KR20210136070A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210136070A
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히로토시 모리
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치는, 유지부에 유지된 상기 제 1 기판을 촬상하는 촬상부와, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 내부에, 제거 대상의 주연부와 중앙부의 경계를 따라 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하는 개질부와, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키는 제 1 이동부와, 상기 유지부, 상기 촬상부, 상기 개질부 및 상기 제 1 이동부를 제어하는 제어부를 가진다. 상기 촬상부는, 상기 제 1 기판의 복수 점에 있어서 포커스 조정을 행한 후, 상기 제 1 기판의 복수 점을 촬상한다. 상기 제어부는, 상기 촬상부의 포커스 조정 및/또는 상기 촬상부에 의한 촬상을, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키면서 행하도록, 상기 유지부, 상기 촬상부 및 상기 제 1 이동부를 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 외주부에 지립이 마련된 원판 형상의 연삭 공구를 회전하고, 연삭 공구의 적어도 외주면을 반도체 웨이퍼에 선 형상으로 접촉시켜 반도체 웨이퍼의 둘레 단부(端部)를 대략 L자 형상으로 연삭하는 것이 개시되어 있다. 반도체 웨이퍼는 2 매의 실리콘 웨이퍼를 붙여 제작된 것이다.
일본특허공개공보 평09-216152호
본 개시에 따른 기술은, 기판끼리가 접합된 중합 기판에 있어서, 하나의 기판의 주연부를 제거하는 시간을 단축한다.
본 개시의 일태양은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 기판측으로부터 상기 중합 기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판을 촬상하는 촬상부와, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 내부에, 제거 대상의 주연부와 중앙부의 경계를 따라 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하는 개질부와, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키는 제 1 이동부와, 상기 유지부와 상기 개질부를 상대적으로 이동시키는 제 2 이동부와, 상기 유지부, 상기 촬상부, 상기 개질부, 상기 제 1 이동부 및 제 2 이동부를 제어하는 제어부를 가지고, 상기 촬상부는, 상기 제 1 기판의 복수 점에 있어서 포커스 조정을 행한 후, 상기 제 1 기판의 복수 점을 촬상하고, 상기 제어부는, 상기 촬상부의 포커스 조정 및/또는 상기 촬상부에 의한 촬상을, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키면서 행하도록, 상기 유지부, 상기 촬상부 및 상기 제 1 이동부를 제어한다.
본 개시에 따르면, 기판끼리가 접합된 중합 기판에 있어서, 하나의 기판의 주연부를 제거하는 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 중합 웨이퍼의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 중합 웨이퍼의 일부의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 개질 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 5는 개질 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 6은 주연 제거 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 7은 주연 제거 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 8은 주연 제거 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 9는 반송 암의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 10은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 11은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정의 설명도이다.
도 12는 개질 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 13은 개질 처리의 주요 공정의 설명도이다.
도 14는 마이크로 카메라의 승강에 대한 포커스 조정을 행하는 타이밍을 나타내는 설명도이다.
도 15는 매크로 카메라가 처리 웨이퍼의 외측 단부를 촬상하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 16은 마이크로 카메라가 처리 웨이퍼의 접합 영역과 미접합 영역의 경계를 촬상하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 17은 처리 웨이퍼에 주연 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 18은 처리 웨이퍼에 주연 개질층을 형성한 모습을 나타내는 설명도이다.
도 19는 복수의 주연 개질층을 형성하는 방법을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 20은 복수의 주연 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 21은 복수의 주연 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 22는 1 층의 주연 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 23은 처리 웨이퍼에 주연 개질층을 형성함에 있어, 노치부의 주변을 나타내는 설명도이다.
도 24는 처리 웨이퍼에 분할 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 25는 처리 웨이퍼에 분할 개질층을 형성한 모습을 나타내는 설명도이다.
도 26은 비교예에 있어서 분할 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 27은 본 실시 형태에 있어서 분할 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 28은 처리 웨이퍼에 내부면 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 29는 처리 웨이퍼에 내부면 개질층을 형성하는 모습을 나타내는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 웨이퍼에 대하여, 당해 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 웨이퍼를 박화하는 것이 행해지고 있다.
통상, 웨이퍼의 주연부는 면취 가공이 되어 있는데, 상술한 바와 같이 웨이퍼에 연삭 처리를 행하면, 웨이퍼의 주연부가 날카롭게 뾰족한 형상(이른바 나이프 엣지 형상)이 된다. 그러면, 웨이퍼의 주연부에서 치핑이 발생하여, 웨이퍼가 손상을 입을 우려가 있다. 따라서, 연삭 처리 전에 미리 웨이퍼의 주연부를 제거하는, 이른바 엣지트림이 행해지고 있다.
상술한 특허 문헌 1에 기재된 단면 연삭 장치는, 이 엣지트림을 행하는 장치이다. 이 단면 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 주연부를 연삭하는 경우에는, 먼저, 지지 기판이 부착된 웨이퍼를 테이블에 고정하고, 테이블을 연직 축과 평행한 축의 둘레로 회전시킨다. 그리고, 스핀들을 회전시켜, 연삭 공구인 휠에 회전을 부여한 후, 스핀들을 연직 방향으로 이동시킴으로써, 휠의 연삭면을 웨이퍼에 접촉시켜, 웨이퍼의 주연부를 연삭한다. 그러나, 이 단면 연삭 장치에서는, 스핀들의 연직 방향의 이동은, 예를 들면 공차 등의 각종 요인에 의해 일정하지 않은 경우가 있다. 이러한 경우, 휠의 연직 이동이 적절하게 제어되지 않아, 지지 기판의 표면까지 연삭될 우려가 있다.
따라서, 웨이퍼의 제거 대상인 주연부와 중앙부의 경계를 따라 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하고, 당해 개질층을 기점으로 주연부를 제거한다. 이러한 경우, 웨이퍼에만 개질층을 형성하므로, 지지 기판에는 아무런 영향이 없고, 상술한 바와 같이 지지 기판의 표면이 연삭되는 경우도 없다. 그러나, 이 레이저광을 이용한 엣지트림에는, 스루풋의 관점에서 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은, 엣지트림의 처리 시간을 단축하여 효율적으로 행한다. 이하, 엣지트림을 효율적으로 행하는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 개질 장치를 구비한 웨이퍼 처리 시스템, 및 기판 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 웨이퍼 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 제 1 기판으로서의 처리 웨이퍼(W)와 제 2 기판으로서의 지지 웨이퍼(S)가 접합된, 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)에 대하여 원하는 처리를 행한다. 그리고 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제거하고, 또한 당해 처리 웨이퍼(W)를 박화한다. 이하, 처리 웨이퍼(W)에 있어서, 지지 웨이퍼(S)에 접합된 면을 표면(Wa)이라 하고, 표면(Wa)과 반대측의 면을 이면(Wb)이라 한다. 마찬가지로, 지지 웨이퍼(S)에 있어서, 처리 웨이퍼(W)에 접합된 면을 표면(Sa)이라 하고, 표면(Sa)과 반대측의 면을 이면(Sb)이라 한다.
처리 웨이퍼(W)는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼로서, 표면(Wa)에 복수의 디바이스를 포함하는 디바이스층(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또한, 디바이스층에는 또한 산화막(F), 예를 들면 SiO2막(TEOS막)이 형성되어 있다. 또한, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)는 면취 가공이 되어 있어, 주연부(We)의 단면은 그 선단을 향해 두께가 작아지고 있다. 또한, 주연부(We)는 엣지트림에 있어서 제거되는 부분이며, 예를 들면 처리 웨이퍼(W)의 외단부로부터 직경 방향으로 1 mm ~ 5 mm의 범위이다.
또한, 도 2에 있어서는, 도시의 번잡함을 회피하기 위하여, 산화막(F)의 도시를 생략하고 있다. 또한, 이하의 설명에서 이용되는 다른 도면에 있어서도 마찬가지로, 산화막(F)의 도시를 생략하는 경우가 있다.
지지 웨이퍼(S)는, 처리 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼로서, 예를 들면 실리콘 웨이퍼이다. 지지 웨이퍼(S)의 표면(Sa)에는 산화막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또한, 지지 웨이퍼(S)는, 처리 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 디바이스를 보호하는 보호재로서 기능한다. 또한, 지지 웨이퍼(S)의 표면(Sa)의 복수의 디바이스가 형성되어 있는 경우에는, 처리 웨이퍼(W)와 마찬가지로 표면(Sa)에 디바이스층(도시하지 않음)이 형성된다.
여기서, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)에 있어서, 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)가 접합되어 있으면, 주연부(We)를 적절히 제거할 수 없을 우려가 있다. 따라서, 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 계면에는, 산화막(F)과 지지 웨이퍼(S)의 표면(Sa)이 접합된 접합 영역(Aa)과, 접합 영역(Aa)의 직경 방향 외측의 영역인 미접합 영역(Ab)을 형성한다. 이와 같이 미접합 영역(Ab)이 존재함으로써, 주연부(We)를 적절하게 제거할 수 있다. 또한, 접합 영역(Aa)의 외측 단부는, 제거되는 주연부(We)의 내측 단부보다 약간 직경 방향 외측에 위치한다.
도 1에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 스테이션(2)은, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수용 가능한 카세트(Ct)가 반입반출된다. 처리 스테이션(3)은, 중합 웨이퍼(T)에 대하여 원하는 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비하고 있다.
반입반출 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는, 복수, 예를 들면 3 개의 카세트(Ct)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)에 배치되는 카세트(Ct)의 개수는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
반입반출 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)의 X축 부방향측에 있어서, 당해 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 장치(20)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(20)는, Y축 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(22, 22)을 가지고 있다. 각 반송 암(22)은, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(22)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 카세트 배치대(10)의 카세트(Ct), 및 후술하는 트랜지션 장치(30)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
반입반출 스테이션(2)에는, 웨이퍼 반송 장치(20)의 X축 부방향측에 있어서, 당해 웨이퍼 반송 장치(20)에 인접하여, 중합 웨이퍼(T)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(30)가 마련되어 있다.
