KR900013658A - Bi-CMOS반도체장치 - Google Patents

Bi-CMOS반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900013658A
KR900013658A KR1019900002073A KR900002073A KR900013658A KR 900013658 A KR900013658 A KR 900013658A KR 1019900002073 A KR1019900002073 A KR 1019900002073A KR 900002073 A KR900002073 A KR 900002073A KR 900013658 A KR900013658 A KR 900013658A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
semiconductor device
well region
mos transistor
buried layer
Prior art date
Application number
KR1019900002073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970005146B1 (ko
Inventor
다케오 마에다
슈소 후지이
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR900013658A publication Critical patent/KR900013658A/ko
Priority to KR1019940012349A priority Critical patent/KR950009798B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970005146B1 publication Critical patent/KR970005146B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0623—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

Bi-CMOS반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A)~제1도(J)는 본발명의 제1실시예에 따른 Bi-CMOS반도체장치의 제조공정을 나타낸 단면도.

Claims (11)

  1. 바이폴라 트랜지스터와 상보형 MOS트랜지스터가 1칩상에 혼재되어 있는 Bi-CMOS반도체장치에 있어서, 제1도전형 반도체기판(10)과, 이 반도체기판(10)에 형성된 제2도전형 매립층(13), 이 매립층(13)상에 형성된 제1도전형 웰영역(16), 이 웰영역(16) 중 소정의 제1영역에 형성되는 제2도전채널형 제1MOS트랜지스터, 상기 매립층(13)과 공동으로 상기 웰영역(16)의 제1영역을 둘러싸도록 형성된 제2도전형 포위층(22)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 소정의 제2영역에 형성되는 제2도전챈널형 제2MOS트랜지스터가 구비된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 제1영역 및 제2영역에 서로 다른 값의 제1,제2바이어스전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치이고, 상기 제1MOS 트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 제2MOS트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  5. 바이폴라 트랜지스터와 상보형 MOS트랜지스터가 1칩상에 혼재되어 있는 Bi-CMOS반도체장치에 있어서, 제1도전형 반도체기판(10)과, 이 반도체기판(10)에 형성된 제1도전형 매립층(9), 이 매립층(9)상에 형성된 제1도전형 웰영역(16). 이 웰영역(16)중 소정의 제1영역에 형성되는 제2도전챈널형 제1MOS트랜지스터, 상기 매립층(9) 및 웰영역(16)의 소정의 제1영역을 둘러싸도록 형성된 제2도전형 포위칭(1,15)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 소정의 제2영역에 형성되는 제2도전챈널형 제2MOS트랜지스터가 구비된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 제1영역 및 제2영역에 서로 다른 값의 제1,제2바이어스전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치고, 상기 제1MOS트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 제2MOS트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  9. 제1도전형 반도체기판(19)과, 이 반도체 기판(10)에 형성된 제1도전형 매립층(13), 이 매립층(13)을 상기 반도체기판(10)으로부터 전기적으로 분리시키기위해 매립층(13)을 둘러싸도록 상기 반도체기판(10)에 형성된 제2도전형 포위칭(3,9)이 매립층(13)상에 형성된 제1도전형 제1웰영역(14), 이 웰영역(14)에 인접하게 형성된 제2도전형 제2웰영역(16), 상기 제1웰영역(14)에 형성된 바이폴라 트랜지스터, 상기 제2웰영역(16)에 형성된 제1도전챈널형 1MOS트랜지스터를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2웰영역(16)은 상기 포위층(3,9)과 공동으로 상기 제1웰영역(14)을 둘러싸도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치고, 상기 제1MOS트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 바이폴라 트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900002073A 1989-02-20 1990-02-20 Bi-CMOS 반도체장치 KR970005146B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940012349A KR950009798B1 (ko) 1989-02-20 1994-06-02 Bi-CMOS 반도체장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1039816A JP2509690B2 (ja) 1989-02-20 1989-02-20 半導体装置
JP1-39816 1989-02-20

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940012349A Division KR950009798B1 (ko) 1989-02-20 1994-06-02 Bi-CMOS 반도체장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900013658A true KR900013658A (ko) 1990-09-06
KR970005146B1 KR970005146B1 (ko) 1997-04-12

