KR960005622A - 마스크 rom의 워드선 구동회로 - Google Patents

마스크 rom의 워드선 구동회로 Download PDF

Info

Publication number
KR960005622A
KR960005622A KR1019950023133A KR19950023133A KR960005622A KR 960005622 A KR960005622 A KR 960005622A KR 1019950023133 A KR1019950023133 A KR 1019950023133A KR 19950023133 A KR19950023133 A KR 19950023133A KR 960005622 A KR960005622 A KR 960005622A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
word line
voltage
memory cell
mask rom
driver circuit
Prior art date
Application number
KR1019950023133A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100208131B1 (ko
Inventor
야스히코 세키모토
Original Assignee
우에시마 세이스케
야마하 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP19770794A external-priority patent/JP3185553B2/ja
Priority claimed from JP13482995A external-priority patent/JPH08306194A/ja
Application filed by 우에시마 세이스케, 야마하 가부시키가이샤 filed Critical 우에시마 세이스케
Publication of KR960005622A publication Critical patent/KR960005622A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100208131B1 publication Critical patent/KR100208131B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10—Decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

MOSFET등으로 구성된 메모리셀을 다수 구비하고, 다수개의 워드선 및 비트선이 교차됨으로써 형성되는 다수의 교차점 각각에 상기 다수의 메모리셀 각각을 배치하여 구성한 메모리셀 매트릭스를 포함하는 마스크 ROM에 있어서, 당해 마스크 ROM에 구비된 워드선 구동회로는 워드선의 구동용 전원전압으로서 제1 및 제2의 전압을 선택적으로 이용하고 있다.
양 전압은 메모리셀의 스레소울드 레벨보다 높게 설정되어 있으나, 제1전압쪽이 제2전압보다 높게 설정되어 있다. 행 어드레스의 변화 초기에는 상기 제1전압을 이용하고, 그 다음에 행 어드레스가 변화되기 이전의 타이밍에서 상기 제2전압으로 떨어지도록 했다. 이에 따라 메모리셀의 온/오프에 요하는 시간을 단축하고, 또 마스크 ROM의 고속화를 도모하고 있다. 또한, 워드선 구동신호를 전원전압과 소정의 백 바이어스전압 사이에서 진폭시킴으로써 워드선의 전원전압으로부터의 상승시간을 단축하고, 또 마스크 ROM의 액세스속도를 향상시키고 있다.

Description

마스크 ROM의 워드선 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 워드선 구동회로를 포함한 마스크 ROM의 전체 구성을 도시한 블록도.
제2도는 제1도의 마스크 ROM에 적용되는 워드선 구동회로의 상세한 구성을 도시한 블록도.
제8도는 본 발명에 의한 마스크 ROM의 또다른 구성을 도시한 블록도.

Claims (4)