처리 스테이션(3)에는, 예를 들면 3 개의 처리 블록(G1 ~ G3)이 마련되어 있다. 제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2) 및 제 3 처리 블록(G3)은, X축 정방향측(반입반출 스테이션(2)측)으로부터 부방향측으로 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
제 1 처리 블록(G1)에는, 에칭 장치(40), 세정 장치(41) 및 웨이퍼 반송 장치(50)가 마련되어 있다. 에칭 장치(40)와 세정 장치(41)는 적층되어 배치되어 있다. 또한, 에칭 장치(40)와 세정 장치(41)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 에칭 장치(40)와 세정 장치(41)는 각각 X축 방향으로 연신하고, 평면에서 봤을 때 병렬로 배열하여 배치되어 있어도 된다. 또한, 이들 에칭 장치(40)와 세정 장치(41)는 각각, 적층되어 있어도 된다.
에칭 장치(40)는, 후술하는 가공 장치(80)로 연삭된 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 에칭 처리한다. 예를 들면, 이면(Wb)에 대하여 약액(에칭액)을 공급하여, 당해 이면(Wb)을 웨트 에칭한다. 약액에는, 예를 들면 HF, HNO3, H3PO4, TMAH, Choline, KOH 등이 이용된다.
세정 장치(41)는, 후술하는 가공 장치(80)로 연삭된 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 세정한다. 예를 들면 이면(Wb)에 브러시를 접촉시켜, 당해 이면(Wb)을 스크럽 세정한다. 또한, 이면(Wb)의 세정에는, 가압된 세정액을 이용해도 된다. 또한, 세정 장치(41)는, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 함께, 지지 웨이퍼(S)의 이면(Sb)을 세정하는 구성을 가지고 있어도 된다.
웨이퍼 반송 장치(50)는, 예를 들면 에칭 장치(40)와 세정 장치(41)에 대하여 Y축 부방향측에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(50)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(51, 51)을 가지고 있다. 각 반송 암(51)은, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(51)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(50)는, 트랜지션 장치(30), 에칭 장치(40), 세정 장치(41) 및 후술하는 개질 장치(60)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 2 처리 블록(G2)에는, 개질 장치(60), 주연 제거 장치(61) 및 웨이퍼 반송 장치(70)가 마련되어 있다. 개질 장치(60)와 주연 제거 장치(61)는, 적층되어 배치되어 있다. 또한, 개질 장치(60)와 주연 제거 장치(61)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
개질 장치(60)는, 처리 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광을 조사하여, 주연 개질층, 분할 개질층 및 내부면 개질층을 형성한다. 개질 장치(60)의 구체적인 구성은 후술한다.
주연 제거 장치(61)는, 개질 장치(60)로 형성된 주연 개질층을 기점으로, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제거한다. 주연 제거 장치(61)의 구체적인 구성은 후술한다.
웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 개질 장치(60)와 주연 제거 장치(61)에 대하여 Y축 정방향측에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(71, 71)을 가지고 있다. 각 반송 암(71)은, 다관절의 암 부재(72)에 지지되어, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 반송 암(71)의 구체적인 구성은 후술한다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(70)는, 세정 장치(41), 개질 장치(60), 주연 제거 장치(61) 및 후술하는 가공 장치(80)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 3 처리 블록(G3)에는, 가공 장치(80)가 마련되어 있다. 또한, 가공 장치(80)의 수 및 배치는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 복수의 가공 장치(80)가 임의로 배치되어 있어도 된다.
가공 장치(80)는, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭한다. 그리고, 내부면 개질층이 형성된 이면(Wb)에 있어서, 당해 내부면 개질층을 제거하고, 또한 주연 개질층을 제거한다.
가공 장치(80)는, 회전 테이블(81)을 가지고 있다. 회전 테이블(81)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해, 연직인 회전 중심선(82)을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 회전 테이블(81) 상에는, 중합 웨이퍼(T)를 흡착 유지하는 척(83)이 2 개 마련되어 있다. 척(83)은, 회전 테이블(81)과 동일 원주 상에 균등하게 배치되어 있다. 2 개의 척(83)은, 회전 테이블(81)이 회전함으로써, 전달 위치(A0) 및 가공 위치(A1)로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 2 개의 척(83)은 각각, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
전달 위치(A0)에서는, 중합 웨이퍼(T)의 전달이 행해진다. 가공 위치(A1)에는, 연삭 유닛(84)이 배치된다. 연삭 유닛(84)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭한다. 연삭 유닛(84)은, 환상 형상으로 회전 가능한 연삭 숫돌(도시하지 않음)을 구비한 연삭부(85)를 가지고 있다. 또한, 연삭부(85)는, 지주(86)를 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 척(83)에 유지된 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭 숫돌에 접촉시킨 상태에서, 척(83)과 연삭 숫돌을 각각 회전시켜, 이면(Wb)을 연삭한다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 제어부로서의 제어 장치(90)가 마련되어 있다. 제어 장치(90)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 및 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(90)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 상술한 개질 장치(60)에 대하여 설명한다. 도 4는 개질 장치(60)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 도 5는 개질 장치(60)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
개질 장치(60)는, 중합 웨이퍼(T)를 상면으로 유지하는, 유지부로서의 척(100)을 가지고 있다. 척(100)은, 처리 웨이퍼(W)가 상측으로서 지지 웨이퍼(S)가 하측에 배치된 상태로, 당해 지지 웨이퍼(S)를 흡착 유지한다. 척(100)은, 에어 베어링(101)을 개재하여, 슬라이더 테이블(102)에 지지되어 있다. 슬라이더 테이블(102)의 하면측에는, 회전 기구(103)가 마련되어 있다. 회전 기구(103)는, 구동원으로서 예를 들면 모터를 내장하고 있다. 척(100)은, 회전 기구(103)에 의해 에어 베어링(101)을 개재하여, 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 슬라이더 테이블(102)은, 그 하면측에 마련된 이동 기구(104)에 의해, 기대(106)에 마련되어 Y축 방향으로 연신하는 레일(105)을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이동 기구(104)의 구동원은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 리니어 모터가 이용된다.
슬라이더 테이블(102)에는, 후술하는 레이저 헤드(110)로부터 조사되는 레이저광의 출력(파워)을 측정하는, 파워 미터(107)가 마련되어 있다. 파워 미터(107)는, 슬라이더 테이블(102)의 Y축 부방향 단부에 마련되어 있다. 그리고, 후술하는 바와 같이 제 1 위치(P1)에 있어서, 파워 미터(107)는 레이저 헤드(110)의 렌즈의 하방에 배치된다. 파워 미터(107)로 측정된 레이저광의 파워는 제어 장치(90)에 출력된다. 제어 장치(90)에는, 처리 레시피에 따른 레이저광의 파워가 설정되어 있어, 측정된 레이저광의 파워가 적절한지 여부를 확인한다(파워 체크). 이 파워 체크는, 예를 들면 처리 대상의 처리 웨이퍼(W)마다 행해진다.
척(100)의 상방에는, 개질부로서의 레이저 헤드(110)가 마련되어 있다. 레이저 헤드(110)는, 렌즈(111)와 피에조 액츄에이터(112)를 가지고 있다. 렌즈(111)는, 레이저 헤드(110)의 하면에 마련되어, 척(100)에 유지된 처리 웨이퍼(W)에 레이저광을 조사한다. 피에조 액츄에이터(112)는, 렌즈(111)를 승강시킨다.
또한 레이저 헤드(110)에는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광의 위치를 측정하기 위한, 측정부로서의 센서(113)가 마련되어 있다. 센서(113)는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광과 동축에 마련되고, 예를 들면 AF 센서이며, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정한다. 센서(113)로 측정된 이면(Wb)의 높이는 제어 장치(90)에 출력된다. 제어 장치(90)에서는, 이면(Wb)의 높이에 기초하여, 처리 웨이퍼(W)의 내부에 조사되는 레이저광의 조사 위치를 산출한다.
또한 레이저 헤드(110)에는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광의 조사 위치(초점)를 조정하기 위한, 제 1 조정부로서의 센서(114)와, 제 2 조정부로서의 카메라(115)가 더 마련되어 있다. 센서(114)는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광과 별축(別軸)에 마련되고, 예를 들면 AF 센서이며, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정하여, 당해 이면(Wb)을 서치한다. 또한 센서(114)에는, 상기 센서(113)보다 광범위를 측정 가능한 AF 센서가 이용된다. 또한 카메라(115)는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광과 동축에 마련되어, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 촬상한다. 센서(114)로 측정된 이면(Wb)의 높이와, 카메라(115)로 촬상된 이면(Wb)의 화상은 각각, 제어 장치(90)에 출력된다. 제어 장치(90)에서는, 후술하는 바와 같이, 이면(Wb)의 높이와 화상에 기초하여, 처리 웨이퍼(W)의 내부에 조사되는 레이저광의 조사 위치를 산출한다.
또한 레이저 헤드(110)는, 도시하지 않는 공간 광 변조기를 더 가지고 있다. 공간 광 변조기는, 레이저광을 변조하여 출력한다. 구체적으로 공간 광 변조기는, 레이저광의 초점 위치 또는 위상을 제어할 수 있어, 처리 웨이퍼(W)에 조사되는 레이저광의 형상 또는 수(분기수)를 조정할 수 있다.
그리고 레이저 헤드(110)는, 레이저광 발진기(도시하지 않음)로부터 발진된 고주파의 펄스 형상의 레이저광으로서, 처리 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 가지는 파장의 레이저광을, 처리 웨이퍼(W)의 내부의 원하는 위치에 집광하여 조사한다. 이에 의해, 처리 웨이퍼(W)의 내부에 있어서 레이저광이 집광된 부분이 개질되어, 주연 개질층, 분할 개질층 및 내부면 개질층이 형성된다.
레이저 헤드(110)는, 지지 부재(116)에 지지되어 있다. 레이저 헤드(110)는, 연직 방향으로 연신하는 레일(117)을 따라, 승강 기구(118)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 레이저 헤드(110)는, 이동 기구(119)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 승강 기구(118) 및 이동 기구(119)는 각각, 지지 기둥(120)에 지지되어 있다.
