KR20230112256A - 물결 모양 배선 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 물결 모양 배선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 연신 시에도 전기 전도도의 감소가 적어 스트레쳐블 소자에 널리 이용될 수 있는 배선을 제공한다.
Description
본 발명은 물결 모양 배선 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 몇 년간 디스플레이 및 바이오센서 분야에서 플렉서블 소자가 화두가 되고 있다. 소자의 유연성을 높이기 위해서는 소자가 인장되었을 때 내부의 회로가 연신된 상태에서도 전기 전도성을 유지해야만 한다.
이러한 회로 소재로 호스트-게스트 전도성 중합체가 개발되었다. 구체적으로, 호스트-게스트 전도성 중합체는 주로 PEDOT(poly(3,4-ethlenedioxythiophene)):PSS(polystyrene sulfonate), 나노 금속 및 CNT(Carbon Nanotube)와 같은 전도성 물질을 신축성 고분자 내에 삽입하여 제조하는 것이다.
그러나, 비록 호스트-게스트 전도성 중합체가 회로의 유연성을 높일 수 있는 가능성을 보여주었음에도 이러한 중합체의 전기적 안정성은 기존 배선용 금속에 크게 못 미치는 수준에 불과하여, 전기가 지속적으로 인가되는 경우 전기전도도가 저하하는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하고 최대 연신율을 높이기 위해 키리가미 모양 또는 리본 모양과 같은 설계법이 제안되었으나, 이를 실현하기 위해서는 매우 정교한 설계와 제조가 필요하여 대량생산 공정에 적합하지 않은 문제점이 있다.
또한, 회로의 연신율을 높이기 위해서는 피치의 길이를 늘리거나, 회로 섹션의 폭을 줄이는 방법이 제안되고 있으나, 회로 클러스터가 여러 개인 마이크로 디바이스에서는 전기 저항이 과도하게 증가하며 장치로 전달할 수 있는 최대 전력이 제한되는 문제점이 있다.
이에, 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결할 수 있는 연신 배선을 제공하고자 한다.
(0001) Jung-Hoon Yun and Maenghyo Cho, Enhancing packing density and maximum elongation of 2D stretchable wavy circuit: Effect of section tilting, Mechanics of Advanced Materials and Structures, 2020.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 물결 모양 배선을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 양태는 물결 모양 배선에 관한 것이다.
상기 일 양태에 있어, 일정한 길이를 갖는 직선형인 복수의 피치(pitch) 구간; 및 피치 구간 사이를 연결하는 반원형인 복수의 커브 구간;이 반복적으로 연결된 것일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 물결 모양 배선은 수직 단면이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 것일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 피치 구간의 길이를 L, 상기 커브 구간의 반지름을 R이라 할 때, 상기 물결 모양 배선이 이루는 파형(waveform)의 폭은 L + 2R로, 주기는 4R로 표현되는 것일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 피치 구간의 길이(L)와 상기 커브 구간의 반지름(R)의 비율인 P/R은 0.1 내지 2.0일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 물결 모양 배선의 밑변 두께는 0.001 내지 1.00 cm일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 물결 모양 배선의 단면은 밑변:제1 모서리:제2 모서리의 비가 1:0.3 내지 1.5:0.3 내지 1.5인 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 것일 수 있다.
상기 일 양태에 있어, 상기 물결 모양 배선은 길이를 초기 길이 대비 50% 연신하였을 때 전기 전도도가 초기 전기 전도도 대비 30% 이상으로 유지되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 양태는 물결 모양 배선의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 다른 일 양태에 있어, 기판, 상기 기판 상에 포토레지스트를 증착하여 타겟을 제조하는 제1단계; 상기 포토레지스트에 경화를 수행하는 제2단계; 상기 타겟에 리소그래피를 수행하는 제3단계; 상기 타겟의 식각을 수행하는 제4단계; 및 상기 타겟 상에 스퍼터링을 수행하여 물결 모양 배선을 제조하는 제5단계;를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 물결 모양 배선은 길이를 초기 길이 대비 50% 연신하였을 때에도 전기 전도도가 초기 전기 전도도 대비 30% 이상으로 유지되어 신축성 전기 소자에 널리 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 제조방법을 나타낸 개략도이다.
도 3은 배선의 저항을 비교한 그래프이다.
도 4는 배선의 연신 시 전기 전도도의 변화를 상대적으로 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 제조방법을 나타낸 개략도이다.
도 3은 배선의 저항을 비교한 그래프이다.
도 4는 배선의 연신 시 전기 전도도의 변화를 상대적으로 나타낸 그래프이다.
이하 본 발명에 따른 물결 모양 배선에 대하여 상세히 설명한다. 다음에 소개하는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 예로써 제공하는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 도면들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다. 이때, 본 발명에서 사용하는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 발명은 연신 시에도 전기 전도도의 감소폭이 작아 스트레처블(stretchable) 소자에 널리 이용할 수 있는 물결 모양 배선을 제공한다.
