KR960038978A - 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960038978A
KR960038978A KR1019950009782A KR19950009782A KR960038978A KR 960038978 A KR960038978 A KR 960038978A KR 1019950009782 A KR1019950009782 A KR 1019950009782A KR 19950009782 A KR19950009782 A KR 19950009782A KR 960038978 A KR960038978 A KR 960038978A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
column
unit
banks
line
switching means
Prior art date
Application number
KR1019950009782A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0158112B1 (ko
Inventor
경계현
유제환
한진만
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950009782A priority Critical patent/KR0158112B1/ko
Priority to JP8101210A priority patent/JPH08297966A/ja
Priority to US08/637,425 priority patent/US5650977A/en
Publication of KR960038978A publication Critical patent/KR960038978A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0158112B1 publication Critical patent/KR0158112B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

본 발명은, 매트릭스형태로 배열된 다수개의 단위쎌어레이들과, 컬럼 방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들 사이에 배치된 다수개의 센스앰프블럭들과, 로우방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들사이에 배치된 다수개의 분할워드라인 드라이버 블럭들을 가지는 반도체 메모리 장치관한 것으로서, 다수개의 단위쎌어레이들을 포함하는 다수개의 분할된 그룹으로서 컬럼방향으로 배열된 다수개의 뱅크들과, 상기 뱅크들을 선택하고 선택된 뱅크에 속하는 단위쎌어레이의 워드라인을 선택하는 하나의 로우디코더와, 상기 선택된 워드라인에 연결된 단위 메모리쎌로부터 독출된 데이타를데이타 입출력패드로 전송하며 상기 데이타 입출력패드까지의 거리가 모두 일정한 다수개의 데이타라인들을 구비한다.

Description

다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라 제1도의 반도체 메모리 장치를 복수개의 뱅크들로 구성한 상태를 보여주는 도면, 제4도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치에서 메모리쎌의 데이타를 데이타라인에 전달하는 방식에 관한 몇가지 실시예들을 보여주는 도면.

Claims (7)

  1. 매트릭스형태로 배열된 다수개의 단위쎌어레이들과, 컬럼 방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들 사이에 배치된 다수개의 센스앰프블럭들과, 로우방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들사이에 배치된 다수개의 분할워드라인 드라이버 블럭들을 가지는 반도체 메모리 장치관한 것으로서, 다수개의 단위쎌어레이들을 포함하는 다수개의 분할된 그룹으로서 컬럼방향으로 배열된 다수개의 뱅크들과, 상기 뱅크들을 선택하고 선택된 뱅크에 속하는 단위쎌어레이의 워드라인을 선택하는 하나의 로우디코더와, 상기 뱅크들중 적어도 둘이상에 공유되어 상기 데이타 입출력패드까지의 거리가 모두 일정하게 컬럼방향으로 신장하는 다수개의 데이타 라인들을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이타라인이, 상기 뱅크들을 선택하는 신호와 상기 컬럼을 선택하는 신호에 응답하는 스위칭수단을 통하여 상기 단위 메모리쎌에 대응하는 비트라인에 연결됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스위칭수단이, 상기 뱅크선택신호가 인가되는 뱅크정보디코딩라인에 제어전극이 접속되고 상기 데이타라인에 연결된 뱅크스위칭수단과, 상기 컬럼선택신호가 인가되는 컬럼선택라인에 제어전극이 접속되고 상기 뱅크스위칭수단과 상기 비트라인사이에 연결된 컬럼스위칭수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 데이타라인이, 상기 뱅크들을 선택하는 신호와 상기 컬럼을 선택하는 신호에 응답하는 스위칭수단을 통하여 상기 단위메모리쎌에 대응하는 비트라인에 연결된 로컬데이타 라인으로부터 증폭기를 통하여 연결됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 스위칭수단이, 상기 뱅크선택신호가 인가된 뱅크정보디코딩 라인에 제어전극이 접속되고 상기 로컬데이타라인에 연결된 뱅크스위치수단과, 상기 컬럼선택신호가 인가되는 컬럼선택라인에 제어전극이 접속되고 상기 뱅크스위칭수단과 상기 비트라인 사이에 연결된 컬럼스위칭수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 반도체 메모리 장치에 있어서, 매트릭스형태로 배열된 다수개의 단위쎌어레이들과, 컬럼방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들 사이에 배치된 다수개의 센스앰프블럭들과, 로우방향으로 배열된 상기 단위쎌어레이들 사이에 배치된 다수개의 분할워드라인 드라이버블럭들과, 다수개의 단위셀어레이들을 포함하는 다수개의 분할된 그룹으로서 컬럼방향으로 배열된 다수개의 뱅크들과, 상기 뱅크들을 선택하고 선택된 뱅크에 속하는 단위쎌어레이의 워드라인을 선택하는 하나의 로우디코더와, 상기 워드라인에 연결된 메모리쎌에 대응하는 컬럼을 선택하는 하나의 컬럼디코더와, 상기 뱅크들중 적어도 둘이상에 공유되며 데이타 입출력패드까지의 거리가 모두 일정하게 컬럼방향으로 신장하는 다수개의 데이타 라인들을 구비하며, 상기 데이타 입출력패드의 수가 상기 데이타라인들의 수보다 적어도 적음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 데이타라인들과 상기 데이타입출력사이에 위치하며 상기 데이타출력패트들의 수와 동일한 수의 멀티플렉서들을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950009782A 1995-04-25 1995-04-25 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치 KR0158112B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950009782A KR0158112B1 (ko) 1995-04-25 1995-04-25 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치
JP8101210A JPH08297966A (ja) 1995-04-25 1996-04-23 マルチバンク構造のメモリセルアレイ
US08/637,425 US5650977A (en) 1995-04-25 1996-04-25 Integrated circuit memory device including banks of memory cells and related methods

