einen Querschnitt entlang der Linie D-D′ in Fig. 3,

Fig. 5 den Aufbau einer noch weiteren bekannten Mehrschichtverbin­ dungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung,

Fig. 6 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung in Übereinstimmung mit einem ersten bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 7a einen Querschnitt entlang der Linie E-E′ in Fig. 6,

Fig. 7b einen Querschnitt entlang der Linie F-F′ in Fig. 6,

Fig. 8 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Er­ findung,

Fig. 9 einen Querschnitt entlang der Linie G-G′ in Fig. 8,

Fig. 10 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung nach einem dritten Ausführungsbeispiel der Er­ findung,

Fig. 11 einen Querschnitt entlang der Linie H-H′ in Fig. 10,

Fig. 12 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung nach einem vierten Ausführungsbeispiel der Er­ findung,

Fig. 13 einen Querschnitt entlang der Linie I-I′ in Fig. 12,

Fig. 14 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung nach einem fünften Ausführungsbeispiel der Er­ findung,

Fig. 15 einen Querschnitt entlang der Linie J-J′ in Fig. 14, und

Fig. 16 eine Draufsicht auf eine Mehrschichtverbindungsstruktur für ei­ ne Halbleitereinrichtung nach der Erfindung, die einen erhöhten Integra­ tionsgrad aufweist.

Mit Bezug auf die Fig. 6, 7a und 7b wird nachfolgend ein erstes Aus­ führungsbeispiel einer Struktur zur Verbindung mehrerer Schichten einer Halbleitereinrichtung gemäß der Erfindung näher beschrieben. Dabei zei­ gen die Fig. 6 eine Draufsicht auf die Struktur und die Fig. 7a und 7b jeweils Querschnitte entlang der Linien E-E′ und F-F′ in Fig. 6.

Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel befindet sich eine Kontaktöffnung 15 an einer Kreuzungsstelle bzw. in einem Überlappungsbereich der Struktur, wo eine untere Verbindungsschicht 12 eine obere Verbindungs­ schicht 14 kreuzt. Die untere und die obere Verbindungsschicht 12 bzw. 14 sind über die Kontaktöffnung 15 miteinander verbunden. Im vorliegen­ den Fall weist die untere Verbindungsschicht 12 keinen vergrößerten Be­ reich an der Kreuzungsstelle auf, während die obere Verbindungsschicht 14 einen vergrößerten Bereich an der Kreuzungsstelle hat, also dort, wo sie die untere Verbindungsschicht 12 kreuzt. Darüber hinaus weist die Kon­ taktöffnung 15 in Draufsicht gesehen eine solche rechteckförmige Struk­ tur auf, daß die lange Seite der Kontaktöffnung 15 die untere Verbin­ dungsschicht 12 an der Kreuzungsstelle abdeckt bzw. überragt, während die Breite der Kontaktöffnung 15 kleiner ist als die Breite des vergrößerten Bereichs der oberen Verbindungsschicht 14, jedoch gleich der Breite der anderen Bereiche der Schicht 14, die außerhalb des vergrößerten Bereichs liegen, wie die Fig. 6, 7a und 7b erkennen lassen.

Um diese Mehrschichtverbindungsstruktur herzustellen, wird zunächst die untere Verbindungsschicht 12 auf eine erste Isolationsschicht 11 auf­ gebracht, die ihrerseits auf einem nicht dargestellten Halbleitersubstrat liegt. Danach wird eine zweite Isolationsschicht 13 auf die Oberfläche der ersten Isolationsschicht 11 niedergeschlagen, um die spätere Kreuzungs­ stelle im Bereich der unteren Verbindungsschicht 12 abzudecken. Wie die Fig. 6 erkennen läßt, sind die Verbindungsschichten streifenförmig aus­ gebildet und können somit auch als streifenförmige Leiter bezeichnet wer­ den. Nachdem die zweite Isolationsschicht 13 auf die erste Isolations­ schicht 11 und auch auf die untere Verbindungsschicht 12 aufgebracht worden ist, wird ein Teil der zweiten Isolationsschicht 13 entfernt, und zwar im Bereich der späteren Kreuzungsstelle, um dort die untere Verbin­ dungsschicht 12 freizulegen. Durch diesen Vorgang wird die Kontaktöff­ nung 15 gebildet. Sie weist die in Fig. 6 gezeigte rechteckförmige Struk­ tur auf und überragt in ihrer Längsrichtung gesehen die untere Verbin­ dungsschicht 12, wobei die Längsrichtung der Kontaktöffnung 15 und die Längsrichtung der unteren Verbindungsschicht 12 senkrecht zueinander liegen. Die Breite der Kontaktöffnung 15, gesehen in Längsrichtung der unteren Verbindungsschicht 12, entspricht der Breite der noch aufzubrin­ genden oberen Verbindungsschicht 14, und zwar außerhalb des vergrö­ ßerten bzw. verdickten Bereichs dieser oberen Verbindungsschicht 14.