척(100)의 상방으로서, 레이저 헤드(110)의 Y축 정방향측에는, 제 1 촬상부로서의 매크로 카메라(121)와, 제 2 촬상부로서의 마이크로 카메라(122)가 마련되어 있다. 예를 들면, 매크로 카메라(121)와 마이크로 카메라(122)는 일체로 구성되고, 매크로 카메라(121)는 마이크로 카메라(122)의 Y축 정방향측에 배치되어 있다. 매크로 카메라(121)와 마이크로 카메라(122)는, 승강 기구(123)에 의해 승강 가능하게 구성되고, 또한 이동 기구(124)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
매크로 카메라(121)는, 처리 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))의 외측 단부를 촬상한다. 매크로 카메라(121)는, 예를 들면 동축 렌즈를 구비하고, 가시광, 예를 들면 적색광을 조사하고, 또한 대상물로부터의 반사광을 수광한다. 또한 예를 들면, 매크로 카메라(121)의 촬상 배율은 2 배이다.
마이크로 카메라(122)는, 처리 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상하고, 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계를 촬상한다. 마이크로 카메라(122)는, 예를 들면 동축 렌즈를 구비하며, 적외광(IR광)을 조사하고, 또한 대상물로부터의 반사광을 수광한다. 또한 예를 들면, 마이크로 카메라(122)의 촬상 배율은 10 배이며, 시야는 매크로 카메라(121)에 대하여 약 1 / 5이고, 픽셀 사이즈는 매크로 카메라(121)에 대하여 약 1 / 5이다.
또한 본 실시 형태에서는, 회전 기구(103), 이동 기구(104), 승강 기구(123), 이동 기구(124)가, 본 개시에 있어서의 제 1 이동부를 구성하고 있다. 또한, 회전 기구(103), 이동 기구(104), 피에조 액츄에이터(112), 승강 기구(118), 이동 기구(119)가, 본 개시에 있어서의 제 2 이동부를 구성하고 있다.
이어서, 상술한 주연 제거 장치(61)에 대하여 설명한다. 도 6은 주연 제거 장치(61)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 도 7은 주연 제거 장치(61)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다. 도 8은 주연 제거 장치(61)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
주연 제거 장치(61)는, 중합 웨이퍼(T)를 상면으로 유지하는 척(130)을 가지고 있다. 척(130)은, 처리 웨이퍼(W)가 상측으로서 지지 웨이퍼(S)가 하측에 배치된 상태로, 당해 지지 웨이퍼(S)를 유지한다. 또한 척(130)은, 회전 기구(131)에 의해 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
척(130)의 측방에는, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제거하는 주연 제거부(140)가 마련되어 있다. 주연 제거부(140)는, 주연부(We)에 충격을 부여하여 당해 주연부(We)를 제거한다. 주연 제거부(140)는, 쐐기 롤러(141)와 지지 롤러(142)를 가지고 있다.
쐐기 롤러(141)는, 측면에서 봤을 때, 선단이 뾰족한 쐐기 형상을 가지고 있다. 쐐기 롤러(141)는, 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 외측 단부로부터, 당해 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 계면에 삽입된다. 그리고, 삽입된 쐐기 롤러(141)에 의해 주연부(We)가 밀어올려져, 처리 웨이퍼(W)로부터 분리되어 제거된다.
지지 롤러(142)는, 쐐기 롤러(141)의 중심을 관통하여, 당해 쐐기 롤러(141)를 지지하고 있다. 지지 롤러(142)는, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 지지 롤러(142)가 이동함으로써 쐐기 롤러(141)도 이동한다. 또한, 지지 롤러(142)는 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되고, 지지 롤러(142)가 회전함으로써 쐐기 롤러(141)도 회전한다. 또한 본 실시 형태에서는, 지지 롤러(142)에는, 후술하는 바와 같이 척(130)의 회전을 받아 회전하는, 이른바 프리 롤러가 이용된다. 단, 지지 롤러(142)는, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 적극적으로 회전되어도 된다.
또한 본 실시 형태에서는, 삽입 부재로서 쐐기 롤러(141)를 이용했지만, 삽입 부재는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 삽입 부재는, 측면에서 봤을 때 직경 방향 외측을 향해 폭이 작아지는 형상을 구비한 것이면 되며, 선단이 뾰족하게 된 나이프 형상의 삽입 부재를 이용해도 된다.
척(130)의 상방 및 하방에는 각각, 처리 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하는 노즐(150, 151)이 마련되어 있다. 세정액에는, 예를 들면 순수가 이용된다. 주연 제거부(140)를 이용하여 주연부(We)에 충격을 부여하여 당해 주연부(We)를 제거하는 경우, 제거에 수반하여 분진(파티클)이 발생한다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 노즐(150, 151)로부터 세정액을 공급함으로써, 이 분진이 비산하는 것을 억제한다.
상부 노즐(150)은, 척(130)의 상방에 배치되어, 처리 웨이퍼(W)의 상방으로부터 이면(Wb)으로 세정액을 공급한다. 이 상부 노즐(150)로부터의 세정액에 의해, 주연부(We)의 제거 시에 발생하는 분진이 비산하는 것을 억제할 수 있고, 또한 분진이 처리 웨이퍼(W) 상으로 비산하는 것을 억제할 수 있다. 구체적으로 세정액은, 분진을 처리 웨이퍼(W)의 외주측으로 흘린다. 또한 하부 노즐(151)은, 척(130)의 하방에 배치되어, 지지 웨이퍼(S)측으로부터 처리 웨이퍼(W)로 세정액을 공급한다. 이 하부 노즐(151)로부터의 세정액에 의해, 분진이 비산하는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 하부 노즐(151)로부터의 세정액에 의해, 분진 및 주연부(We)의 파재(破材)가 지지 웨이퍼(S)측으로 들어가는 것을 억제할 수 있다.
또한, 노즐(150, 151)의 수 및 배치는 본 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면 노즐(150, 151)은 각각 복수 마련되어 있어도 된다. 또한, 하부 노즐(151)은 생략 가능하다.
또한, 분진의 비산을 억제하는 방법은, 세정액의 공급에 한정되지 않는다. 예를 들면, 흡인 기구(도시하지 않음)를 마련하여, 발생한 분진을 흡인 제거해도 된다.
척(130)의 상방에는, 처리 웨이퍼(W)로부터 주연부(We)가 제거되었는지 여부를 확인하기 위한 검지부(160)가 마련되어 있다. 검지부(160)는, 척(130)에 유지되고, 또한 주연부(We)가 제거된 처리 웨이퍼(W)에 있어서, 주연부(We)의 유무를 검지한다. 검지부(160)에는, 예를 들면 센서가 이용된다. 센서는, 예를 들면 라인형의 레이저 변위계이며, 중합 웨이퍼(T)(처리 웨이퍼(W))의 주연부에 레이저를 조사하여 당해 중합 웨이퍼(T)의 두께를 측정함으로써, 주연부(We)의 유무를 검지한다. 또한, 검지부(160)에 의한 주연부(We)의 유무의 검지 방법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 검지부(160)에는, 예를 들면 라인 카메라를 이용하여, 중합 웨이퍼(T)(처리 웨이퍼(W))를 촬상함으로써, 주연부(We)의 유무를 검지해도 된다.
또한 척(130)의 하방에는, 주연 제거부(140)로 제거된 주연부(We)를 회수하는 회수부(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
이어서, 상술한 웨이퍼 반송 장치(70)의 반송 암(71)에 대하여 설명한다. 도 9는 반송 암(71)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
반송 암(71)은, 중합 웨이퍼(T)보다 큰 직경을 가지는, 원판 형상의 흡착판(170)을 가지고 있다. 흡착판(170)의 하면에는, 처리 웨이퍼(W)의 중앙부(Wc)를 유지하는 유지부(180)가 마련되어 있다.
유지부(180)에는 중앙부(Wc)를 흡인하는 흡인관(181)이 접속되고, 흡인관(181)은 예를 들면 진공 펌프 등의 흡인 기구(182)에 연통하고 있다. 흡인관(181)에는, 흡인 압력을 측정하는 압력 센서(183)가 마련되어 있다. 압력 센서(183)의 구성은 임의이지만, 예를 들면 다이어프램형의 압력계가 이용된다.
흡착판(170)의 상면에는, 당해 흡착판(170)을 연직축 둘레로 회전시키는 회전 기구(190)가 마련되어 있다. 회전 기구(190)는, 지지 부재(191)에 지지되어 있다. 또한, 지지 부재(191)(회전 기구(190))는, 암 부재(72)에 지지되어 있다.
이어서, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 도 10은 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다. 도 11은 웨이퍼 처리의 주요 공정의 설명도이다. 또한 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부의 접합 장치(도시하지 않음)에 있어서, 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)가 접합되어, 미리 중합 웨이퍼(T)가 형성되어 있다.
먼저, 도 11의 (a)에 나타내는 중합 웨이퍼(T)를 복수 수납한 카세트(Ct)가, 반입반출 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다.
이어서, 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트(Ct) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 트랜지션 장치(30)로 반송된다. 이어서, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해, 트랜지션 장치(30)의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 개질 장치(60)로 반송된다. 개질 장치(60)에서는, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 처리 웨이퍼(W)의 내부에 주연 개질층(M1)과 분할 개질층(M2)이 순차 형성되고(도 10의 단계(A1, A2)), 또한 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이 내부면 개질층(M3)이 형성된다(도 10의 단계(A3)). 주연 개질층(M1)은, 엣지트림에 있어서 주연부(We)를 제거 시의 기점이 되는 것이다. 분할 개질층(M2)은, 제거되는 주연부(We)를 소편화하기 위한 기점이 되는 것이다. 내부면 개질층(M3)은, 처리 웨이퍼(W)를 박화하기 위한 기점이 되는 것이다.
도 12는 개질 장치(60)에 있어서의 개질 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다. 도 13은 개질 처리의 주요 공정의 설명도이다. 본 실시 형태에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이 척(100)이 제 1 위치(P1)와 제 2 위치(P2)에 배치되어, 각 처리가 행해진다.
개질 장치(60)에서는 중합 웨이퍼(T)가 반입되기 전에, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이 척(100)(슬라이더 테이블(102))을 제 1 위치(P1)로 이동시켜, 대기시킨다. 척(100)의 대기 중, 파워 미터(107)는 레이저 헤드(110)의 렌즈(111)의 하방에 배치된다. 파워 미터(107)에서는, 레이저 헤드(110)로부터 조사되는 레이저광의 출력(파워)을 측정한다. 파워 미터(107)로 측정된 레이저광의 파워는 제어 장치(90)에 출력되고, 제어 장치(90)에 있어서 파워 체크가 행해진다. 또한, 척(100)의 대기 중, 레이저 헤드(110)의 광학계의 교정(캘리브레이션)도 행해진다(도 12의 단계(B1)).
