KR930022601A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법

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KR930022601A
KR930022601A KR1019930006004A KR930006004A KR930022601A KR 930022601 A KR930022601 A KR 930022601A KR 1019930006004 A KR1019930006004 A KR 1019930006004A KR 930006004 A KR930006004 A KR 930006004A KR 930022601 A KR930022601 A KR 930022601A
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KR
South Korea
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gate electrode
silicon substrate
type silicon
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reduced
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KR1019930006004A
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아키라 스도
토시하르 와타나베
Original Assignee
사또오 후미오
가부시기가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 LDD 구조 트랜지스터의 측벽재로 고유전체 재료를 사용하여 LDD 영역의 기생 저항을 작게 했을 경우에 있어서, 게이트 전극과 소스/드레인 영역사이의 게이트 기생 용량을 작게할 수 있다. P형 실리콘 기판(1) 표면상에 게이트산화막 (2)을 통해 설치된 게이트 전극(3)을 마스크로하여, 상기P형 실리콘 기판(1)에 LDD영역의 N-층(11),(12)을 설치하고, 상기게이트 전극(3)의 양측면에 고유전율의 측벽재(4)를 설치하여 이 측벽재(4) 양측의 P형 실리콘기판(1)을 파내려가며 이 파내려간 P형 실리콘 기판(1)에 소스/드레인영역의 N+층(14),(15)을 설치하고 있다. 따라서 게이트 전극(3)과 소스/드레인 영역의 N+(14),(15)사이의 기생용량을 작게할 수 있고, 트랜지스터의 구동능력을 향상시킬 수 있는 동시에 소비전력을 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명의 반도체 장치 제조방법의 일실시예를 도시하는 것으로서, P형 실리콘 기판에 소스/드레인 영역을 설치하는 공정을 도시하는 단면도.
제2도는 본 발명인 반도체 장치 제조방법의 일실시예를 도시하는 것으로서, P형 실리콘 기판 표면에 게이트 전극을 설치하는 공정을 도시하는 단면도.
제3도는 본 발명인 반도체 장치 제조방법의 일실시예을 도시하는 것으로서, P형 실리콘 기판에 LDD영역을 설치하는 공정을 도시하는 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판 표면 윗부분에 설치된 게이트 전극의 양측면에 측벽재를 설치하는 공정과, 이 측벽재의 양측 반도체 기판을 파내려가는 공정과, 이 파내려간 반도체 기판에 소스/드레인 영역을 설치하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판에 LDD영역을 설치하는 공정을 가한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 측벽재는 고유전체 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930006004A 1992-04-14 1993-04-10 반도체 장치의 제조방법 KR930022601A (ko)

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JP4094264A JPH0629524A (ja) 1992-04-14 1992-04-14 半導体装置の製造方法
JP92-094264 1992-04-14

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US5640035A (en) 1997-06-17
JPH0629524A (ja) 1994-02-04

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