Nachdem also die Kontaktöffnung 15 oberhalb der unteren Verbindungs­ schicht 12 gebildet worden ist, um diese freizulegen, wird die obere Verbin­ dungsschicht 14 auf die Kontaktöffnung 15 aufgelegt, und zwar so, daß die obere Verbindungsschicht 14 In Längsrichtung der Kontaktöffnung 15 über diese hinwegläuft und die untere Verbindungsschicht 12 senkrecht zu deren Längsrichtung schneidet. Dadurch werden die untere und die obere Verbindungsschicht 12 und 14 über die Kontaktöffnung 15 hin­ durch miteinander leitend verbunden.

Wie die Fig. 7a und 7b erkennen lassen, ist beim ersten Ausführungs­ beispiel der Erfindung der Abschnitt der Kontaktöffnung entlang der Linie E-E′ in Fig. 6 gleich lang wie bei der Struktur nach Fig. 2a, jedoch ist bei der Erfindung der Abschnitt der Kontaktöffnung 15 entlang der Linie F-F′ in Fig. 6 von demjenigen bei der bekannten Struktur verschieden. Die Kontaktöffnung 15 ist mit der oberen Verbindungsschicht 14 verbunden, wobei die lange Seite der Kontaktöffnung 15 den gesamten Kreuzungsbe­ reich abdeckt und die untere Kontaktschicht 12 seitlich überragt, so daß also die Kontaktöffnung 15 nicht nur mit der oberen Verbindungsschicht 14 verbunden ist sondern auch mit der oberen Fläche sowie mit beiden Sei­ tenflächen der unteren Verbindungsschicht 12. Mit anderen Worten er­ streckt sich die Kontaktöffnung 15 noch an beiden Seiten der streifenför­ migen unteren Verbindungsschicht 12 hinab bis zur ersten Isolations­ schicht 11. Dies ist am besten in Fig. 7b zu erkennen. Hierdurch wird er­ reicht, daß zwischen der oberen Verbindungsschicht 14 und der unteren Verbindungsschicht 12 eine merkbar vergrößerte Kontaktfläche erhalten wird.

Die Fig. 8 bis 11 zeigen ein zweites und ein drittes Ausführungsbei­ spiel einer Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrich­ tung in Übereinstimmung mit der Erfindung. Dabei stellen die Fig. 8 und 10 Draufsichten auf die jeweiligen Mehrschichtverbindungsstruktu­ ren dar, während die Fig. 9 und 11 jeweils Seitenansichten entlang der Linien G-G′ in Fig. 8 sowie H-H′ in Fig. 10 sind. Beim zweiten und drit­ ten Ausführungsbeispiel werden die Mehrschichtverbindungsstrukturen in derselben Weise wie beim ersten Ausführungsbeispiel hergestellt, je­ doch weisen jetzt die jeweils oberen Verbindungsschichten 14 eine etwas abgewandelte Struktur in ihrem vergrößerten Bereich an der Kreuzungs­ stelle auf, also dort, wo sie die jeweils untere Verbindungsschicht 12 kreu­ zen. Genauer gesagt sind die oberen Verbindungsschichten 14 an der Kreuzungsstelle zur Bildung des vergrößerten Bereichs jeweils nur nach links oder nach rechts gegenüber ihrer sonst üblichen Breite außerhalb der Kreuzungsstelle vergrößert ausgebildet. In Fig. 8 erstreckt sich die obere Verbindungsschicht 14 nur an der linken Seite der Kontaktöffnung 15 über diese hinaus, während sie sich gemäß Fig. 10 nur an der rechten Seite über die Kontaktöffnung 15 hinaus erstreckt. Dies ist auch gut an­ hand der Fig. 11 zu erkennen.

Die Fig. 9 zeigt wiederum, wie auch schon die Fig. 7b, daß die untere Verbindungsschicht 12 vollständig innerhalb der Kontaktöffnung 15 ver­ läuft, sich die Kontaktöffnung 15 also noch an den beiden Seitenbereichen der Schicht 12 bis zur Isolationsschicht 11 hinab erstreckt.