여기서, 예를 들면 파워 미터(107)가 제 1 위치(P1)로부터 떨어진 장소에 있는 경우, 파워 체크를 위하여 척(100)을 제 1 위치(P1)로부터 이동시킬 필요가 있어, 장치가 커진다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 제 1 위치(P1)에 있어서, 파워 미터(107)가 레이저 헤드(110)의 하방에 배치되므로, 척(100)을 이동시키지 않고 파워 체크를 행할 수 있다. 그 결과, 개질 장치(60)의 전유 면적(풋프린트)을 작게 할 수 있어, 공간 절약화할 수 있다. 또한, 척(100)의 대기 중에 파워 체크와 캘리브레이션을 행할 수 있으므로, 개질 처리의 시간을 단축시킬 수 있어, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 파워 체크와 캘리브레이션은, 후술하는 단계(B2)에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 반입 시에 행해도 된다.
이어서, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이 척(100)이 제 1 위치에 배치된 상태에서, 웨이퍼 반송 장치(50)로부터 중합 웨이퍼(T)가 반입된다(도 12의 단계(B2)). 반입된 중합 웨이퍼(T)는, 척(100)에 유지된다.
이어서, 척(100)이 제 1 위치(P1)에 배치된 상태에서, 매크로 카메라(121)를 이용하여 매크로 얼라이먼트를 행한다. 제 1 위치(P1)에서는, 매크로 카메라(121)는, 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부를 촬상할 수 있는 위치에 배치되어 있다. 그리고, 매크로 얼라이먼트에서는, 매크로 카메라(121)의 포커스 조정을 행한 후(도 12의 단계(B3)), 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부를 촬상한다(도 12의 단계(B4)).
먼저, 단계(B3)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 높이 방향으로 복수의 점에 대하여, 매크로 카메라(121)의 포커스 조정을 행한다. 이 때, 척(100)은 회전시키지 않다. 그리고, 승강 기구(123)에 의해 매크로 카메라(121)를 상승 또는 하강시켜, 처리 웨이퍼(W)의 높이 방향으로 복수 점에 대하여, 매크로 카메라(121)의 포커스 조정을 행한다.
본 실시 형태의 포커스 조정에 대하여 설명한다. 도 14는 매크로 카메라(121)의 승강에 대한 포커스 조정을 행하는 타이밍을 나타내는 설명도이며, 종축은 승강 속도를 나타내고, 횡축은 시간을 나타내고 있다. 또한, 도 14 중의 Q1 ~ Q4는 각각, 1 회째 ~ 4 회째의 포커스 조정을 나타내고 있다. 또한 도 14 중 (a)는 비교예를 나타내고, (b)는 본 실시 형태의 예를 나타낸다.
도 14의 (a)에 나타내는 바와 같이 비교예에 있어서는, 매크로 카메라(121)를 승강시킨 후, 원하는 높이에서 정지시킨 상태에서, 포커스 조정(Q1 ~ Q4)을 행한다. 즉, 매크로 카메라(121)를 승강시킬 때마다, 가속과 감속을 반복한다. 그리고, 각 포커스 조정(Q1 ~ Q4)에 대하여, 포커스값이 적절한지 여부를 판단한다. 이 때문에, 시간이 걸린다.
이에 대하여, 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같이 본 실시 형태에서는, 매크로 카메라(121)를 승강시키면서 포커스 조정(Q1 ~ Q4)을 행한다. 즉, 포커스 조정을 행할 시에, 매크로 카메라(121)를 정지시키지 않는다. 이 때문에, 비교예의 가속과 감속이 불필요하여, 시간을 생략할 수 있고, 또한 포커스 조정(Q1 ~ Q4)에서의 포커스값의 적부(適否)를 함께 판단할 수 있다. 이 때문에, 포커스 조정의 시간을 단축할 수 있다. 또한 도 14의 예에서는, 단축할 수 있는 시간은 t1이다.
이어서, 단계(B4)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 복수의 점에 대하여, 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부를 촬상한다. 이 때, 매크로 카메라(121)는 승강 및 이동시키지 않고, 고정한다. 그리고, 척(100)을 회전시켜, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 복수의 점에 대하여, 도 15에 나타내는 바와 같이 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부(R1)(도 15 중의 점선)를 촬상한다.
처리 웨이퍼(W)의 외측 단부의 촬상에 있어서도, 상술한 도 14에 나타낸 포커스 조정과 마찬가지로, 비교예에 있어서는, 척(100)을 회전시킨 후, 원하는 위치에 정지시킨 상태에서 촬상을 행한다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 척(100)을 회전시키면서, 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부의 촬상을 행한다. 즉, 촬상을 행할 시에, 척(100)의 회전을 정지시키지 않는다. 이 때문에, 촬상의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이와 같이 촬상 시간을 단축하면, 촬상 횟수를 늘리는 것도 가능해지고, 그 결과, 매크로 얼라이먼트를 적절히 행할 수 있다.
이렇게 하여 매크로 카메라(121)에 의해, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향 360 도에 있어서의 외측 단부의 화상이 촬상된다. 촬상된 화상은, 매크로 카메라(121)로부터 제어 장치(90)에 출력된다.
제어 장치(90)에서는, 매크로 카메라(121)의 화상으로부터, 척(100)의 중심(Cc)과 처리 웨이퍼(W)의 중심(Cw)의 제 1 편심량을 산출한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 제 1 편심량에 기초하여, 당해 제 1 편심량의 Y축 성분을 보정하도록, 척(100)의 이동량을 산출한다. 척(100)은, 이 산출된 이동량에 기초하여 Y축 방향으로 이동하고, 척(100)을 마이크로 얼라이먼트 위치로 이동시킨다. 마이크로 얼라이먼트 위치는, 마이크로 카메라(122)가 처리 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상할 수 있는 위치이다. 여기서, 상술한 바와 같이 마이크로 카메라(122)의 시야는 매크로 카메라(121)에 대하여 약 1 / 5로 작기 때문에, 제 1 편심량의 Y축 성분을 보정하지 않으면, 처리 웨이퍼(W)의 주연부가 마이크로 카메라(122)의 화각에 들어가지 않아, 마이크로 카메라(122)로 촬상할 수 없는 경우가 있다. 이 때문에, 제 1 편심량에 기초하는 Y축 성분의 보정은, 척(100)을 마이크로 얼라이먼트 위치로 이동시키기 위함이라고도 할 수 있다.
또한, 매크로 카메라(121)를 이용한 매크로 얼라이먼트에서는, 포커스 조정 전에 광량의 조정도 행해진다. 광량 조정은, 중합 웨이퍼(T)마다 행해도 되고, 로트마다 행해도 되며, 처리 조건(처리 레시피)마다 행해도 된다. 광량 조정은 처리 웨이퍼(W)의 1 점 혹은 복수의 점에 대하여 행해지는데, 이러한 경우, 척(100)의 회전을 정지시켜 광량 조정이 행해진다. 또한, 척(100)의 회전 정지 중, 광량을 복수 회 변경하여 촬상이 행해진다.
또한, 상술한 바와 같이 매크로 얼라이먼트는, 척(100)을 마이크로 얼라이먼트 위치로 이동시키기 위하여 행해지는데, 이러한 매크로 얼라이먼트는 생략 가능하다. 즉, 얼라이먼트를 매크로와 마이크로의 2 단계로 행하지 않고, 마이크로의 1 단계만으로 행하는 경우, 매크로 얼라이먼트는 생략된다.
이어서, 도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 제 2 위치(P2)로 이동시킨다(도 12의 단계(B5)).
이어서, 척(100)이 제 2 위치(P2)에 배치된 상태에서, 마이크로 카메라(122)를 이용하여 마이크로 얼라이먼트를 행한다. 제 2 위치(P2)에서는, 마이크로 카메라(122)는, 처리 웨이퍼(W)의 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계를 촬상할 수 있는 위치에 배치되어 있다. 그리고, 마이크로 얼라이먼트에서는, 마이크로 카메라(122)의 포커스 조정을 행한 후(도 12의 단계(B6)), 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계를 촬상한다(도 12의 단계(B7)).
먼저, 단계(B6)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 높이 방향으로 복수의 점에 대하여, 마이크로 카메라(122)의 포커스 조정을 행한다. 마이크로 카메라(122)의 포커스 조정은, 승강 기구(123)에 의해 마이크로 카메라(122)를 승강시키면서 행한다. 이 때문에, 포커스 조정의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이 마이크로 카메라(122)의 포커스 조정은, 단계(B3)에 있어서의 매크로 카메라(121)의 포커스 조정과 동일하므로, 설명을 생략한다.
이어서, 단계(B7)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 복수의 점에 대하여, 처리 웨이퍼(W)의 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계를 촬상한다. 이 때, 매크로 카메라(121)는 승강 및 이동시키지 않고, 고정한다. 그리고, 척(100)을 회전시켜, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 복수의 점에 대하여, 도 16에 나타내는 바와 같이 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계(R2)(도 16 중의 점선)를 촬상한다.
접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계의 촬상에 있어서도, 단계(B3)에 있어서의 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부의 촬상과 마찬가지로, 비교예에 있어서는, 척(100)을 회전시킨 후, 원하는 위치에서 정지시킨 상태에서 촬상을 행한다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 척(100)을 회전시키면서, 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계의 촬상을 행한다. 즉, 촬상을 행할 시에, 척(100)의 회전을 정지시키지 않는다. 이 때문에, 촬상의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이와 같이 촬상 시간을 단축하면, 촬상 횟수를 늘리는 것도 가능해지고, 그 결과, 마이크로 얼라이먼트를 적절히 행할 수 있다.
이렇게 하여 마이크로 카메라(122)에 의해, 처리 웨이퍼(W)의 둘레 방향 360 도에 있어서의 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계의 화상이 촬상된다. 촬상된 화상은, 마이크로 카메라(122)로부터 제어 장치(90)에 출력된다.
제어 장치(90)에서는, 마이크로 카메라(122)의 화상으로부터, 척(100)의 중심(Cc)과 접합 영역(Aa)의 중심(Ca)의 제 2 편심량을 산출한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 제 2 편심량에 기초하여, 접합 영역(Aa)의 중심과 척(100)의 중심이 일치하도록, 주연 개질층(M1)에 대한 척(100)의 위치를 결정한다.
