KR960032771A - 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 - Google Patents

접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

N-형 에피텍셜층은 P형 반도체 기판상에 형성되고, P+형 절연 격리층은 N-형 에피텍셜층의 장치 형성 영역을 정의하도록 N-형 에피텍셜층의 표면으로부터 반도체 기판에 도달하도록 형성된다. N-형 소오스 확산층과 N-형 드레인 확산층은 장치 형성 영역의 N-형 에피텍셜층상에 한 방향으로 서로 떨어져 형성된다. 소오스-드레인 전류를 제어하는 채널 영역은 P+형 절연 격리층과 게이트 확산층 사이와 인접한 게이트 확산층 사이에 형성된다.

Description

접합 전계 효과 트렌지스터를 갖는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 N 채널 접합 FET의 평면도.

Claims (12)

  1. 제1도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면상에 선택적으로 형성된 제1도전형의 소오스 확산층과, 상기 소오스 확산층으로부터 제1방향으로 떨어져 상기 반도체층의 상기 표면상에 선택적으로 형성된 제1도전형의 드레인 확산층과, 게이트 확산층 사이에 형성된 채널 영역과 함께 상기 제1방향에 수직인 방향으로 떨어져 상기 소오스 확산층과 상기 드레인 확산층 사이에 형성된 다수의 제2도전형의 게이트 확산층을 구비하는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체층상에 형성된 절연막으로서, 상기 절연막을 상기 게이트 확산층과 일치하는 위치에 제1게이트 접촉홀을 갖는 절연막과, 상기 제1게이트 접촉홀을 경유하여 상기 모든 게이트 확산층과 접촉하는 게이트 전극막을 추가로 구비하는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소오스 확산층과 드레인 확산층은 상기 제1방향과 수직인 방향으로 연장하도록 형성되며, 상기 게이트 확산층은 상기 제1방향으로 연장하도록 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 평평한 표면은 가짐으로써 상기 소오스 확산층, 드레인 확산층과 게이트 확산층은 상기 표면으로부터 상기 반도체층의 안쪽으로 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체층이 제1도전형의 에피텍셜층에 의해 형성되는 제2도전형의 반도체 기판을 추가로 구비하는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 게이트 확산층은 상기 반도체층의 상기 표면으로부터 상기 반도체 기판에 도달하도록 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체층이 제1도전형의 웰영역에 의해 형성되는 제2도전형의 반도체 기판을 추가로 구비하는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트 확산층은 상기 반도체층의 상기 표면으로부터 상기 반도체 기판에 도달하도록 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  9. 제2항에 있어서, 제2도전형의 절연 격리층은 상기 소오스 확산층, 드레인 확산층과 게이츠 확산층을 둘러싸도록 상기 표면으로부터 상기 반도체층 안쪽으로 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반도체층이 형성된 제2도전형의 반도체 기판을 추가로 구비하고, 제2도전형의 상기 절연 격리층은 상기 반도체층의 상기 표면으로부터 상기 반도체 기판에 도달하도록 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 절연막은 상기 절연 격리층과 일치하는 위치에 제2게이트 접촉홀을 가지며, 상기 게이트 전극막은 상기 제2게이트 접촉홀을 경유하여 상기 절연 격리층과 접촉함으로써 상기 게이트 확산층과 상기 도전형의 상기 절연 격리층 사이에 채널 영역이 형성되는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
  12. 제1도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면상에 선택적으로 형성된 제1도전형의 소오스 확산층과, 상기 소오스 확산층으로부터 제1방향으로 떨어져 상기 반도체층의 상기 표면상에 선택적으로 형성된 제1도전형의 드레인 확산층과, 상기 소오스 확산층과 상기 드레인 확산층 사이에 형성된 제2도전형의 게이트 확산층과, 절연 격리층과 상기 게이트 확산층 사이에 형성된 채널 영역과 함께 상기 소오스 확산층, 드레인 확산층과 게이트 확산층을 둘러싸도록 형성된 제2도전형의 절연 격리층을 구비하는 접합 FET를 갖는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960004545A 1995-02-21 1996-02-21 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 KR100232383B1 (ko)

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