In derselben Weise wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind auch beim zweiten und dritten Ausführungsbeispiel die oberen Verbindungsschich­ ten 14 mit den jeweils unteren Verbindungsschichten 12 durch die Kon­ taktöffnung 15 hindurch verbunden. Die lange Seite der Kontaktöffnung 15 verläuft senkrecht zur Längsrichtung des Leiterstreifens 12 und er­ streckt sich über dessen Seitenbereiche hinaus, so daß auch jetzt wieder ein merkbar vergrößerter Kontaktbereich zwischen oberen und unteren Leiterschichten 14, 12 erhalten wird.

Die Fig. 12 zeigt eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Mehr­ schichtverbindungsstruktur in Übereinstimmung mit einem vierten Aus­ führungsbeispiel der Erfindung. Dagegen zeigt die Fig. 13 eine Quer­ schnittsansicht entlang der Linie I-I′ in Fig. 12.

Die Mehrschichtverbindungsstruktur nach dem vierten Ausführungs­ beispiel wird in ähnlicher Weise wie die des ersten Ausführungsbeispiels hergestellt und weist im wesentlichen auch eine ähnliche Form auf. Unter­ schiedlich zum ersten Ausführungsbeispiel ist nur, daß die obere Verbin­ dungsschicht 14 über ein stirnseitiges Ende der unteren Verbindungs­ schicht 12 hinwegläuft. Es liegt hier keine Kreuzungsstruktur sondern vielmehr eine T-förmige Struktur vor, gebildet durch die beiden streifen­ förmigen Leiterschichten 12 und 14.

Die Kontaktöffnung 15 ist beim vierten Ausführungsbeispiel so ausgebil­ det, daß sie sowohl die Stirnseite des unteren Leiters 12 als auch die bei­ den Seiten freilegt, die an die Stirnseite angrenzen, und natürlich die obe­ re Fläche des Leiters 12. Die obere Verbindungsschicht 14 weist einen ver­ größerten Bereich auf, und zwar dort, wo die untere Verbindungsschicht 12 unterhalb der oberen Verbindungsschicht 14 zu liegen kommt. Der ver­ größerte Bereich liegt an der Seite der oberen Verbindungsschicht 14, die der unteren Verbindungsschicht 12 zugewandt ist. Beide streifenförmigen Verbindungsschichten 12 und 14 verlaufen senkrecht zueinander. Ge­ langt Material der oberen Verbindungsschicht 14 in die Kontaktöffnung 15, so kommt dieses Material also im Endbereich der unteren Verbin­ dungsschicht 12 auf deren Oberfläche, an deren Stirnfläche und an deren beiden Seitenflächen zu liegen. Dadurch wird eine relativ große Kontakt­ fläche zwischen unterer und oberer Verbindungsschicht 12, 14 erhalten. Gleichzeitig wird die Fläche des vergrößerten Bereichs reduziert, was ei­ nen erhöhten Integrationsgrad der Halbleitereinrichtung ermöglicht.

In den Fig. 14 und 15 ist ein fünftes Ausführungsbeispiel der erfin­ dungsgemäßen Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleiterein­ richtung näher beschrieben. Dabei zeigt die Fig. 14 eine Draufsicht auf die Verbindungsstruktur, während die Fig. 15 einen Querschnitt entlang der Linie J-J′ in Fig. 14 zeigt.

Die allgemeine Form der Verbindungsstruktur des fünften Ausführungsbeispiels entspricht derjenigen des vierten Ausführungsbeispiels, jedoch ist die Kontaktöffnung 15 gegenüber dem vierten Ausführungsbeispiel ab­ gewandelt. Die Kontaktöffnung 15 beim fünften Ausführungsbeispiel liegt, wie die Fig. 14 erkennen läßt, nur am stirnseitigen Endbereich der unteren, streifenförmigen Verbindungsschicht 12. Die Breite der Kontakt­ öffnung 15 in Längsrichtung der streifenförmigen Verbindungsschicht 14 entspricht somit der Breite der streifenförmigen Verbindungsschicht 12. Beide Streifen 12 und 14 laufen auch hier wieder senkrecht zueinander. Die obere Verbindungsschicht 14 steht jetzt wiederum im Endbereich mit der unteren Verbindungsschicht 12 mit dieser über die Kontaktöffnung 15 in elektrisch leitendem Kontakt, wobei leitendes Material innerhalb der Kontaktöffnung 15 jetzt im Endbereich des unteren Streifens 12 dessen Oberfläche und dessen Stirnseite abdeckt. Dies ist gut anhand der Fig. 15 zu erkennen. Auf diese Weise wird wiederum eine vergrößerte Kontakt­ fläche zwischen der unteren und der oberen Verbindungsschicht 12, 14 er­ halten. Der vergrößerte Bereich der oberen Verbindungsschicht 14 liegt an ihrer der unteren Verbindungsschicht 12 zugewandten Seite.