이어서, 척(100)이 제 2 위치(P2)에 배치된 상태에서, 레이저 헤드(110)로부터 조사되는 레이저광의 높이 조절(조사 높이 조정)을 행한다(도 12의 단계(B8)). 제 2 위치(P2)에서는, 레이저 헤드(110)의 렌즈(111)는, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)와 중앙부(Wc)의 경계에 레이저광을 조사할 수 있는 위치에 배치되어 있다.
여기서, 후술하는 바와 같이 단계(B9)에서는, 척(100)을 회전시키면서 레이저 헤드(110)로부터 처리 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광을 조사하여, 환상의 주연 개질층을 형성한다. 또한, 단계(B9)에서는, 레이저광의 조사 위치(조사 높이)를 측정하여, 리얼타임으로 그 레이저광의 높이를 조절(추종)한다. 이 때문에, 레이저광의 조사 개시 위치에 있어서의 높이가 중요해진다. 따라서, 단계(B8)의 레이저광의 조사 높이 조정은, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 개시 위치에 있어서 행한다.
또한, 척(100)에 유지된 처리 웨이퍼(W)의 높이는, 각종 요인에 의해, 웨이퍼 면내에서 균일하지 않은 경우가 있다. 그러면, 처리 웨이퍼(W)의 주연부와 중심부에서는 높이가 상이한 경우가 있으며, 예를 들면 처리 웨이퍼(W)의 중심에서 레이저광의 높이를 조절하면, 주연부에서는 적절히 조절되지 않는 경우가 있다. 따라서, 이러한 관점으로부터도, 단계(B8)의 레이저광의 조사 높이 조정은, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 개시 위치에 있어서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 단계(B9)에 있어서 레이저광의 조사 위치를 측정하는데 이용되는 센서(113)는, 추종 가능한 범위가 한정되어 있고, 이 범위는 예를 들면, 측정 대상의 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)으로부터 연직 방향으로 ±0.2 mm이다. 따라서, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 위치를, 상기 센서(113)의 추종 가능한 범위에 두기 위해서도, 단계(B8)의 조사 높이 조정이 필요해진다.
단계(B8)에서는, 먼저, 센서(114)와 카메라(115)를, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 개시 위치로 이동시킨다. 이 후, 레이저 헤드(110)를 승강시키면서, 센서(114)에 의해, 레이저광의 조사 개시 위치에 있어서의 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정하여, 당해 이면(Wb)을 서치한다. 센서(114)로 측정된 이면(Wb)의 높이는 제어 장치(90)에 출력된다. 제어 장치(90)에서는, 이면(Wb)의 높이에 기초하여, 이면(Wb)의 위치를 서치(특정)한다.
단계(B8)에서는, 이어서 레이저 헤드(110)를, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 위치로 수평 방향으로 이동시킨다. 이어서, 카메라(115)에 의해, 이면(Wb)을 촬상한다. 카메라(115)로 촬상된 이면(Wb)의 화상은 제어 장치(90)에 출력된다. 제어 장치(90)에서는, 이면(Wb)의 화상에 기초하여, 이면(Wb)의 높이를 산출하고, 또한 당해 이면(Wb)의 높이에 기초하여 처리 웨이퍼(W)의 내부에 조사되는 레이저광의 조사 위치를 산출한다. 그리고, 레이저 헤드(110)를 강하시켜 레이저광의 조사 높이에 배치한 후, 당해 산출한 위치를, 센서(113)에 대하여 레이저광의 조사 위치의 원점 위치로 설정한다(제로점 조정). 이와 같이, 단계(B8)에서는, 센서(114)에 의해 이면(Wb)의 개략적인 서치를 행한 후, 카메라(115)에 의해 정밀하게 이면(Wb)을 파악하여, 제로점 조정을 행한다.
또한, 단계(B8)에서는, 레이저 헤드(110)를 상승 또는 하강시키면서, 센서(114)와 카메라(115)를 이용하여 제로점 조정을 행한다. 여기서, 상술한 도 14에 나타낸 포커스 조정과 마찬가지로, 레이저 헤드(110)의 승강을 정지시킨 후, 원하는 높이에서 정지시킨 상태에서, 센서(114)로 이면(Wb)의 높이를 측정하는 경우, 제로점 조정은 시간이 걸린다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 레이저 헤드(110)를 승강시키면서, 센서(114)에 의한 측정을 행한다. 즉, 센서(114)에 의한 측정을 행할 시에, 레이저 헤드(110)의 승강을 정지시키지 않는다. 이 때문에, 제로점 조정의 시간을 단축할 수 있다. 마찬가지로 카메라(115)에 의한 이면(Wb)의 촬상이, 레이저 헤드(110)의 승강을 정지시킨 후, 원하는 높이에서 정지시킨 상태에서 행해지는 경우, 제로점 조정은 시간이 걸린다. 이에 대하여, 레이저 헤드(110)를 승강시키면서, 카메라(115)에 의한 이면(Wb)의 촬상을 행함으로써, 제로점 조정의 시간을 단축할 수 있다.
이어서, 센서(113)를, 레이저광의 조사 개시 위치로 이동시킨다. 이 후, 도 17및 도 18에 나타내는 바와 같이 레이저 헤드(110)로부터 레이저광(L1)(주연용 레이저광(L1))을 조사하여, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)와 중앙부(Wc)의 경계에 주연 개질층(M1)을 형성한다(도 12의 단계(B9), 도 10의 단계(A1)). 주연 개질층(M1)은, 상이한 높이에 복수 형성된다. 또한 주연 개질층(M1)은, 접합 영역(Aa)의 외측 단부보다 직경 방향 내측에 형성된다.
상기 레이저광(L1)에 의해 형성되는 주연 개질층(M1)은, 두께 방향으로 연신하여 세로로 긴 애스펙트비를 가진다. 최하층의 주연 개질층(M1)의 하단은, 박화 후의 처리 웨이퍼(W)의 목표 표면(도 17중의 점선)보다 상방에 위치하고 있다. 즉, 주연 개질층(M1)의 하단과 처리 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과의 사이의 거리(H1)는, 박화 후의 처리 웨이퍼(W)의 목표 두께(H2)보다 크다. 이러한 경우, 박화 후의 처리 웨이퍼(W)에 주연 개질층(M1)이 남지 않는다. 또한 처리 웨이퍼(W)의 내부에는, 복수의 주연 개질층(M1)으로부터 크랙(C1)이 진전하여, 이면(Wb)과 표면(Wa)에 도달하고 있다.
단계(B9)에서는, 제어 장치(90)로 결정된 척(100)의 위치에 맞추어, 접합 영역(Aa)의 중심과 척(100)의 중심이 일치하도록, 회전 기구(103)에 의해 척(100)을 회전시키고, 또한 이동 기구(104)에 의해 척(100)을 Y축 방향으로 이동시킨다. 이 때, 척(100)의 회전과 Y축 방향의 이동을 동기시킨다.
그리고, 이와 같이 척(100)(처리 웨이퍼(W))을 회전 및 이동시키면서, 레이저 헤드(110)로부터 처리 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L1)을 조사한다. 즉, 단계(B7)에서 산출한 제 2 편심량을 보정하면서, 주연 개질층(M1)을 형성한다. 그러면 주연 개질층(M1)은, 접합 영역(Aa)과 동심원 형상으로 환상으로 형성된다. 이 때문에, 이 후 주연 제거 장치(61)에 있어서, 주연 개질층(M1)을 기점으로 주연부(We)를 적절하게 제거할 수 있다.
또한 본 예에 있어서는, 제 2 편심량이 X축 성분을 구비하는 경우에, 척(100)을 Y축 방향으로 이동시키면서, 척(100)을 회전시켜, 당해 X축 성분을 보정하고 있다. 한편, 제 2 편심량이 X축 성분을 구비하지 않는 경우에는, 척(100)을 회전시키지 않고, Y축 방향으로 이동시키는 것만으로 좋다.
또한 제 2 위치(P2)에서는, 척(100)에 유지된 처리 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로 카메라(122)는 Y축 정방향측에 배치되고, 레이저 헤드(110)의 렌즈(111)는 Y축 부방향측에 배치된다. 이러한 경우, 단계(B9)에서는, 레이저 헤드(110)에 의해 주연 개질층(M1)을 형성하고, 또한 마이크로 카메라(122)에 의해 주연 개질층(M1)을 촬상한다. 촬상된 화상은 제어 장치(90)에 출력되고, 제어 장치(90)에 있어서 주연 개질층(M1)이 적절한 위치에 형성되어 있는지를 검사한다. 이와 같이 주연 개질층(M1)의 형성과 검사를 병행하여 행함으로써, 작업 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 검사 결과, 주연 개질층(M1)이 원하는 위치로부터 어긋나 있는 경우에는, 척(100)의 이동을 미조정하는 것도 가능해진다.
이와 같이 처리 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L1)을 조사하여 주연 개질층(M1)을 형성하는 동안, 센서(113)로 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정하고, 또한 제어 장치(90)로 레이저광(L1)의 조사 위치를 산출한다. 그리고, 산출된 레이저광(L1)의 조사 위치가, 단계(B8)에서 설정된 원점 위치에 일치하도록 제어한다. 구체적으로, 산출된 레이저광(L1)의 조사 위치에 기초하여, 피에조 액츄에이터(112)에 의해 렌즈(111)를 승강시킨다. 이와 같이 단계(B9)에서는, 리얼타임으로 레이저광(L1)의 높이를 조절하여 추종시킨다.
여기서, 센서(113)는, 렌즈(111)로부터 조사되는 레이저광(L1)과 동축에 마련되어 있다. 단계(B9)의 처리 레시피에 따라서는, 레이저광(L1)의 조사 반경(주연 개질층의 반경)이 상이한 경우가 있다. 이러한 경우에, 센서(113)가 레이저광(L1)과 별축에 마련되어 있으면, 당해 센서(113)는, 레이저광(L1)이 조사되는 위치와 상이한 위치에 있어서의 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정하게 되어, 실제의 높이로부터 어긋날 가능성이 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 센서(113)를 레이저광(L1)과 동축으로 마련한다.
