KR900017091A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명을 E2PROM에 적용한 경우의 터널절연막 근방을 도시한 단면도.
제 2 도는 상기 제 1 도의 E2PROM에 있어서 터널절연막의 깊이방향의 불순물프로파일을 도시한 도면.
Claims (6)
- 반도체기판(1)과, 이 반도체기판(1)상에 형성된 산화막(3, 4) 및, 이 산화막(3, 4)상에 불순물을 포함하여 형성되는 폴리실리콘층(6)을 구비한 반도체장치에 있어서, 상기 산화막(3, 4)과 폴리실리콘층(6) 사이에 SixNyOz의조성을 갖는 실리콘질화산화막(5)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
- 제 1 항에 있어서, 상기 산화막이 후막부(3 ; 厚膜部)와 박막부(4 ; 薄膜部)로 구성되고, 상기 폴리실리콘층(6)은 전기적으로 부유상태인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층(6)의 불순물이 인(P)인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체기판(1)과, 이 반도체기판(1)상에 형성된 산화막(3, 4) 및, 이 산화막(3, 4)상에 불순물을 포함하여 형성되는 폴리실리콘층(6)을 구비한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 산화막(3, 4)을 형성한 후 질소원자를 포함하는 가스분위기 중에서 열처리를 행하고, 상기 산화막(3, 4)의 표면 일부에 SixNyOz의 조성을 갖는 실리콘질화산화막(5)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
- 제 4 항에 있어서, 상기 산화막(3, 4)의 형성공정이 후막부(3 ; 厚膜部)와 박막부(4 ; 薄膜部)를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 불순물을 포함한 폴리실리콘층(6)의 형성공정이 인의 확산공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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