KR960042756A - 불휘발성 반도체 메모리의 분리된 기입 및 독출 경로를 가지는 워드라인 구동회로 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리의 분리된 기입 및 독출 경로를 가지는 워드라인 구동회로 Download PDF

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Abstract

1. 청구번위에 기재된 발명이 속한 기술분야
불휘발성 반도체 메모리의 독출구동회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고속 독출동작을 행할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 제공.
3. 발명의 해결방법의 요지
불휘발성 반도체 메모리에서 워드라인들과 접속되는 독출구동수단과 기입 구동수단이 별도로 제공됨.
4. 발명의 중요한 용도
영구 메모리.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 분리된 기입 및 독출 경로를 가지는 워드라인 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라 분리된 기입 및 독출경로를 가지는 행라인 구동회로를 나타낸 블럭도, 제4도는 본 발명에서 사용되는 고전압 트랜지스터의 개략적 단면도.

Claims (7)

  1. 행과 열의 매트릭스형으로 배열된 다수의 메모리 트랜지스터들과 상기 다수의 메모리 트랜지스터들은 복수개의 메모리 스트링들로 분할되고, 상기 각 메모리 스트링은 직렬로 접속된 미리 예정된 수의 메모리 트랜지스터들을 가지며, 각 메모리 트랜지스터는 플로팅 게이트와 제어게이트를 가지는 메모리 어레이와; 각행에 배열된 메모리 스트링들로구성되는 복수의 메모리 블럭들과; 각행에 배열된 메모리 트랜지스터들의 제어게이트들과 접속되는 복수의 워드라인들과;각열에 배열된 메모리 스트링들의 일단들과 접속되는 복수의 비트 라인들과; 상기 워드라인들의 각각과 접속되고 독출 동작중 어드레스신호에 응답하여 상기 메모리 블럭들중 하나를 선택하고, 이 선택된 메모리 블럭내의 워드라인들중 하나와접속된 메모리 트랜지스터들로부터 데이터를 독출하도록 상기 선택된 메모리 블럭내의 상기 워드라인들로 독출 구동전압을 제공하는 독출 구동수단과; 상기 워드라인들의 각각과 접속되고, 프로그램동작중 어드레스 신호에 응답하여 상기 메모리 블럭들중 하나를 선택하고 이 선택된 메모리 블럭내의 워드라인들중 하나와 접속된 메모리 트랜지스터들을 프로그램하도록 상기 선택된 메모리 블럭내의 상기 워드라인들로 기입구동전압을 제공하는 기입구동수단을 가짐을 특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 독출 구동수단과 상기 기입구동 수단은 각 메모리 블럭과 관련된 워드라인들과 접속된 독출 전송스위치와 기입 전송스위치를 각각 가지며 상기 독출 동작중 상기 선택된 메모리 블럭과 관련된 독출 전송스위치는 상기 독출구동전압을 상기 선택된 메모리 블럭내의 상기 워드라인들로 전송하도록 활성화되고 상기 기입동작중 상기 선택된 메모리 블럭과 관련된 기입 전송스위치는 상기 기입구동전압을 상기 선택된 메모리 블럭내의 상기 워드라인들로 전송하도록 활성화됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 독출 구동수단과 상기 기입구동수단은 상기 독출구동 전압과 상기 기입구동 전압을제공하는 독출구동회로와 기입구동회로를 각각 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 독출구동수단은 상기 독출동작중 상기 어드레스 신호에 응답하여 상기 메모리 블럭들중 하나를 선택하는 독출 블럭선택 회로를 가지며 상기 기입구동수단은 상기 기입동작중 상기 어드레스 신호에 응답하여 상기 메모리 블럭들중 하나를 선택하는 기입블럭 선택회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 독출 블럭선택회로와 기입블럭 선택회로는 상기 메모리 어레이의 양측에 각각 위치함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  6. 제1항에 있어서, 상기 독출 구동전압과 상기 기입 구동전압은 상기 워드라인들의 대략 중앙부에서 공급됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  7. 제1항에 있어서, 상기 독출 구동전압과 상기 기입 구동전압은 상기 워드라인들의 양단에서 공급됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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