KR940016580A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판상의 요부에만 매몰재료를 충전하여 정밀도가 높은 평탄화 구조를 간편히 실현하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 트렌치구조나 다층 배선 구조와 같이 표면에 요부 및 철부를 가지는 반도체 기판의 표면전체에 기판 표면의 요부를 매몰하기 위함 매몰막을 형성하는 공정과, 요부 영역상의 매몰막 표면에 스토퍼응을 선택적으로 형성한 후에 기계적 연마 또는 에치백에 의하여 철부의 표면까지 매몰막을 제거함으로써 정밀도가 높은 평탄화구조를 간편히 실현하고 있다. 또한 철부의 표면에도 스토퍼층을 형성하는 것이 좋고, 스토퍼층은 기계적 연마를 사용하는 경우에는 대마성이 있는 탄소막, 고융점 금속막 및 그 화합물이 바람직하며, 에치백을 사용할 경우에는 실리콘 질화막, 폴리실리콘막이 적합하다.

Description

반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 6 도 내지 제15도는 본 발명의 제 1 실시예의 보다 구체적인 반도체 장치 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (14)

  1. 표면에 요부 및 철부를 가지는 반도체 기판의 상기 철부의 표면에 제 1 의 스토퍼층을 형성하는 공정과; 상기 반도체 기판의 표면 전체에 기판 표면의 상기 요부를 메우기 위한 매몰막을 형성하는 공정과; 상기 요부 영역상의 상기 매몰상 표면에 제 2 의 스토퍼층을 선택적으로 형성하는 공정과; 기계적 연마에 의하여 상기 제 1 스토퍼층의 표면이 노출하기 까지 평면적으로 상기 매몰막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 의 스토퍼층의 막두께는 상기 반도체 기판 표면의 요철의 단차보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 스토퍼층은 에칭 속도가 작은 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 제1 및 제 2 의 스토퍼층이 대마성이 있는 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 인접하는 2개의 상기 철부가 매몰막의 두께의 2배로 최소가공치수를 가한 거리보다도 큰 거리에 있을 때에만 양 철부간의 요부에 매몰되는 매몰막상에 상기 제 2 의 스토퍼층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 매몰막의 두께가 상기 반도체 기판상의 요철의 단차의 80~120%의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 철부가 반도체 기판의 초기 표면이고, 상기 요부가 상기 반도체 기판에 형성된 홈부인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 철부가 반도체 기판상에 실리콘 산화막을 게재하여 적층되는 제 1 의 금속배선층이고, 상기 요부가 상기 반도체 기판의 초기 표면인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 의 스토퍼층이 제거된후 층간 절연막이 되는 실리콘 산화막을 퇴적시키는 공정과; 이 실리콘 산화막상에 상기 제 2 의 금속배선층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 표면에 요부 및 철부를 가지는 반도체 기판의 표면에 상기 요부를 매몰하기 위한 매몰막을 형성하는 공정과; 상기 요부 영역상의 상기 매몰막 표면에 제1 의 스토퍼층을 선택적으로 형성하는 공정과; 기계적 연마에 의하여 상기 철부의 표면이 노출될 때까지 평면적으로 상기 매몰막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 인접하는 2개의 상기 철부가 매몰막의 두께의 2배에 최소 가공 치수를 더한 거리보다도 큰 거리에 있을 때에만 양 철부사이의 요부에 매몰되는 매몰막상에 상기 제 2 의 스토퍼층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  12. 표면에 요부 및 철부를 가지는 반도체 기판의 상기 철부 표면에 제 1 의 스토퍼층으로서의 제 1 의 폴리실리콘층을 형성하는 공정과; 상기 반도체 기판의 표면 전체에 기판 표면의 상기 요부를 매몰하기 위한 매몰막을 형성하는 공정과; 상기 요부 영역상의 상기 매몰막 표면에 제 2 의 스토퍼층으로서의 제 2 의 폴리실리콘 층을 이방성 에칭에 의하여 선택적으로 형성하는 공정과; 기계적 연마에 의하여 상기 제 1 스토퍼층의 표면이 노출할 때까지 상기 매몰막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제 2 의 폴리실리콘층을 선택적으로 형성하는 공정이 퇴적된 제 2 의 폴리실리콘층 위에 다시 실리콘 산화막을 제 2 의 폴리실리콘층에 존재하는 단차분 이상의 두께로 퇴적시킨 후 이것을 제 2 의 폴리실리콘층과 함께 패턴화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 인접하는 2개의 상기 철부가 매몰막 두께의 2배로 최소 가공치수를 더한 거리보다도 큰 거리에 있을 때에만 양 철부사이의 요부에 매몰되는 매몰막상에 상기 제 2 의 스토퍼층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028760A 1992-12-22 1993-12-21 반도체 장치의 제조방법 KR0133264B1 (ko)

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