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950009782A KR0158112B1 (ko) 1995-04-25 1995-04-25 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960038978A true KR960038978A (ko) 1996-11-21
KR0158112B1 KR0158112B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19412899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950009782A KR0158112B1 (ko) 1995-04-25 1995-04-25 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5650977A (ko)
JP (1) JPH08297966A (ko)
KR (1) KR0158112B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332469B1 (ko) * 1998-05-29 2002-07-18 박종섭 뱅크 동작제어에 의한 전력절감형 메모리 소자

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE36532E (en) * 1995-03-02 2000-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Synchronous semiconductor memory device having an auto-precharge function
US6119226A (en) * 1998-01-06 2000-09-12 Macronix International Co., Ltd. Memory supporting multiple address protocols
JP2000021169A (ja) 1998-04-28 2000-01-21 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
US7026718B1 (en) 1998-09-25 2006-04-11 Stmicroelectronics, Inc. Stacked multi-component integrated circuit microprocessor
KR100336563B1 (ko) * 1999-12-22 2002-05-11 박종섭 입력 신호 스큐 보상회로
KR100384559B1 (ko) * 2000-06-30 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 컬럼 디코딩 장치
US6728159B2 (en) * 2001-12-21 2004-04-27 International Business Machines Corporation Flexible multibanking interface for embedded memory applications
US7738307B2 (en) 2005-09-29 2010-06-15 Hynix Semiconductor, Inc. Data transmission device in semiconductor memory device
KR20110100464A (ko) * 2010-03-04 2011-09-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US9041428B2 (en) 2013-01-15 2015-05-26 International Business Machines Corporation Placement of storage cells on an integrated circuit
US9201727B2 (en) 2013-01-15 2015-12-01 International Business Machines Corporation Error protection for a data bus
US9021328B2 (en) * 2013-01-15 2015-04-28 International Business Machines Corporation Shared error protection for register banks
US9043683B2 (en) 2013-01-23 2015-05-26 International Business Machines Corporation Error protection for integrated circuits

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5951075B2 (ja) * 1980-03-31 1984-12-12 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS60115099A (ja) * 1983-11-25 1985-06-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US5226147A (en) * 1987-11-06 1993-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device for simple cache system
JPH01146187A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Mitsubishi Electric Corp キヤッシュメモリ内蔵半導体記憶装置
US5428574A (en) * 1988-12-05 1995-06-27 Motorola, Inc. Static RAM with test features
JPH0646513B2 (ja) * 1989-07-12 1994-06-15 株式会社東芝 半導体記憶装置のデータ読出回路
JP2586187B2 (ja) * 1990-07-16 1997-02-26 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5245572A (en) * 1991-07-30 1993-09-14 Intel Corporation Floating gate nonvolatile memory with reading while writing capability
JP3577112B2 (ja) * 1994-09-08 2004-10-13 株式会社ルネサステクノロジ 同期型半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332469B1 (ko) * 1998-05-29 2002-07-18 박종섭 뱅크 동작제어에 의한 전력절감형 메모리 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US5650977A (en) 1997-07-22
KR0158112B1 (ko) 1999-02-01
JPH08297966A (ja) 1996-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0905705B1 (en) Space-efficient semiconductor memory having hierarchical column select line architecture
KR910010516A (ko) 반도체 메모리장치
KR970071789A (ko) 반도체 기억 장치
KR960008833A (ko) 반도체 기억 장치
KR920006997A (ko) 용장회로(冗長回路)
KR960038978A (ko) 다수개의 뱅크들을 가지는 반도체 메모리 장치
KR950015389A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970017611A (ko) 다수의 메모리 어레이내에 분포된 다수의 뱅크들을 갖는 동기성 반도체 메모리 장치
KR890017706A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR910005320A (ko) 용장구성을 갖는 반도체 기억 장치
KR960042756A (ko) 불휘발성 반도체 메모리의 분리된 기입 및 독출 경로를 가지는 워드라인 구동회로
KR950020713A (ko) 다이나믹 반도체기억장치
TW331007B (en) Semiconductor memory device
KR100463202B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 패드 및 주변 회로 레이아웃
KR920013472A (ko) 반도체 기억장치
KR950034254A (ko) 고대역폭을 얻기 위한 반도체 메모리장치 및 그 신호선배치방법
KR910014937A (ko) 반도체 기억장치
KR950006852A (ko) 고속동작을 위한 입출력라인구동방식을 가지는 반도체메모리장치
KR860002155A (ko) 반도체 장치
KR920001545A (ko) 반도체 기억장치
JP2000150820A (ja) 半導体記憶装置
KR920017128A (ko) 메모리셀 어레이 사이에 공유된 용장 워드선을 가진 다이내믹 ram 디바이스
KR920006983A (ko) 저잡음 감지 구조를 가진 반도체 메모리 장치
GB2300737A (en) Semiconductor memory device having hiearchical column select line structure
KR950009714A (ko) 고속데이터 전송 및 고밀도 집적화를 허용하는 반도체 기억장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120801

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130731

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee