KR910016005A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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KR910016005A
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준이치 미야모토
노부아키 오츠카
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 집적회로의 1실시예에 따른 반도체 메모리 일부를 나타낸 회로도.

Claims (4)

  1. 소오스가 제1전원에 접속되고, 게이트·드레인상호가 접속된 제1MOSFET(P1,N1)와, 이 제1MOSFET(P1,N1)와 동일도전형으로서 상호의 게이트가 공통으로 접속되고, 소오스가 상기 제1전원에 접속되며, 드레인이 소망하는 전위로 설정될 소정의 노드에 접속된 제2MOSFET(P2,N2) 및, 상기 제1MOSFET(P1,N1)의 드레인과 제2전원사이에 접속된 용량(C)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노드에 불휘발성에 메모리셀이 접속되고, 이 불휘발성 메모리셀에는 용장관계의 정보가 저장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 1개의 제1MOSFET의 게이트에 대해 복수개의 제2MOSFET의 게이트가 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 제1MOSFET(P1,N1)보다도 제2MOSFET(P2,N2)의 컨덕턴스가 큰 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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