Family

ID=12563496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900002073A KR970005146B1 (ko) 1989-02-20 1990-02-20 Bi-CMOS 반도체장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5075752A (ko)
EP (1) EP0384396B1 (ko)
JP (1) JP2509690B2 (ko)
KR (1) KR970005146B1 (ko)
DE (1) DE69033321T2 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04363059A (ja) * 1990-08-23 1992-12-15 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2609753B2 (ja) * 1990-10-17 1997-05-14 株式会社東芝 半導体装置
US5075571A (en) * 1991-01-02 1991-12-24 International Business Machines Corp. PMOS wordline boost cricuit for DRAM
SG45211A1 (en) * 1992-01-09 1998-01-16 Ibm Double grid and double well substrate plate trench dram cell array
US5264716A (en) * 1992-01-09 1993-11-23 International Business Machines Corporation Diffused buried plate trench dram cell array
JPH088268A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Mitsubishi Electric Corp バイポーラトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法
US5885880A (en) * 1994-09-19 1999-03-23 Sony Corporation Bipolar transistor device and method for manufacturing the same
KR100190008B1 (ko) * 1995-12-30 1999-06-01 윤종용 반도체 장치의 정전하 보호 장치
US5858828A (en) * 1997-02-18 1999-01-12 Symbios, Inc. Use of MEV implantation to form vertically modulated N+ buried layer in an NPN bipolar transistor
US6927460B1 (en) 2002-02-15 2005-08-09 Fairchild Semiconductor Corporation Method and structure for BiCMOS isolated NMOS transistor
JP2005085349A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5939904B2 (ja) * 1978-09-28 1984-09-27 株式会社東芝 半導体装置
US4311532A (en) * 1979-07-27 1982-01-19 Harris Corporation Method of making junction isolated bipolar device in unisolated IGFET IC
JPS58192359A (ja) * 1982-05-07 1983-11-09 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6035558A (ja) * 1983-08-08 1985-02-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
KR900005124B1 (ko) * 1984-10-17 1990-07-19 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 상보형 반도체장치
JPH073811B2 (ja) * 1985-04-12 1995-01-18 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPS61281545A (ja) * 1985-06-06 1986-12-11 Fuji Electric Co Ltd バイポ−ラ・ｃｍｏｓ半導体装置
GB2186117B (en) * 1986-01-30 1989-11-01 Sgs Microelettronica Spa Monolithically integrated semiconductor device containing bipolar junction,cmosand dmos transistors and low leakage diodes and a method for its fabrication
JP2523506B2 (ja) * 1986-06-25 1996-08-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS63292666A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US4825275A (en) * 1987-05-28 1989-04-25 Texas Instruments Incorporated Integrated bipolar-CMOS circuit isolation for providing different backgate and substrate bias
JPS63304657A (ja) * 1987-06-04 1988-12-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02219262A (ja) 1990-08-31
US5075752A (en) 1991-12-24
EP0384396A2 (en) 1990-08-29
EP0384396B1 (en) 1999-10-13
DE69033321T2 (de) 2000-03-02
JP2509690B2 (ja) 1996-06-26
EP0384396A3 (en) 1992-09-09
DE69033321D1 (de) 1999-11-18
KR970005146B1 (ko) 1997-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850005733A (ko) 반도체 기억장치
KR840006872A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
KR900017184A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
NO860663L (no) Halvlederanordninger.
KR910001993A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR900013658A (ko) Bi-CMOS반도체장치
DE3787407D1 (de) Integrierte Bipolar- und komplementäre MOS-Transistoren auf einem gemeinsamen Substrat enthaltende Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
KR860007750A (ko) 반도체 장치
KR830006822A (ko) 반도체집적회로장치
KR890007426A (ko) 다른 항복전압과 다른 기능을 갖는 블록을 포함하는 모노리식 반도체 ic장치 및 그 제조방법
KR910007129A (ko) 입력보호회로를 구비한 반도체장치
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR860009489A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
KR900015311A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR840008213A (ko) 반도체 장치
KR880009448A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR960019713A (ko) 반도체집적회로 및 반도체장치
KR940008130A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR900015316A (ko) 반도체장치
KR850007315A (ko) 상보형(相補形) 금속산화막 반도체 직접회로 장치
KR910008853A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR850005159A (ko) 기판에 전원 공급 통로를 가진 반도체 집적회로
KR910010742A (ko) 반도체 집적회로장치
KR910010711A (ko) 집적 회로 장치
KR910010734A (ko) 반도체 집적 회로 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050930

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee