JP2006093333A - 切削方法 - Google Patents
切削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006093333A JP2006093333A JP2004275662A JP2004275662A JP2006093333A JP 2006093333 A JP2006093333 A JP 2006093333A JP 2004275662 A JP2004275662 A JP 2004275662A JP 2004275662 A JP2004275662 A JP 2004275662A JP 2006093333 A JP2006093333 A JP 2006093333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- workpiece
- semiconductor wafer
- center position
- holding means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 188
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 129
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Milling Processes (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
Abstract
【解決手段】
スピンドル26に装着された切削ブレード22を用いて,被加工物保持手段30に保持された略円板状の被加工物12の外周部を周方向に沿って切削する切削方法が提供される。この切削方法は,被加工物保持手段30に保持された被加工物12の中心位置O’を測定する測定工程と;測定された被加工物12の中心位置O’と被加工物保持手段30の回転中心位置Oとの位置ずれ量d,φを算出する算出工程と;被加工物保持手段30を回転させながら,位置ずれ量d,φと被加工物保持手段30の回転角度θとに基づいて,切削ブレード22をスピンドル26の回転軸方向であるY軸方向に移動させて,被加工物12の外周部を被加工物12の中心位置O’から略同一の距離で周方向に切削する切削工程と;を含むことを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
θは,被加工物保持手段の回転角度であり,
dは,測定された被加工物の中心位置と被加工物保持手段の回転中心位置とのXY平面上での距離であり,
φは,測定された被加工物の中心位置と被加工物保持手段の回転中心位置とを結ぶ線分が,XY平面上でX軸と成す角度であり,
rは,被加工物の切削後の所望の仕上がり半径である。)
まず,図1に基づいて,本発明の第1の実施形態にかかる切削方法を実行する切削装置について説明する。図1は,本実施形態にかかる切削装置であるダイシング装置10の構成を示す正面図である。なお,以下では,略円板状の被加工物として,半導体ウェハ12の例を挙げて説明するが,本発明の被加工物はかかる例に限定されない。
(1)偏心距離d;測定された半導体ウェハ12の中心位置O’と,チャックテーブル30の回転中心位置OとのXY平面上での距離
(2)偏心角度φ;測定された半導体ウェハ12の中心位置O’と,チャックテーブル30の回転中心位置Oとを結ぶ線分O’Oが,XY平面上でX軸と成す角度
12 : 半導体ウェハ
14 : 保護テープ
20 : 切削ユニット
22 : ブレード
26 : スピンドル
30 : チャックテーブル
O : チャックテーブルの回転中心位置
O’ : 半導体ウェハの中心位置
Claims (5)
- スピンドルに装着された切削ブレードを用いて,被加工物保持手段に保持された略円板状の被加工物の外周部を周方向に沿って切削する切削方法であって:
前記被加工物保持手段に保持された前記被加工物の中心位置を測定する測定工程と;
前記測定された被加工物の中心位置と前記被加工物保持手段の回転中心位置との位置ずれ量を算出する算出工程と;
前記被加工物保持手段を回転させながら,前記位置ずれ量と前記被加工物保持手段の回転角度とに基づいて,前記切削ブレードを前記スピンドルの回転軸方向であるY軸方向に移動させて,前記被加工物の外周部を前記被加工物の中心位置から略同一の距離で周方向に切削する切削工程と;
を含むことを特徴とする,切削方法。 - 前記切削工程では,
前記被加工物保持手段の回転中心位置をXY軸方向の原点とした場合に,前記切削ブレードのY軸方向の位置yが下記数式1で定められる位置となるように,前記切削ブレードをY軸方向に移動させて切削を行うことを特徴とする,請求項1に記載の切削方法。
θは,前記被加工物保持手段の回転角度であり,
dは,前記測定された被加工物の中心位置と前記被加工物保持手段の回転中心位置とのXY平面上での距離であり,
φは,前記測定された被加工物の中心位置と前記被加工物保持手段の回転中心位置とを結ぶ線分が,XY平面上でX軸と成す角度であり,
rは,前記被加工物の切削後の所望の仕上がり半径である。) - 前記測定工程では,
前記被加工物の外周上の少なくとも3点の位置を測定し,前記測定された少なくとも3点の位置に基づいて前記被加工物の中心位置を算出することを特徴とする,請求項1または2のいずれかに記載の切削方法。 - 前記測定工程で測定された前記被加工物の外周上の少なくとも3点の位置に基づいて,前記被加工物の半径を算出する工程をさらに含むことを特徴とする,請求項3に記載の切削方法。
- 前記切削工程では,
前記被加工物保持手段を所定角度回転させる度に,前記位置ずれ量と前記被加工物保持手段の回転角度とに基づいて,前記切削ブレードのY軸方向の位置を算出し,前記算出された位置に前記切削ブレードを移動させることを特徴とする,請求項1,2,3または4のいずれかに記載の切削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004275662A JP2006093333A (ja) | 2004-09-22 | 2004-09-22 | 切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004275662A JP2006093333A (ja) | 2004-09-22 | 2004-09-22 | 切削方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006093333A true JP2006093333A (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=36234022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004275662A Pending JP2006093333A (ja) | 2004-09-22 | 2004-09-22 | 切削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006093333A (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317982A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JP2008053341A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR101038220B1 (ko) | 2010-02-10 | 2011-06-01 | 박춘홍 | 폴리실리콘 필라멘트 테이퍼 그라인더 |
JP2012019126A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014003216A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2014003197A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR20150101381A (ko) | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법 |
JP2015199140A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 積層円形板状物の加工方法 |
JP2015199141A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 積層円形板状物の加工方法 |
CN105609404A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 株式会社迪思科 | 双层结构晶片的加工方法 |
JP2017220532A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの切削方法 |
JP2019192854A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル及び加工装置 |
DE102019218969A1 (de) | 2018-12-05 | 2020-06-10 | Disco Corporation | Zentrumsdetektionsverfahren |
KR20200067251A (ko) | 2017-02-03 | 2020-06-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 반송 기구 |
CN113251929A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-08-13 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测设备及检测方法、检测***及存储介质 |
KR20220023290A (ko) | 2020-08-20 | 2022-03-02 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 가공 방법 |