  1. n채널 MOSFET로 구성된 메모리셀(24)을 다수 구비하고, 당해 다수의 메모리셀을 행방향 및 열방향으로 배열하여 메모리 매트릭스(22)를 구성하고, 행 어드레스에 대응하는 워드선(16)에 워드선신호를 공급함으로써 행방행의 메모리셀을 선택하도록 구성한 마스크 ROM의 워드선 구동회로에 있어서, 당해 워드선 구동회로는 상기 메모리셀의 스레소울드 레벨보다 높은 제1전압과 당해 제1전압보다 낮으며, 또 상기 스레소울드 레벨보다 높은 제2전압을 선택적으로 상기 워드선의 구동용 전원전압으로서 출력하는 전압출력수단(44)과, 상기 행 어드레스의 변화에 따라 상기 전압출력수단을 제어하는 제어수단(42)이며, 상기 행 어드레스의 변화 초기에는 상기 제1전압을 출력시키고, 그 다음에 행 어드레스가 변화하기 이전의 타이밍에서 상기 제2전압으로 변화시켜서 출력시키는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 마스크 ROM의 워드선 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 행 어드레스의 각 비트마다 배설된 회로수단을 다수(68-1~68-10) 구비한 것으로써, 각 회로수단은 각 비트값의 변화를 검출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 ROM의 워드선 구동회로.
  3. 다수의 메모리셀로 구성된 메모리셀 어레이로서 다수개의 워드선과 다수개의 비트선이 교차함으로써 형성되는 다수 교차점의 각각에 상기 다수의 메모리셀 각각이 배치되어 있는 메모리셀 어레이(101)와, 외부 어드레스를 디코드하여 상기 메모리셀 어레이의 상기 워드선 및 상기 비트선을 선택하는 어드레스 디코드수단(102)과, 상기 메모리셀 어레이가 선택된 워드선을 구동하는 워드선 구동회로(103)와, 상기 메모리셀 어레이가 선택된 비트선의 데이터를 판독하는 데이터 센스수단(106)과, 상기 워드선 구동회로의 기준단자에 마이너스의 백 바이어스전압을 인가하고, 또 워드선 구동신호를 전원전압과 상기 백 바이어스전압 사이에서 진폭시키는 백 바이어스수단(108)을 구비한 것을 특징으로 하는 마스크 ROM의 워드선 구동회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이는 다수의 MOS트랜지스터를 직렬접속한 NAND형 셀로 구성되며, 또 MOS트랜지스터의 게이트전극이 다수의 NAND형 셀에 걸쳐서 연속적으로 배설되어 워드선으로 이용되는 것을 특징으로 하는 마스크 ROM의 워드선 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950023133A 1994-07-30 1995-07-29 마스크 rom의 워드선 구동회로 KR100208131B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-197707 1994-07-30
JP19770794A JP3185553B2 (ja) 1994-07-30 1994-07-30 マスクｒｏｍのワード線駆動回路
JP13482995A JPH08306194A (ja) 1995-05-08 1995-05-08 半導体記憶装置
JP95-134829 1995-05-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960005622A true KR960005622A (ko) 1996-02-23
KR100208131B1 KR100208131B1 (ko) 1999-07-15

Family

ID=26468815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950023133A KR100208131B1 (ko) 1994-07-30 1995-07-29 마스크 rom의 워드선 구동회로

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100208131B1 (ko)
TW (1) TW279987B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100636915B1 (ko) * 1999-06-29 2006-10-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 워드라인 부스팅신호 제공방법 및 장치
TWI406294B (zh) * 2009-04-17 2013-08-21 Vanguard Int Semiconduct Corp 記憶體及記憶裝置
TWI399022B (zh) 2010-05-24 2013-06-11 Powerforest Technology Corp 外差雙斜率迴授控制電路及其控制方法與具此控制電路之電源供應系統

Also Published As

Publication number Publication date
TW279987B (en) 1996-07-01
KR100208131B1 (ko) 1999-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910010526A (ko) 페이지 소거 가능한 플래쉬형 이이피롬 장치
KR940018874A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR920013456A (ko) 반도체 기억장치
KR970023375A (ko) 데이터 유지회로
KR950020749A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치
KR920013449A (ko) 개선된 기록 구동기를 가지는 판독/기록 메모리
KR970003258A (ko) 기준 전압 발생 회로를 갖는 불휘발성 반도체 메모리
KR870009397A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR860004409A (ko) 반도체 기억장치
KR0121131B1 (ko) 반도체 메모리장치의 구동회로
US5818790A (en) Method for driving word lines in semiconductor memory device
KR920015379A (ko) Eeprom 및 eeprom 독출 방법
KR960019317A (ko) 상이한 전력 전압을 선택적으로 공급하는 간단하고 안정된 전환 회로를 갖는 반도체 장치
KR880008340A (ko) Cmos 게이트 어레이의 고밀도 rom
KR910006997A (ko) 기생용량에 의해 야기된 오동작을 방지하기 위한 eprom의 디코더 회로
KR970016535A (ko) 어드레스 디코더
KR970051299A (ko) 워드 드라이버 회로와 그를 이용한 메모리 회로
KR910010524A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR960005622A (ko) 마스크 rom의 워드선 구동회로
KR930022370A (ko) 반도체 메모리 장치
KR920020501A (ko) 반도체 기억 장치
KR930018584A (ko) 워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치
KR100339656B1 (ko) 메모리구동장치
KR920010615A (ko) 전류 미러형 감지증폭기를 가진 메모리 디바이스
KR100316521B1 (ko) 반도체 메모리의 오버 드라이브 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100413

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee