KR950024264A - 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 - Google Patents
반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조에 관한 것으로서, 특히 금속배선 공정시 콘택홀 내에 도전성 돌출부를 형성시켜 콘택부의 접촉을 양호하게 한 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조에 관한 것이다.
이를 위하여 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법은, 반도체기판에 제1및 제2절연막을 증착하고 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀이 형성된 반도체 기판 전면에 절연막을 증착한 후 절연막을 에치백하여 콘택홀 내에 콘택 절연막 측벽을 형성하는 단계와, 전면에 도전층을 증착하고 에치 백후 콘택 절연막 측벽을 제거하여 콘택홀 내측 하단 중앙부에 불순물 확산영역과 연결된 도전성 돌출부를 형성하는 단계와, 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성 공정도.
Claims (6)
- 반도체 장치의 금속배선시 콘택부 형성방법에 있어서, 반도체기판에 제1 및 제2절연막을 증착하고 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀이 형성된 상기 반도체 기판 전면에 절연막을 증착한 후 상기 절연막을 에치 백하여 콘택홀 내에 콘택 절연막 측벽을 형성하는 단계와, 전면에 도전층을 증착하고 에치 백 후 콘택 절연막 측벽을 제거하여 콘택홀 내측 하단 중앙부에 불순물 확산영역과 연결된 도전성 돌출부를 형성하는 단계와, 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 제1절연막은, 저온 실리콘 산화막 또는 BPSG로 형성하고, 제2절연막은 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 도전성 돌출부는, 다결정 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 금속배선시 큰택부 형성방법.
- 반도체장치의 금속배선시 콘택부 구조에 있어서, 금속배선과 연결될 불순물 확산영역을 가진 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 형성되고 상기 불순물 확산영역 상부에 콘택홀이 열린 절연막, 상기 불순물 확산영역에 접촉하며 콘택홀 내부로 돌출런 도전성 돌출부, 큰택홀 내부에 충진되고 상기 도전성 돌출부, 불순물 확산영역 및 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선시 콘택부 구조.
- 제4항에 있어서 상기 절연막은, 저온 실리콘 산화막과, 실리콘 질화막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선시 콘택부 구조.
- 제4항에 있어서 상기 도전성 돌출부는, 다결정 실리콘으로 막대형인 것을 특징으로하는 반도체장치의 금속배선시 콘택부 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940000167A KR0137850B1 (ko) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019940000167A KR0137850B1 (ko) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR950024264A true KR950024264A (ko) | 1995-08-21 |
| KR0137850B1 KR0137850B1 (ko) | 1998-06-01 |
Family
ID=19375345
Family Applications (1)
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| KR1019940000167A KR0137850B1 (ko) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0137850B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100964400B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 콘택 구조체 |
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1994
- 1994-01-06 KR KR1019940000167A patent/KR0137850B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0137850B1 (ko) | 1998-06-01 |
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