단계(B9)에서는, 이상과 같이 처리 웨이퍼(W)의 내부에 1 주(周)분의 레이저광(L1)을 조사함으로써, 1 층의 주연 개질층(M1)이 형성된다. 그리고, 본 실시 형태와 같이 상이한 높이에 복수의 주연 개질층(M1)이 형성될 시에는, 레이저광(L1)의 조사 위치(조사 높이)를 변경한다. 이하, 본 실시 형태에 있어서의 복수의 주연 개질층(M1)의 형성 방법에 대하여 설명한다.
도 19는 복수의 주연 개질층(M1)을 형성하는 방법을 모식적으로 나타내는 설명도이며, 종축은 회전 속도를 나타내고, 횡축은 시간을 나타내고 있다. 또한, 도 19 중의 L1은 레이저광(L1)의 조사를 나타내고, D는 주연 개질층(M1)을 형성할 시의 처리 조건(처리 레시피)의 변경을 나타낸다. 처리 조건 변경(D)은, 렌즈(111)를 승강시켜 레이저광(L1)의 조사 위치를 변경하는 것, 및 레이저광(L1)의 조건, 예를 들면 레이저광(L1)의 출력(파워), 주파수, 형상(레이저 패턴), 분기수 등을 변경하는 것을 포함한다. 또한, 도 19 중 (a)는 비교예를 나타내고, (b)는 본 실시 형태의 예를 나타낸다.
도 19의 (a)에 나타내는 바와 같이 비교예에 있어서는, 척(100)의 회전을 가속시킨 후, 일정 속도로 유지한 상태에서 레이저광(L1)을 1 주분 조사하여 1 층의 주연 개질층(M1)을 형성한다. 이 후, 척(100)의 회전을 감속시킨 후, 회전을 정지시킨 상태에서, 처리 조건 변경(D)을 행한다. 즉, 1 층의 주연 개질층(M1)을 형성할 때마다, 처리 조건 변경(D)을 행한다. 그리고, 처리 조건 변경(D)을 행할 때마다, 척(100)의 회전의 가속과 감속을 반복한다. 이 때문에, 시간이 걸린다.
이에 대하여, 도 19의 (b)에 나타내는 바와 같이 본 실시 형태에서는, 척(100)을 회전시키면서, 주연 개질층(M1)의 처리 조건 변경(D)을 행한다. 즉, 처리 조건 변경(D)을 행할 시에, 척(100)의 회전을 정지시키지 않는다. 이 때문에, 비교예의 척(100)의 회전의 가속과 감속이 불필요하여, 시간을 생략할 수 있다. 이 때문에, 복수의 주연 개질층(M1)을 형성하는 시간을 단축할 수 있다. 또한 도 19의 예에서는, 단축시킬 수 있는 시간은 t2이다. 또한, 이와 같이 복수의 주연 개질층(M1)을 형성하는 시간을 단축하면, 주연 개질층(M1)을 형성하는 개수를 늘리는 것도 가능해진다.
또한, 도 19의 (b)에 나타내는 바와 같이 레이저광(L1)의 조사와, 주연 개질층(M1)의 처리 조건 변경(D)을 연속하여 행하는 경우, 도 20에 나타내는 바와 같이 1 층의 주연 개질층(M1)을 형성할 시의, 레이저광(L1)의 조사 개시 위치와 조사 종료 위치가 각각 둘레 방향으로 어긋난다.
한편, 도 21에 나타내는 바와 같이 1 층의 주연 개질층(M1)을 형성할 시의, 레이저광(L1)의 조사 개시 위치와 조사 종료 위치를 각각 동일하게 해도 된다. 그리고, 주연 개질층(M1)의 처리 조건 변경(D)을 행한 후, 레이저광(L1)의 조사 개시 위치의 상방에 렌즈(111)가 위치할 때까지는, 레이저광(L1)을 조사하지 않게 한다. 이러한 경우에서도, 처리 조건 변경(D)을 행할 시에, 척(100)의 회전을 정지시키지 않아, 복수의 주연 개질층(M1)을 형성하는 시간을 단축할 수 있다.
또한 도 19에 나타낸 예에서는, 복수의 주연 개질층(M1)을 형성할 시에, 주연 개질층(M1)마다 처리 조건을 변경하는 경우에 대하여 설명했지만, 1 층의 주연 개질층(M1)을 형성하는 동안, 즉 레이저광(L1)이 1 주하는 동안에도 당해 레이저광(L1)의 조건을 변경하는 경우가 있다. 예를 들면 처리 웨이퍼(W)에 있어서, 실리콘의 결정 방위에 따라 레이저광(L1)의 조건을 변경하는 경우가 있다. 도 22는 레이저광(L1)의 조건이 1 주 중에 변경되는 일례를 나타내는 설명도이다. 도 22에 나타내는 예에서는, 처리 웨이퍼(W)를 4 분할하여, 대각의 처리 웨이퍼(W1, W1)에서는 하나의 조건으로 레이저광(L1)을 조사하고, 처리 웨이퍼(W2, W2)에서는 다른 조건으로 레이저광(L1)을 조사한다.
도 22에 나타내는 처리를 행하는 경우, 비교예에 있어서는, 척(100)을 회전시킨 상태에서, 1 주째에서 처리 웨이퍼(W1, W1)에 대하여 레이저광(L1)을 조사하고, 처리 웨이퍼(W2, W2)에 대하여 레이저광(L1)의 조사를 정지한다. 이 후, 일단 척(100)의 회전을 정지시킨 상태에서, 레이저광(L1)의 조건을 변경한다. 그리고, 다시 척(100)을 회전시킨 상태에서, 2 주째에서 처리 웨이퍼(W2, W2)에 대하여 레이저광(L1)을 조사하고, 처리 웨이퍼(W1, W1)에 대하여 레이저광(L1)의 조사를 정지한다. 이러한 경우, 레이저광(L1)의 조건을 변경할 시에, 척(100)의 회전의 가속과 감속을 행하기 때문에, 시간이 걸린다.
이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 척(100)을 회전시키면서, 레이저광(L1)의 조건을 변경한다. 즉, 레이저광(L1)의 조건을 변경할 시에, 척(100)의 회전을 정지시키지 않는다. 이 때문에, 비교예의 척(100)의 회전의 가속과 감속이 불필요하여, 시간을 생략할 수 있다. 이 때문에, 주연 개질층(M1)을 형성하는 시간을 단축할 수 있다.
여기서, 도 23에 나타내는 바와 같이 처리 웨이퍼(W)의 외연부에는 노치부(Wn)가 형성되어 있다. 예를 들면, 도 23의 (a)에 나타내는 바와 같이 주연 개질층(M1)의 형성 위치가 노치부(Wn)와 중첩되는 경우, 노치부(Wn)에 레이저광(L1)이 조사된다. 그러면, 노치부(Wn)의 단부에 있어서, 레이저광(L1)이 조사되는 단면이 거칠어진다. 또한, 상술한 바와 같이 단계(B9)에서는, 척(100)을 회전시키면서 레이저광(L1)을 조사할 시, 당해 레이저광(L1)의 조사 위치(조사 높이)를 리얼타임으로 조절(추종)하고 있다. 이 점, 노치부(Wn)에 레이저광(L1)을 조사하면, 당해 레이저광(L1)의 조사 위치가 변동한다. 그러면, 노치부(Wn) 이외의 장소에서, 레이저광(L1)의 조사 위치를 리얼타임으로 조절하는데 시간이 걸린다.
따라서 본 실시 형태에서는, 단계(B9)에 있어서, 도 23의 (b)에 나타내는 바와 같이 노치부(Wn)에 레이저광(L1)이 조사되지 않도록 제어한다. 처리 웨이퍼(W)에 있어서의 노치부(Wn)의 위치는 미리 파악되어 있기 때문에, 레이저 헤드(110)의 렌즈(111)가 노치부(Wn)의 상방에 배치될 시에, 레이저광(L1)의 조사를 정지하면 된다. 이러한 경우, 노치부(Wn)에 레이저광(L1)이 조사되지 않으므로, 노치부(Wn)의 단부 단면이 거칠어지지 않는다. 또한, 노치부(Wn)에서는 레이저광(L1)의 조사 위치의 리얼타임 조절을 정지한다. 그러면, 1 주의 레이저광(L1)의 조사에 있어서, 당해 레이저광(L1)의 조사 위치가 크게 변동하지 않아, 노치부(Wn) 이외에서의 리얼타임 조절이 용이해진다.
이상과 같이 주연 개질층(M1)이 형성되면, 이어서, 도 24 및 도 25에 나타내는 바와 같이 레이저 헤드(110)로부터 레이저광(L2)(분할용 레이저광(L2))을 조사하여, 주연 개질층(M1)의 직경 방향 외측에 분할 개질층(M2)을 형성한다(도 12의 단계(B10), 도 10의 단계(A2)).
분할 개질층(M2)도, 주연 개질층(M1)과 마찬가지로 두께 방향으로 연신하여, 세로로 긴 애스펙트비를 가진다. 또한, 분할 개질층(M2)으로부터 크랙(C2)이 진전하여, 이면(Wb)과 표면(Wa)에 도달하고 있다.
또한, 분할 개질층(M2) 및 크랙(C2)을 직경 방향으로 수 μm의 피치로 복수 형성함으로써, 도 25에 나타내는 바와 같이 주연 개질층(M1)으로부터 직경 방향 외측으로 연신하는, 1 라인의 분할 개질층(M2)이 형성된다. 또한 도시의 예에 있어서는, 직경 방향으로 연신하는 라인의 분할 개질층(M2)은 8 개소에 형성되어 있지만, 이 분할 개질층(M2)의 수는 임의이다. 적어도, 분할 개질층(M2)이 2 개소에 형성되어 있으면, 주연부(We)는 제거할 수 있다. 이러한 경우, 엣지트림에 있어서 주연부(We)를 제거할 시, 당해 주연부(We)는, 환상의 주연 개질층(M1)을 기점으로 분리하면서, 분할 개질층(M2)에 의해 복수로 분할된다. 그러면, 제거되는 주연부(We)가 소편화되어, 보다 용이하게 제거할 수 있다.