이때, 상기 물결 모양 배선은 일정한 길이를 갖는 직선형인 복수의 피치(pitch) 구간; 및 피치 구간 사이를 연결하는 반원형인 복수의 커브 구간;이 반복적으로 연결된 것일 수 있다.
상기 물결 모양 배선은 수직 단면이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 것일 수 있다. 이때, 상기 단면이 직사각형으로 형성되는 경우 연신 시에 압력으로 인해 물질이 변형되거나 손실이 발생할 수 있으며, 이로 인해 전기 전도도가 감소할 수 있다.
상기 피치 구간의 길이를 L, 상기 커브 구간의 반지름을 R이라 할 때, 상기 물결 모양 배선이 이루는 파형(waveform)의 폭은 L + 2R로, 주기는 4R로 표현되는 것일 수 있다. 이와 같은 형상을 갖춤으로써 물결 모양 배선의 연신 시 전기 전도도 감소폭을 줄일 수 있다.
상기 피치 구간의 길이를 L, 상기 커브 구간의 반지름을 R이라 할 때, 이들의 비율인 P/R은 0.1 내지 2.0일 수 있다. 이때, 바람직하게는 P/R이 0.5 내지 1.8, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.5일 수 있다. 이와 같은 비율을 유지함으로써 연신으로 인한 물질 손실을 줄일 수 있어 물결 모양 배선의 연신 시 전기 전도도 감소폭을 줄일 수 있다.
상기 물결 모양 배선의 밑변 두께는 0.001 내지 1.00 cm일 수 있다. 이와 같은 범위에서 배선의 밑변 두께를 유지함으로써 최대 연신율을 높게 유지할 수 있다. 배선 밑변의 두께가 이보다 작을 경우 배선의 단면적이 줄어듦에 따라 배선의 저항이 크게 상승할 수 있어 좋지 않고, 이보다 클 경우 배선의 연신 시 물질의 손실이 커져 전기 전도도 감소가 크게 발생할 수 있다.
상기 물결 모양 배선의 단면은 밑변:제1 모서리:제2 모서리의 비가 1:0.3 내지 1.5:0.3 내지 1.5인 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 것일 수 있다. 이와 같은 비율을 유지함으로써 물결 모양 배선의 연신 시 전기 전도도 감소폭을 줄일 수 있다.
상기 물결 모양 배선은 길이를 초기 길이 대비 50% 연신하였을 때 전기 전도도가 초기 전기 전도도 대비 30% 이상으로 유지되는 것일 수 있다. 이때, 바람직하게는 35%, 더욱 바람직하게는 40% 이상일 수 있다.
상기 물결 모양 배선은 후술하는 단계적 공정에 따라 제조되는 것일 수 있다.
이때, 상기 단계적 공정은 상기 다른 일 양태에 있어, 기판, 상기 기판 상에 포토레지스트를 증착하여 타겟을 제조하는 제1단계; 상기 포토레지스트에 경화를 수행하는 제2단계; 상기 타겟에 리소그래피를 수행하는 제3단계; 상기 타겟의 식각을 수행하는 제4단계; 및 상기 타겟 상에 스퍼터링을 수행하여 물결 모양 배선을 제조하는 제5단계;를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1단계에 있어서, 상기 포토레지스트는 공지의 방법으로 증착하는 것일 수 있다.
상기 제 2단계에 있어서, 상기 패터닝은 포토레지스트 층에 패턴을 형성하는 것을 의미하며, 이때 상기 패턴은 전술한 물결 모양 배선의 형태에 따라 조절하는 것일 수 있다.
상기 제 5단계에 있어서, 상기 스퍼터링은 Pt, Cu, Ag, Ru, Ti, Al, Au, Ni, Pd 및 Zn 중 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금을 증착하는 것일 수 있다. 이때, 상기 합금은 예를 들어, PdAu, NiAu 및 TiAu와 같은 조성일 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명에 따른 물결 모양 배선에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.
또한, 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[실시예]
두께가 3 mm인 기판 상에 포토레지스트 층을 증착하였다. 이후 포토레지스트 층에 패터닝을 수행하고, 패터닝 형상에 따라 리소그래피 및 식각을 차례로 수행한 다음, 최종적으로 Pt 스퍼터링을 수행하여 단면이 밑변의 길이가 3 mm, 높이가 3 mm인 삼각형 형상을 가지며, 총 길이가 28 mm인 물결 모양 배선을 제조하였다.
[비교예 1]
두께가 3 mm이며, 단면이 직사각형 형상을 가지며, 총 길이가 28 mm인 물결 모양 배선을 제조하였다.
[비교예 2]
두께가 3 mm이며, 단면이 직사각형 형상을 가지며, 비교예 1에 비해 45도 기울어져 형성된 총 길이가 28 mm인 물결 모양 배선을 제조하였다.
