KR910013276A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents

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KR910013276A
KR910013276A KR1019900017890A KR900017890A KR910013276A KR 910013276 A KR910013276 A KR 910013276A KR 1019900017890 A KR1019900017890 A KR 1019900017890A KR 900017890 A KR900017890 A KR 900017890A KR 910013276 A KR910013276 A KR 910013276A
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도시유끼 오가와
신지 가와이
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 집적 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한실시예를 표시하는 듀얼포트 메모리의 개략블록도,
제2도 및 제3도는 제1도의 듀얼포트 메모리에 사용되는 내부 리세트 회로의 한예를 표시하는 회로도.

Claims (1)

  1. 내부클럭 신호에 따라 동작하는 반도체 집적회로 장치와 있어서, 전원전위에 결합되고, 아울러, 전원투입에 응하여 상기 전원전위의 변화에 추수한 전위변화를 받는 제1의 노드와, 상기 제1의 노드의 전위의 변화에 기여하도록, 상기 제1의 노드에 결합되는 제1의 회로소자 수단과, 전원투입 후의 상기 제1의 노드상의 미리 정하는 전위와, 내부클럭신호와에 응답하여 리세트 신호를 발생하는 리세트 신호발생 수단과, 제2의 노드를 가지고, 상기 제2의 노드의 전위에 응답하여 기능하는 기능소자 수단과, 상기 리세트 신호발생 수단에 의하여 발생된 상기 리세트 신호에 응답하여, 상기 제2의 노드를, 상기 기능소자 수단을 리세트 상태로 하는 것에 필요한 전위에 강제하는 수단과, 상기 제2의 노드의 전위의 변화에 기여하도록, 상기 제2의 노드에 결합되는 제2의 회로소자 수단과를 구비하고, 전원투입 후도 상기 리세트 신호발생 수단에 의하여 리세트 신호가 발생되지 않는때, 상기 제2의 노드의 전위가 상기 기능소자 수단을 리세트하는 것에 필요한 전위에 되도록, 상기 제1의 회로소자 수단의 상기 제1의 노드 전위 변화에 기여하는 정도와, 상기 제2의 회로소자 수단의 상기 제2의 노드의 전위 변화에 기여하는 정도를 달리하도록 하는, 반도체 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900017890A 1989-12-28 1990-11-06 반도체 집적 회로장치 KR940006363B1 (ko)

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JP1-34023 1989-12-28
JP1340230A JPH0766662B2 (ja) 1989-12-28 1989-12-28 半導体記憶装置
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KR910013276A true KR910013276A (ko) 1991-08-08
KR940006363B1 KR940006363B1 (ko) 1994-07-18

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KR (1) KR940006363B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100376871B1 (ko) * 2000-11-28 2003-03-19 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100396793B1 (ko) * 2001-06-30 2003-09-02 주식회사 하이닉스반도체 파워 온 리셋회로

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KR100376871B1 (ko) * 2000-11-28 2003-03-19 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100396793B1 (ko) * 2001-06-30 2003-09-02 주식회사 하이닉스반도체 파워 온 리셋회로

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KR940006363B1 (ko) 1994-07-18
JPH03203093A (ja) 1991-09-04
JPH0766662B2 (ja) 1995-07-19

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