여기서, 비교예에 있어서 종래, 도 26에 나타내는 바와 같이 척(100)을 Y축 방향으로 이동시켜, 분할 개질층(M2)을 형성하는 경우가 있다. 즉, 도 26의 (a)에 나타내는 바와 같이 척(100)이 렌즈(111)의 Y축 정방향측에 위치한 상태로부터, 도 26의 (b)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 Y축 부방향으로 이동시킨다. 그리고, 처리 웨이퍼(W)가 렌즈(111)의 하방을 통과할 시에, 주연부(We)의 일단부에 레이저광(L2)을 조사하여, 분할 개질층(M21)을 형성한다. 이 후, 도 26의 (c)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 Y축 부방향으로 더 이동시켜, 주연부(We)의 타단부에 분할 개질층(M22)을 형성한다. 이렇게 하여, 대향하는 주연부(We)에 분할 개질층(M21, M22)을 형성한다. 이러한 경우, 척(100)의 이동 거리(D1)가 길어진다. 구체적으로 이동 거리(D1)에는, 예를 들면 처리 웨이퍼(W)의 1 매분과, 척(100)의 가속하기 위한 거리 및 감속하기 위한 거리가 필요하다.
이에 대하여, 본 실시 형태의 단계(B10)에서는, 도 27에 나타내는 바와 같이 주연부(We)의 일단부에만 분할 개질층(M2)을 형성하고, 또한 척(100)을 회전시킴으로써, 척(100)의 이동 거리를 짧게 한다. 즉, 도 27의 (a)에 나타내는 바와 같이 척(100)이 렌즈(111)의 Y축 정방향측에 위치한 상태로부터, 도 27의 (b)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 Y축 부방향으로 이동시킨다. 그리고, 처리 웨이퍼(W)가 렌즈(111)의 하방을 통과할 시에, 주연부(We)의 일단부(하나의 둘레 방향 위치)에 레이저광(L2)을 조사하여, 분할 개질층(M21)을 형성한다. 이어서, 도 27의 (c)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 180 도 회전시킨다. 이 후, 도 27의 (d)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 Y축정방향으로 이동시켜, 주연부(We)의 타단부(다른 둘레 방향 위치)에 분할 개질층(M22)을 형성한다. 이러한 경우, 척(100)의 이동 거리(D2)는 짧아진다. 구체적으로 이동 거리(D2)에는, 예를 들면 분할 개질층(M2)의 형성 폭과, 척(100)의 가속하기 위한 거리 및 감속하기 위한 거리만이 있으면 된다.
이와 같이 본 실시 형태에서는, 단계(B10)에서 분할 개질층(M2)을 형성함에 있어, 척(100)의 이동 거리를 짧게 하여, 개질 장치(60)의 점유 면적(풋프린트)을 작게 할 수 있어, 공간 절약화할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 분할 개질층(M2)을 형성함에 있어, 척(100)을 Y축 방향으로 이동시켰지만, 레이저 헤드(110)를 Y축 방향으로 이동시켜도 된다.
이어서, 도 28 및 도 29에 나타내는 바와 같이 레이저 헤드(110)로부터 레이저광(L3)(내부면용 레이저광(L3))을 조사하여, 면 방향을 따라 내부면 개질층(M3)을 형성한다(도 12의 단계(B11), 도 10의 단계(A3)). 또한, 도 29에 나타내는 검은색 화살표는 척(100)의 회전 방향을 나타내며, 이하의 설명에 있어서도 동일하다.
내부면 개질층(M3)의 하단은, 박화 후의 처리 웨이퍼(W)의 목표 표면(도 28 중의 점선)보다 조금 상방에 위치하고 있다. 즉, 내부면 개질층(M3)의 하단과 처리 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과의 사이의 거리(H3)는, 박화 후의 처리 웨이퍼(W)의 목표 두께(H2)보다 조금 크다. 또한 처리 웨이퍼(W)의 내부에는, 내부면 개질층(M3)으로부터 면 방향으로 크랙(C3)이 진전한다.
단계(B11)에서는, 척(100)(처리 웨이퍼(W))을 회전시키고, 또한 레이저 헤드(110)를 처리 웨이퍼(W)의 외주부로부터 중심부를 향해 Y축 방향으로 이동시키면서, 레이저 헤드(110)로부터 처리 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L3)을 조사한다. 그러면, 내부면 개질층(M3)은, 처리 웨이퍼(W)의 면내에 있어서, 외측으로부터 내측으로 나선 형상으로 형성된다.
또한, 본 실시 형태에서는 내부면 개질층(M3)을 형성함에 있어, 레이저 헤드(110)를 Y축 방향으로 이동시켰지만, 척(100)을 Y축 방향으로 이동시켜도 된다. 또한 내부면 개질층(M3)을 형성함에 있어, 척(100)을 회전시켰지만, 레이저 헤드(110)를 이동시켜, 척(100)에 대하여 레이저 헤드(110)를 상대적으로 회전시켜도 된다.
이어서, 도 13의 (d)에 나타내는 바와 같이 척(100)을 제 1 위치(P1)로 이동시킨다(도 12의 단계(B12)). 이 후, 제 1 위치(P1)에 있어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 중합 웨이퍼(T)가 반출된다(도 12의 단계(B13)).
이상이 개질 장치(60)에서 행해지는 일련의 처리이다. 이하, 도 10 및 도 11로 돌아와, 웨이퍼 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다.
개질 장치(60)로부터 반출된 중합 웨이퍼(T)는, 이어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 주연 제거 장치(61)로 반송된다. 주연 제거 장치(61)에서는, 도 11의 (d)에 나타내는 바와 같이 주연 개질층(M1)을 기점으로, 처리 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제거한다(도 10의 단계(A4)). 단계(A4)에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 쐐기 롤러(141)를, 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 외측 단부로부터, 당해 처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 계면에 삽입한다. 그리고, 삽입된 쐐기 롤러(141)에 의해 주연부(We)가 밀어올려져, 주연 개질층(M1)을 기점으로 처리 웨이퍼(W)로부터 분리되어 제거된다. 이 때, 분할 개질층(M2)을 기점으로, 주연부(We)는 소편화되어 분리된다. 또한, 제거된 주연부(We)는, 회수부(도시하지 않음)로 회수된다.
이어서, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 가공 장치(80)로 반송된다. 가공 장치(80)에서는, 먼저, 반송 암(71)으로부터 전달 위치(A0)의 척(83)으로 중합 웨이퍼(T)를 전달한다. 이 때, 도 11의 (e)에 나타내는 바와 같이 내부면 개질층(M3)을 기점으로, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측(이하, 이면 웨이퍼(Wb1)라 함)을 분리한다(도 10의 단계(A5)).
단계(A5)에서는, 반송 암(71)의 흡착판(170)으로 처리 웨이퍼(W)를 흡착 유지하면서, 척(83)으로 지지 웨이퍼(S)를 흡착 유지한다. 그리고, 흡착판(170)을 회전시켜, 내부면 개질층(M3)을 경계로 이면 웨이퍼(Wb1)가 잘린다. 이 후, 흡착판(170)이 이면 웨이퍼(Wb1)를 흡착 유지한 상태에서, 당해 흡착판(170)을 상승시켜, 처리 웨이퍼(W)로부터 이면 웨이퍼(Wb1)를 분리한다. 이 때, 압력 센서(183)로 이면 웨이퍼(Wb1)를 흡인하는 압력을 측정함으로써, 이면 웨이퍼(Wb1)의 유무를 검지하여, 처리 웨이퍼(W)로부터 이면 웨이퍼(Wb1)가 분리되었는지 여부를 확인할 수 있다. 또한, 분리된 이면 웨이퍼(Wb1)는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부로 회수된다.
이어서, 척(83)을 가공 위치(A1)로 이동시킨다. 그리고, 연삭 유닛(84)에 의해, 도 11의 (f)에 나타내는 바와 같이 척(83)에 유지된 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭하여, 당해 이면(Wb)에 남는 내부면 개질층(M3)과 주연 개질층(M1)을 제거한다(도 10의 단계(A6)). 단계(A6)에서는, 이면(Wb)에 연삭 숫돌을 접촉시킨 상태에서, 처리 웨이퍼(W)와 연삭 숫돌을 각각 회전시켜, 이면(Wb)을 연삭한다. 또한 이 후, 세정액 노즐(도시하지 않음)을 이용하여, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 세정액에 의해 세정되어도 된다.
이어서, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 세정 장치(41)로 반송된다. 세정 장치(41)에서는 처리 웨이퍼(W)의 연삭면인 이면(Wb)이 스크럽 세정된다(도 10의 단계(A7)). 또한 세정 장치(41)에서는, 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 함께, 지지 웨이퍼(S)의 이면(Sb)이 세정되어도 된다.
이어서, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 에칭 장치(40)로 반송된다. 에칭 장치(40)에서는 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 약액에 의해 웨트 에칭된다(도 5의 단계(A8)). 상술한 가공 장치(80)로 연삭된 이면(Wb)에는, 연삭흔이 형성되는 경우가 있다. 본 단계(A8)에서는, 웨트 에칭함으로써 연삭흔을 제거할 수 있어, 이면(Wb)을 평활화할 수 있다.
이 후, 모든 처리가 실시된 중합 웨이퍼(T)는, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 트랜지션 장치(30)로 반송되고, 또한 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(Ct)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 개질 장치(60)에 있어서의 각 처리에 걸리는 시간을 단축하여, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 이에 수반하여, 개질 품질(개질 정밀도)을 향상시키는 것도 가능해진다.
즉, 단계(B3)에 있어서 매크로 카메라(121)의 포커스 조정을 행할 시, 매크로 카메라(121)를 승강시키면서 포커스 조정을 행한다. 또한, 단계(B6)에 있어서 마이크로 카메라(122)의 포커스 조정을 행할 시, 매크로 카메라(121)를 승강시키면서 포커스 조정을 행한다. 이 때문에, 단계(B3, B6)에 있어서의 포커스 조정의 시간을 단축할 수 있다.