[특성 평가 방법]
실시예, 비교예 1 및 2의 저항을 측정하고, 이들을 연신하며 전기 전도도의 변화를 관찰하였다.
| 실시예 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| 전기 저항(kΩ) | 118.4 | 566.9 | 488.9 |
표 1 및 도 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예의 전기 저항이 가장 낮은 것을 알 수 있다. 단, 전도체의 전기 저항은 그 단면적에 반비례하므로, 이와 같은 결과는 단순하게 실시예의 형태로 인해 비교예보다 전기 저항이 낮음을 의미하지는 않는다.
도 3을 참조하면, 배선을 연신함에 따라 전기 전도도가 초기에 비해 어떻게 변화하였는지 확인할 수 있다. 도 3에서 A shape는 실시예를, plane은 비교예 1을, / shape는 비교예 2를 지칭한다.
비교예 1(plane)은 연신 직후 약 2 mm 연신(약 7%)까지 전기 전도도가 감소하는 경향이 크지 않았으나, 이후 전기 전도도가 급격하게 감소하기 시작하여 15 mm 연신(약 54%) 시에 초기 전기 전도도 대비 10% 미만으로 낮아진 것을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 2(/ shape)는 모든 구간에 걸쳐 지속적으로 전기 전도도가 감소하여, 최종적으로 30 mm 연신(약 107%) 시에는 초기 대비 30%의 전기 전도도를 보였다.
반면, 실시예는 5 mm 연신(약 18%) 시에도 전기 전도도가 거의 변하지 않았으며, 이후 계속해서 전기 전도도가 감소하나, 30 mm 연신(약 107%) 시에도 초기 대비 45% 이상의 전기 전도도를 보여 비교예 1 및 2에 비해 우수한 연신 소자로 적용할 수 있음을 알 수 있다.
이상과 같이 특정된 사항들과 한정된 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
Claims (7)
- 일정한 길이를 갖는 직선형인 복수의 피치(pitch) 구간; 및 피치 구간 사이를 연결하는 반원형인 복수의 커브 구간;이 반복적으로 연결된 물결 모양 배선으로,
상기 물결 모양 배선은 수직 단면이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 물결 모양 배선. - 제1항에 있어서,
상기 피치 구간의 길이를 L, 상기 커브 구간의 반지름을 R이라 할 때, 상기 물결 모양 배선이 이루는 파형(waveform)의 폭은 L + 2R로, 주기는 4R로 표현되는 물결 모양 배선. - 제2항에 있어서,
상기 피치 구간의 길이(L)와 상기 커브 구간의 반지름(R)의 비율인 P/R은 0.1 내지 2.0인 물결 모양 배선. - 제1항에 있어서,
상기 물결 모양 배선의 밑변 두께는 0.001 내지 1.00 cm인 물결 모양 배선. - 제1항에 있어서,
상기 물결 모양 배선의 단면은 밑변:제1 모서리:제2 모서리의 비가 1:0.3 내지 1.5:0.3 내지 1.5인 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 물결 모양 배선. - 제1항에 있어서,
상기 물결 모양 배선은 길이를 초기 길이 대비 50% 연신하였을 때 전기 전도도가 초기 전기 전도도 대비 30% 이상으로 유지되는 물결 모양 배선. - 기판, 상기 기판 상에 포토레지스트를 증착하여 타겟을 제조하는 제1단계; 상기 포토레지스트에 경화를 수행하는 제2단계; 상기 타겟에 리소그래피를 수행하는 제3단계; 상기 타겟의 식각을 수행하는 제4단계; 및 상기 타겟 상에 스퍼터링을 수행하여 물결 모양 배선을 제조하는 제5단계;를 포함하는 물결 모양 배선의 제조 방법.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101814683B1 (ko) | 2006-09-06 | 2018-01-05 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 2차원 인장 가능하고 구부릴 수 있는 장치 |
| US10746612B2 (en) | 2016-11-30 | 2020-08-18 | The Board Of Trustees Of Western Michigan University | Metal-metal composite ink and methods for forming conductive patterns |
| US20200343018A1 (en) | 2019-04-25 | 2020-10-29 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Microserpentines and electrodes for stretchable and conformable biosensor applications |
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2022
- 2022-01-20 KR KR1020220008298A patent/KR20230112256A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101814683B1 (ko) | 2006-09-06 | 2018-01-05 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 2차원 인장 가능하고 구부릴 수 있는 장치 |
| KR102087337B1 (ko) | 2006-09-06 | 2020-03-11 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인장 가능한 가요성 장치의 제조 방법 |
| US10746612B2 (en) | 2016-11-30 | 2020-08-18 | The Board Of Trustees Of Western Michigan University | Metal-metal composite ink and methods for forming conductive patterns |
| US20200343018A1 (en) | 2019-04-25 | 2020-10-29 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Microserpentines and electrodes for stretchable and conformable biosensor applications |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| (0001) Jung-Hoon Yun and Maenghyo Cho, Enhancing packing density and maximum elongation of 2D stretchable wavy circuit: Effect of section tilting, Mechanics of Advanced Materials and Structures, 2020. |
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