KR930018584A - 워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치 - Google Patents

워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치 Download PDF

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KR930018584A
KR930018584A KR1019930002135A KR930002135A KR930018584A KR 930018584 A KR930018584 A KR 930018584A KR 1019930002135 A KR1019930002135 A KR 1019930002135A KR 930002135 A KR930002135 A KR 930002135A KR 930018584 A KR930018584 A KR 930018584A
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모코토 야나기사와
유끼노리 고다마
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세끼사와 요시
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
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Abstract

반도체 기억장치의 메모리 셀 어레이의 워드선에 결합된 워드선 구동회로에 있어서, 첫번째 트랜지스터(Q4)는, 반도체 기억장치에 인가된 행 어드레스 신호를 기초로 하여 입력신호를 수신하는 첫번째 단자, 두번째 단자. 고정 바이어스 전압을 갖고 첫번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있다. 두번째 트랜지스터(Q5)는 두번째 타이밍 신호를 수신하는 첫번째 단자, 워드선에 연결된 두번째 단자, 첫번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 두번째 단자가 있다. 세번째 트랜지스터(Q6)는 두번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 첫번째 단자, 소정의 전압에서 세트되는 두번째 단자, 세번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있다. 첫번째 트랜지스터는 최소한 두번째 및 세번째 트랜지스터 중 한 보다 적은 한계전압을 갖는다.

Description

워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 빈도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 워드선 구동회로의 회로도, 제4도는 제3도에 도시된 워드선 구동회로의 동작을 나타내는 파형도, 제5도는 제3도에 도시된 워드선 구동회로의 단면도, 제6도는 본 발명이 적용되는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치의 블럭도.

Claims (19)

  1. 반도체 기억장치에 인가된 행 어드레스 신호를 기초로 하여 입력신호를 수신하는 첫번째 단자, 두번째 단자, 고정바이어스 전압을 갖고 첫번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있는 첫번째 트랜지스터(Q4); 두번째 타이밍 신호를 수신하는 첫번째 단자, 워드선에 연결된 두번째 단자, 첫번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 두번째 단자가 있는 두번째 트랜지스터(Q5); 두번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 단자, 소정의 전압에서 세트되는 두번째 단자, 세번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있는 세번째 트랜지스터(Q6)를 포함하는 반도체 기억장치의 메모리 셀 어레이의 워드선에 결합된 워드선 구동회로에 잇어서, 첫번째 트랜지스터는 최소한 두번째 및 세번째 트랜지스터 중 하나 보다 적은 한계전압을 갖는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 첫번째 트랜지스터가 최소한 상기 두번째와 세번째 트랜지스터 중 하나의 것보다 적은 불순물 집속을 갖는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  3. 제1항에 있어서, 첫번재 타이밍 신호과 반도체 기억장치에 인가되는 전력공급 전압에서 고정되는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  4. 제1항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계 전압이 두번째 트랜지스터의 것보다 적은 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  5. 제1항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계 전압이 두번째 트랜지스터의 것보다 적은 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  6. 제1항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계전압이 두번째와 세번째 트랜지스터의 한계전압 보다 적은 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  7. 제1항에 있어서, 세번째 타이밍 신호가 입력신호의 역변환인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  8. 제1항에 있어서, 두번째 타이밍 신호는 첫번째 신호와 두번째 신호 양측이 하이일때 첫번째 타이밍 신호가 세트되는 전압에 세트되는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  9. 제1항에 있어서, 첫번째, 두번째 및 세번째 트랜지스터가 n채널 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  10. 워드선과 비트선에 접속된 메모리 셀 어레이(10);행 어드레스 신호에 반응하여 워드선 중 하나를 선택하는 행 어드레스 복호기(13); 열 어드레스 신호에 반응하여 비트선중 하나를 선택하는 열 어드레스 복호기(14); 메모리 셀 어레이에 데이타를 기록하고 메모리 셀 어레이로 부터 데이타를 판독하기 위해 메모리 셀 어레이에 결합된 데이타 입/출력 수단(15-20)을 포함하며, 각각의 워드라인 구동회로는 행 어드레스 신호를 기초로 하여 입력신호를 수신하는 첫번째 단자, 두번째 단자, 고정바이어스 전압을 가지며 첫번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있는 첫번째 트랜지스터(Q4) ;두번째 타이밍 신호를 수신하는 첫번째 단자, 워드선에 접속된 두번째 단자, 첫번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 제어단자가 있는 두번째 트랜지스터(Q5) ;두번째 트랜지스터의 두번째 단자에 접속된 첫번째 단자, 소정의 전압에서 세트되는 두번째 단자, 세번째 타이밍 신호를 수신하는 제어단자가 있는 세번째 트랜지스터(Q6)를 포함하는 반도체 장치에 있어서, 첫번째 트랜지스터는 최소한 두번째 및 세번째 트랜지스터중 하나 보다 낮은 한계전압을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  11. 제10항에 있어서, 첫번째 트랜지스터가 최소한 상기 두번째 및 세번째 트랜지스터중 하나 보다 적은 불순물 집속을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  12. 제10항에 있어서, 첫번째 타이밍 신호는 반도체 기억장치에 인가된 전원공급과 같은 고정전압인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  13. 제10항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계전압이 두번째 트랜지스터의 것보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  14. 제10항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계전압이 세번째 트랜지스터의 것보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  15. 제10항에 있어서, 첫번째 트랜지스터의 한계전압이 두번째와 세번째 트랜지스터의 것보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  16. 제10항에 있어서, 세번째 타이밍 신호가 입력신호의 역변환인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  17. 제10항에 있어서, 두번째 타이밍 신호는 첫번째 신호와 두번째 신호양측이 하이일때 타이밍 신호가 세트되는 전압에 세트되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  18. 제10항에 있어서, 첫번째, 두번째 그리고 세번째 트랜지스터가 n채널 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  19. 제10항에 있어서, 반도체 장치가 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930002135A 1992-02-17 1993-02-16 워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치 KR960002823B1 (ko)

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JP92-029699 1992-02-17

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EP0557066B1 (en) 1998-11-11
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