CN114536098A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-27 | 南昌大学 | 一种基于试切直线槽的超精密铣削精对刀方法 |
JP2022173213A (ja) * | 2019-03-08 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291098A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ加工装置 |
JPH08118103A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-14 | Seiko Seiki Co Ltd | 工具の芯出装置 |
JP2000024894A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JP2003273053A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 平面研削方法 |
-
2004
- 2004-09-22 JP JP2004275662A patent/JP2006093333A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291098A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ加工装置 |
JPH08118103A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-14 | Seiko Seiki Co Ltd | 工具の芯出装置 |
JP2000024894A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JP2003273053A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 平面研削方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317982A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JP2008053341A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
DE102007038343B4 (de) * | 2006-08-23 | 2013-09-05 | Disco Corp. | Verfahren zur Bearbeitung von Wafern |
DE102007038343B9 (de) * | 2006-08-23 | 2013-10-02 | Disco Corp. | Verfahren zur Bearbeitung von Wafern |
KR101038220B1 (ko) | 2010-02-10 | 2011-06-01 | 박춘홍 | 폴리실리콘 필라멘트 테이퍼 그라인더 |
JP2012019126A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014003216A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2014003197A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR20150101381A (ko) | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법 |
JP2015199140A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 積層円形板状物の加工方法 |
JP2015199141A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 積層円形板状物の加工方法 |
JP2016096295A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社ディスコ | 2層構造ウェーハの加工方法 |
CN105609404A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 株式会社迪思科 | 双层结构晶片的加工方法 |
JP2017220532A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの切削方法 |
KR20200067251A (ko) | 2017-02-03 | 2020-06-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 반송 기구 |
JP2019192854A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル及び加工装置 |
JP7144964B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-09-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研削方法 |
DE102019218969A1 (de) | 2018-12-05 | 2020-06-10 | Disco Corporation | Zentrumsdetektionsverfahren |
KR20200068584A (ko) | 2018-12-05 | 2020-06-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 중심 검출 방법 |
JP2022173213A (ja) * | 2019-03-08 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7422828B2 (ja) | 2019-03-08 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20220023290A (ko) | 2020-08-20 | 2022-03-02 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 가공 방법 |
CN113251929A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-08-13 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测设备及检测方法、检测***及存储介质 |
CN114536098A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-27 | 南昌大学 | 一种基于试切直线槽的超精密铣削精对刀方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006093333A (ja) | 切削方法 | |
JP6132621B2 (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
JPH04364727A (ja) | ウエーハのノッチ部面取り方法および装置 | |
JP7234317B2 (ja) | ツルーイング方法及び面取り装置 | |
TW200935575A (en) | Wafer | |
JP6093650B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5313018B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5613439B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2003273053A (ja) | 平面研削方法 | |
JP2008062353A (ja) | 研削加工方法および研削加工装置 | |
JP2013012595A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US20210291316A1 (en) | Grinding method | |
JP2018069348A (ja) | チャックテーブルの整形方法 | |
JP2007335521A (ja) | ウェーハ外周部研削方法 | |
JP6633954B2 (ja) | ウェーハの面取り方法 | |
JPH1154461A (ja) | ウェーハの円形カット方法及び曲線カット方法 | |
JP2009297882A (ja) | 加工装置 | |
JP2010245253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2001298008A (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
JP2010094789A (ja) | 研削ホイール | |
KR20190001912A (ko) | 환상의 지석 | |
JP2010147427A (ja) | 試料ウェハの研磨方法、試料ウェハの検査方法、および、被研磨体保持治具 | |
JP5276851B2 (ja) | 結晶方位測定装置、結晶加工装置及び結晶加工方法 | |
JP7242144B2 (ja) | 加工装置 | |
JP4144834B2 (ja) | 半導体ウェーハのノッチ研削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100108 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100318 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100907 |