Die Fig. 16 zeigt den Fall, daß zwei Strukturen gemäß Fig. 14 nebenein­ ander liegen. Dabei weisen die Stirnseiten der beiden unteren Streifenlei­ ter 12 aufeinander zu. Mit S ist der Abstand zwischen den beiden oberen und parallel zueinander verlaufenden Streifenleitern 14 bezeichnet.

Wie bereits oben beschrieben, wird bei der Mehrschichtverbindungsstruk­ tur nach der Erfindung eine vergrößerte Kontaktfläche zwischen oberer und unterer Verbindungsschicht erhalten, so daß gegenüber dem konven­ tionellen Fall eine weitere Miniaturisierung der Halbleitereinrichtung möglich ist, bis wiederum derselbe Kontaktwiderstand zwischen oberer und unterer Verbindungsschicht wie beim konventionellen Fall erhalten wird.

Die obere Verbindungsschicht braucht darüber hinaus bei der erfin­ dungsgemäßen Struktur einen vergrößerten Bereich nur in einem Teil der Kreuzungsstelle aufzuweisen, wo sie die untere Verbindungsschicht schneidet, bei der ein derartiger vergrößerter Bereich nicht erforderlich ist. Der Kreuzungsbereich kann daher relativ klein gehalten werden, was eine weitere Erhöhung des Integrationsgrads erlaubt.

Claims (8)

1. Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung mit

• - einer unteren Verbindungsschicht (12), die eine konstante Breite auf­ weist,
• - einer Isolationsschicht (13) auf der unteren Verbindungsschicht (12), wobei die Isolationsschicht (13) eine Kontaktöffnung (15) oberhalb der un­ teren Verbindungsschicht (12) aufweist, und
• - einer oberen Verbindungsschicht (14) auf der Isolationsschicht (13), die etwa im rechten Winkel zur unteren Verbindungsschicht (12) verläuft und mit der unteren Verbindungs­ schicht (12) durch die Kontaktöffnung (15) hindurch verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktöffnung (15) eine in Richtung der Breite der unteren Verbindungsschicht (12) verlaufende Ausdehnung besitzt, die größer ist als die Breite der unteren Verbindungsschicht (12).

2. Mehrschichtverbindungsstruktur nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Kontaktöffnung (15) eine obere Fläche und beide Seitenflächen der unteren Verbindungsschicht (12) freilegt.

3. Mehrschichtverbindungsstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Verbindungsschicht (14) im Kreuzungs­ bereich mit der unteren Verbindungsschicht (12) an jeder Seite der Kontaktöffnung (15) einen ver­ breiterten Bereich auf­ weist, der sich in Längsrichtung der unteren Verbindungsschicht (12) er­ streckt.

4. Mehrschichtverbindungsstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Verbindungsschicht (14) im Kreuzungs­ bereich mit der unteren Verbindungsschicht (12) an nur einer Seite der Kontaktöffnung (15) einen verbreiterten Bereich aufweist, der sich in Längsrichtung der unteren Verbindungsschicht (12) erstreckt.

5. Mehrschichtverbindungsstruktur für eine Halbleitereinrichtung mit

• - einer unteren Verbindungsschicht (12), die eine vorbestimmte, kon­ stante Breite aufweist,
• - einer Isolationsschicht (13) an einem Endbereich der unteren Verbin­ dungsschicht (12), wobei die Isolationsschicht eine Kontaktöffnung (15) aufweist, die eine obere Fläche und die Endfläche des Endbereichs der unteren Verbindungsschicht (12) freilegt, und
• - einer oberen Verbindungsschicht (14), die auf der Isolationsschicht (13) liegt etwa im rechten Winkel zur unteren Verbindungsschicht (12) verläuft und mit der unteren Verbindungsschicht (12) über die Kontakt­ öffnung (15) verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß die obere Verbindungsschicht (14) im Bereich der Kontaktöffnung (15) an einer Seite verbreitert ist und sich die Verbreite­ rung in Längsrichtung der unteren Verbindungsschicht (12) erstreckt.

6. Mehrschichtverbindungsstruktur nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktöffnung (15) auch beide Seitenoberflächen der unteren Verbindungsschicht (12) freilegt.