KR950021753A - 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021753A KR950021753A KR1019930030473A KR930030473A KR950021753A KR 950021753 A KR950021753 A KR 950021753A KR 1019930030473 A KR1019930030473 A KR 1019930030473A KR 930030473 A KR930030473 A KR 930030473A KR 950021753 A KR950021753 A KR 950021753A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- forming
- film
- semiconductor device
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 소자를 소형화하면서 실리콘기판과 금속배선의 접합부에서 발생하는 스파이킹 현상을 방지하도록 실리콘 기판과 금속배선의 연결부위를 단결정 실리콘막으로 형성하고, 소오스/드레인 상부에 금속배선을 형성시킴으로 금속원자들이 집적 실리콘 기판과 접합되지 않고 소오스/드레인과 접합을 한 전계효과형 반도체소자의 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체소자의 형성방법에 따라 실리콘 기판상에 금속배선을 형성한 상태를 도시한 단면도.
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 전계효과형 반도체소자의 형성방법에 따른 공정 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자제조 공정에 있어서 실리콘 기판상에 패드용 산화막과 제1질화막 패턴을 형성한 후 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1질화막 패턴을 제거하고 제2질화막을 전체구조의 상부에 형성한후, 식각공정으로 제2질화막이 필드산화막 상부에만 남도록 하는 단계와, 실리콘 기판에 남아있는 패드용 산화막을 제거하고,에피텍셜 단결정 실리콘을 노출된 실리콘 기판과 제2질화막 상부에 형성하는 단계와, 상기 에피텍셜 단결정 실리콘의 일정부분을 식각하여 에피텍셜 단결정 실리콘 패턴을 형성하고 전체 구조의 상부에 게이트산화막, 폴리실리콘막 및 실리사이드막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 게이트산화막과 폴리실리콘막 및 실리사이드막을 식각하여 게이트전극을 형성한후 N-이온주입을 실시하는 단계와, 전체구조에 산화막을 증착한 후 이방성 블랭키트식각으로 식각하여 에피텍셜 단결정 실리콘 패턴과 게이트전극 측벽에 측면 산화막을 형성한 후 N+이온을 주입하여 소오스/드레인을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 절연산화막을 형성한 후, 상기 절연산화막을 식각하여 소오스/드레인상부가 노출된 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀을 통하여 소오스/드레인에 콘택되는 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2질화막의 두께는 500옹그스트롱(Å)인 것을 특징으로 하는 전계효과형 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면산화막은 저온산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과형 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030473A KR950021753A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030473A KR950021753A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021753A true KR950021753A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930030473A KR950021753A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021753A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275329B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 링 오실레이터 |
-
1993
- 1993-12-28 KR KR1019930030473A patent/KR950021753A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275329B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 링 오실레이터 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5093273A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH0430189B2 (ko) | ||
| KR960043267A (ko) | 인버스 티(t)형 트랜지스터의 개선된 제조방법 | |
| KR100278273B1 (ko) | 반도체장치의콘택홀형성방법 | |
| US4737831A (en) | Semiconductor device with self-aligned gate structure and manufacturing process thereof | |
| US6124613A (en) | SOI-MOS field effect transistor that withdraws excess carrier through a carrier path silicon layer | |
| KR940002952A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20010053237A (ko) | 전계 효과 트랜지스터, 집적 회로, 전계 효과 트랜지스터제작 방법, 그리고 집적 회로 제작 방법 | |
| JPH04275436A (ja) | Ｓｏｉｍｏｓトランジスタ | |
| KR950021753A (ko) | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR0171732B1 (ko) | 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US6987038B2 (en) | Method for fabricating MOS field effect transistor | |
| KR950021724A (ko) | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100191710B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| KR100273314B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR970054360A (ko) | 반도체소자의 트랜지스터 형성방법 | |
| KR100934828B1 (ko) | 반도체 소자의 모스펫 형성방법 | |
| JP3521921B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3087363B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR950021237A (ko) | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100281100B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR950021787A (ko) | 전계 효과형 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR960026221A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970003613A (ko) | 반도체소자의 트랜지스터 형성방법 | |
| KR950009925A (ko) | 단차비가 감소된 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |