KR930003161A - 반도체 메모리의 리던던시 회로 - Google Patents

반도체 메모리의 리던던시 회로 Download PDF

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리의 리던던시 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 리던던시 회로.

Claims (5)

  1. 특정의 어드레스에 대하여 여분의 메모리 셀을 사용하도록 하는 스페어 신호를 발생시키기 위한 리던던시 회로에 있어서, 스페어신호가 발생되도록 하는 어떤 전압상태를 가지고 있는 기준점과; 상기 기준점에 소정의 전압을 인가하는 기준전압인가회로와; 상기 기준점에 연결된 2이상의 FLOTOX 트랜지스터와; 어드레스라인에 연결되어 상기 FLOTOX 트랜지스터의 게이트에 소정의 전압을 인가하는 상기 FLOTOX 트랜지스터의 수만큼의 고전압구동회로를 포함하여 이루어지는 리던던시 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기준전압인가회로는 두개의 인버터로 구성되고 그 출력전압이 FLOTOX 트랜지스터를 프로그램 할 수 있을 정도의 전압과 통상의 동작전압 크기를 가질 수 있는 것이고, 상기 구동회로는 4개의 인버터로 구성되며, 그 출력 전압이 FLOTOX 트랜지스터를 프로그램 할 수 있을 정도의 전압과 통상의 동작전압 크기를 가질수 있는 것이 특징인 리던던시 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기준전압 인가회로는 Vcc단자를 가지고있는 CMOS 인버터와, Vpp/Vcc-1 단자를 가지고 있는 CMOS 인버터로 구성되고, 상기 구동회로는 Vcc단자를 가지고 있는 CMOS 인버터, 및 Vpp/Vcc-2 단자를 가지고 있는 CMOS 인버터, 및 Vpp/Vcc-1 단자를 가지고 있는 2개의 CMOS 인버터로 구성되어 있는 것이 특징인 리던던시 회로.
  4. 제3항에 있어서, FLOTOX 트랜지스터를 프로그램 할 때는, 상기 Vcc단자에는 Vcc전압을 가하고 상기 Vpp/Vcc-1 단자 및 상기 Vpp/Vcc-2 단자에는 상기 Vcc전압보다 휠씬크고 FLOTOX 트랜지스터를 프로그램 할 수 있을 정도의 크기를 가진 전압(Vpp)를 가하며, 통상의 사용 상태에서는 상기 단자 모두에 Vcc 전압을 가하는 것이 특징인 리던던시회로.
  5. 제3항에 있어서, FLOTOX 트랜지스터에 프로그램된 내용을 삭제하기 위하여는 상기 Vcc 단자에는 Vcc전압을 가하고 상기 Vpp/Vcc-1 단자에는 Vpp전압을 가하며, 상기 Vpp/Vcc-2단자에는 Vcc전압을 가하는 것이 특징인 리던던시회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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