또한, 단계(B4)에 있어서 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부를 촬상할 시, 척(100)을 회전시키면서, 처리 웨이퍼(W)의 외측 단부를 촬상한다. 또한, 단계(B7)에 있어서 처리 웨이퍼(W)의 접합 영역(Aa)과 미접합 영역(Ab)의 경계를 촬상할 시, 척(100)을 회전시키면서, 경계를 촬상한다. 이 때문에, 단계(B4, B7)에 있어서의 촬상의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이와 같이 촬상 시간을 단축하면, 촬상 횟수를 늘리는 것도 가능해지고, 그 결과, 얼라이먼트를 적절히 행할 수 있어, 개질 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 단계(B8)에 있어서 레이저광의 조사 높이 조정을 행할 시, 단계(B9)에 있어서의 레이저광의 조사 개시 위치에 있어서 행한다. 즉, 센서(114)와 카메라(115)에 의해 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 높이를 측정하고, 제어 장치(90)로 레이저광의 조사 위치(조사 높이)를 산출한다. 그리고, 당해 산출한 위치를, 센서(113)에 있어서의 레이저광의 조사 위치의 원점 위치로 설정하므로(제로점 조정), 조사 높이 조정을 적절히 행할 수 있다. 그 결과, 주연 개질층(M1)을 적절한 높이에 형성할 수 있어, 개질 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 단계(B8)에서는, 렌즈(111)를 승강시키면서 제로점 조정을 행하므로, 조사 높이 조정에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 단계(B9)에 있어서 주연 개질층(M1)을 형성할 시, 레이저광(L1)과 동축의 센서(113)를 이용하여, 리얼타임으로 레이저광의 조사 위치를 조정하므로, 주연 개질층(M1)을 적절한 높이에 형성할 수 있어, 개질 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 단계(B9)에 있어서 주연 개질층(M1)을 형성할 시, 척(100)을 회전시키면서, 주연 개질층(M1)을 형성할 시의 처리 조건을 변경한다. 이 때문에, 주연 개질층(M1)을 형성하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이와 같이 주연 개질층(M1)의 형성 시간을 단축하면, 주연 개질층(M1)을 형성하는 갯수를 늘리는 것도 가능해진다.
또한, 단계(B9)에 있어서 주연 개질층(M1)을 형성할 시, 노치부(Wn)에는 레이저광(L1)을 조사하지 않는다. 이 때문에, 노치부(Wn)의 단부 단면이 거칠어지지 않아, 개질 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 노치부(Wn)에서는 레이저광(L1)의 조사 위치의 리얼타임 조절을 정지한다. 이 때문에, 레이저광(L1)의 조사 위치가 크게 변동하지 않아, 노치부(Wn) 이외에서의 리얼타임 조절이 용이해진다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 주연부(We)의 제거는, 주연 제거 장치(61)에 있어서 주연 제거부(140)를 이용하여 행해졌지만, 제거 방법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 주연부(We)를 유지하여 제거해도 되고, 주연부(We)에 대하여 물리적인 충격 또는 초음파 등을 부여하여 제거해도 된다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 처리 웨이퍼(W)로부터의 이면 웨이퍼(Wb1)의 분리는, 웨이퍼 반송 장치(70)의 반송 암(71)으로부터 가공 장치(80)의 척(83)으로 중합 웨이퍼(T)를 전달할 시에 행하고 있었지만, 분리 방법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 분리 장치(도시하지 않음)를 주연 제거 장치(61)와 동일 장치 내에 마련해도 되고, 분리 장치(도시하지 않음)를 별도 마련해도 된다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 처리 웨이퍼(W)의 박화는, 이면 웨이퍼(Wb1)를 분리함으로써 행하고 있었지만, 박화 방법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 처리 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭해도 되고, 혹은 이면(Wb)을 에칭해도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1 : 웨이퍼 처리 시스템
60 : 개질 장치
90 : 제어 장치
100 : 척
110 : 레이저 헤드
121 : 매크로 카메라
122 : 마이크로 카메라
M1 : 주연 개질층
S : 지지 웨이퍼
T : 중합 웨이퍼
W : 처리 웨이퍼
Wc : 중앙부
We : 주연부

Claims (20)

  1. 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제 2 기판측으로부터 상기 중합 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판을 촬상하는 촬상부와,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 내부에, 제거 대상의 주연부와 중앙부의 경계를 따라 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하는 개질부와,
    상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키는 제 1 이동부와,
    상기 유지부와 상기 개질부를 상대적으로 이동시키는 제 2 이동부와,
    상기 유지부, 상기 촬상부, 상기 개질부, 상기 제 1 이동부 및 제 2 이동부를 제어하는 제어부를 가지고,
    상기 촬상부는, 상기 제 1 기판의 복수 점에 있어서 포커스 조정을 행한 후, 상기 제 1 기판의 복수 점을 촬상하고,
    상기 제어부는, 상기 촬상부의 포커스 조정 및/또는 상기 촬상부에 의한 촬상을, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키면서 행하도록, 상기 유지부, 상기 촬상부 및 상기 제 1 이동부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 개질부로부터 조사되는 레이저광과 별축에 마련되고, 상기 개질부로부터 조사되는 상기 레이저광의 조사 위치를 조정하는 조정부를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 개질부에 의한 상기 개질층의 형성 전에, 상기 제 1 기판에 있어서 상기 개질부로부터 상기 레이저광의 조사를 개시하는 위치의 높이를 조정하도록 상기 조정부를 제어하고, 상기 조정된 높이에 기초하여 상기 레이저광의 조사 위치의 원점 위치를 설정하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 조정부는,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 표면의 높이를 측정하는 제 1 조정부와,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 표면을 촬상하는 제 2 조정부를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 제 2 조정부로 촬상된 화상으로부터 취득되는 상기 제 1 기판의 표면의 높이에 기초하여, 상기 레이저광의 조사 위치를 산출하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 레이저광의 조사 위치의 원점 위치의 설정을, 상기 유지부와 상기 개질부를 상대적으로 이동시키면서 행하도록, 상기 유지부, 상기 개질부 및 상기 제 2 이동부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개질부로부터 조사되는 레이저광과 동축에 마련되어, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 높이를 측정하는 측정부를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성 중, 상기 측정부에 의해 상기 제 1 기판의 높이를 측정하고, 상기 측정된 높이에 기초하여 상기 레이저광의 조사 위치가 상기 원점 위치에 일치하도록, 상기 유지부, 상기 개질부, 상기 제 2 이동부 및 상기 측정부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 측정부는, 상기 제 1 기판의 표면의 높이를 측정하고,
    상기 제어부는, 상기 측정된 상기 제 1 기판의 표면의 높이에 기초하여, 상기 레이저광의 조사 위치를 산출하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 유지부를 회전시키면서 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성하고, 상기 유지부의 회전을 유지하면서, 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성할 시의 처리 조건의 변경을 행하도록, 상기 유지부, 상기 제 2 이동부 및 상기 개질부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 개질부는, 복수의 상기 개질층을 상이한 높이에 형성하고,
    상기 제어부는, 상기 개질층마다 상기 처리 조건의 변경을 행하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어부는, 하나의 상기 개질층에 있어서 원하는 영역마다 상기 처리 조건의 변경을 행하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판에는 노치부가 형성되고,
    상기 제어부는, 상기 유지부를 회전시키면서 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성할 시, 상기 개질부로부터 상기 노치부에 상기 레이저광이 조사되지 않도록, 상기 유지부, 상기 제 2 이동부 및 상기 개질부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 제 2 기판측으로부터 상기 중합 기판을 유지부로 유지하는 것과,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판을 촬상부로 촬상하는 것과,
    개질부로부터 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 내부에, 제거 대상의 주연부와 중앙부의 경계를 따라 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하는 것을 가지고,
    상기 촬상부에 의한 촬상을 행할 시, 상기 제 1 기판의 복수 점에 있어서 포커스 조정을 행한 후, 상기 제 1 기판의 복수 점을 촬상하고,
    상기 촬상부의 포커스 조정 및/또는 상기 촬상부에 의한 촬상을, 상기 유지부와 상기 촬상부를 상대적으로 이동시키면서 행하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 개질부로부터 조사되는 레이저광과 별축에 마련된 조정부에 의해, 상기 개질부로부터 조사되는 상기 레이저광의 조사 위치를 조정하는 것을 가지고,
    상기 개질부에 의한 상기 개질층의 형성 전에, 상기 제 1 기판에 있어서 상기 개질부로부터 상기 레이저광의 조사를 개시하는 위치의 높이를 상기 조정부로 조정하고, 상기 조정된 높이에 기초하여 상기 레이저광의 조사 위치의 원점 위치를 설정하는, 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 레이저광의 조사 위치를 조정함에 있어,
    상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 표면의 높이를 제 1 조정부로 측정하여, 상기 제 1 기판의 표면을 서치하고,
    이 후, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판을 제 2 조정부로 촬상하고, 촬상된 화상으로부터 상기 제 1 기판의 표면의 높이를 취득하고, 이 후, 취득된 상기 제 1 기판의 표면의 높이에 기초하여, 상기 레이저광의 조사 위치를 산출하는, 기판 처리 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 레이저광의 조사 위치의 원점 위치의 설정을, 상기 유지부와 상기 개질부를 상대적으로 이동시키면서 행하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개질부로부터 조사되는 레이저광과 동축에 마련된 측정부에 의해, 상기 유지부에 유지된 상기 제 1 기판의 높이를 측정하는 것을 가지고,
    상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성 중, 상기 측정부에 의해 상기 제 1 기판의 높이를 측정하고, 상기 측정된 높이에 기초하여 상기 레이저광의 조사 위치를 상기 원점 위치에 일치시키는, 기판 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 측정부에 의해 상기 제 1 기판의 표면의 높이를 측정하고,
    상기 측정된 상기 제 1 기판의 표면의 높이에 기초하여, 상기 레이저광의 조사 위치를 산출하는, 기판 처리 방법.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유지부를 회전시키면서 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성하고, 상기 유지부의 회전을 유지하면서, 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성할 시의 처리 조건의 변경을 행하는, 기판 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 개질부에 의해 복수의 상기 개질층을 상이한 높이에 형성하고,
    상기 개질층마다 상기 처리 조건의 변경을 행하는, 기판 처리 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    하나의 상기 개질층에 있어서 원하는 영역마다 상기 처리 조건의 변경을 행하는, 기판 처리 방법.
  20. 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판에는 노치부가 형성되고,
    상기 유지부를 회전시키면서 상기 개질부에 의해 상기 개질층을 형성할 시, 상기 개질부로부터 상기 노치부에 상기 레이저광을 조사하지 않는, 기판 처리 방법.
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